基板處理裝置以及基板處理方法
【專利摘要】在基板處理裝置（10）中，隨著液溫上升而電阻率逐漸減少的除靜電液的溫度由溫度調(diào)整部（61）調(diào)整，除靜電液的電阻率大于在單張?zhí)幚硌b置（1）的處理中利用的處理液（SPM液）的電阻率。除靜電液貯存在除靜電液貯存部71。然后，在盒體73內(nèi)保持的多張基板（9）浸漬在除靜電液貯存部（71）內(nèi)的除靜電液中，基板（9）的兩側(cè)的整個主面與除靜電液相接觸。由此，基板（9）比較緩慢地被除靜電。并且，在除靜電處理以及利用基板干燥部（75）進行的干燥處理結(jié)束后，在單張?zhí)幚硌b置1中向基板的上表面（91）上供給SPM液來進行SPM處理。由此，防止在SPM處理時大量電荷從基板向SPM液快速移動，能夠防止基板（9）損傷。
【專利說明】基板處理裝置以及基板處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及對基板進行處理的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]一直以來，在半導(dǎo)體基板(以下僅稱為“基板”。)的制造工序中，使用基板處理裝置對具有氧化膜等絕緣膜的基板實施各種處理。例如，通過向在表面上形成有抗蝕劑圖案的基板供給藥液，來對基板的表面進行蝕刻等處理。另外，在蝕刻等結(jié)束后，還進行除去基板上的抗蝕劑的處理。
[0003]在日本特開2009-200365號公報(文獻I)的基板處理裝置中，在利用SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture:硫酸雙氧水混合溶液)液等藥液進行處理之前，向基板上的處理區(qū)域供給電導(dǎo)率比藥液的電導(dǎo)率低的液體，并在該液體存在于處理區(qū)域上的狀態(tài)下，向處理區(qū)域噴出藥液。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)防止因基板的藥液的接觸而產(chǎn)生的基板的局部損傷。基板的局部損傷是指，處理區(qū)域的場氧化膜和場氧化膜的局部破壞，該破壞是因藥液和藥液用噴嘴之間的摩擦帶電現(xiàn)象，藥液在帶電的狀態(tài)下與基板的處理區(qū)域相接觸而產(chǎn)生的。
[0004]在日本特開2007-134673號公報(文獻2)中公開了如下技術(shù)，S卩，在向晶片上的處理區(qū)域供給濃硫酸等藥液之前，向處理區(qū)域供給電阻率值比藥液的電阻率值低的CO2水等液體，并在該液體存在于處理區(qū)域上的狀態(tài)，向處理區(qū)域噴出藥液。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)防止因藥液與處理區(qū)域接觸時產(chǎn)生的靜電摩擦現(xiàn)象引起的帶電。
[0005]在日本特開2007-214347號公報(文獻3)中，公開了如下技術(shù)，即，在電子器件的清洗裝置中，通過向基板的表面或藥液噴嘴供給被離子化的蒸氣，來除去在基板的表面或藥液噴嘴存在的靜電。在日本特開2011-103438號公報(文獻4)的基板液處理裝置中，在對基板的電路形成面進行藥液處理工序之前，進行向與基板的電路形成面相反的面噴出除靜電處理液的除靜電處理工序。
[0006]另一方面,在日本特開2004-158588號公報(文獻5)中，公開了通過向基板的表面供給除去液來除去在基板的表面上附著的有機物的基板處理裝置。在該基板處理裝置中，設(shè)置有對基板的溫度進行調(diào)整的溫度調(diào)整單元，使得基板的溫度與向基板上供給的除去液的溫度之差處在規(guī)定的范圍內(nèi)。作為溫度調(diào)整單元的一個例子，能夠舉出向由保持旋轉(zhuǎn)單元保持的基板的背面供給溫度被調(diào)整的流體的流體供給單元。
[0007]但是，在由基板處理裝置處理的基板被搬入基板處理裝置之前，對該基板進行干蝕刻或等離子體CVD (Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)等干式工序(dryingprocess)。在這樣的干式工序中，由于在器件內(nèi)產(chǎn)生電荷而帶電，所以基板在帶電的狀態(tài)被搬入基板處理裝置。并且，在基板處理裝置中，當(dāng)向基板上供給如SPM液那樣的電阻率小的藥液時，器件內(nèi)的電荷從器件向藥液快速移動(即向藥液中放電)，因由該移動引起的發(fā)熱，有可能對器件造成損傷。因此，考慮在向基板供給藥液之前，通過離子發(fā)生器對基板進行除靜電處理，但是，在基板的帶電量大的情況下，難以有效地進行除靜電處理。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明面向?qū)暹M行處理的基板處理裝置，其目的在于防止在利用處理液進行處理時因電荷的移動而使基板發(fā)生損傷。
[0009]本發(fā)明的基板處理裝置具有:基板保持部，其用于保持基板；處理液供給部，其向第一主面上供給處理液，該第一主面為所述基板的一個主面；除靜電液接觸部，其使所述基板的所述第一主面以及第二主面與隨著液溫上升而電阻率逐漸減少的除靜電液相接觸，該第二主面為所述基板的另一個主面；溫度調(diào)整部，其對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整；控制部，其對所述處理液供給部、所述除靜電液接觸部以及所述溫度調(diào)整部進行控制，由此，使所述除靜電液的溫度處于所述除靜電液的電阻率比所述處理液的電阻率大的范圍內(nèi)，并且使所述基板的整個所述第一主面以及整個所述第二主面與所述除靜電液相接觸并維持接觸狀態(tài)，來使所述基板上的電荷減少，然后將所述處理液向所述基板的所述第一主面上供給來進行規(guī)定的處理。由此，能夠防止在利用處理液進行處理時因電荷的移動導(dǎo)致基板損傷。
[0010]在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施方式中，與所述第一主面相接觸的所述除靜電液和與所述第二主面相接觸的所述除靜電液在所述基板上連續(xù)。
[0011]更優(yōu)選，所述除靜電液接觸部具有用于貯存所述除靜電液的除靜電液貯存部，通過將所述基板浸潰于在所述除靜電液貯存部貯存的所述除靜電液中，所述第一主面以及所述第二主面與所述除靜電液相接觸。還優(yōu)選，在所述除靜電液貯存部貯存的所述除靜電液中浸潰多張基板，所述多張基板包含所述基板，并且所述多張基板以各自的主面的法線方向朝向水平方向的方式排列。
[0012]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，所述除靜電液接觸部具有:第一除靜電液接觸部，其向以所述第一主面朝向上側(cè)的狀態(tài)保持在所述基板保持部上的所述基板的所述第一主面上供給所述除靜電液，利用所述除靜電液對整個所述第一主面進行浸沒；第二除靜電液接觸部，與所述基板的所述第二主面相向，向所述第二主面噴出所述除靜電液來使整個所述第二主面與所述除靜電液相接觸。
[0013]本發(fā)明的其他的基板處理裝置具有:
[0014]基板保持部，其用于在基板的主面朝向上側(cè)的狀態(tài)下保持基板；
[0015]處理液供給部，其向所述基板的所述主面上供給處理液；
[0016]除靜電液供給部，其將隨著液溫上升而電阻率逐漸減少的除靜電液向所述基板的所述主面上供給；
[0017]溫度調(diào)整部，其對向所述基板供給的所述除靜電液的溫度進行調(diào)整；
[0018]控制部，其對所述處理液供給部、所述除靜電液供給部以及所述溫度調(diào)整部進行控制，由此，使所述除靜電液的溫度處于所述除靜電液的電阻率比所述處理液的電阻率大的范圍內(nèi)，并且向所述基板的所述主面上供給所述除靜電液并用所述除靜電液浸沒所述基板的整個所述主面，來使所述基板上的電荷減少，然后將所述處理液向所述基板的所述主面上供給來進行規(guī)定的處理。由此，能夠防止在利用處理液進行處理時因電荷的移動導(dǎo)致基板損傷。
[0019]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，該基板處理裝置還具有用于對所述除靜電液的溫度進行測定的除靜電液測定部，所述控制部基于所述除靜電液測定部的測定結(jié)果，來對所述溫度調(diào)整部進行控制，使得所述除靜電液的溫度和規(guī)定的目標溫度之差變小。
[0020]在本發(fā)明的其他優(yōu)選的實施方式中，該基板處理裝置還具有用于對所述除靜電液的電阻率進行測定的除靜電液測定部，所述控制部基于所述除靜電液測定部的測定結(jié)果，來對所述溫度調(diào)整部進行控制，使得所述除靜電液的電阻率和規(guī)定的目標電阻率之差變小。
[0021]本發(fā)明也面向?qū)暹M行處理的基板處理方法。本發(fā)明的基板處理方法包括:a)工序，使隨著液溫上升而電阻率逐漸減少的除靜電液的溫度處于所述除靜電液的電阻率比處理液的電阻率大的范圍內(nèi)；
[0022]b)工序，在所述a)工序之后，使基板的兩側(cè)的整個主面與所述除靜電液相接觸并維持接觸狀態(tài)，來使所述基板上的電荷減少；
[0023]c)工序，在所述b)工序之后，將所述處理液向所述基板的一個主面上供給來進行規(guī)定的處理的工序。
[0024]由此，能夠防止在利用處理液進行處理時因電荷的移動導(dǎo)致基板損傷。
[0025]本發(fā)明的其他的基板處理方法包括:a)工序，使隨著液溫上升而電阻率逐漸減少的除靜電液的溫度處于所述除靜電液的電阻率比處理液的電阻率大的范圍內(nèi)；
[0026]b)工序，在所述a)工序之后，向在主面朝向上側(cè)的狀態(tài)下被保持的基板的所述主面上供給所述除靜電液，并利用所述除靜電液對所述基板的整個所述主面整體進行浸沒，來使所述基板上的電荷減少；
[0027]c)工序，在所述b)工序之后，將所述處理液向所述基板的所述主面上供給來進行規(guī)定的處理。
[0028]由此，能夠防止在利用處理液進行處理時因電荷的移動導(dǎo)致基板損傷。
[0029]上述的目的以及其他目的、特征、方式以及優(yōu)點通過在下面參照附圖進行的該發(fā)明的詳細說明能夠更加清楚。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1是表示第一實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0031]圖2是表示單張?zhí)幚硌b置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0032]圖3是表示純水的溫度和電阻率之間的關(guān)系的圖。
[0033]圖4是表示基板的處理流程的圖。
[0034]圖5是表不基板的處理流程的一部分的圖。
[0035]圖6是表示基板的處理流程的一部分的圖。
[0036]圖7表示在除靜電處理前后的基板的表面電位的圖。
[0037]圖8A是表示目標溫度的決定流程的圖。
[0038]圖8B是表示目標溫度的決定流程的圖。
[0039]圖9是表示目標溫度的決定流程的一部分的圖。
[0040]圖10是表示基板的處理流程的一部分的圖。
[0041]圖11是表示基板的處理流程的一部分的圖。
[0042]圖12是表示第二實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。[0043]圖13是表示在除靜電處理前后的基板的表面電位的圖。
[0044]圖14是表示第三實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0045]圖15是表示基板的處理流程的一部分的圖。
[0046]圖16是表示基板上的除靜電液的樣子的圖。
[0047]圖17是表示在除靜電處理前后的基板的表面電位的圖。
[0048]圖18是表示第四實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0049]圖19是表示基板的處理流程的圖。
[0050]圖20是表示在除靜電處理前后的基板的表面電位的圖。
[0051]圖21是表示第五實施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0052]圖22是表示基板的處理流程的一部分的圖。
[0053]其中，附圖標記說明如下:
[0054]2基板保持部、3處理液供給部、5除靜電液供給部、7、7a除靜電液接觸部、8控制部、9基板、10、IOa?IOd基板處理裝置、42基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)、61溫度調(diào)整部、62除靜電液測定部、71、71a除靜電液貯存部、77IPA供給部、91上表面、92下表面、95除靜電液、725除靜電液噴嘴、761下表面接觸液體部、Sll?S21、S31、S41?S44、S71?S80、S91?S93、S121?S126、S321 ?S326、S611 ?S623、S631 ?S634 步驟
【具體實施方式】
[0055]圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的基板處理裝置10的結(jié)構(gòu)的圖?；逄幚硌b置10是對半導(dǎo)體基板9 (以下僅稱為“基板9”。)進行處理的裝置。如圖1所示，基板處理裝置10具有單張?zhí)幚硌b置1、除靜電液接觸部7、溫度調(diào)整部61、除靜電液測定部62和控制部8。
[0056]單張?zhí)幚硌b置I是對基板9 一張一張進行處理的單張式的處理裝置。除靜電液接觸部7用于使基板9與除靜電液相接觸。溫度調(diào)整部61對除靜電液的溫度進行調(diào)整。除靜電液測定部62是對除靜電液的溫度進行測定的溫度傳感器。存儲部8a保存目標溫度和除靜電時間(詳細內(nèi)容在后面敘述)，在執(zhí)行基板處理時，將它們設(shè)定在控制部8。控制部8基于上述目標溫度等對單張?zhí)幚硌b置1、除靜電液接觸部7、溫度調(diào)整部61以及除靜電液測定部62等結(jié)構(gòu)進行控制。
[0057]圖2是表示單張?zhí)幚硌b置I的結(jié)構(gòu)的圖。在單張?zhí)幚硌b置I中，向基板9供給作為處理液的 SPM (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)液，來進行 SPM 處理、即基板9上的抗蝕劑膜的除去處理。單張?zhí)幚硌b置I具有基板保持部2、處理液供給部3、杯部41和基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42?；灞３植?以基板9的一個主面91 (以下稱為“上表面91”。)朝向上側(cè)的狀態(tài)保持基板9。處理液供給部3向基板9的上表面91上供給SPM液等處理液。杯部41包圍基板9以及基板保持部2的周圍?；逍D(zhuǎn)機構(gòu)42使基板9與基板保持部2一起水平地旋轉(zhuǎn)?；?通過基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42以通過基板9的中心并與基板9的上表面91垂直的旋轉(zhuǎn)軸為中心進行旋轉(zhuǎn)。在單張?zhí)幚硌b置I中，基板保持部2、杯部41、基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42等容納在省略圖示的腔室內(nèi)。
[0058]處理液供給部3具有用于供給硫酸的硫酸供給部31、用于供給雙氧水的雙氧水供給部32、與硫酸供給部31以及雙氧水供給部32相連接的混合液生成部33、配置在基板9的上方并向基板9噴出液體的處理液噴嘴34、使處理液噴嘴34以旋轉(zhuǎn)軸351為中心水平轉(zhuǎn)動的處理液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)35。處理液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)35具有從旋轉(zhuǎn)軸351沿水平方向延伸并安裝有處理液噴嘴34的臂352。
[0059]硫酸供給部31具有用于貯存硫酸的硫酸貯存部311、與硫酸貯存部311以及混合液生成部33相連接的硫酸配管312、從硫酸貯存部311經(jīng)由硫酸配管312向混合液生成部33供給硫酸的硫酸泵313、在硫酸配管312上設(shè)置的硫酸閥314、以及在硫酸泵313和硫酸閥314之間設(shè)置在硫酸配管312上并對硫酸進行加熱的硫酸加熱部315。硫酸配管312在硫酸加熱部315和硫酸閥314之間分支并連接至硫酸貯存部311，在硫酸閥314被關(guān)閉的狀態(tài)下，被硫酸加熱部315加熱后的硫酸在硫酸貯存部311和硫酸加熱部315之間循環(huán)。
[0060]雙氧水供給部32具有用于忙存雙氧水的雙氧水忙存部321、與雙氧水忙存部321以及混合液生成部33相連接的雙氧水配管322、從雙氧水貯存部321經(jīng)由雙氧水配管322向混合液生成部33供給雙氧水的雙氧水泵323、設(shè)置在雙氧水配管322上的雙氧水閥324。此外，硫酸貯存部311以及雙氧水貯存部321可以設(shè)置在基板處理裝置10的外部，并分別連接有硫酸配管312以及雙氧水配管322。
[0061]混合液生成部33具有與硫酸配管312以及雙氧水配管322相連接的混合閥331、與混合閥331以及處理液噴嘴34相連接的噴出用配管332、設(shè)置在噴出用配管332上的攪拌流通管333。在混合液生成部33中，來自硫酸供給部31的被加熱后的硫酸和來自雙氧水供給部32的常溫(即與室溫大致相同的溫度)的雙氧水在混合閥331中混合，來生成作為混合液的SPM液(硫酸雙氧水混合溶液)。
[0062]SPM液通過攪拌流通管333以及噴出用配管332被輸送到處理液噴嘴34。通過在攪拌流通管333中攪拌SPM液，從而促進SPM液中含有的硫酸和雙氧水之間的化學(xué)反應(yīng)。作為處理液的SPM液從處理液噴嘴34的頂端的噴出口向基板9的上表面91被噴出。在本實施方式中，由硫酸加熱部315被加熱至約130°C?150°C的硫酸被從硫酸供給部31供給至混合液生成部33。此外，也可以適當(dāng)變更從硫酸供給部31供給的硫酸的溫度。
[0063]如圖1所示，除靜電液接觸部7具有用于貯存除靜電液的除靜電液貯存部71、用于向除靜電液貯存部71供給除靜電液的除靜電液供給部72、用于保持多張基板9的盒體(Cartridge)73、以及對基板9進行減壓干燥處理的基板干燥部75。在圖1中，省略圖示用于保持盒體73進行移動的盒體移動部。在除靜電液接觸部7中，作為除靜電液，利用純水(DIff:deionized water (去離子水))。
[0064]圖3是表示純水的溫度和電阻率之間的關(guān)系的圖。如圖3所示，純水的電阻率隨著液溫上升而逐漸減小。純水的電阻率在純水的凝固點以上且沸點以下的整個范圍內(nèi)都大于上述的SPM液的電阻率。在除靜電液接觸部7使用的除靜電液只要是隨著液溫上升而電阻率逐漸減小的液體即可，并不限于純水。另外，除靜電液的電阻率只要在除靜電液的凝固點以上且沸點以下的至少規(guī)定的溫度范圍內(nèi)大于在單張?zhí)幚硌b置I利用的處理液的電阻率即可。作為除靜電液，例如可以利用在純水中溶解二氧化碳(CO2)而成的如CO2水(碳酸溶液)那樣的含離子的液體。在其他實施方式中也同樣。
[0065]如圖1所示，除靜電液供給部72具有除靜電液配管721、流量計722、除靜電液閥724。除靜電液配管721與省略圖示的除靜電液供給源相連接。從除靜電液配管721的頂端噴出的除靜電液被供給并貯存在除靜電液貯存部71。在除靜電液配管721上從除靜電液供給源向除靜電液貯存部71依次配置有流量計722、溫度調(diào)整部61、除靜電液閥724以及除靜電液測定部62。流量計722用于測定在除靜電液配管721內(nèi)流經(jīng)的除靜電液的流量。溫度調(diào)整部61通過根據(jù)需要對在除靜電液配管721內(nèi)流經(jīng)的除靜電液進行加熱或冷卻，對除靜電液配管721內(nèi)的除靜電液的溫度進行調(diào)整。除靜電液閥724對在除靜電液配管721內(nèi)流經(jīng)的除靜電液的流量進行調(diào)整。除靜電液測定部62對在除靜電液配管721內(nèi)流經(jīng)的除靜電液的溫度進行測定。
[0066]除靜電液測定部62的測定結(jié)果(即除靜電液的溫度)被發(fā)送至控制部8?？刂撇?基于在存儲部8a內(nèi)存儲的除靜電液的目標溫度、即后述的除靜電處理中的除靜電液的優(yōu)選的溫度，來控制單張?zhí)幚硌b置1、除靜電液接觸部7、溫度調(diào)整部61以及除靜電液測定部62等結(jié)構(gòu)。除靜電液的目標溫度是用于實現(xiàn)在除靜電處理中的除靜電液的優(yōu)選的電阻率(即目標電阻率)的溫度。除靜電液的目標電阻率大于在單張?zhí)幚硌b置I利用的處理液的電阻率。目標溫度基于目標電阻率與在圖3所示的除靜電液的溫度和電阻率之間的關(guān)系等來求取。目標溫度的具體的求取方法在后面敘述。
[0067]在基板9的上表面91上預(yù)先形成的器件的尺寸越小(即器件的配線的最小寬度越小)，目標電阻率設(shè)定得越大。因此，在基板9的上表面91上預(yù)先形成的器件的尺寸越小，目標溫度設(shè)定得越低。在本實施方式中，目標電阻率設(shè)定在約I?18ΜΩ.αιι的范圍，目標溫度設(shè)定在約25?100°C的范圍。
[0068]在基板處理裝置10中，基于除靜電液測定部62的測定結(jié)果以及上述的目標溫度，由控制部8對溫度調(diào)整部61進行反饋控制。在溫度調(diào)整部61中，對除靜電液的溫度進行調(diào)整，使得除靜電液配管721內(nèi)的除靜電液的溫度和目標溫度之差變小。由此，向除靜電液貯存部71供給的除靜電液的溫度大致維持在目標溫度。換言之，通過上述反饋控制，除靜電液的溫度維持在可以說實質(zhì)上等于目標溫度的窄的溫度范圍(當(dāng)然，包含目標溫度。)內(nèi)。
[0069]在基板處理裝置10中，存在除靜電液的溫度即使偏離目標溫度一些也被允許的情況。在這種情況下，由除靜電液測定部62測定的除靜電液的溫度和目標溫度之差在閾值溫度差以下時，控制部8停止通過溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度，僅在除靜電液的溫度和目標溫度之差大于閾值溫度差時，通過溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度。當(dāng)將比目標溫度低了閾值溫度差的溫度稱為“下限溫度”，將比目標溫度高了閾值溫度差的溫度稱為“上限溫度”時，通過上述溫度調(diào)整，將向除靜電液貯存部71供給的除靜電液的溫度大致維持在下限溫度以上且上限溫度以下的范圍內(nèi)。在上限溫度下的除靜電液的電阻率大于在單張?zhí)幚硌b置I利用的處理液的電阻率。
[0070]這樣，在除靜電液供給部72中，控制部8對溫度調(diào)整部61進行控制，由此能夠使除靜電液的溫度處于除靜電液的電阻率大于上述處理液的電阻率的范圍內(nèi)。
[0071]在除靜電液接觸部7中，通過在除靜電液貯存部71的上方配置的盒體73保持多張基板9，多張基板9處于以主面平行的方式配列的狀態(tài)。并且，通過盒體移動部使盒體73下降，多張基板9被浸潰在貯存在除靜電液貯存部71內(nèi)的除靜電液中，多張基板9處于以各個主面的法線方向朝向水平方向的方式排列的狀態(tài)。
[0072]在基板干燥部75中，對浸潰在除靜電液中后的基板9進行減壓干燥處理。在基板干燥部75中，既可以對被保持在盒體73中的的狀態(tài)的多張基板9進行減壓干燥處理，也可以對從盒體73取下的基板9 一張一張進行干燥。在基板干燥部75中，可以通過減壓干燥處理以外的各種方法進行干燥處理。進行了減壓干燥處理的基板9被搬入單張?zhí)幚硌b置I。此外，在圖1中，省略了在基板干燥部75和單張?zhí)幚硌b置I之間搬送基板9的搬送機構(gòu)等的圖示。
[0073]接著，參照圖4對基板處理裝置10中的基板9的處理流程進行說明。首先，與要使用的基板9對應(yīng)的目標溫度和除靜電時間被從存儲部8a讀出并設(shè)定在控制部8 (步驟S11)。在本實施方式中，目標溫度和除靜電時間預(yù)先存儲在存儲部8a中，在開始基板處理的時刻，被從存儲部8a讀出并設(shè)定在控制部8。但是，也可以不將目標溫度和除靜電時間存儲在存儲部8a，每當(dāng)開始基板處理，作業(yè)者使用未圖示的輸入單元將目標溫度和除靜電時間設(shè)定在控制部8。
[0074]另外，也可以取代使目標溫度存儲在存儲部8a，而使表示基板9上的器件的尺寸和除靜電液的目標溫度的關(guān)系的表格預(yù)先存儲在存儲部8a中。在該情況下，在開始對基板9進行基板處理之前，在存儲部8a中輸入處理對象的基板9上的器件的尺寸，接著，基于該器件的尺寸和所述表格來決定與基板9對應(yīng)的目標溫度，最后將該目標溫度設(shè)定于控制部8。關(guān)于目標溫度和除靜電時間的決定以及向控制部8的設(shè)定(或后述的目標電阻率的決定以及設(shè)定)，在后述的其他基板處理裝置中也同樣。
[0075]接著，保持有多張基板9的盒體73被搬入基板處理裝置10。各基板9在被搬入基板處理裝置10之前，經(jīng)過干蝕刻和等離子體CVD (Chemical Vapor Deposition)等干式工序，基板9處于帶電的狀態(tài)。
[0076]在除靜電液接觸部7中，在除靜電液配管721的頂端朝向從除靜電液貯存部71離開的位置的狀態(tài)下，通過控制部8打開除靜電液閥724，從除靜電液配管721開始噴出除靜電液(純水)。然后，基于作為除靜電液測定部62的測定結(jié)果的除靜電液的溫度以及上述的目標溫度，來對溫度調(diào)整部61進行反饋控制。由此，除靜電液的溫度被調(diào)整在除靜電液的電阻率大于在單張?zhí)幚硌b置I利用的處理液(SPM液)的電阻率的溫度范圍內(nèi)(步驟S12)。
[0077]圖5是表示除靜電液的溫度調(diào)整(步驟S12)的流程的圖。首先，通過除靜電液測定部62測定在除靜電液配管721內(nèi)流經(jīng)的除靜電液的溫度(步驟S121)。接著，基于在步驟S121的測定結(jié)果，通過溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度，使得除靜電液配管721內(nèi)的除靜電液的溫度和目標溫度之差變小(步驟S122)。并且，通過反復(fù)進行步驟S121和步驟S122，除靜電液的溫度大致被調(diào)整并維持在目標溫度(步驟S123)。
[0078]如上所述，在除靜電液的溫度即使偏離目標溫度一些也被允許的情況下，取代圖5的步驟S121?S123，而如圖6所示那樣進行溫度調(diào)整。首先，通過除靜電液測定部62測定在除靜電液配管721內(nèi)流經(jīng)的除靜電液的溫度(步驟S124)。接著，基于在步驟S124的測定結(jié)果，求取除靜電液配管721內(nèi)的除靜電液的溫度和目標溫度之差，并與上述的閾值溫度差進行比較(步驟S125)。
[0079]在除靜電液的溫度和目標溫度之差在閾值溫度差以下的情況下，不通過溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度。在除靜電液的溫度和目標溫度之差大于閾值溫度差的情況下，通過溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度，以使除靜電液的溫度和目標溫度之差變小(步驟S126)。并且，通過反復(fù)進行步驟S124?S126，除靜電液的溫度大致調(diào)整并維持在比目標溫度低了閾值溫度差的下限溫度以上、且比目標溫度高了閾值溫度差的上限溫度以下的溫度范圍內(nèi)。[0080]當(dāng)除靜電液的溫度調(diào)整結(jié)束時，除靜電液配管721的頂端朝向除靜電液貯存部71，從除靜電液供給部72向除靜電液貯存部71供給規(guī)定的量的除靜電液并貯存(步驟S13)。在除靜電液接觸部7中，還可以設(shè)置對除靜電液貯存部71內(nèi)的除靜電液的溫度進行測定的輔助測定部和對除靜電液貯存部71內(nèi)的除靜電液的溫度進行調(diào)整的輔助調(diào)整部。在該情況下，基于輔助測定部的測定結(jié)果來控制輔助調(diào)整部，并根據(jù)需要通過輔助調(diào)整部加熱或冷卻該除靜電液，使得除靜電液貯存部71內(nèi)的除靜電液達到所希望的溫度(例如目標溫度)。
[0081]然后，通過控制部8控制盒體移動部，在除靜電液貯存部71的上方配置的盒體73向除靜電液貯存部71下降。然后，在盒體73內(nèi)保持的多張基板9被浸潰在除靜電液貯存部71內(nèi)的除靜電液中。各基板9從在保持在盒體73內(nèi)的狀態(tài)下的邊緣的下部開始緩緩被浸潰在除靜電液中，基板9整體被浸潰，由此，基板9的兩側(cè)的主面整個面與除靜電液相接觸。另外，與基板9的兩側(cè)的主面接觸的除靜電液在基板9的邊緣上連續(xù)。
[0082]將基板9的設(shè)置有器件的主面稱為“第一主面”，將基板的另一個主面稱為“第二主面”，通過將基板9浸潰在除靜電液中，整個第一主面以及整個第二主面與除靜電液相接觸。與第一主面相接觸的除靜電液和與第二主面相接觸的除靜電液在基板9的邊緣上相連續(xù)。這樣，通過基板9與除靜電液相接觸，基板9上的電荷向除靜電液比較緩慢地移動。在基板處理裝置10中，通過將基板9與除靜電液的接觸狀態(tài)維持規(guī)定的時間，在不對基板9上的器件造成損傷的情況下，減少基板9上的電荷。換言之，進行基板9的除靜電處理(步驟 S14)。
[0083]圖7是表示在基板處理裝置10的除靜電處理的前后的基板9的上表面91的表面電位的圖。在圖7中示出在基板9的中心部的表面電位的絕對值(在圖13以及圖17中也同樣)。通過上述的除靜電處理，減少基板9上的電荷，從而整體降低基板9的電位。在基板處理裝置10中，在基板9上的器件的尺寸比較小的情況下，除靜電液的溫度例如維持在約25°C，除靜電液的電阻率約為18ΜΩ -cm.另外，在基板9上的器件的尺寸比較大卿，對由電荷的移動造成的損傷的耐性比較高)的情況下，除靜電液的溫度被維持在例如比100°C稍低的溫度，除靜電液的電阻率約為1ΜΩ.cm.這樣，通過提高除靜電液的溫度使電阻率變得比較小，從而電荷從基板9向除靜電液的移動速度增大。其結(jié)果，能夠縮短基板9的除靜電處理所需要的時間。
[0084]當(dāng)基板9的除靜電處理結(jié)束時，通過由控制部8控制的基板干燥部75，對基板9進行減壓干燥處理，從基板9的整個上表面91以及整個下表面92除去除靜電液(步驟S15)。換言之，基板干燥部75是除去基板9的上表面91上以及下表面92上的液體的液體除去部。接著，一張基板9被搬入圖2所示的單張?zhí)幚硌b置I，在上表面91朝向上側(cè)的狀態(tài)下被保持在基板保持部2上。接著，由控制部8控制基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42，由此開始使基板9旋轉(zhuǎn)(步驟S16)。另外，通過處理液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)35使處理液噴嘴34開始轉(zhuǎn)動，處理液噴嘴34在基板9的中心部和邊緣之間反復(fù)進行往復(fù)運動。
[0085]接著，由控制部8控制處理液供給部3，打開硫酸供給部31的硫酸閥314，被硫酸加熱部315加熱至約130°C?150°C的硫酸經(jīng)由硫酸配管312被供給至混合液生成部33的混合閥331。另外，由控制部8打開雙氧水閥324，常溫的雙氧水從雙氧水貯存部321經(jīng)由雙氧水配管322被供給至混合閥331。在混合閥331中，加熱后的硫酸和常溫的雙氧水混合而生成SPM液。SPM液的溫度因硫酸和雙氧水的反應(yīng)而變?yōu)楸葟牧蛩峁┙o部31供給的硫酸的溫度高的約150°C?195°C。
[0086]SPM液通過噴出用配管332以及攪拌流通管333，從處理液噴嘴34向基板9的上表面91供給。換言之，通過處理液供給部3，被加熱后的硫酸和雙氧水混合并被供給至基板9的上表面91。SPM液通過基板9的旋轉(zhuǎn)擴展到基板9的整個上表面91，并從基板9的邊緣向外側(cè)飛散，由杯部41接收。在單張?zhí)幚硌b置I中，SPM液向基板9的供給連續(xù)進行規(guī)定時間，來進行對基板9的SPM處理、即利用SPM液所包含的過硫酸的強氧化力來除去基板9上的抗蝕劑膜的除去處理(步驟S17)。此外，在單張?zhí)幚硌b置I中，也可以從在基板9的中心部的上方停止的處理液噴嘴34供給SPM液等。
[0087]當(dāng)SPM處理結(jié)束時，在打開雙氧水閥324的狀態(tài)下，關(guān)閉硫酸閥314，雙氧水通過混合閥331、噴出用配管332以及攪拌流通管333從處理液噴嘴34被供給至除去了抗蝕劑膜的基板9上(步驟S18)。通過該雙氧水供給處理，除去在混合閥331、噴出用配管332、攪拌流通管333以及處理液噴嘴34內(nèi)殘留的SPM液。另外，被供給至基板9上的雙氧水通過基板9的旋轉(zhuǎn)擴散到基板9的整個上表面91，將殘留在基板9上的SPM液從基板9的邊緣擠向外側(cè)來除去。
[0088]當(dāng)雙氧水供給處理結(jié)束時，關(guān)閉雙氧水閥324而停止供給雙氧水，通過處理液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)35，將處理液噴嘴34向基板9的外側(cè)的待機位置移動。接著，進行從省略圖示的沖洗液供給部向基板9的上表面91供給沖洗液的沖洗處理(步驟S19)。作為沖洗液，例如利用純水或CO2水。沖洗液通過基板9的旋轉(zhuǎn)擴展到基板9的整個上表面91。由此，沖洗掉在基板9上殘留的雙氧水。當(dāng)沖洗處理連續(xù)進行了規(guī)定時間時，停止供給沖洗液。然后，進行干燥處理，即，使基板9的轉(zhuǎn)速增大，通過基板9的旋轉(zhuǎn)，除去在基板9上殘留的沖洗液(步驟S20)。然后，停止基板9的旋轉(zhuǎn)(步驟S21)，將基板9從基板處理裝置10搬出。
[0089]如以上說明那樣，在基板處理裝置10中，對于因干蝕刻和等離子體CVD等的前處理而帶電的基板9，在單張?zhí)幚硌b置I中利用處理液進行處理(即，利用SPM液進行SPM處理)之前，使基板9的兩側(cè)的整個主面與電阻率比該處理液的電阻率大的除靜電液相接觸，并維持接觸狀態(tài)。由此，基板9的兩側(cè)的整個主面比較緩慢地被除靜電。在除靜電時，不會發(fā)生基板9上的電荷快速向除靜電液移動而發(fā)熱的情況，因此能夠防止對基板9上的器件造成損傷。
[0090]并且，對進行除靜電處理后的基板9供給上述處理液，由此，即使基板9與電阻率比除靜電液的電阻率小的該處理液接觸，也不會發(fā)生大量的電荷從基板9向處理液快速移動的情況。因此，在單張?zhí)幚硌b置I中利用處理液進行處理時，也能防止因電荷的移動給器件造成的損傷、即損傷基板9。
[0091]在基板處理裝置10中，利用溫度調(diào)整部61對除靜電液的溫度進行調(diào)整，由此將除靜電液的電阻率維持在比在單張?zhí)幚硌b置I利用的處理液的電阻率大的狀態(tài)，并且，基板9的兩側(cè)的主面和除靜電液之間進行接觸。由此，如上所述，能夠在不對器件造成損傷的情況下對基板9進行除靜電處理。另外，通過在不對器件造成損傷的范圍內(nèi)提高除靜電液的溫度使電阻率變小，由此能增大電荷從基板9向除靜電液的移動速度。其結(jié)果，能夠縮短基板9的除靜電處理所需的時間。
[0092]例如利用在純水中溶解了二氧化碳(CO2)等而成的含有離子的液體作為除靜電液，對除靜電液的離子濃度進行調(diào)整，由此也能調(diào)整除靜電液的電阻率。但是，在該方法中，由于使用二氧化碳等，所以有可能增大除靜電處理所需的成本。另外，與相同的溫度的純水相比，無法增大除靜電液的電阻率。相對于此，在上述的基板處理裝置10中，由于通過調(diào)整除靜電液的溫度來調(diào)整除靜電液的電阻率，所以能夠容易且低成本地調(diào)整除靜電液的電阻率。
[0093]如上所述，在基板處理裝置10中，基板9上的器件的尺寸越小，將越低的溫度決定為除靜電液的目標溫度，將越大的電阻率決定為目標電阻率。由此，能夠根據(jù)器件的尺寸來恰當(dāng)實現(xiàn)防止在單張?zhí)幚硌b置I處理時基板9發(fā)生損傷和縮短除靜電處理的所需時間這兩者。
[0094]在除靜電液接觸部7中，與基板9的一個主面相接觸的除靜電液和與另一個主面相接觸的除靜電液在基板9的邊緣上連續(xù)。由此，跟與基板9的一個主面相接觸的除靜電液和與另一個主面相接觸的除靜電液不連續(xù)的情況相比，通過除靜電處理能夠使基板9的表面電位(的絕對值)變得更小。
[0095]在除靜電液接觸部7中，通過將基板9整體浸潰在除靜電液中，由此能容易使與基板9的一個主面相接觸的除靜電液和與另一個主面相接觸的除靜電液連續(xù)。另外，由于能夠容易使與基板9的每單位面積接觸的除靜電液的量變大，所以能夠使基板9的表面電位(的絕對值)進一步變得更小。
[0096]如上所述，在除靜電液接觸部7中，將多張基板9 一次浸潰在除靜電液貯存部71內(nèi)的除靜電液中，從而能夠高效地進行多張基板9的除靜電處理。另外，由于無需向除靜電液貯存部71頻繁地供給除靜電液，所以能夠抑制因除靜電液和除靜電液配管721的摩擦而在除靜電液中產(chǎn)生電荷。進而，各基板9從邊緣緩緩被浸潰，因此即使萬一因電荷從基板9向除靜電液的移動而對基板9造成損傷，也僅在對基板9上的器件影響少的基板9的邊緣附近產(chǎn)生。因此，能夠提高器件的生產(chǎn)率。
[0097]在除靜電液接觸部7中，通過進行上述步驟S121?S123所示的溫度調(diào)整，能夠高精度地調(diào)整除靜電液的溫度。另外，在進行步驟S124?S126所示的溫度調(diào)整的情況下，與進行步驟S121?S123所示的溫度調(diào)整的情況相比，能夠簡化控制部8對溫度調(diào)整部61的控制。
[0098]如上所述，在除靜電液接觸部7中，作為除靜電液，利用了純水。由此，作為除靜電液，與利用在純水中溶解了二氧化碳(CO2)等而成的含有離子的液體的情況相比，能夠降低使用除靜電液涉及的成本。
[0099]在基板處理裝置10中，在步驟S14的除靜電處理和步驟S17的利用處理液的處理(SPM處理)之間，通過步驟S15的干燥處理，除去基板9上的除靜電液。由此，能夠防止由基板9上的除靜電液和處理液的混合引起的不良影響。作為該不良影響，例如能夠舉出由作為除靜電液的純水和SPM液所包含的硫酸之間的反應(yīng)熱造成的基板9的損傷(所謂的熱沖擊)、由SPM液被除靜電液稀釋造成的SPM處理的品質(zhì)的下降、以及因SPM液與除靜電液發(fā)生部分混合導(dǎo)致SPM液的濃度不均而使整個基板9的SPM處理的均勻性下降。
[0100]圖8A以及圖8B是表示在圖4中的步驟Sll中在控制部8設(shè)定的目標溫度的決定流程的一個例子的圖。在目標溫度的決定處理中，首先，測定得到在步驟S17使用的預(yù)定的處理液(SPM液)的電阻率(步驟S611)。接著，獲取圖3所示的除靜電液(純水)的溫度和電阻率之間的關(guān)系(步驟S612)。然后，基于在步驟S612獲取的關(guān)系，獲取除靜電液的電阻率等于處理液的電阻率的除靜電液的溫度(步驟S613)。
[0101]接著，設(shè)定比在步驟S613獲取的溫度稍低的臨時目標溫度，準備臨時目標溫度的除靜電液(步驟S614、S615)。與除靜電液的準備并行，準備具有與上述基板9同樣的結(jié)構(gòu)的試驗用基板。試驗用基板被浸潰在貯存在貯存部內(nèi)的臨時目標溫度的除靜電液中。由此，試驗用基板的兩側(cè)的整個主面與除靜電液相接觸，通過維持該接觸狀態(tài)規(guī)定時間，試驗用基板上的電荷減少。換言之，進行試驗用基板的除靜電處理(步驟S616 )。
[0102]當(dāng)除靜電處理結(jié)束時，試驗用基板被從除靜電液中取出，進行干燥處理，由此從試驗用基板的兩面上除去除靜電液。接著，向試驗用基板的上表面(即，預(yù)先形成有器件的面)上供給處理液，與步驟S17同樣進行規(guī)定的處理(SPM處理)(步驟S617)。
[0103]當(dāng)SPM處理結(jié)束時，通過觀察等評價試驗用基板的上表面的狀態(tài)(步驟S618)，如果上表面的狀態(tài)良好(步驟S619)，則將臨時目標溫度決定為目標溫度。該目標溫度被存儲在存儲部8a中(步驟S623)。在步驟S619中，在試驗用基板的上表面上的器件未發(fā)生損傷的情況下，評價為上表面的狀態(tài)良好，在器件發(fā)生損傷的情況下，評價為上表面的狀態(tài)不良好。
[0104]在試驗用基板的上表面的狀態(tài)不良好的情況下(步驟S619)，進行變更使得步驟S616的除靜電處理的時間(即，維持試驗用基板與除靜電液的接觸狀態(tài)的時間)變長，對新的試驗用基板進行除靜電處理(步驟S620、S621、S616)。然后，進行SPM處理以及評價試驗用基板的上表面的狀態(tài)(步驟S617、S618 )。變更除靜電處理的時間的除靜電處理、SPM處理以及試驗用基板的評價反復(fù)進行規(guī)定的次數(shù)(步驟S619?S621)。其中，在反復(fù)進行規(guī)定次數(shù)結(jié)束之前，在步驟S619中判定為試驗用基板的上表面的狀態(tài)良好的情況下，將臨時目標溫度決定為目標溫度，將最新的步驟S616中的除靜電處理的時間決定為步驟S14中的除靜電時間的時間。該除靜電時間存儲在存儲部8a中。(步驟S623)。
[0105]另一方面，即使反復(fù)進行規(guī)定次數(shù)結(jié)束，也未判定為試驗用基板的上表面的狀態(tài)良好的情況下，降低臨時目標溫度(步驟S619、S620、S622)。換言之，將比最新的臨時目標溫度更低的溫度設(shè)定為臨時目標溫度。然后，進行對新的試驗用基板的除靜電處理、SPM處理以及試驗用基板的評價(步驟S616?S618)。如果試驗用基板的上表面的狀態(tài)變?yōu)榱己?，則將臨時目標溫度決定為目標溫度(步驟S619、S623)。另外，在試驗用基板的上表面的狀態(tài)不良好的情況下，將除靜電時間變長(步驟S619?S621)，除靜電處理、SPM處理以及試驗用基板的評價反復(fù)進行規(guī)定次數(shù)(步驟S616?S621)。
[0106]這樣，通過反復(fù)進行步驟S616?S622，將SPM處理后的試驗用基板的上表面的狀態(tài)變?yōu)榱己玫呐R時目標溫度以及除靜電時間決定為目標溫度以及除靜電時間(步驟S623)。然后，在基板處理裝置10中利用該目標溫度的除靜電液進行除靜電處理，由此，能夠防止在利用處理液進行處理時對基板9造成損傷。另外，通過使除靜電處理進行所設(shè)定的除靜電時間，能夠防止除靜電時間過長。
[0107]另外，在該目標除靜電溫度決定處理中，將電阻率與處理液的電阻率相等的除靜電液的溫度稍低的溫度設(shè)為在目標除靜電溫度獲取處理開始時刻的臨時目標溫度(步驟S614)，使該臨時目標溫度一點一點下降(步驟S622)，將在試驗用基板的上表面變?yōu)榱己玫臅r刻的臨時目標溫度作為最終的目標溫度(步驟S622)。除靜電液的溫度越高，除靜電時間越短，因此，能夠?qū)υ囼炗没宓纳媳砻娌辉斐蓳p傷的溫度范圍內(nèi)的除靜電時間最短的溫度，決定為最終的目標溫度。
[0108]圖9是表示目標溫度的決定的其他例子的圖。在圖9中示出目標溫度的決定流程的一部分。首先，測定得到在步驟S17使用的預(yù)定的處理液(SPM液)的電阻率(步驟S631 )。接著，將比處理液的電阻率稍大的電阻率設(shè)定為臨時目標電阻率(步驟S632)。另外，還獲取圖3所示的除靜電液(純水)的溫度和電阻率之間的關(guān)系(步驟S633)。然后，基于在步驟S633獲取的關(guān)系，獲取除靜電液的電阻率與在步驟S632設(shè)定的電阻率相等的除靜電液的溫度來作為臨時目標溫度(步驟S634 )。
[0109]以下，進行與上述的步驟S615?S623同樣的工序，將SPM處理后的試驗用基板的上表面的狀態(tài)良好的臨時目標溫度以及除靜電時間決定為目標溫度以及除靜電時間。并且，在基板處理裝置10中，利用該目標溫度的除靜電液進行除靜電處理，從而在利用處理液進行處理時能夠防止基板9發(fā)生損傷。另外，除靜電處理僅進行所設(shè)定的除靜電時間，從而防止除靜電時間變得過長。圖8A、圖SB以及圖9所示的目標溫度的決定處理既可以在基板處理裝置10中進行，也可以不使用基板處理裝置10來進行。
[0110]在圖1所示的基板處理裝置10中，也可以利用電阻率計作為除靜電液測定部62，通過除靜電液測定部62測定除靜電液的電阻率。在該情況下，在基板處理裝置10中，取代圖4所示的步驟S11，而如圖10所示那樣，將除靜電處理中的除靜電液的優(yōu)選的電阻率即目標電阻率設(shè)定在控制部8 (步驟S31)。另外，如圖3所示那樣的除靜電液的溫度和電阻率之間的關(guān)系也存儲在控制部8中。
[0111]接著，取代圖5所示的步驟S121?S123，通過除靜電液測定部62測定在除靜電液配管721內(nèi)流經(jīng)的除靜電液的電阻率(步驟S321)。接著，基于步驟S321中的測定結(jié)果與除靜電液的溫度和電阻率之間的關(guān)系，通過溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度，使得除靜電液配管721內(nèi)的除靜電液的電阻率和目標電阻率之差變小(步驟S322)。并且，反復(fù)進行步驟S321和步驟S322，由此除靜電液的電阻率大致被調(diào)整并維持在目標電阻率(步驟S323)。由此，能夠高精度地調(diào)整除靜電液的電阻率。
[0112]在除靜電液的電阻率即使從目標電阻率偏離一些也被允許的情況下，取代圖10的步驟S321?S323，而如圖11所示那樣進行溫度調(diào)整。首先，通過除靜電液測定部62，測定在除靜電液配管721內(nèi)流經(jīng)的除靜電液的電阻率(步驟S324)。接著，基于在步驟S324中的測定結(jié)果，求出除靜電液配管721內(nèi)的除靜電液的電阻率和目標電阻率之差，并與預(yù)先設(shè)定的規(guī)定的閾值電阻率差進行比較(步驟S325)。
[0113]在除靜電液的電阻率和目標電阻率之差在閾值電阻率差以下時，不通過溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度。在除靜電液的電阻率和目標電阻率之差大于閾值電阻率差時，通過溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度，使得除靜電液的電阻率和目標電阻率之差變小(步驟S326)。當(dāng)將比目標電阻率小了閾值電阻率差的電阻率稱為“下限電阻率”，將比目標電阻率大了閾值電阻率差的電阻率稱為“上限電阻率”時，通過反復(fù)進行步驟S324?S326，除靜電液的電阻率被大致調(diào)整并維持在下限電阻率以上且上限電阻率以下的范圍內(nèi)。由此，與進行步驟S321?S323所示的溫度調(diào)整的情況相比，能夠簡化控制部8對溫度調(diào)整部61的控制。
[0114]在基板處理裝置10中，在進行上述的步驟S31、S321?S323的情況下，基板9上的器件的尺寸越小，除靜電液的目標電阻率設(shè)定得越大。由此，根據(jù)器件的尺寸恰當(dāng)實現(xiàn)防止在單張?zhí)幚硌b置I中處理時基板9發(fā)生損傷和縮短除靜電處理的所需時間這兩者。另外，進行步驟S31、S324?S326時也同樣。
[0115]接著，對本發(fā)明的第二實施方式的基板處理裝置IOa進行說明。圖12是表示基板處理裝置IOa的結(jié)構(gòu)的圖。在基板處理裝置IOa中，在除靜電液接觸部7設(shè)定有比圖1所示的除靜電液貯存部71小的除靜電液貯存部71a。在除靜電液貯存部71a貯存的除靜電液中浸潰一張基板9。在基板處理裝置IOa中，省略圖1所示的盒體73等。其他結(jié)構(gòu)與圖1所示的基板處理裝置10同樣，在以下的說明中，對對應(yīng)的結(jié)構(gòu)標注相同的附圖標記。
[0116]基板處理裝置IOa中的基板處理流程與圖4所示的流程幾乎相同，不同之處僅在于，在步驟S14中，在通過控制部8的控制向除靜電液貯存部71a內(nèi)的除靜電液中浸潰基板9時，一張基板9從與上表面91相反一側(cè)的主面(以下稱為“下表面92”。)開始浸潰。
[0117]圖13是表示在基板處理裝置IOa的除靜電處理的前后的基板9的上表面91的表面電位的圖。通過上述除靜電處理，基板9上的電荷減少，基板9的電位整體降低。由此，與圖1所示的基板處理裝置10同樣，能夠防止在單張?zhí)幚硌b置I對除靜電處理后的基板9進行SPM處理時因電荷的移動對器件造成損傷、即對基板9造成損傷。另外，在除靜電液接觸部7中，與基板9的上表面91以及下表面92接觸的除靜電液在基板9的邊緣上連續(xù)。由此，通過除靜電處理能夠使基板9的表面電位(的絕對值)變得更小。進而，在除靜電液接觸部7中，由于基板9整體被浸潰在除靜電液中，所以能夠使基板9的表面電位(的絕對值)進一步變得更小。
[0118]接著，對本發(fā)明的第三實施方式的基板處理裝置IOb進行說明。圖14是表示基板處理裝置IOb的結(jié)構(gòu)的圖。在基板處理裝置IOb中，取代除靜電液接觸部7，而在單張?zhí)幚硌b置I設(shè)置有除靜電液接觸部7a。在除靜電液接觸部7a中，未設(shè)置除靜電液貯存部和基板干燥部等，而設(shè)置有一部分結(jié)構(gòu)與圖1所示的除靜電液供給部72不同的除靜電液供給部72a。其他結(jié)構(gòu)與圖1所示的基板處理裝置10同樣，在以下的說明中，對對應(yīng)的結(jié)構(gòu)標注相同的附圖標記。
[0119]圖14所示的除靜電液供給部72a與圖1所示的除靜電液供給部72同樣，具有除靜電液配管721、流量計722、除靜電液閥724，除靜電液配管721與省略圖示的除靜電液供給源相連接。另外，除靜電液供給部72a具有在除靜電液配管721的頂端設(shè)置的除靜電液噴嘴725和使除靜電液噴嘴725以旋轉(zhuǎn)軸7281為中心水平轉(zhuǎn)動的除靜電液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)728。除靜電液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)728具有從旋轉(zhuǎn)軸7281沿水平方向延伸并且安裝有除靜電液噴嘴725的臂7282。在除靜電液配管721上從除靜電液供給源向除靜電液噴嘴725依次配置流量計722、溫度調(diào)整部61、除靜電液閥724以及除靜電液測定部62。
[0120]在單張?zhí)幚硌b置I中，基板9的外緣部的一部分被基板保持部2支撐，除了與基板保持部2相接觸的該一部分，基板9的下表面92與基板保持部2相分離。除靜電液供給部72a還具有用于向基板9的下表面92供給除靜電液的下表面接觸液體部761。下表面接觸液體部761配置在與基板9的下表面92的中心部相向的位置，朝向下表面92噴出除靜電液。下表面接觸液體部761經(jīng)由下表面用配管762與除靜電液配管721相連接，在下表面用配管762上設(shè)置有下表面用閥763。
[0121]在除靜電液接觸部7a中，與除靜電液接觸部7同樣，由設(shè)定了目標溫度的控制部8控制溫度調(diào)整部61，來調(diào)整除靜電液的溫度(圖4:步驟S11、S12)，并大致維持在目標溫度。由此，除靜電液的電阻率大致被維持在目標電阻率?；蛘撸o電液的溫度也可以大致維持在下限溫度以上且上限溫度以下的范圍內(nèi)。在除靜電液接觸部7a中，也可以如圖10或圖11示那樣在控制部8設(shè)定目標電阻率(步驟S31 )，基于該目標電阻率，來調(diào)整除靜電液的溫度(步驟S321?S323、或步驟S324?S326)。
[0122]被調(diào)整了溫度的除靜電液輸送至除靜電液噴嘴725以及下表面接觸液體部761，從朝向基板9的上表面91的中心部上方的除靜電液噴嘴725的頂端的噴出口，向基板9的上表面91供給除靜電液，另外，從與基板9的下表面92的中心部相向的下表面接觸液體部761向基板9的下表面92供給除靜電液。當(dāng)將除靜電液噴嘴725以及下表面接觸液體部761分別稱為第一除靜電液接觸部以及第二除靜電液接觸部時，在除靜電液接觸部7a中，通過第一除靜電液接觸部以及第二除靜電液接觸部，基板9的上表面91以及下表面92與除靜電液相接觸。
[0123]圖15是表示基板處理裝置IOb中的基板9的處理流程的一部分的圖。首先，與圖1所示的基板處理裝置10同樣，在控制部8設(shè)定基于基板9上的器件的尺寸等決定的除靜電液的目標溫度(步驟S41)。接著，帶電的狀態(tài)的基板9被搬入基板處理裝置10b，并由單張?zhí)幚硌b置I的基板保持部2保持。
[0124]在除靜電液接觸部7a中，在除靜電液噴嘴725位于基板9的外側(cè)的待機位置的狀態(tài)下，開始從除靜電液噴嘴725噴出除靜電液(純水)。然后，基于作為除靜電液測定部62的測定結(jié)果的除靜電液溫、以及上述的目標溫度，對溫度調(diào)整部61進行反饋控制。由此，除靜電液的溫度被調(diào)整在除靜電液的電阻率大于處理液(SPM液)的電阻率的溫度范圍內(nèi)(步驟S42)。除靜電液的溫度調(diào)整的詳細過程與圖5中的步驟S121?S123、或圖6中的步驟S124?S126相同。
[0125]當(dāng)除靜電液的溫度調(diào)整結(jié)束時，通過圖14所示的基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42使基板9開始旋轉(zhuǎn)。接著，如圖16所示，打開下表面用閥763，開始從下表面接觸液體部761的頂端的噴出口向基板9的下表面92噴出如上述那樣溫度被調(diào)整的除靜電液95?；?的旋轉(zhuǎn)速度比在后述的SPM處理時的旋轉(zhuǎn)速度低。與基板9的下表面92接觸的除靜電液95借助基板9的旋轉(zhuǎn)從基板9的下表面92的中心部擴展到整個面。當(dāng)除靜電液95擴展到基板9的整個下表面92時，停止除靜電液95的噴出以及基板9的旋轉(zhuǎn)。由此，維持基板9的整個下表面92 (其中，除去與基板保持部2的接觸部分。)與除靜電液95相接觸的狀態(tài)，其結(jié)果，基板9的下表面92的電荷向除靜電液95比較緩慢移動，對基板9的整個下表面92進行除靜電處理(步驟S43)。
[0126]當(dāng)向基板9的下表面92供給除靜電液95結(jié)束時，除靜電液噴嘴725通過除靜電液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)728從待機位置移動，除靜電液噴嘴725的頂端的噴出口朝向基板9的上表面91的中心部。然后，從除靜電液噴嘴725向基板9的上表面91上供給規(guī)定量的除靜電液95后，停止從除靜電液噴嘴725供給除靜電液95 (進行所謂的浸沒處理。)。從除靜電液噴嘴725供給的除靜電液95從基板9的中心部向整個上表面91擴展，在上表面91上形成除靜電液95的薄的層(例如，厚度約為Imm的層)，整個上表面91被除靜電液95浸沒(puddle)(步驟S44)。由此，基板9的上表面91的電荷向除靜電液95比較緩慢地移動，對基板9的整個上表面91進行除靜電處理。此外，與基板9的下表面92相接觸的除靜電液95和與基板9的上表面91相接觸的除靜電液95在基板9上不連續(xù)。
[0127]在基板處理裝置IOb中，在基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42停止的狀態(tài)下，基板9的整個上表面91被除靜電液95浸沒，并且，將基板9的整個下表面92與除靜電液95相接觸的狀態(tài)維持規(guī)定時間，由此對基板9的整個上表面91以及整個下表面92進行除靜電處理。
[0128]當(dāng)除靜電處理結(jié)束時，開始使基板9旋轉(zhuǎn)(圖4:步驟S16)，基板9的上表面91以及下表面92上的除靜電液因基板9的旋轉(zhuǎn)被除去。由此，能夠防止在接下來的SPM處理時除靜電液和SPM液在基板9的上表面91進行混合。其結(jié)果，能夠防止基板9上的由除靜電液和處理液的混合導(dǎo)致的上述不良影響。
[0129]當(dāng)除靜電液的除去結(jié)束時，從圖14所示的處理液供給部3向基板9的上表面91上供給SPM液，進行SPM處理(步驟S17)。接著，從處理液供給部3向基板9的上表面91上供給雙氧水，進行雙氧水供給處理后，向基板9的上表面91上供給沖洗液(純水)來進行沖洗處理(步驟S18、S19)。沖洗液既可以從省略圖示的沖洗液供給部供給，也可以從除靜電液接觸部7a的除靜電液噴嘴725供給。然后，進行通過基板9的旋轉(zhuǎn)來除去基板9上的沖洗液的干燥處理，并停止基板9的旋轉(zhuǎn)(步驟S20、S21)。
[0130]圖17是表示基板處理裝置IOb的除靜電處理前后的基板9的上表面91的表面電位的圖。通過上述的除靜電處理，基板9上的電荷減少，基板9的電位整體降低。由此，與圖1所示的基板處理裝置10同樣，能夠防止對除靜電處理后的基板9進行SPM處理時因電荷的移動對器件造成損傷、即對基板9造成損傷。另外，在基板處理裝置IOb中，通過將除靜電液接觸部7a設(shè)置在單張?zhí)幚硌b置1，能夠使基板處理裝置IOb小型化。
[0131]在基板處理裝置IOb中，對基板9的除靜電處理在基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42實質(zhì)停止的狀態(tài)下進行。由此，能夠有效地進行基板9的除靜電處理?；逍D(zhuǎn)機構(gòu)42實質(zhì)停止的狀態(tài)不僅包括如上述那樣基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42對基板9的旋轉(zhuǎn)完全停止的狀態(tài)，而且包括基板9通過基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42以低的轉(zhuǎn)速(例如，10?200rpm)旋轉(zhuǎn)，而通過該旋轉(zhuǎn)對基板9上的除靜電液的層不產(chǎn)生實質(zhì)性影響的狀態(tài)。
[0132]圖18是表示本發(fā)明的第四實施方式的基板處理裝置IOc的結(jié)構(gòu)的圖。如圖18所示，基板處理裝置IOc是對半導(dǎo)體基板9 (以下僅稱為“基板9”。)一張一張進行處理的單張式的裝置。在基板處理裝置IOc中，向基板9供給SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxidemixture)液來進行SPM處理、即基板9上的抗蝕劑膜的除去處理。
[0133]基板處理裝置IOc具有基板保持部2、處理液供給部3、杯部41、基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42、除靜電液供給部5、溫度調(diào)整部61、除靜電液測定部62和控制部8?；灞３植?在基板9的一個主面91 (以下稱為“上表面91”。)朝向上側(cè)的狀態(tài)下保持基板9。處理液供給部3向基板9的上表面91上供給SPM液等處理液。杯部41包圍基板9以及基板保持部2的周圍。
[0134]基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42使基板9與基板保持部2 —起水平地進行旋轉(zhuǎn)。基板9通過基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42以通過基板9的中心并與基板9的上表面91垂直的旋轉(zhuǎn)軸為中心進行旋轉(zhuǎn)。除靜電液供給部5向基板9的上表面91上供給除靜電液。溫度調(diào)整部61對向基板9供給的除靜電液的溫度進行調(diào)整。除靜電液測定部62是測定除靜電液的溫度的溫度傳感器。存儲部8a保存目標溫度和除靜電時間(詳細內(nèi)容在后面敘述)，在執(zhí)行基板處理時，將它們設(shè)定在控制部8?？刂撇?基于上述目標溫度等對處理液供給部3、除靜電液供給部5、溫度調(diào)整部61以及除靜電液測定部62等的結(jié)構(gòu)進行控制。在基板處理裝置IOc中，基板保持部2、杯部41、基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42等容納在省略圖示的腔室內(nèi)。
[0135]處理液供給部3具有用于供給硫酸的硫酸供給部31、用于供給雙氧水的雙氧水供給部32、與硫酸供給部31以及雙氧水供給部32相連接的混合液生成部33、配置在基板9的上方并向基板9噴出液體的處理液噴嘴34、使處理液噴嘴34以旋轉(zhuǎn)軸351為中心水平轉(zhuǎn)動的處理液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)35。處理液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)35具有從旋轉(zhuǎn)軸351沿水平方向延伸并安裝有處理液噴嘴34的臂352。
[0136]硫酸供給部31具有用于貯存硫酸的硫酸貯存部311、與硫酸貯存部311以及混合液生成部33相連接的硫酸配管312、從硫酸貯存部311經(jīng)由硫酸配管312向混合液生成部33供給硫酸的硫酸泵313、在硫酸配管312上設(shè)置的硫酸閥314、以及在硫酸泵313和硫酸閥314之間設(shè)置在硫酸配管312上并對硫酸進行加熱的硫酸加熱部315。硫酸配管312在硫酸加熱部315和硫酸閥314之間分支并連接至硫酸貯存部311，在硫酸閥314被關(guān)閉的狀態(tài)下，被硫酸加熱部315加熱后的硫酸在硫酸貯存部311和硫酸加熱部315之間循環(huán)。
[0137]雙氧水供給部32具有用于忙存雙氧水的雙氧水忙存部321、與雙氧水忙存部321以及混合液生成部33相連接的雙氧水配管322、從雙氧水貯存部321經(jīng)由雙氧水配管322向混合液生成部33供給雙氧水的雙氧水泵323、設(shè)置在雙氧水配管322上的雙氧水閥324。此外，硫酸貯存部311以及雙氧水貯存部321可以設(shè)置在基板處理裝置IOc的外部，并分別連接有硫酸配管312以及雙氧水配管322。
[0138]混合液生成部33具有與硫酸配管312以及雙氧水配管322相連接的混合閥331、與混合閥331以及處理液噴嘴34相連接的噴出用配管332、設(shè)置在噴出用配管332上的攪拌流通管333。在混合液生成部33中，來自硫酸供給部31的被加熱后的硫酸和來自雙氧水供給部32的常溫(即與室溫大致相同的溫度)的雙氧水在混合閥331中混合，來生成作為混合液的SPM液(硫酸雙氧水混合溶液)。
[0139]SPM液通過攪拌流通管333以及噴出用配管332被輸送到處理液噴嘴34。通過在攪拌流通管333中攪拌SPM液，從而促進SPM液中含有的硫酸和雙氧水之間的化學(xué)反應(yīng)。作為處理液的SPM液從處理液噴嘴34的頂端的噴出口向基板9的上表面91被噴出。在本實施方式中，由硫酸加熱部315被加熱至約130°C?150°C的硫酸被從硫酸供給部31供給至混合液生成部33。此外，也可以適當(dāng)變更從硫酸供給部31供給的硫酸的溫度。
[0140]除靜電液供給部5具有除靜電液配管51、流量計52、除靜電液閥54、除靜電液噴嘴55、除靜電液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)58。除靜電液配管51與除靜電液噴嘴55和省略圖示的除靜電液供給源相連接。除靜電液噴嘴55的頂端的噴出口位于基板9的上表面91的中心部上方。來自除靜電液供給源的除靜電液由除靜電液配管51引導(dǎo)至除靜電液噴嘴55，并從除靜電液噴嘴55的噴出口向基板9的上表面91上噴出。除靜電液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)58具有從旋轉(zhuǎn)軸581沿水平方向延伸并且安裝有除靜電液噴嘴55的臂582。除靜電液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)58使除靜電液噴嘴55與臂582 —起以旋轉(zhuǎn)軸581為中心水平轉(zhuǎn)動。
[0141]在除靜電液配管51上，從除靜電液供給源向除靜電液噴嘴55依次配置有流量計52、溫度調(diào)整部61、除靜電液閥54以及除靜電液測定部62。流量計52測定在除靜電液配管51內(nèi)流經(jīng)的除靜電液的流量。溫度調(diào)整部61根據(jù)需要對在除靜電液配管51內(nèi)流經(jīng)的除靜電液進行加熱或冷卻，來對除靜電液配管51內(nèi)的除靜電液的溫度進行調(diào)整。除靜電液閥54對在除靜電液配管51內(nèi)流經(jīng)的除靜電液的流量進行調(diào)整。除靜電液測定部62對在除靜電液配管51內(nèi)流經(jīng)的除靜電液的溫度進行測定。在除靜電液供給部5中，作為除靜電液，利用純水(DIW)。
[0142]純水的溫度和電阻率之間的關(guān)系如圖3所示。如圖3所示，純水的電阻率隨著液溫上升而逐漸減小。純水的電阻率在純水的凝固點以上且沸點以下的整個范圍內(nèi)都大于上述的SPM液的電阻率。從除靜電液供給部5供給的除靜電液只要是隨著液溫上升而電阻率逐漸減小的液體即可，并不限于純水。另外，除靜電液的電阻率只要在除靜電液的凝固點以上且沸點以下的至少規(guī)定的溫度范圍內(nèi)大于從處理液供給部3供給的處理液的電阻率即可。。作為除靜電液，例如可以利用在純水中溶解二氧化碳(CO2)而成的如CO2水那樣的含離子的液體。在其他實施方式中也同樣。
[0143]除靜電液測定部62的測定結(jié)果(即，除靜電液的溫度)被發(fā)送至控制部8?？刂撇?基于在存儲部8a內(nèi)存儲的除靜電液的目標溫度、即后述的除靜電處理中的除靜電液的優(yōu)選的溫度，來控制單張?zhí)幚硌b置1、溫度調(diào)整部61以及除靜電液測定部62等的結(jié)構(gòu)。除靜電液的目標溫度是用于實現(xiàn)在除靜電處理中的除靜電液的優(yōu)選的電阻率(即目標電阻率)的溫度。除靜電液的目標電阻率大于從處理液供給部3供給的處理液的電阻率。目標溫度基于目標電阻率與在圖3所示的除靜電液的溫度和電阻率之間的關(guān)系等來求取。目標溫度的具體的求取方法在后面敘述。
[0144]在基板9的上表面91上預(yù)先形成的器件的尺寸越小(即器件的配線的最小寬度越小)，目標電阻率設(shè)定得越大。因此，在基板9的上表面91上預(yù)先形成的器件的尺寸越小，目標溫度設(shè)定得越低。在本實施方式中，目標電阻率設(shè)定在約I?18ΜΩ.αιι的范圍，目標溫度設(shè)定在約25?100°C的范圍。
[0145]在基板處理裝置IOc中，基于除靜電液測定部62的測定結(jié)果以及上述的目標溫度，由控制部8對溫度調(diào)整部61進行反饋控制。在溫度調(diào)整部61中，對除靜電液的溫度進行調(diào)整，使得除靜電液配管51內(nèi)的除靜電液的溫度和目標溫度之差變小。由此，向基板9的上表面91上供給的除靜電液的溫度大致維持在目標溫度。換言之，通過上述反饋控制，除靜電液的溫度維持在可以說實質(zhì)上等于目標溫度的窄的溫度范圍(當(dāng)然，包含目標溫度。)內(nèi)。
[0146]在基板處理裝置IOc中，存在除靜電液的溫度即使偏離目標溫度一些也被允許的情況。在這種情況下，由除靜電液測定部62測定的除靜電液的溫度和目標溫度之差在閾值溫度差以下時，控制部8停止通過溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度，僅在除靜電液的溫度和目標溫度之差大于閾值溫度差時，通過溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度。當(dāng)將比目標溫度低了閾值溫度差的溫度稱為“下限溫度”，將比目標溫度高了閾值溫度差的溫度稱為“上限溫度”時，通過上述溫度調(diào)整，將向基板9上供給的除靜電液的溫度大致維持在下限溫度以上且上限溫度以下的范圍內(nèi)。在上限溫度下的除靜電液的電阻率大于從處理液供給部3供給的處理液的電阻率。
[0147]這樣，在除靜電液供給部5中，控制部8對溫度調(diào)整部61進行控制，由此使向基板9上供給的除靜電液的溫度處于除靜電液的電阻率大于上述處理液的電阻率的范圍內(nèi)。
[0148]接著，參照圖19對基板處理裝置IOc中的基板9的處理流程進行說明。首先，與要使用的基板9對應(yīng)的目標溫度和除靜電時間被從存儲部8a讀出并設(shè)定在控制部8(步驟S71)。在本實施方式中，目標溫度和除靜電時間預(yù)先存儲在存儲部8a中，在開始基板處理的時刻，被從存儲部8a讀出并設(shè)定在控制部8。但是，也可以不將目標溫度和除靜電時間存儲在存儲部8a，每當(dāng)開始基板處理，作業(yè)者使用未圖示的輸入單元將目標溫度和除靜電時間設(shè)定在控制部8。
[0149]另外，也可以取代使目標溫度存儲在存儲部8a，而使表示基板9上的器件的尺寸和除靜電液的目標溫度的關(guān)系的表格預(yù)先存儲在存儲部8a中。在該情況下，在開始對基板9進行基板處理之前，在存儲部8a中輸入處理對象的基板9上的器件的尺寸，接著，基于該器件的尺寸和所述表格來決定與基板9對應(yīng)的目標溫度，最后將該目標溫度設(shè)定于控制部
8。關(guān)于目標溫度和除靜電時間的決定以及向控制部8的設(shè)定(或后述的目標電阻率的決定以及設(shè)定)，在后述的其他基板處理裝置中也同樣。
[0150]接著，基板9被搬入并由基板保持部2保持?；?在被搬入基板處理裝置IOc之前，經(jīng)過干蝕刻和等離子體CVD (Chemical Vapor Deposition)等干式工序,基板9處于帶電的狀態(tài)。
[0151]在除靜電液供給部5中，在除靜電液噴嘴55位于基板9的外側(cè)的待機位置的狀態(tài)下，通過控制部8打開除靜電液閥54，開始從除靜電液噴嘴55噴出除靜電液(純水)。然后，基于作為除靜電液測定部62的測定結(jié)果的除靜電液的溫度、以及上述的目標溫度，對溫度調(diào)整部61進行反饋控制。由此，除靜電液的溫度被調(diào)整至除靜電液的電阻率大于處理液(SPM液)的電阻率的溫度范圍內(nèi)(步驟S72)。步驟S72中的除靜電液的溫度調(diào)整的流程與圖5所示的步驟S121?S123、或圖6所示的步驟S124?S126相同。
[0152]當(dāng)除靜電液的溫度調(diào)整結(jié)束時，通過除靜電液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)58使除靜電液噴嘴55從待機位置移動，如圖18所示，除靜電液噴嘴55的頂端的噴出口朝向基板9的上表面91的中心部。此時，基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42停止，基板9處于未旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)。
[0153]當(dāng)從除靜電液噴嘴55向基板9的上表面91上供給規(guī)定量的除靜電液時，停止從除靜電液噴嘴55供給除靜電液(進行所謂的浸沒處理)。從除靜電液噴嘴55供給的除靜電液從基板9的中心部擴展到整個上表面91，在上表面91上形成除靜電液的薄的層(例如，厚度約為Imm的層)，整個上表面91被除靜電液浸沒。
[0154]這樣，通過基板9的上表面91與除靜電液相接觸，基板9上的電荷向除靜電液比較緩慢地移動。并且，通過使基板9與除靜電液的接觸狀態(tài)維持規(guī)定的時間，在不對基板9上的器件造成損傷的情況下使基板9上的電荷減少。換言之，利用除靜電液對基板9的上表面91進行浸沒處理，由此對基板9的整個上表面91進行除靜電處理(步驟S73)。該浸沒處理在基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42停止的狀態(tài)下進行。
[0155]圖20是表示基板處理裝置IOc的除靜電處理的前后的基板9的上表面91的表面電位的圖。在圖20中示出在基板9的中心部的表面電位的絕對值。通過上述的除靜電處理，基板9上的電荷減少，基板9的電位整體上降低。在基板處理裝置IOc中，基板9上的器件的尺寸比較小的情況下，除靜電液的溫度例如維持在約25°C，除靜電液的電阻率約為18ΜΩ.cm0另外，在基板9上的器件的尺寸比較大卿，對由電荷的移動造成的損傷的耐性比較高)的情況下，除靜電液的溫度被維持在例如比100°C稍低的溫度，除靜電液的電阻率約為1ΜΩ.cm.這樣，通過提高除靜電液的溫度使電阻率變得比較小，從而電荷從基板9向除靜電液的移動速度增大。其結(jié)果，能夠縮短基板9的除靜電處理所需要的時間。[0156]當(dāng)基板9的除靜電處理結(jié)束時，通過除靜電液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)58使除靜電液噴嘴55返回到待機位置。接著，由控制部8控制基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42，開始使基板9旋轉(zhuǎn)(步驟S74)。并且，基板9的上表面91上的除靜電液借助基板9的旋轉(zhuǎn)向基板9的邊緣移動，并從基板9的邊緣向外側(cè)飛散，被從基板9的整個上表面91除去(步驟S75)。從基板9飛散的除靜電液由杯部41接收。在基板處理裝置IOc中，基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42作為通過使基板9旋轉(zhuǎn)來除去上表面91上的液體的液體除去部發(fā)揮作用。
[0157]當(dāng)除靜電液的除去結(jié)束時，通過基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42使基板9的轉(zhuǎn)速減小并變?yōu)镾PM處理時的轉(zhuǎn)速。另外，通過處理液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)35使處理液噴嘴34開始轉(zhuǎn)動，處理液噴嘴34在基板9的中心部和邊緣之間反復(fù)往復(fù)移動。
[0158]接著，由控制部8控制處理液供給部3，打開硫酸供給部31的硫酸閥314，被硫酸加熱部315加熱至約130°C?150°C的硫酸經(jīng)由硫酸配管312被供給至混合液生成部33的混合閥331。另外，由控制部8打開雙氧水閥324，常溫的雙氧水從雙氧水貯存部321經(jīng)由雙氧水配管322向混合閥331供給。在混合閥331中，加熱后的硫酸和常溫的雙氧水混合而生成SPM液。SPM液的溫度因硫酸和雙氧水的反應(yīng)而變?yōu)楸葟牧蛩峁┙o部31供給的硫酸的溫度高的約150°C?195°C。
[0159]SPM液通過噴出用配管332以及攪拌流通管333，從處理液噴嘴34向基板9的上表面91供給。換言之，通過處理液供給部3，被加熱后的硫酸和雙氧水混合并被供給至基板9的上表面91。SPM液通過基板9的旋轉(zhuǎn)擴展到基板9的整個上表面91，并從基板9的邊緣向外側(cè)飛散，由杯部41接收。在基板處理裝置IOc中，SPM液向基板9的供給連續(xù)進行規(guī)定時間，來進行對基板9的SPM處理、即利用SPM液所包含的過硫酸的強氧化力來除去基板9上的抗蝕劑膜的除去處理(步驟S76)。此外，在基板處理裝置IOc中，也可以從在基板9的中心部的上方停止的處理液噴嘴34供給SPM液等。
[0160]當(dāng)SPM處理結(jié)束時，在打開雙氧水閥324的狀態(tài)下，關(guān)閉硫酸閥314，雙氧水通過混合閥331、噴出用配管332以及攪拌流通管333從處理液噴嘴34被供給至除去了抗蝕劑膜的基板9上(步驟S77)。通過該雙氧水供給處理，除去在混合閥331、噴出用配管332、攪拌流通管333以及處理液噴嘴34內(nèi)殘留的SPM液。另外，被供給至基板9上的雙氧水通過基板9的旋轉(zhuǎn)擴散到基板9的整個上表面91，將殘留在基板9上的SPM液從基板9的邊緣擠向外側(cè)來除去。
[0161]當(dāng)雙氧水供給處理結(jié)束時，關(guān)閉雙氧水閥324而停止供給雙氧水，通過處理液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)35，將處理液噴嘴34向基板9的外側(cè)的待機位置移動。接著，進行從省略圖示的沖洗液供給部向基板9的上表面91供給沖洗液的沖洗處理(步驟S78)。作為沖洗液，例如利用純水或CO2水。沖洗液通過基板9的旋轉(zhuǎn)擴展到基板9的整個上表面91。由此，沖洗掉在基板9上殘留的雙氧水。當(dāng)沖洗處理連續(xù)進行了規(guī)定時間時，停止供給沖洗液。然后，進行干燥處理，即，使基板9的轉(zhuǎn)速增大，通過基板9的旋轉(zhuǎn)，除去在基板9上殘留的沖洗液(步驟S79)。然后，停止基板9的旋轉(zhuǎn)(步驟S80)，將基板9從基板處理裝置IOc搬出。
[0162]如以上說明那樣，在基板處理裝置IOc中，對于因干蝕刻和等離子體CVD等的前處理而帶電的基板9，在利用從處理液供給部3供給的處理液進行處理(即利用SPM液進行SPM處理)之前，供給電阻率比該處理液的電阻率大的除靜電液，基板9的整個上表面91被該除靜電液浸沒。由此，基板9的整個上表面91被比較緩慢地除靜電。在除靜電時，由于不會發(fā)生因基板9上的電荷快速向除靜電液移動而發(fā)生的情況，所以能夠防止在基板9上的器件上發(fā)生損傷。
[0163]并且，向進行除靜電處理后的基板9供給上述處理液(SPM液)，由此，即使基板9與電阻率比除靜電液的電阻率小的該處理液接觸，也不會發(fā)生大量的電荷從基板9向處理液快速移動的情況。因此，也能夠防止在利用處理液進行處理時因電荷的移動給器件造成的損傷、即損傷基板9。
[0164]在基板處理裝置IOc中，利用溫度調(diào)整部61對除靜電液的溫度進行調(diào)整，由此將除靜電液的電阻率維持在比處理液的電阻率大的狀態(tài)，并且，基板9的整個上表面91被除靜電液浸沒。由此，如上所述，能夠在不對器件造成損傷的情況下對基板9進行除靜電處理。另外，通過在不對器件造成損傷的范圍內(nèi)提高除靜電液的溫度使電阻率變小，由此能增大電荷從基板9向除靜電液的移動速度。其結(jié)果，能夠縮短基板9的除靜電處理所需的時間。
[0165]例如利用在純水中溶解了二氧化碳(CO2)等而成的含有離子的液體作為除靜電液，對除靜電液的離子濃度進行調(diào)整，由此也能調(diào)整除靜電液的電阻率。但是，在該方法中，由于使用二氧化碳等，所以有可能增大除靜電處理所需的成本。另外，與相同的溫度的純水相比，無法增大除靜電液的電阻率。相對于此，在上述的基板處理裝置IOc中，由于通過調(diào)整除靜電液的溫度來調(diào)整除靜電液的電阻率，所以能夠容易且低成本地調(diào)整除靜電液的電阻率。
[0166]如上所述，在基板處理裝置IOc中，基板9上的器件的尺寸越小，將越低的溫度決定為除靜電液的目標溫度，將越大的電阻率決定為目標電阻率。由此，能夠根據(jù)器件的尺寸來恰當(dāng)實現(xiàn)防止在利用處理液處理時基板9發(fā)生損傷和縮短除靜電處理的所需時間這兩者。
[0167]在基板處理裝置IOc中，對基板9的除靜電處理在基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42實質(zhì)停止的狀態(tài)下進行。由此，能夠有效地進行基板9的除靜電處理?；逍D(zhuǎn)機構(gòu)42實質(zhì)停止的狀態(tài)不僅包括如上述那樣基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42對基板9的旋轉(zhuǎn)完全停止的狀態(tài)，而且包括基板9通過基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42以低的轉(zhuǎn)速(例如，10?200rpm)旋轉(zhuǎn)，而通過該旋轉(zhuǎn)對基板9上的除靜電液的層不產(chǎn)生實質(zhì)性影響的狀態(tài)。在基板9以低的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下進行除靜電處理時，基板9的旋轉(zhuǎn)在步驟S73之前開始。
[0168]在基板處理裝置IOc中，在除靜電液對基板9的整個上表面91的浸沒處理(步驟S73:除靜電處理)和利用處理液進行的處理(步驟S76:SPM處理)之間，基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42被控制部8控制作為液體除去部，來從基板9的上表面91上除去除靜電液(步驟S75)。由此，能夠防止由基板9上的除靜電液和處理液的混合引起的不良影響。作為該不良影響，例如能夠舉出由作為除靜電液的純水和SPM液所包含的硫酸之間的反應(yīng)熱造成的基板9的損傷(所謂的熱沖擊)、由SPM液被除靜電液稀釋造成的SPM處理的品質(zhì)的下降、以及因SPM液與除靜電液發(fā)生部分混合導(dǎo)致SPM液的濃度不均而使整個基板9的SPM處理的均勻性下降。
[0169]在基板處理裝置IOc中，通過基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42使基板9進行旋轉(zhuǎn)，能夠容易地除去基板9上的除靜電液。另外，由于通過在SPM處理時用于基板9的旋轉(zhuǎn)的基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42也能從基板9上除去除靜電液，因此能夠簡化基板處理裝置IOc的結(jié)構(gòu)。
[0170]在基板處理裝置IOc中，通過進行上述步驟S121?S123所示的溫度調(diào)整，能夠高精度地調(diào)整除靜電液的溫度。另外，進行步驟S124?S126所示的溫度調(diào)整的情況與進行步驟S121?S123所示的溫度調(diào)整的情況相比，能夠簡化控制部8對溫度調(diào)整部61的控制。
[0171]如上所述，在基板處理裝置IOc中，作為除靜電液，利用了純水。由此，作為除靜電液，與利用在純水中溶解了二氧化碳(CO2)等而成的含有離子的液體的情況相比，能夠降低使用除靜電液涉及的成本。
[0172]圖19中的步驟S71中，在控制部8設(shè)定的目標溫度的決定的流程與在圖8A以及圖8B所示的流程類似，因此，以下參照圖8A以及圖SB對目標溫度的決定進行說明。在目標溫度的決定處理中，首先，測定得到在步驟S76使用的預(yù)定的處理液(SPM液)的電阻率(步驟S611)。接著，還獲取圖3所示的除靜電液(純水)的溫度和電阻率之間的關(guān)系(步驟S612)。然后，基于在步驟S612獲取的關(guān)系，獲取除靜電液的電阻率等于處理液的電阻率的除靜電液的溫度(步驟S613)。
[0173]接著，設(shè)定比在步驟S613獲取的溫度稍低的臨時目標溫度，準備臨時目標溫度的除靜電液(步驟S614、S615)。與除靜電液的準備并行，準備具有與上述基板9同樣的結(jié)構(gòu)的試驗用基板。向試驗用基板的上表面(即，預(yù)先形成有器件的面)供給除靜電液，利用除靜電液進行浸沒處理。由此，試驗用基板的整個上表面與除靜電液接觸，通過維持該接觸狀態(tài)規(guī)定的時間，試驗用基板上的電荷減少。換言之，進行試驗用基板的除靜電處理(步驟S616)。
[0174]當(dāng)除靜電處理結(jié)束時，通過旋轉(zhuǎn)試驗用基板，從試驗用基板的上表面上除去除靜電液。接著，向試驗用基板的上表面上供給處理液，與步驟S76同樣進行規(guī)定的處理(SPM處理)(步驟S617)。
[0175]當(dāng)SPM處理結(jié)束時，通過觀察等評價試驗用基板的上表面的狀態(tài)(步驟S618)，如果上表面的狀態(tài)良好(步驟S619)，則將臨時目標溫度決定為目標溫度。該目標溫度存儲在存儲部8a中(步驟S623)。在步驟S619中，在試驗用基板的上表面上的器件未發(fā)生損傷的情況下，評價為上表面的狀態(tài)良好，在器件發(fā)生損傷的情況下，評價為上表面的狀態(tài)不良好。
[0176]在試驗用基板的上表面的狀態(tài)不良好的情況下(步驟S619)，進行變更使得步驟S616的除靜電處理的時間(即，維持試驗用基板與除靜電液的接觸狀態(tài)的時間)變長，對新的試驗用基板進行除靜電處理(步驟S620、S621、S616)。然后，進行SPM處理以及評價試驗用基板的上表面的狀態(tài)(步驟S617、S618 )。變更除靜電處理的時間的除靜電處理、SPM處理以及試驗用基板的評價反復(fù)進行規(guī)定的次數(shù)(步驟S619?S621 )。其中，在反復(fù)進行規(guī)定次數(shù)結(jié)束之前，在步驟S619中判定為試驗用基板的上表面的狀態(tài)良好的情況下，將臨時目標溫度決定為目標溫度，將最新的步驟S616中的除靜電處理的時間決定為步驟S73中的除靜電時間的時間。該除靜電時間存儲在存儲部8a中(步驟S623)。
[0177]另一方面，即使反復(fù)進行規(guī)定次數(shù)結(jié)束，也未判定為試驗用基板的上表面的狀態(tài)良好的情況下，降低臨時目標溫度(步驟S619、S620、S622)。換言之，將比最新的臨時目標溫度更低的溫度設(shè)定為臨時目標溫度。然后，進行對新的試驗用基板的除靜電處理、SPM處理以及試驗用基板的評價(步驟S616?S618)。如果試驗用基板的上表面的狀態(tài)變?yōu)榱己?，則將臨時目標溫度決定為目標溫度(步驟S619、S623)。另外，在試驗用基板的上表面的狀態(tài)不良好的情況下，將除靜電時間變長(步驟S619?S621)，除靜電處理、SPM處理以及試驗用基板的評價反復(fù)進行規(guī)定次數(shù)(步驟S616?S621)
[0178]這樣，通過反復(fù)進行步驟S616?S622，將SPM處理后的試驗用基板的上表面的狀態(tài)變?yōu)榱己玫呐R時目標溫度以及除靜電時間決定為目標溫度以及除靜電時間(步驟S623)。然后，在基板處理裝置IOc中利用該目標溫度的除靜電液進行除靜電處理，由此，能夠防止在利用處理液進行處理時對基板9造成損傷。另外，通過使除靜電處理進行所設(shè)定的除靜電時間，能夠防止除靜電時間過長。
[0179]另外，在該目標除靜電溫度決定處理中，將電阻率與處理液的電阻率相等時的除靜電液的溫度稍低的溫度設(shè)為在目標除靜電溫度獲取處理開始時刻的臨時目標溫度(步驟S614)，使該臨時目標溫度一點一點下降(步驟S622)，將在試驗用基板的上表面變?yōu)榱己玫臅r刻的臨時目標溫度作為最終的目標溫度(步驟S622)。除靜電液的溫度越高，除靜電時間越短，因此，能夠?qū)υ囼炗没宓纳媳砻娌辉斐蓳p傷的溫度范圍內(nèi)的除靜電時間最短的溫度，決定為最終的目標溫度。
[0180]臨時目標溫度的設(shè)定也可以例如利用圖9所示的方法進行。在該情況下，首先，測定得到在步驟S76使用的預(yù)定的處理液(SPM液)的電阻率(步驟S631)。接著，將比處理液的電阻率稍大的電阻率設(shè)定為臨時目標電阻率(步驟S632)。另外，還獲取圖3所示的除靜電液(純水)的溫度和電阻率之間的關(guān)系(步驟S633)。然后，基于在步驟S633獲取的關(guān)系，獲取除靜電液的電阻率與在步驟S632設(shè)定的電阻率相等的除靜電液的溫度來作為臨時目標溫度(步驟S634)。
[0181]下面，進行與上述的步驟S615?S623同樣的工序，將SPM處理后的試驗用基板的上表面的狀態(tài)良好的臨時目標溫度以及除靜電時間決定為目標溫度以及除靜電時間。并且，在基板處理裝置IOc中，利用該目標溫度的除靜電液進行除靜電處理，從而在利用處理液進行處理時能夠防止基板9發(fā)生損傷。另外，除靜電處理僅進行所設(shè)定的除靜電時間，從而防止除靜電時間變得過長。圖8A、圖SB以及圖9所示的目標溫度的決定處理既可以在基板處理裝置IOc中進行，也可以不使用基板處理裝置IOc來進行。
[0182]在圖18所示的基板處理裝置IOc中，也可以利用電阻率計作為除靜電液測定部62，通過除靜電液測定部62測定除靜電液的電阻率。在該情況下，在基板處理裝置IOc中，利用上述的圖10或圖11所示的方法調(diào)整除靜電液的溫度。
[0183]接著，對本發(fā)明的第五實施方式的基板處理裝置進行說明。圖21是表示第五實施方式的基板處理裝置IOd的結(jié)構(gòu)的圖。在基板處理裝置IOd中，除了圖18所示的基板處理裝置IOc的結(jié)構(gòu)外，還具有向基板9的上表面91上供給液狀的異丙醇(以下稱為“IPA”。)的IPA供給部77。其他結(jié)構(gòu)與圖18所示的基板處理裝置IOc同樣，在以下的說明中，對對應(yīng)的結(jié)構(gòu)標注相同的附圖標記。在圖21中，為了便于圖示，省略了處理液供給部3的圖示，但處理液供給部3的結(jié)構(gòu)也與圖18所示的基板處理裝置IOc同樣。另外，在圖21中，還省略控制部8的圖示。
[0184]IPA供給部77具有與省略圖示的IPA貯存部相連接的IPA配管771、與IPA配管771的頂端相連接的IPA噴嘴772、在IPA配管771上設(shè)置的IPA閥773、以及使IPA噴嘴772以旋轉(zhuǎn)軸775為中心水平轉(zhuǎn)動的IPA噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)774。IPA噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)774具有從旋轉(zhuǎn)軸775沿水平方向延伸并且安裝IPA噴嘴772的臂776。
[0185]圖22是表示基板處理裝置IOd中的基板9的處理流程的一部分的圖。在基板處理裝置IOd中，進行與圖19所示的步驟S71?S73同樣的工序后，進行圖22中的步驟S91?S93，然后，進行與圖19所示的步驟S76?S80同樣的工序。[0186]具體地說，首先，將基于基板9上的器件的尺寸等決定的除靜電液(純水)的目標溫度設(shè)定在控制部8 (參照圖18)(步驟S71)。接著，將因干式工序而帶電的狀態(tài)的基板9搬入基板處理裝置IOd并由基板保持部2保持。另外，通過溫度調(diào)整部61將除靜電液的溫度調(diào)整至除靜電液的電阻率大于處理液(SPM液)的電阻率的溫度范圍內(nèi)(步驟S72)。然后，從除靜電液供給部5向基板9上供給除靜電液，將基板9的整個上表面91由除靜電液浸沒，來進行除靜電處理(步驟S73)。
[0187]當(dāng)基板9的除靜電處理結(jié)束時，利用除靜電液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)58使除靜電液噴嘴55轉(zhuǎn)動，從圖21所示的位置返回到基板9的外側(cè)的待機位置。另外，IPA噴嘴772通過IPA噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)774從待機位置移動，如圖21所示那樣，IPA噴嘴772的頂端的噴出口朝向基板9的上表面91的中心部。接著，由控制部8打開IPA供給部77的IPA閥773，將IPA向基板9上供給。在基板9上，除靜電液因供給至上表面91的中心部的IPA而向基板9的邊緣移動，并從該邊緣被擠出到基板9的外側(cè)，而從基板9的上表面91上被除去(步驟S91)。這樣，IPA供給部77作為通過將基板9上的除靜電液等的液體置換為IPA來將該液體從基板9的上表面91上除去的液體除去部發(fā)揮功能。
[0188]當(dāng)除靜電液的除去結(jié)束時，IPA噴嘴772返回到待機位置，由控制部8控制基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42，由此開始基板9的旋轉(zhuǎn)(步驟S92)。然后，基板9的上表面91上的IPA通過基板9的旋轉(zhuǎn)向基板9的邊緣移動，并從基板9的邊緣向外側(cè)飛散，而從基板9上被除去(步驟 S93)。
[0189]當(dāng)IPA的除去結(jié)束時，通過基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42使基板9的轉(zhuǎn)速減小，并變?yōu)镾PM處理時的轉(zhuǎn)速。另外，利用圖18所示的處理液噴嘴轉(zhuǎn)動機構(gòu)35使處理液噴嘴34開始轉(zhuǎn)動，處理液噴嘴34在基板9的中心部和邊緣之間反復(fù)進行往復(fù)運動。并且，從處理液噴嘴34向基板9的上表面91上供給SPM液，對基板9進行SPM處理(步驟S76)。此外，也可以在基板9上殘留IPA的狀態(tài)開始對基板9供給SPM液。
[0190]當(dāng)SPM處理結(jié)束時，從處理液噴嘴34向基板9上供給雙氧水，來除去基板9上的SPM液(步驟S77)。當(dāng)雙氧水供給處理結(jié)束時，處理液噴嘴34返回到基板9的外側(cè)的待機位置，通過進行向基板9的上表面91供給沖洗液(純水)的沖洗處理，來從基板9上除去雙氧水(步驟S78)。然后，進行干燥處理，即，使基板9的轉(zhuǎn)速增大，通過基板9的旋轉(zhuǎn)，除去在基板9上殘留的沖洗液(步驟S79)。然后，停止基板9的旋轉(zhuǎn)(步驟S80)，將基板9從基板處理裝置IOd搬出。
[0191]在基板處理裝置IOd中，與圖18所示的基板處理裝置IOc同樣，由溫度調(diào)整部61調(diào)整除靜電液的溫度，將除靜電液的電阻率維持在比處理液(SPM液)的電阻率大的狀態(tài)，并且基板9的整個上表面91被除靜電液浸沒。由此，能夠在不對器件造成損傷的情況下對基板9進行除靜電處理。其結(jié)果，在利用處理液進行處理時能夠防止因電荷的移動給器件造成的損傷、即損傷基板9。另外，通過在不對器件造成損傷的范圍內(nèi)提高除靜電液的溫度使電阻率變小，由此能增大電荷從基板9向除靜電液的移動速度。其結(jié)果，能夠縮短基板9的除靜電處理所需的時間。
[0192]在基板處理裝置IOd中，與圖18所示的基板處理裝置IOc同樣，在利用除靜電液進行的浸沒處理(步驟S73)和利用處理液進行的處理(步驟S76)之間，從基板9的上表面91上除去除靜電液(步驟S91)。由此，能夠防止由除靜電液和處理液的混合引起的如熱沖擊那樣的已述的不良影響。
[0193]另外，在步驟S91中，通過向基板9上供給IPA，能夠在不使基板9旋轉(zhuǎn)的情況除去除靜電液。但是，在要通過使基板9旋轉(zhuǎn)來除去除靜電液時，在基板9上的器件的配線圖案的寬度小的情況下，有可能因除靜電液的表面張力使配線圖案發(fā)生倒塌。在基板處理裝置IOd中，如上述那樣通過表面張力比純水等的表面張力小的IPA從基板9上除去除靜電液后，通過基板9的旋轉(zhuǎn)除去IPA，因此，能夠防止在除去除靜電液時發(fā)生配線圖案的倒塌等基板的損傷。
[0194]此外，基板處理裝置IOd具有基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42以及IPA供給部77，因此，可以根據(jù)基板9上的器件的尺寸等選擇基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42以及IPA供給部77中的一個來作為液體除去部進行利用。即，在基板處理裝置IOd中，液體除去部具有基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42以及IPA供給部77。
[0195]上述的基板處理裝置10、IOa?IOd能夠進行各種變更。
[0196]在基板處理裝置10中，例如也可以通過除靜電液測定部62來測定在除靜電液貯存部71貯存的除靜電液的溫度或電阻率。另外，也可以將根據(jù)需要對除靜電液貯存部71內(nèi)的除靜電液進行加熱或冷卻的機構(gòu)設(shè)置為溫度調(diào)整部61。
[0197]在基板處理裝置IOb的除靜電處理中，只要維持基板9的上表面91上的除靜電液的層不崩潰即可，除靜電液向上表面91的供給以及浸沒處理也可以在基板9正旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下進行。另外，除靜電液對基板9的上表面91的浸沒處理可以在向基板9的下表面92供給除靜電液之前或并行進行。
[0198]在基板處理裝置10c、10d中，液體除去部也可以具有除了基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)42以及IPA供給部77以外的結(jié)構(gòu)。例如，也可以設(shè)置吹拂器作為液體除去部，該吹拂器向基板9的上表面91噴射片材狀的空氣，使基板9上的液體飛散來進行除去。
[0199]如果不會因除靜電液和處理液的混合產(chǎn)生不良影響，則也可以在基板處理裝置10中省略步驟S15的干燥處理。另外，在基板處理裝置IOb中，也可以在不進行步驟S16的從基板9上除去除靜電液的處理的情況下，就進行步驟S17的處理。進而，在基板處理裝置10c、IOd中，也可以省略除靜電液的除去(步驟S75、S91)，在基板9的上表面91上存在除靜電液的狀態(tài)下供給處理液，進行基板9的處理。
[0200]在上述的基板處理裝置中，也可以向基板9上供給除SPM液以外的處理液，來對基板9進行其他處理。例如，向形成有抗蝕劑膜的基板9上供給作為處理液的緩沖氫氟酸(BHF)，對基板9進行蝕刻處理。在基板處理裝置中，如上所述，由于能夠防止因帶電的基板9與處理液接觸引起電荷快速移動而使基板9發(fā)生損傷，所以基板處理裝置的結(jié)構(gòu)特別適于利用如SPM液或緩沖氫氟酸那樣電阻率非常小的處理液進行處理的裝置。
[0201 ] 在上述的基板處理裝置中，作為除靜電液，可以利用在純水中溶解氨而成的液體或在純水中加入微量的稀鹽酸而成的液體，另外，可以利用其它各種含有離子的液體。進而，除靜電液只要是在凝固點以上且沸點以下的至少規(guī)定的溫度范圍內(nèi)電阻率大于在基板處理裝置利用的處理液的電阻率的液體即可，并不限于純水或含有離子的液體，也可以利用各種種類的液體作為除靜電液。
[0202]在基板處理裝置中，除靜電液的目標溫度以及目標電阻率也可以基于除器件的尺寸以外的條件(例如搬入基板處理裝置之前對基板進行的處理的種類)來決定。[0203]上述實施方式以及各變形例中的結(jié)構(gòu)只要不互相矛盾，也可以適當(dāng)組合。
[0204]詳細說明了本發(fā)明，但上述的說明僅是例示而不是進行限定。因此，應(yīng)該理解，只要不脫離本發(fā)明的范圍，能夠存在各種變形和方式。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理裝置，對基板進行處理，其特征在于，具有: 基板保持部，其用于保持基板； 處理液供給部，其向第一主面上供給處理液，該第一主面為所述基板的一個主面； 除靜電液接觸部，其使所述基板的所述第一主面以及第二主面與隨著液溫上升而電阻率逐漸減少的除靜電液相接觸，該第二主面為所述基板的另一個主面； 溫度調(diào)整部，其對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整； 控制部，其對所述處理液供給部、所述除靜電液接觸部以及所述溫度調(diào)整部進行控制，由此，使所述除靜電液的溫度處于所述除靜電液的電阻率比所述處理液的電阻率大的范圍內(nèi)，并且使所述基板的整個所述第一主面以及整個所述第二主面與所述除靜電液相接觸并維持接觸狀態(tài)，來使所述基板上的電荷減少，然后將所述處理液向所述基板的所述第一主面上供給來進行規(guī)定的處理。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 與所述第一主面相接觸的所述除靜電液和與所述第二主面相接觸的所述除靜電液在所述基板上連續(xù)。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述除靜電液接觸部具有用于貯存所述除靜電液的除靜電液貯存部， 通過將所述基板浸潰于在所述除靜電液貯存部貯存的所述除靜電液中，所述第一主面以及所述第二主面與所述除靜電液相接觸。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于， 在所述除靜電液貯存部貯存的所述除靜電液中浸潰多張基板，所述多張基板包含所述基板，并且所述多張基板以各自的主面的法線方向朝向水平方向的方式排列。
5.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述除靜電液接觸部具有: 第一除靜電液接觸部，其向以所述第一主面朝向上側(cè)的狀態(tài)保持在所述基板保持部上的所述基板的所述第一主面上供給所述除靜電液，利用所述除靜電液對整個所述第一主面進行浸沒處理； 第二除靜電液接觸部，其與所述基板的所述第二主面相向，向所述第二主面噴出所述除靜電液來使整個所述第二主面與所述除靜電液相接觸。
6.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置還具有用于除去所述基板的所述第一主面上的液體的液體除去部，所述控制部對所述液體除去部進行控制，由此在所述基板與所述除靜電液的接觸和利用所述處理液進行的所述規(guī)定的處理之間，從所述第一主面上除去所述除靜電液。
7.一種基板處理裝置，對基板進行處理，其特征在于，具有: 基板保持部，其用于在基板的主面朝向上側(cè)的狀態(tài)下保持基板； 處理液供給部，其向所述基板的所述主面上供給處理液； 除靜電液供給部，其將隨著液溫上升而電阻率逐漸減少的除靜電液向所述基板的所述主面上供給； 溫度調(diào)整部，其對向所述基板供給的所述除靜電液的溫度進行調(diào)整； 控制部，其對所述處理液供給部、所述除靜電液供給部以及所述溫度調(diào)整部進行控制，由此，使所述除靜電液的溫度處于所述除靜電液的電阻率比所述處理液的電阻率大的范圍內(nèi)，并且向所述基板的所述主面上供給所述除靜電液并用所述除靜電液浸沒所述基板的整個所述主面，來使所述基板上的電荷減少，然后將所述處理液向所述基板的所述主面上供給來進行規(guī)定的處理。
8.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置還具有用于除去所述基板的所述主面上的液體的液體除去部， 所述控制部對所述液體除去部進行控制，由此在所述除靜電液對所述基板的整個所述主面的浸沒處理和利用所述處理液進行的所述規(guī)定的處理之間，從所述主面上除去所述除靜電液。
9.如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述液體除去部具有基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，該基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使所述基板以通過所述基板的中心并且與所述基板的所述主面垂直的旋轉(zhuǎn)軸為中心與所述基板保持部一起進行旋轉(zhuǎn)，來除去所述主面上的液體。
10.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于， 在所述基板旋轉(zhuǎn)機構(gòu)停止的狀態(tài)下，進行所述浸沒處理。
11.如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述液體除去部具有異丙醇供給部，該異丙醇供給部通過向所述基板的所述主面上供給液狀的異丙醇，來將所述主面上的液體從所述基板的邊緣向外側(cè)擠出并除去。
12.如權(quán)利要求1至11中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置還具有用于對所述除靜電液的溫度進行測定的除靜電液測定部， 所述控制部基于所述除靜電液測定部的測定結(jié)果，來對所述溫度調(diào)整部進行控制，使得所述除靜電液的溫度和規(guī)定的目標溫度之差變小。
13.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于， 在所述除靜電液的溫度和所述目標溫度之差在閾值溫度差以下的情況下，停止通過所述溫度調(diào)整部對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整。
14.如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于， 在所述基板上預(yù)先形成的器件的尺寸越小，將越低的溫度設(shè)定為目標溫度。
15.如權(quán)利要求1至11中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置還具有用于對所述除靜電液的電阻率進行測定的除靜電液測定部， 所述控制部基于所述除靜電液測定部的測定結(jié)果，來對所述溫度調(diào)整部進行控制，使得所述除靜電液的電阻率和規(guī)定的目標電阻率之差變小。
16.如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其特征在于， 在所述除靜電液的電阻率和所述目標電阻率之差在閾值電阻率差以下的情況下，停止通過所述溫度調(diào)整部對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整。
17.如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其特征在于， 在所述基板上預(yù)先形成的器件的尺寸越小，將越大的電阻率設(shè)定為目標電阻率。
18.如權(quán)利要求1至11中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述除靜電液是純水。
19.如權(quán)利要求1至11中任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，所述處理液含有硫酸。
20.—種基板處理方法，對基板進行處理，其特征在于，包括: a)工序，使隨著液溫上升而電阻率逐漸減少的除靜電液的溫度處于所述除靜電液的電阻率比處理液的電阻率大的范圍內(nèi)； b)工序，在所述a)工序之后，使基板的兩側(cè)的整個主面與所述除靜電液相接觸并維持接觸狀態(tài)，來使所述基板上的電荷減少； c)工序，在所述b)工序之后，將所述處理液向所述基板的一個主面上供給來進行規(guī)定的處理。
21.如權(quán)利要求20所述的基板處理方法，其特征在于， 與所述基板的所述一個主面相接觸的所述除靜電液和與所述基板的另一個主面相接觸的所述除靜電液在所述基板上連續(xù)。
22.如權(quán)利要求21所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述b)工序中，通過將所述基板浸潰于在除靜電液貯存部貯存的所述除靜電液中，來使所述一個主面以及所述另一個主面與所述除靜電液相接觸。
23.如權(quán)利要求22所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述b)工序中，在所述除靜電液貯存部貯存的所述除靜電液中浸潰多張基板，所述多張基板包含所述基板，并且，所述多張基板以各自的主面的法線方向朝向水平方向的方式排列。
24.如權(quán)利要求20所述的基板處理方法，其特征在于， 所述b)工序包括: bl)工序，向在所述一個主面朝向上側(cè)的狀態(tài)下被保持的所述基板的所述一個主面上供給所述除靜電液，利用所述除靜電液對整個所述一個主面進行浸沒； b2)工序，向所述基板的另一個主面噴出所述除靜電液，來使整個所述另一個主面與所述除靜電液相接觸。
25.如權(quán)利要求20至24中任一項所述的基板處理方法，其特征在于， 所述a)工序包括: al)工序，測定所述除靜電液的溫度； a2)工序，基于在所述al)工序中的測定結(jié)果，來對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整，使得所述除靜電液的溫度和規(guī)定的目標溫度之差變小， a3)工序，反復(fù)進行所述al)工序和所述a2)工序。
26.如權(quán)利要求25所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述基板上預(yù)先形成的器件的尺寸越小，將越低的溫度設(shè)定為目標溫度。
27.如權(quán)利要求25所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述a)工序之前,還包括: dl)工序，得到所述處理液的電阻率； d2)工序，得到所述除靜電液的溫度和電阻率之間的關(guān)系； d3)工序，基于在所述d2)工序所得到的所述關(guān)系，獲取所述除靜電液的電阻率與所述處理液的所述電阻率相等的所述除靜電液的溫度； d4)工序，設(shè)定比在所述d3)工序獲取的溫度更低的臨時目標溫度；d5)工序，準備所述臨時目標溫度的除靜電液； d6)工序，使試驗用基板的兩側(cè)的整個主面與所述臨時目標溫度的所述除靜電液相接觸并維持接觸狀態(tài)，來使所述試驗用基板上的電荷減少； d7)工序，將所述處理液向所述試驗用基板的一個主面上供給來進行所述規(guī)定的處理； d8)工序，在所述d7)工序結(jié)束后，對所述試驗用基板的所述一個主面的狀態(tài)進行評價； d9)工序，如果所述一個主面的狀態(tài)良好，則將所述臨時目標溫度設(shè)定為所述目標溫度，如果所述一個主面的狀態(tài)不良好，則使所述臨時目標溫度下降并反復(fù)進行所述d5)工序至所述d8)工序，直到所述一個主面的狀態(tài)變?yōu)榱己脼橹?，并將狀態(tài)變?yōu)榱己脮r的所述臨時目標溫度決定為所述目標溫度。
28.如權(quán)利要求27所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述d8)工序和所述d9)工序之間，還包括如下工序，即，如果所述一個主面的狀態(tài)不良好，則變更所述d6)工序的處理時間并進行所述d6)工序至所述d8)工序。
29.如權(quán)利要求25所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述a)工序之 前,還包括: dl)工序，得到所述處理液的電阻率； d2)工序，設(shè)定比所述處理液的所述電阻率高的臨時目標電阻率； d3)工序，得到所述除靜電液的溫度和電阻率之間的關(guān)系； d4)工序，基于在所述d3)工序所得到的所述關(guān)系，獲取所述除靜電液的電阻率與在所述d2)工序設(shè)定的所述臨時目標電阻率相等的所述除靜電液的溫度作為臨時目標溫度；d5)工序，準備所述臨時目標溫度的除靜電液； d6)工序，使試驗用基板的兩側(cè)的整個主面與所述臨時目標溫度的所述除靜電液相接觸并維持接觸狀態(tài)，來使所述試驗用基板上電荷減少； d7)工序，將所述處理液向所述試驗用基板的一個主面上供給來進行所述規(guī)定的處理； d8)工序，在所述d7)工序結(jié)束后，對所述試驗用基板的所述一個主面的狀態(tài)進行評價； d9)工序，如果所述一個主面的狀態(tài)良好，則將所述臨時目標溫度設(shè)定為所述目標溫度，如果所述一個主面的狀態(tài)不良好，則使所述臨時目標溫度下降并反復(fù)進行所述d5)工序至所述d8)工序，直至所述一個主面的狀態(tài)變?yōu)榱己脼橹梗顟B(tài)變?yōu)榱己脮r的所述臨時目標溫度決定為所述目標溫度。
30.如權(quán)利要求29所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述d8)工序和所述d9)工序之間，還包括如下工序，即，如果所述一個主面的狀態(tài)不良好，則變更所述d6)工序的處理時間并進行所述d6)工序至所述d8)工序。
31.如權(quán)利要求20至24中任一項所述的基板處理方法，其特征在于， 所述a)工序包括: al)工序，測定所述除靜電液的溫度； a2)工序，基于在所述al)工序中的測定結(jié)果，在所述除靜電液的溫度和規(guī)定的目標溫度之差在閾值溫度差以下的情況下，不對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整，在所述除靜電液的溫度和所述目標溫度的所述差大于所述閾值溫度差的情況下，對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整，使得所述除靜電液的溫度和所述目標溫度之差變小。
32.如權(quán)利要求20至24中任一項所述的基板處理方法，其特征在于， 還包括e)工序，所述e)工序在所述b)工序和所述c )工序之間，從所述基板的所述一個主面上除去所述除靜電液。
33.一種基板處理方法，對基板進行處理，其特征在于，包括: a)工序，使隨著液溫上升而電阻率逐漸減少的除靜電液的溫度處于所述除靜電液的電阻率比處理液的電阻率大的范圍內(nèi)； b)工序，在所述a)工序之后，向在主面朝向上側(cè)的狀態(tài)下被保持的基板的所述主面上供給所述除靜電液，并利用所述除靜電液對所述基板的整個所述主面進行浸沒，來使所述基板上的電荷減少； c)工序，在所述b)工序之后，將所述處理液向所述基板的所述主面上供給來進行規(guī)定的處理。
34.如權(quán)利要求33所述的基板處理方法，其特征在于， 所述a)工序還包括: al)工序，測定所述除靜電液的溫度； a2)工序，基于在所述al)工序中的測定結(jié)果，來對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整，使得所述除靜電液的溫度和規(guī)定的目標溫度之差變??；a3)工序，反復(fù)進行所述al)工序和所述a2)工序。
35.如權(quán)利要求34所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述基板上預(yù)先形成的器件的尺寸越小，將越低的溫度設(shè)定為目標溫度。
36.如權(quán)利要求34所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述a)工序之前,還包括: dl)工序，得到所述處理液的電阻率； d2)工序，得到所述除靜電液的溫度和電阻率之間的關(guān)系； d3)工序，基于在所述d2)工序所得到的所述關(guān)系，獲取所述除靜電液的電阻率與所述處理液的所述電阻率相等的所述除靜電液的溫度； d4)工序，設(shè)定比在所述d3)工序獲取的溫度更低的臨時目標溫度； d5)工序，準備所述臨時目標溫度的除靜電液； d6)工序，向試驗用基板的主面上供給所述除靜電液，并利用所述除靜電液對所述試驗用基板的整個所述主面進行浸沒，來使所述試驗用基板上的電荷減少； d7)工序，將所述處理液向所述試驗用基板的所述主面上供給來進行所述規(guī)定的處理；d8)工序，在所述d7)工序結(jié)束后，對所述試驗用基板的所述主面的狀態(tài)進行評價；d9)工序，如果所述主面的狀態(tài)良好，則將所述臨時目標溫度設(shè)定為所述目標溫度，如果所述主面的狀態(tài)不良好，則使所述臨時目標溫度下降并反復(fù)進行所述d5)工序至所述d8)工序，直到所述主面的狀態(tài)變?yōu)榱己脼橹?，并將狀態(tài)變?yōu)榱己脮r的所述臨時目標溫度決定為所述目標溫度。
37.如權(quán)利要求36所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述d8)工序和所述d9)工序之間還包括如下工序，即，如果所述主面的狀態(tài)不良好，則變更所述d6)工序的處理時間并進行所述d6)工序至所述d8)工序。
38.如權(quán)利要求34所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述a)工序之前,還包括: dl)工序，得到所述處理液的電阻率； d2)工序，設(shè)定比所述處理液的所述電阻率高的臨時目標電阻率； d3)工序，得到所述除靜電液的溫度和電阻率之間的關(guān)系； d4)工序，基于在所述d3)工序所得到的所述關(guān)系，獲取所述除靜電液的電阻率與在所述d2)工序設(shè)定的所述臨時目標電阻率相等的所述除靜電液的溫度作為臨時目標溫度；d5)工序，準備所述臨時目標溫度的除靜電液； d6)工序，向試驗用基板的主面上供給所述除靜電液，并利用所述除靜電液對所述試驗用基板的整個所述主面進行浸沒，來使所述試驗用基板上的電荷減少； d7)工序，將所述處理液向所述試驗用基板的所述主面上供給來進行所述規(guī)定的處理； d8)工序，在所述d7)工序結(jié)束后，對所述試驗用基板的所述主面的狀態(tài)進行評價；d9)工序，如果所述主面的狀態(tài)良好，則將所述臨時目標溫度設(shè)定為所述目標溫度，如果所述主面的狀態(tài)不良好，則使所述臨時目標溫度下降并反復(fù)進行所述d5)工序至所述d8)工序，直到所述主面的狀態(tài)變?yōu)榱己脼橹?，并將狀態(tài)變?yōu)榱己脮r的所述臨時目標溫度決定為所述目標溫度。
39.如權(quán)利要求38所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述d8)工序和所述d9)工序之間，還包括如下工序，即，如果所述主面的狀態(tài)不良好，則變更所述d6)工序的處理時間并進行所述d6)工序至所述d8)工序。
40.如權(quán)利要求33所述的基板處理方法，其特征在于， 所述a)工序包括: al)工序，測定所述除靜電液的溫度； a2)工序，基于在所述al)工序中的測定結(jié)果，在所述除靜電液的溫度和規(guī)定的目標溫度之差在閾值溫度差以下的情況下，不對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整，在所述除靜電液的溫度和所述目標溫度的所述差大于所述閾值溫度差的情況下，對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整，使得所述除靜電液的溫度和所述目標溫度之差變小。
41.如權(quán)利要求33至40中任一項所述的基板處理方法，其特征在于，還包括e)工序，所述e)工序在所述b)工序和所述c)工序之間，從所述基板的所述主面上除去所述除靜電液。
42.如權(quán)利要求41所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述e)工序中，使所述基板以通過所述基板的中心并與所述基板的所述主面垂直的旋轉(zhuǎn)軸為中心進行旋轉(zhuǎn)，來除去所述主面上的液體。
43.如權(quán)利要求42所述的基板處理方法，其特征在于， 所述b)工序在所述基板的旋轉(zhuǎn)停止的狀態(tài)下進行。
44.如權(quán)利要求41所述的基板處理方法，其特征在于，在所述e)工序中，通過向所述基板的所述主面上供給液狀的異丙醇，來將所述主面上的液體從所述基板的邊緣向外側(cè)擠出并除去。
45.如權(quán)利要求20至24、33至40中任一項所述的基板處理方法，其特征在于， 所述a)工序包括: al)工序，測定所述除靜電液的電阻率； a2)工序，基于在所述al)工序中的測定結(jié)果，對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整，使得所述除靜電液的電阻率和規(guī)定的目標電阻率之差變??；a3)工序，反復(fù)進行所述al)工序和所述a2)工序。
46.如權(quán)利要求45所述的基板處理方法，其特征在于， 在所述基板上預(yù)先形成的器件的尺寸越小，將越大的電阻率設(shè)定為目標電阻率。
47.如權(quán)利要求20至24、33至40中任一項所述的基板處理方法，其特征在于， 所述a)工序包括: al)工序，測定所述除靜電液的電阻率； a2)工序，基于在所 述al)工序中的測定結(jié)果，在所述除靜電液的電阻率和規(guī)定的目標電阻率之差在閾值電阻率差以下的情況下，不對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整，在所述除靜電液的電阻率和所述目標電阻率的所述差大于所述閾值電阻率差的情況下，對所述除靜電液的溫度進行調(diào)整，使得所述除靜電液的電阻率和所述目標電阻率之差變小。
48.如權(quán)利要求20至24、33至40中任一項所述的基板處理方法，其特征在于， 所述除靜電液是純水。
49.如權(quán)利要求20至24、33至40中任一項所述的基板處理方法，其特征在于， 所述處理液含有硫酸。
【文檔編號】H01L21/02GK103915364SQ201310741211
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】宮城雅宏, 新居健一郎 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社