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陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法

文檔序號:7016015閱讀:120來源:國知局
陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術領域】,尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置,所述陣列基板包括OLED器件、TFT結構和基板,所述OLED器件設置在所述基板的一側,且所述TFT結構設置在所述基板的另一側;所述基板上設有通孔,所述OLED器件與TFT結構通過所述通孔連接。本發(fā)明能夠避免TFT結構對OLED器件的電氣干擾,從而能夠?qū)LED器件進行精確驅(qū)動;并能通過在基板表面直接形成OLED器件,省略了對現(xiàn)有OLED顯示裝置中像素電極的表面處理工藝,加快了制造過程,降低了加工成本;本發(fā)明提供的OLED器件的陽電極和陰電極均為透明材料,使陣列基板能夠雙面發(fā)光,實現(xiàn)了陣列基板雙面顯示的功能。
【專利說明】陣列基板及其制造方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】,尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機發(fā)光二極管)顯不器與 CRT (CathodeRay Tube,陰極射線管)顯不器或 TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay,薄膜晶體管液晶顯示器)相比具有更輕和更薄的外觀設計、更寬的可視視角、更快的響應速度以及更低的功耗等特點,因此OLED顯示器已逐漸作為下一代顯示設備而備受人們的關注。
[0003]OLED器件是自發(fā)光器件,其通常包括陰電極、與陰電極相對設置的陽電極以及設置于陰電極與陽電極之間的有機發(fā)光層。OLED器件通過將電壓施加到包括陰電極和陽電極上以使設置于陰電極和陽電極之間的有機發(fā)光層兩端形成電場,從而使得電子和空穴能夠在有機發(fā)光層中彼此復合而發(fā)光。其中,可以通過具有電路單元的陣列基板控制施加在像素電極上的電壓,從而控制OLED顯示裝置的顯示效果。
[0004]現(xiàn)有技術中,OLED顯示裝置包括OLED器件和TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)陣列基板。OLED器件有機發(fā)光層設置在TFT陣列基板的像素電極表面。所述的像素電極可作為OLED器件的陰電極或陽電極應用。受TFT結構中的電容及電流磁場影響,發(fā)光層的發(fā)光效果較差。而且,由于TFT結構的像素電極表面粗糙,在涂覆發(fā)光層前,還需要對像素電極的襯底進行表面處理,使加工工藝較為繁瑣,增加了生產(chǎn)成本。
[0005]為了解決以上問題,本發(fā)明做了有益改進。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006](一)要解決的技術問題
[0007]本發(fā)明的目的是提供一種OLED器件發(fā)光效果不受TFT結構電氣干擾的陣列基板及其制造方法、顯示裝置,且該陣列基板的制造方法提高了生產(chǎn)效率,降低了生產(chǎn)成本。
[0008](二)技術方案
[0009]本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的:一種陣列基板,包括OLED器件、TFT結構和基板,所述OLED器件設置在所述基板的一側,且所述TFT結構設置在所述基板的另一側;所述基板上設有通孔,所述OLED器件與TFT結構通過所述通孔連接。
[0010]其中,所述通孔內(nèi)設置有導電橋;所述TFT結構通過所述導電橋與所述OLED器件連接。
[0011]進一步,還包括在所述TFT結構一側的基板上對應TFT結構的位置設置的導電橋延伸部,所述導電橋延伸部與所述導電橋一體形成;所述TFT結構通過所述導電橋及導電橋延伸部與所述OLED器件連接。
[0012]其中,所述導電橋的材質(zhì)為有機導電樹脂。
[0013]具體地,所述TFT結構包括設有所述導電橋延伸部的基板上設置的阻擋層及阻擋層過孔,在所述阻擋層上沿遠離基板方向依次形成的源極和漏極、半導體層、柵絕緣層、柵極和鈍化層,所述TFT結構的漏極穿過所述阻擋層過孔與所述導電橋延伸部電連接。
[0014]具體地,所述OLED器件包括陽電極、發(fā)光片和陰電極;所述陽電極或陰電極通過所述通孔與所述TFT結構連接。
[0015]其中,所述陽電極和陰電極均采用透明導電材料制成。
[0016]進一步,所述發(fā)光片設置在所述陽電極和所述陰電極之間沿豎直方向不與所述源極、漏極和柵極相對應的位置。
[0017]本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法,包括以下步驟:
[0018]在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔;
[0019]在所述基板的一側形成TFT結構;
[0020]在所述基板的另一側形成OLED器件,并將所述OLED器件與所述TFT結構通過所述通孔連接。
[0021]進一步,還包括:
[0022]所述通孔內(nèi)形成導電橋,所述TFT結構通過所述導電橋與所述OLED器件連接。
[0023]再進一步,還包括:
[0024]在所述TFT結構一側的基板上形成導電橋延伸部,所述導電橋延伸部與所述導電橋一體形成。
[0025]其中,所述步驟“在所述基板一側形成TFT結構”具體包括以下步驟:
[0026]在設置有導電橋延伸部基板表面形成阻擋層,并在該阻擋層內(nèi)形成過孔;
[0027]形成源極和漏極,并將所述漏極通過所述過孔與所述導電橋延伸部電連接。
[0028]依次形成半導體層、柵絕緣層、柵極和鈍化層。
[0029]其中,所述步驟“在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔”具體包括以下步驟:
[0030]在基板的兩側表面分別依次進行光刻膠涂覆、曝光、顯影操作,從而使所述基板兩側表面形成具有位置對應且尺寸相同的孔狀圖樣的光刻膠層;
[0031]對所述基板進行刻蝕,并去除光刻膠,形成垂直于該基板表面方向的通孔。
[0032]進一步,所述步驟“對所述基板進行刻蝕”之前,還包括以下步驟:
[0033]在所述基板表面添加氫氟酸溶液,然后再對所述基板進行刻蝕。
[0034]具體地,所述步驟“在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔”具體包括以下步驟:
[0035]通過激光打孔的方式在所述基板上形成貫穿該基板兩側表面的通孔。
[0036]其中,所述步驟“在所述基板的另一側形成OLED器件,并使所述OLED器件與所述TFT結構通過所述通孔連接”具體包括以下步驟:
[0037]在所述基板表面形成陰電極,并將所述陰電極通過所述通孔與所述TFT結構相連接,再依次形成發(fā)光片和陽電極;
[0038]或者,在所述基板表面形成陽電極,并將所述陽電極通過所述通孔與所述TFT結構相連接,再依次形成發(fā)光片和陰電極。
[0039]本發(fā)明提供一種顯示裝置,包括如上所述的陣列基板。
[0040](三)有益效果[0041]與現(xiàn)有技術和產(chǎn)品相比,本發(fā)明有如下優(yōu)點:
[0042]1、本發(fā)明通過在基板上設置通孔,使OLED器件和TFT結構分別設置在基板兩側,并穿過通孔相連接;基板在OLED器件和TFT結構中間起了隔離的作用,并且OLED器件和TFT結構之間的距離也增大,使TFT結構對OLED器件的電氣干擾變小,確保TFT結構能夠?qū)LED器件進行較為精確地驅(qū)動。
[0043]2、本發(fā)明通過在基板表面直接形成OLED器件,省略了對現(xiàn)有OLED顯示裝置中像素電極的表面處理工藝,加快了制造過程,降低了加工成本。
[0044]3、本發(fā)明提供的OLED器件的陽電極和陰電極均為透明材料,使陣列基板能夠雙面發(fā)光,實現(xiàn)了陣列基板雙面顯示的功能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]圖1是本發(fā)明提供的陣列基板的結構示意圖;
[0046]圖2是本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法過程中的器件結構示意圖一;
[0047]圖3是本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法過程中的器件結構示意圖二 ;
[0048]圖4是本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法過程中的器件結構示意圖三;
[0049]圖5是本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法過程中的器件結構示意圖四;
[0050]圖6是本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法過程中的器件結構示意圖五;
[0051]圖7是本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法過程中的器件結構示意圖六;
[0052]圖8是本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法過程中的器件結構示意圖七;
[0053]圖9是本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法過程中的器件結構示意圖八。
[0054]附圖中,各標號所代表的組件列表如下:
[0055]1、基板;la、通孔;2、導電橋;2a、導電橋延伸部;3、阻擋層;401、漏極;402、源極;
5、半導體層;6、柵絕緣層;7、柵極;8、鈍化層;9、陰電極;10、絕緣層;11、發(fā)光片;12、陽電極。
【具體實施方式】
[0056]下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做一個詳細的說明。
[0057]如圖1所示,本發(fā)明的一個實施例提供一種陣列基板,該陣列基板包括OLED器件、TFT結構和基板1,所述OLED器件設置在所述基板I的一側,且所述TFT結構設置在所述基板I的另一側;所述基板I上設有通孔,所述OLED器件與TFT結構通過所述通孔連接。所述OLED器件包括依次排列的陽電極12、發(fā)光片11、絕緣層10和陰電極9 ;發(fā)光片11內(nèi)包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。當然OLED器件中的陰電極和陽電極可以互換位置,且陽電極或陰電極通過通孔與所述TFT結構連接。
[0058]基板I在OLED器件和TFT結構中間起了隔離的作用,并且OLED器件和TFT結構之間的距離也增大,使TFT結構對OLED器件的電氣干擾變小,確保TFT結構能夠?qū)LED器件進行較為精確地驅(qū)動。
[0059]優(yōu)選地,所述通孔內(nèi)設置有導電橋2 ;所述TFT結構通過所述導電橋2與所述OLED器件連接。
[0060]進一步,還包括在所述TFT結構一側的基板I上對應TFT結構的位置設置的導電橋延伸部2a,所述導電橋延伸部2a與所述導電橋2 —體形成;所述TFT結構通過所述導電橋2及導電橋延伸部2a與所述OLED器件連接。
[0061]其中,所述導電橋2的材質(zhì)為有機導電樹脂。
[0062]其中,如圖1所示,,所述TFT結構包括設有所述導電橋延伸部2a的基板I上設置的阻擋層3及阻擋層過孔,在所述阻擋層3上沿遠離基板I方向依次形成的源極402和漏極401、半導體層5、柵絕緣層6、柵極7和鈍化層8,所述TFT結構的漏極401穿過所述阻擋層3過孔與所述導電橋延伸部2a電連接。
[0063]需要說明的是,本發(fā)明實施例中,是以頂柵式TFT結構為例進行的說明,但不限于此。除了頂柵式TFT結構之外,其他方式的TFT結構,如低柵式或者側柵式TFT結構均可以適用于本發(fā)明提供的方案。只要將TFT結構的漏極的信號通過基板通孔傳輸?shù)交宓牧硪粋鹊腛LED器件即可。具體的TFT結構可以根據(jù)不同的方式具有多種不同的結構,在這里就不 列舉。
[0064]其中,所述半導體層的材質(zhì)可選用非晶硅、低溫多晶硅或氧化物半導體等材料,可優(yōu)選為IGZO,ITZO等材料。
[0065]進一步,在OLED器件中,所述陽電極12和陰電極9均采用透明導電材料制成,如ΙΤ0, IZO等材料,能夠使OLED器件雙面發(fā)光。進一步,所述基板I選用透明材料;所述阻擋層3和柵絕緣層6的材質(zhì)通常采用氮化硅,也可以是氧化硅和氮氧化硅或者有機樹脂等。如圖1所述,所述發(fā)光片11設置在沿豎直方向不與所述源極401、漏極402和柵極7相對應的位置,發(fā)光片11可透過基板1、阻擋層8、柵絕緣層6和鈍化層8發(fā)光,因而,陣列基板能夠雙面發(fā)光,實現(xiàn)了陣列基板雙面顯示的功能。其中,所述發(fā)光片11中的有機發(fā)光層采用電場致光片EL。電場致光片(electro luminescent, EL), EL是一種由電能轉為光能的現(xiàn)象,因其在工作的過程中不會產(chǎn)生熱量,具有輕薄如紙,安裝簡便,可隨意拆裝,重復使用性高,低碳、節(jié)能、環(huán)保,再加上獨具的新穎、時尚、動感效果。
[0066]具體地,如圖1所示,所述OLED器件包括由上至下依次排列的陽電極12、發(fā)光片11和陰電極9 ;所述陰電極通過所述通孔內(nèi)的導電橋2與所述TFT結構的漏極401相連接。
[0067]或者,所述OLED器件包括由上至下依次排列的陰電極、發(fā)光片和陽電極,所述陽電極通過所述通孔內(nèi)的導電橋與所述TFT結構的漏極。
[0068]本發(fā)明實施例通過在基板上設置通孔,使OLED器件和TFT結構分別設置在基板兩偵牝并穿過通孔相連接;基板在OLED器件和TFT結構中間起了隔離的作用,并且OLED器件和TFT結構之間的距離也增大,使TFT結構對OLED器件的電氣干擾變小,確保TFT結構能夠?qū)LED器件進行較為精確地驅(qū)動。另外,本發(fā)明實施例提供的OLED器件的陽電極和陰電極均為透明材料,使陣列基板能夠雙面發(fā)光,實現(xiàn)了陣列基板雙面顯示的功能。
[0069]本發(fā)明的另一實施例還提供一種陣列基板的制造方法,包括以下步驟:
[0070]在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔;
[0071]在所述基板的一側形成TFT結構;
[0072]在所述基板的另一側形成OLED器件,并將所述OLED器件與所述TFT結構通過所述通孔連接。
[0073]本發(fā)明實施例中的陣列基板的制造可以通過構圖工藝完成,所謂構圖工藝指的是,成膜、光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕等部分或者全部步驟。[0074]下面通過圖2-圖9對陣列基板的制造步驟進行詳細的說明。
[0075]本發(fā)明提供的陣列基板的制造方法具體包括:
[0076]S1、在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔。
[0077]具體步驟如下:在基板的兩側表面可分別進行PR光刻膠涂覆,曝光、顯影,如圖2所示,使所述基板I兩側表面形成具有位置對應設置且尺寸相同的孔狀圖樣的光刻膠層;然后對所述基板I進行刻蝕,并去除光刻膠層,如圖3所示,形成在垂直于基板表面方向設有通孔la。
[0078]進一步,如果在所述基板I表面添加氫氟酸HF溶液,然后再對所述基板I進行刻蝕,這樣可輕松鉆孔,加快生產(chǎn)進程。
[0079]此外,本步驟中,也可通過激光打孔的方式在所述基板上形成貫穿該基板兩側表面的通孔。
[0080]S2、在基板的通孔內(nèi)形成導電橋。
[0081]具體可通過以下方法實現(xiàn):首先清洗基板1,在基板I的通孔內(nèi)形成有機導電樹脂材料,如圖4所示,并將基板I通孔Ia內(nèi)部也沉積有機導電樹脂材料,并形成導電橋2。
[0082]S3如圖4所示,在所述基板I 一側形成導電橋延伸部2a,所述導電橋延伸部2a與所述導電橋2 —體形成。
[0083]具體的,在基板I 一側沉積有機導電樹脂材料,該有機導電樹脂為半流體,沉積在基板上的有機導電樹脂流入到通孔Ia內(nèi),把該通孔Ia進行填充,形成導電橋2。在沉積有機導電樹脂的基板上進行構圖工藝,形成導電橋延伸部2a。
[0084]S4在設有所述導電橋延伸部2a的基板I表面形成與該導電橋延伸部2a電連接的TFT結構。
[0085]具體步驟如下:
[0086]在設置有導電橋延伸部2a的基板I表面形成阻擋層3,并在該阻擋層3內(nèi)形成過孔;再形成源極402和漏極401,并將所述漏極401通過所述過孔與所述導電橋延伸部2a電連接;再依次形成半導體層5、柵絕緣層6、柵極7以及鈍化層8,得到TFT結構。
[0087]具體可通過以下方法實現(xiàn):如圖5所示,采用濺射方法或CVD方法在導電橋表面沉積厚度為50nm的Si02層,或者旋涂方法旋涂沉積有機樹脂材料并光刻、固化得到厚度為2um的阻擋層3。然后,通過構圖工藝,在阻擋層3內(nèi)形成過孔結構,并在過孔的上部對應位置通過采用濺射方法沉積厚度為200nm的金屬層,該金屬層通??梢圆捎描€、鋁、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬,也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結構。本實施例中采用由Mo和Ti組成的雙層金屬層,通過構圖工藝,形成源極402和漏極401。該漏極401形成在對應過孔的上方,并且與導電橋延伸部2a電連接。
[0088]進一步,如圖6所示,采用濺射方法沉積厚度為50nm的IGZO薄膜層,在400°C純氧環(huán)境下退火lh,通過構圖工藝,形成半導體層5。進一步,采用CVD方法在390°C下沉積厚度為120nm的Si02和SiNx作為柵絕緣層6。然后,如圖7所示,用濺射方法沉積厚度為200nm的金屬,該金屬材料通??梢圆捎描€、鋁、鑰鎢合金、鉻或銅等金屬,也可以使用上述幾種材料薄膜的組合結構,本實施例優(yōu)選采用金屬鉻,通過構圖工藝形成柵極7,并在柵極7外部形成PVX材質(zhì)的鈍化層8。至此,形成所述陣列基板的TFT結構部分。
[0089]S5、在所述基板的另一側形成OLED器件,并將所述OLED器件與所述通孔內(nèi)的導電橋連接,得到陣列基板。
[0090]本步驟中,在基板I表面直接形成OLED器件,省略了對現(xiàn)有OLED顯示裝置中像素電極表面的處理工藝,加快了制造過程,降低了加工成本。
[0091]其中,具體步驟如下:
[0092]如圖8所示,在所述基板表面形成陰電極9,并將所述陰電極9通過所述導電橋2與導電橋延伸部2a與所述TFT結構的漏極401相連接,如圖9所述,在陰電極9上再依次形成發(fā)光片11和陽電極12。其中,陰電極9和陽電極12均使用透明導電材料制成。
[0093]或者,在所述基板表面形成陽電極,并將所述陽電極通過所述導電橋與所述TFT結構的漏極相連接,再依次形成發(fā)光片和陰電極。
[0094]本實施例中,所述步驟“在所述基板表面依次形成陰電極,并將所述陰電極9所述導電橋與所述TFT結構的漏極相連接,再依次形成發(fā)光片和陽電極”的具體方法為:
[0095]首先,如圖8所示,在基板I上與所述TFT結構相對的另一側面,形成陰電極9,并將陰電極9與所述基板的通孔中導電橋2相連。由于基板I表面本身就具有平坦化結構,該方法省略了對像素電極表面處理的工藝,降低了生產(chǎn)難度,節(jié)約了生產(chǎn)成本。如圖9所示,再在陰電極9上形成絕緣層10,然后在絕緣層10上進行曝光、顯影、刻蝕,在與TFT結構不相對應的部分形成一開口部,將部分陰電極暴露,在該開口部上形成發(fā)光片11,可將發(fā)光片11設置在與所述TFT結構中的源極402和漏極401及柵極7不相對應的位置,這樣能夠使發(fā)光片11朝著其兩側方向發(fā)光,使所述陣列基板具有雙面顯示的功能。在形成有發(fā)光片11的絕緣層上,形成陽電極12,最終形成如圖1所示的陣列基板結構。
[0096]本實施例除了具有上一實施例具有的有益效果之外,還可以通過在基板表面直接形成OLED器件,省略了對現(xiàn)有OLED顯示裝置中像素電極的表面處理工藝,加快了制造過程,降低了加工成本。
[0097]本發(fā)明的又一實施例還提供一種顯示裝置,例如手機、平板電腦、顯示器、電視等,其包括如上所述的陣列基板。
[0098]以上實施方式僅用于說明本發(fā)明,而并非對本發(fā)明的限制,有關【技術領域】的普通技術人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術方案也屬于本發(fā)明的范疇,本發(fā)明的專利保護范圍應由權利要求限定。
【權利要求】
1.一種陣列基板,其特征在于,包括OLED器件、TFT結構和基板,所述OLED器件設置在所述基板的一側,且所述TFT結構設置在所述基板的另一側;所述基板上設有通孔,所述OLED器件與TFT結構通過所述通孔連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述通孔內(nèi)設置有導電橋;所述TFT結構通過所述導電橋與所述OLED器件連接。
3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,還包括在所述TFT結構一側的基板上對應TFT結構的位置設置的導電橋延伸部,所述導電橋延伸部與所述導電橋一體形成;所述TFT結構通過所述導電橋及導電橋延伸部與所述OLED器件連接。
4.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述導電橋的材質(zhì)為有機導電樹脂。
5.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述TFT結構包括設有所述導電橋延伸部的基板上設置的阻擋層及阻擋層過孔,在所述阻擋層上沿遠離基板方向依次形成的源極和漏極、半導體層、柵絕緣層、柵極和鈍化層,所述TFT結構的漏極穿過所述阻擋層過孔與所述導電橋延伸部電連接。
6.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述OLED器件包括陽電極、發(fā)光片和陰電極;所述陽電極或陰電極通過所述通孔與所述TFT結構連接。
7.根據(jù)權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述陽電極和陰電極均采用透明導電材料制成。
8.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述發(fā)光片設置在所述陽電極和所述陰電極之間沿豎直方向不與所述源極、漏極和柵極相對應的位置?!?br> 9.一種陣列基板的制造方法,其特征在于,包括以下步驟: 在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔; 在所述基板的一側形成TFT結構; 在所述基板的另一側形成OLED器件,并將所述OLED器件與所述TFT結構通過所述通孔連接。
10.根據(jù)權利要求9所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,還包括: 所述通孔內(nèi)形成導電橋,所述TFT結構通過所述導電橋與所述OLED器件連接。
11.根據(jù)權利要求10所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,還包括: 在所述TFT結構一側的基板上形成導電橋延伸部,所述導電橋延伸部與所述導電橋一體形成。
12.根據(jù)權利要求11所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述步驟“在所述基板一側形成TFT結構”具體包括以下步驟: 在設置有導電橋延伸部基板表面形成阻擋層,并在該阻擋層內(nèi)形成過孔; 形成源極和漏極,并將所述漏極通過所述過孔與所述導電橋延伸部電連接。 依次形成半導體層、柵絕緣層、柵極和鈍化層。
13.根據(jù)權利要求9所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述步驟“在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔”具體包括以下步驟: 在基板的兩側表面分別依次進行光刻膠涂覆、曝光、顯影操作,從而使所述基板兩側表面形成具有位置對應且尺寸相同的孔狀圖樣的光刻膠層; 對所述基板進行刻蝕,并去除光刻膠,形成垂直于該基板表面方向的通孔。
14.根據(jù)權利要求13所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述步驟“對所述基板進行刻蝕”之前,還包括以下步驟: 在所述基板表面添加氫氟酸溶液,然后再對所述基板進行刻蝕。
15.根據(jù)權利要求9所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述步驟“在基板上形成貫穿所述基板兩側表面的通孔”具體包括以下步驟: 通過激光打孔的方式在所述基板上形成貫穿該基板兩側表面的通孔。
16.根據(jù)權利要求9所述的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述步驟“在所述基板的另一側形成OLED器件,并使所述OLED器件與所述TFT結構通過所述通孔連接”具體包括以下步驟: 在所述基板表面形成陰電極,并將所述陰電極通過所述通孔與所述TFT結構相連接,再依次形成發(fā)光片和陽電極; 或者,在所述基板表面形成陽電極,并將所述陽電極通過所述通孔與所述TFT結構相連接,再依次形成發(fā)光片和陰電極。
17.—種顯示裝置,其特征在于, 包括如權利要求1~8任一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/77GK103715228SQ201310741176
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權日:2013年12月26日
【發(fā)明者】劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲, 宋泳錫 申請人:京東方科技集團股份有限公司
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