晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池及其制備方法，包括背電場(chǎng)（5）、基區(qū)（6）和發(fā)射結(jié)區(qū)（7）組成的基片（11），基片（11）中設(shè)置有若干主柵負(fù)極（9），主柵負(fù)極（9）與基片（11）之間設(shè)置有保護(hù)絕緣膜（10）。本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明中在主柵負(fù)極和基片之間設(shè)置保護(hù)絕緣膜，保證了基片上設(shè)置主柵負(fù)極的導(dǎo)電孔處不會(huì)漏電，提高了電池的輸出功率和熱穩(wěn)定性；保護(hù)絕緣膜的覆蓋還對(duì)底部基區(qū)及導(dǎo)電孔內(nèi)壁具有一定的鈍化作用，降低激光穿孔后孔壁及附近區(qū)域的表面復(fù)合速率，提高硅片基體質(zhì)量；通過(guò)改變保護(hù)絕緣膜成分配比和厚度可以匹配穿孔金屬漿料，達(dá)到沿用原有漿料而不再引入新的穿孔金屬漿料目的。
【專(zhuān)利說(shuō)明】晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及到一種太陽(yáng)電池背接觸電池，特別是涉及到晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前常規(guī)商業(yè)化的晶體硅太陽(yáng)電池，發(fā)射區(qū)和發(fā)射區(qū)電極均位于電池正表面，如圖I中，主柵線（I)位于電池的受光面。盡管主柵線（I)所占面積已經(jīng)很?。s69T7%)，可依然遮擋了部分陽(yáng)光，使電池有效受光面積受到直接影響。同時(shí)常規(guī)絲網(wǎng)印刷技術(shù)的高寬比已臨近極限，想要進(jìn)一步減小遮光并保證電流傳導(dǎo)，必須引入二次印刷、噴墨打印甚至電鍍等工序復(fù)雜、成本高的設(shè)備工藝。另外晶體硅太陽(yáng)電池組件封裝時(shí)，需要用涂錫焊帶從一塊電池的正面焊接到另一塊電池的背面，這種連接方式使自動(dòng)化生產(chǎn)的難度加大，組件內(nèi)片間距亦增大從而有效發(fā)電的組件單位面積減小。
[0003]背接觸太陽(yáng)電池具有特殊的結(jié)構(gòu)，典型特點(diǎn)是電池的正負(fù)兩個(gè)電極全部在電池的背表面上制作。與傳統(tǒng)的太陽(yáng)電池相比，有效減少了電池的正表面（受光面）由于電極遮擋而引起的功率損失，提高了入射陽(yáng)光的利用率；其次因?yàn)檎?fù)電極都位于電池背表面，背接觸太陽(yáng)電池組件封裝時(shí)傳導(dǎo)電極的高寬比不再受限從而改進(jìn)了組件電流傳導(dǎo)，并利于機(jī)械自動(dòng)化生產(chǎn)，且制成的組件電池間間距小，可以減小在相同發(fā)電量模組下的占地面積。
[0004]背接觸太陽(yáng)電池作為當(dāng)今三種實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率較高的太陽(yáng)能電池之一，眾多研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)對(duì)其進(jìn)行了研發(fā)與生產(chǎn)，目前常見(jiàn)的背接觸太陽(yáng)電池有：美國(guó)Sunp0wer公司的背面叉指狀電極背接觸電池（IBC太陽(yáng)電池、pcc太陽(yáng)電池)，德國(guó)isra研究所基于激光燒蝕及LFC技術(shù)開(kāi)發(fā)出的RISE太陽(yáng)電池、RISE-EffT太陽(yáng)電池，德國(guó)Fraunhofer ISE采用Si02鈍化及光刻技術(shù)研制的EWT太陽(yáng)電池，荷蘭國(guó)家能源研究中心ECN和Eurotron公司開(kāi)發(fā)的MWA和MWT太陽(yáng)電池，Konstanz大學(xué)與Sunways AG公司合作開(kāi)發(fā)的P0WER-EWT太陽(yáng)電池、三菱電機(jī)制作的VEST太陽(yáng)電池等。這些不同結(jié)構(gòu)和基于不同制備技術(shù)的背接觸太陽(yáng)電池都各有優(yōu)點(diǎn)，但相較于傳統(tǒng)晶體硅太陽(yáng)電池，其突出的弱點(diǎn)是制備工藝比較復(fù)雜，引入設(shè)備和輔助耗材等成本劇增。
[0005]而現(xiàn)有的背接觸太陽(yáng)電池在設(shè)置主柵負(fù)極的穿孔處非常容易漏電，使得背接觸太陽(yáng)電池輸出功率降低，而且因?yàn)槁╇娙菀自斐山M件發(fā)熱，使得背接觸太陽(yáng)電池的使用效果和使用壽命都受到影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)和不足，提供一種晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池及其制備方法，解決現(xiàn)有的背接觸太陽(yáng)電池在設(shè)置主柵負(fù)極的穿孔處漏電問(wèn)題，使得背接觸太陽(yáng)電池的使用效果和使用壽命提升，以降低缺陷。
[0007]本發(fā)明的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池，包括呈片狀的基區(qū)，基區(qū)的一面覆蓋有背電場(chǎng)，另一面覆蓋有發(fā)射結(jié)區(qū)，背電場(chǎng)、基區(qū)和發(fā)射結(jié)區(qū)即組成基片，基片中設(shè)置有若干主柵負(fù)極，主柵負(fù)極在橫向上組成多條間隔排列的主柵負(fù)極排，縱向上組成多條間隔排列的主柵負(fù)極列，主柵負(fù)極垂直貫穿基片，發(fā)射結(jié)區(qū)的背向基區(qū)的一面設(shè)置多條橫向間隔排列的細(xì)柵線，一條細(xì)柵線對(duì)應(yīng)一條主柵負(fù)極排，且對(duì)應(yīng)的細(xì)柵線連接對(duì)應(yīng)主柵負(fù)極排中的所有主柵負(fù)極，主柵負(fù)極與基片之間設(shè)置有保護(hù)絕緣膜，細(xì)柵線與發(fā)射結(jié)區(qū)之間設(shè)置有減反鈍化膜，所述的減反鈍化膜覆蓋發(fā)射結(jié)區(qū)，所述的背電場(chǎng)中設(shè)置有多條縱向排列的正電極，所述的正電極位于兩條主柵負(fù)極列之間，正電極一面貼合基區(qū)，另一面露出背電場(chǎng)。本發(fā)明中在主柵負(fù)極和基片之間設(shè)置保護(hù)絕緣膜，保證了基片上設(shè)置主柵負(fù)極的導(dǎo)電孔處不會(huì)漏電，提高了電池的輸出功率和熱穩(wěn)定性，尤其是弱光功率衰減和高溫下功率衰減方面性能；保護(hù)絕緣膜的覆蓋對(duì)底部基區(qū)及導(dǎo)電孔內(nèi)壁具有一定的鈍化作用，可以通過(guò)改變保護(hù)絕緣膜成分配比及厚度使得鈍化效果最佳，從而降低激光穿孔后孔壁及附近區(qū)域的表面復(fù)合速率，提高硅片基體質(zhì)量，同樣也可通過(guò)改變其成分配比及厚度來(lái)匹配穿孔金屬漿料，達(dá)到沿用原有漿料而不再引入新的穿孔金屬漿料目的。
[0008]進(jìn)一步，上述的正電極與背電場(chǎng)之間設(shè)置有金屬熔融區(qū)，保證了正電極和背電場(chǎng)之間的接觸。
[0009]進(jìn)一步，上述的保護(hù)絕緣膜與背電場(chǎng)之間設(shè)置有縫隙，進(jìn)一步將主柵負(fù)極與背電場(chǎng)隔離開(kāi)。
[0010]晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池的制備方法，包括以下步驟：
A、選取一P型的硅片作為襯底，采用激光在硅片上打出導(dǎo)電孔，導(dǎo)電孔即為主柵負(fù)極的預(yù)設(shè)孔，打完后對(duì)硅片進(jìn)行清洗與制絨，去除硅片表面損傷層和激光作用后的損傷層，降低光生載流子的復(fù)合速率，同時(shí)在硅片正面形成織構(gòu)化絨面以降低反射率；
B、在硅片的正面進(jìn)行擴(kuò)散制作發(fā)射結(jié)區(qū)，清洗后，在發(fā)射結(jié)區(qū)表面上再沉積一層減反鈍化膜；
C、翻轉(zhuǎn)硅片，在電池背面使用掩蔽模具將硅片背面覆蓋，掩蔽模具上設(shè)置與導(dǎo)電孔一一對(duì)應(yīng)的穿孔，整理掩蔽模具使得導(dǎo)電孔和穿孔對(duì)齊，將硅片連同掩蔽模具一起放置到載板上，從上至下依次為掩蔽模具、硅片、載板，傳輸進(jìn)入PECVD沉積腔室中，在導(dǎo)電孔和背面生成保護(hù)絕緣膜，保護(hù)導(dǎo)電孔及導(dǎo)電孔在硅片背面周?chē)?. 5mnT3. Omm半徑范圍的區(qū)域不導(dǎo)電，即穿孔的孔徑比導(dǎo)電孔的孔徑大上0. 5mnT3. Omm ；
D、絲網(wǎng)印刷主柵負(fù)極，與導(dǎo)電孔圓心相同，覆蓋在保護(hù)絕緣膜上，主要分布于導(dǎo)電孔內(nèi)及導(dǎo)電孔在娃片背面周?chē)?. 3mnT2. Omm半徑范圍；
E、在硅片背面絲網(wǎng)印刷背電場(chǎng)和正電極，背電場(chǎng)上設(shè)置有對(duì)應(yīng)導(dǎo)電孔的通孔，以及安裝正電極的開(kāi)槽，該通孔比導(dǎo)電孔的半徑大I. 0mnT3. 5mm,正電極設(shè)于背電場(chǎng)的開(kāi)槽內(nèi)，其位于硅片背面的表面，且與背電場(chǎng)連接；
F、翻轉(zhuǎn)硅片，在硅片正面印刷細(xì)柵線，并使之與導(dǎo)電孔內(nèi)主柵負(fù)極連通；
G、烘干、燒結(jié)、退火，即得到晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池。
[0011]進(jìn)一步，步驟A中的硅片清洗的方法采用硝酸、氫氟酸和水的混合溶液清洗，混合溶液中按體積比硝酸：氫氟酸：水=2:1:2飛：1: 2。
[0012]優(yōu)選的，步驟B中在硅片正面進(jìn)行發(fā)射結(jié)區(qū)的制作方法是采用沉積氣態(tài)P0C13摻雜擴(kuò)散，擴(kuò)散方阻控制在55~85 Q/ □,擴(kuò)散方法為常規(guī)的氣態(tài)源擴(kuò)散淀積方法。
[0013]優(yōu)選的，步驟B中的減反鈍化膜為折射率為I. 95^2. 10、厚度為7(Tl00nm的氮化硅薄膜。
[0014]本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明中在主柵負(fù)極和基片之間設(shè)置保護(hù)絕緣膜，保證了基片上設(shè)置主柵負(fù)極的導(dǎo)電孔處不會(huì)漏電，提高了電池的輸出功率和熱穩(wěn)定性，尤其是弱光功率衰減和高溫下功率衰減方面性能；保護(hù)絕緣膜的覆蓋對(duì)底部基區(qū)及導(dǎo)電孔內(nèi)壁具有一定的鈍化作用，從而降低激光穿孔后孔壁及附近區(qū)域的表面復(fù)合速率，提高硅片基體質(zhì)量，也可通過(guò)改變其成分配比及厚度來(lái)匹配穿孔金屬漿料，達(dá)到沿用原有漿料而不再引入新的穿孔金屬漿料目的。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖I為現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明的剖視圖；
圖3為本發(fā)明的正面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為本發(fā)明的背面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖中，I-主柵線，2-細(xì)柵線，3-減反鈍化膜，4-正電極，5-背電場(chǎng)，6-基區(qū)，7-發(fā)射結(jié)區(qū)，8-金屬熔融區(qū)，9-主柵負(fù)極，10-保護(hù)絕緣膜，11-基片，12-縫隙。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明：
【實(shí)施例】
如圖2-4所示，晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池，包括呈片狀的基區(qū)6，基區(qū)6的一面覆蓋有背電場(chǎng)5，另一面覆蓋有發(fā)射結(jié)區(qū)7，背電場(chǎng)5、基區(qū)6和發(fā)射結(jié)區(qū)7即組成基片11，基片11中設(shè)置有若干主柵負(fù)極9，主柵負(fù)極9在橫向上組成多條間隔排列的主柵負(fù)極排，縱向上組成多條間隔排列的主柵負(fù)極列，主柵負(fù)極9垂直貫穿基片11，發(fā)射結(jié)區(qū)7的背向基區(qū)6的一面設(shè)置多條橫向間隔排列的細(xì)柵線2，一條細(xì)柵線2對(duì)應(yīng)一條主柵負(fù)極排，且對(duì)應(yīng)的細(xì)柵線2連接對(duì)應(yīng)主柵負(fù)極排中的所有主柵負(fù)極9，主柵負(fù)極9與基片11之間設(shè)置有保護(hù)絕緣膜10，細(xì)柵線2與發(fā)射結(jié)區(qū)7之間設(shè)置有減反鈍化膜3，所述的減反鈍化膜3覆蓋發(fā)射結(jié)區(qū)7，所述的背電場(chǎng)5中設(shè)置有多條縱向排列的正電極4，所述的正電極4位于兩條主柵負(fù)極列之間，正電極4 一面貼合基區(qū)6，另一面露出背電場(chǎng)5。本發(fā)明中在主柵負(fù)極9和基片11之間設(shè)置保護(hù)絕緣膜10，保證了基片11上設(shè)置主柵負(fù)極9的導(dǎo)電孔處不會(huì)漏電，提高了電池的輸出功率和熱穩(wěn)定性，尤其是弱光功率衰減和高溫下功率衰減方面性能；保護(hù)絕緣膜10的覆蓋對(duì)底部基區(qū)6及導(dǎo)電孔內(nèi)壁具有一定的鈍化作用，可以通過(guò)改變保護(hù)絕緣膜10成分配比及厚度使得鈍化效果最佳，從而降低激光穿孔后孔壁及附近區(qū)域的表面復(fù)合速率，提高硅片基體質(zhì)量，同樣也可通過(guò)改變其成分配比及厚度來(lái)匹配穿孔金屬漿料，達(dá)到沿用原有漿料而不再引入新的穿孔金屬漿料目的。
[0017]本發(fā)明中正電極4與背電場(chǎng)5之間設(shè)置有金屬熔融區(qū)8，保證了正電極4和背電場(chǎng)5之間的接觸。
[0018]本發(fā)明中保護(hù)絕緣膜10與背電場(chǎng)5之間設(shè)置有縫隙12，進(jìn)一步將主柵負(fù)極9與背電場(chǎng)5隔尚開(kāi)。
[0019]晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池的制備方法，包括以下步驟：A、選取一厚度180um，電阻率0. 5~3 Q *cm的P型硅片作為襯底，該硅片可以是準(zhǔn)單晶也可以是多晶，采用ns開(kāi)孔激光在硅片上打出導(dǎo)電孔，導(dǎo)電孔即為主柵負(fù)極9的填充孔，打完后對(duì)硅片進(jìn)行清洗與制絨，去除硅片表面損傷層和激光作用后的損傷層，降低光生載流子的復(fù)合速率，同時(shí)在硅片正面形成織構(gòu)化絨面以降低反射率，硅片清洗的方法采用硝酸、氫氟酸和水的混合溶液清洗，混合溶液中按體積比硝酸：氫氟酸：水=2:1:2飛：1:2，優(yōu)選的，本實(shí)施例中采用的HN03的體積分?jǐn)?shù)濃度為68%，HF的體積分?jǐn)?shù)濃度為40%。
[0020]B、在硅片的正面進(jìn)行擴(kuò)散制作發(fā)射結(jié)區(qū)，主要采用沉積氣態(tài)POCl3摻雜擴(kuò)散，擴(kuò)散方阻控制在55~85 Q/D,擴(kuò)散方法為常規(guī)的氣態(tài)源擴(kuò)散淀積方法，清洗后，在發(fā)射結(jié)區(qū)7表面上再沉積一層減反鈍化膜3，減反鈍化膜3采用折射率為I. 95~2. 10、厚度為7(Tl00nm的氮化硅薄膜；
C、翻轉(zhuǎn)硅片，在電池背面使用掩蔽模具將硅片背面覆蓋，掩蔽模具上設(shè)置與導(dǎo)電孔一一對(duì)應(yīng)的穿孔，整理掩蔽模具使得導(dǎo)電孔和穿孔對(duì)齊，將硅片連同掩蔽模具一起放置到載板上，從上至下依次為掩蔽模具、硅片、載板，傳輸進(jìn)入PECVD沉積腔室中，在導(dǎo)電孔和背面生成保護(hù)絕緣膜10，保護(hù)導(dǎo)電孔及導(dǎo)電孔在硅片背面周?chē)?. 5mnT3. Omm半徑范圍的區(qū)域不導(dǎo)電，即穿孔的孔徑比導(dǎo)電孔的孔徑大上0. 5mnT3. Omm ；
D、絲網(wǎng)印刷主柵負(fù)極9，采用漿料填充導(dǎo)電孔，覆蓋在保護(hù)絕緣膜上，主要分布于導(dǎo)電孔內(nèi)及導(dǎo)電孔在硅片背面周?chē)?. 3mnT2. Omm半徑范圍，為防止多次圖形對(duì)準(zhǔn)帶來(lái)的偏移，主柵負(fù)極的半徑小于背面基區(qū)保護(hù)絕緣膜半徑的0. 2^1. Omm ；
E、在硅片背面絲網(wǎng)印刷背電場(chǎng)5和正電極4，背電場(chǎng)5上設(shè)置有對(duì)應(yīng)導(dǎo)電孔的通孔，以及安裝正電極4的開(kāi)槽，該通孔比導(dǎo)電孔的半徑大I. 0mnT3. 5mm，該通孔的半徑肯定大于保護(hù)絕緣膜10在娃片背面的外環(huán)半徑,正電極4設(shè)于背電場(chǎng)5的開(kāi)槽內(nèi)，其位于娃片背面的表面，且與背電場(chǎng)5連接；
F、翻轉(zhuǎn)硅片， 在硅片正面印刷細(xì)柵線2，并使之與導(dǎo)電孔內(nèi)主柵負(fù)極9連通；
G、烘干、燒結(jié)、退火，即得到晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池。
【權(quán)利要求】
1.晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池，其特征在于，包括呈片狀的基區(qū)（6)，基區(qū)（6)的一面覆蓋有背電場(chǎng)（5)，另一面覆蓋有發(fā)射結(jié)區(qū)（7)，背電場(chǎng)（5)、基區(qū)（6)和發(fā)射結(jié)區(qū)（7)即組成基片（11)，基片（11)中設(shè)置有若干主柵負(fù)極（9)，主柵負(fù)極（9)在橫向上組成多條間隔排列的主柵負(fù)極排，縱向上組成多條間隔排列的主柵負(fù)極列，主柵負(fù)極（9)垂直貫穿基片（11)，發(fā)射結(jié)區(qū)（7)的背向基區(qū)（6)的一面設(shè)置多條橫向間隔排列的細(xì)柵線（2)，一條細(xì)柵線（2)對(duì)應(yīng)一條主柵負(fù)極排，且對(duì)應(yīng)的細(xì)柵線（2)連接對(duì)應(yīng)主柵負(fù)極排中的所有主柵負(fù)極（9)，主柵負(fù)極（9)與基片（11)之間設(shè)置有保護(hù)絕緣膜（10)，細(xì)柵線（2)與發(fā)射結(jié)區(qū)（7)之間設(shè)置有減反鈍化膜（3)，所述的減反鈍化膜（3)覆蓋發(fā)射結(jié)區(qū)（7)，所述的背電場(chǎng)（5)中設(shè)置有多條縱向排列的正電極（4)，所述的正電極（4)位于兩條主柵負(fù)極列之間，正電極（4) 一面貼合基區(qū)（6),另一面露出背電場(chǎng)（5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池，其特征在于，所述的正電極（4)與背電場(chǎng)（5 )之間設(shè)置有金屬熔融區(qū)（8 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池及其制備方法，其特征在于，所述的保護(hù)絕緣膜（10)與背電場(chǎng)（5)之間設(shè)置有縫隙（12)。
4.晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： A、選取一P型的硅片作為襯底，采用激光在硅片上打出導(dǎo)電孔，導(dǎo)電孔即為主柵負(fù)極(9)的預(yù)設(shè)孔，打完后對(duì)硅片進(jìn)行清洗與制絨，去除硅片表面損傷層和激光作用后的損傷層，降低光生載流子的復(fù)合速率，同時(shí)在硅片正面形成織構(gòu)化絨面以降低反射率； B、在硅片的正面進(jìn)行擴(kuò)散制作發(fā)射結(jié)區(qū)，清洗后，在發(fā)射結(jié)區(qū)（7)表面上再沉積一層減反鈍化膜（3)； C、翻轉(zhuǎn)硅片，在電池背面使用掩蔽模具將硅片背面覆蓋，掩蔽模具上設(shè)置與導(dǎo)電孔一一對(duì)應(yīng)的穿孔，整理掩蔽模具使得導(dǎo)電孔和穿孔對(duì)齊，將硅片連同掩蔽模具一起放置到載板上，從上至下依次為掩蔽模具、硅片、載板，傳輸進(jìn)入PECVD沉積腔室中，在導(dǎo)電孔和背面生成保護(hù)絕緣膜（10)，保護(hù)導(dǎo)電孔及導(dǎo)電孔在硅片背面周?chē)?. 5mnT3. Omm半徑范圍的區(qū)域不導(dǎo)電，即穿孔的孔徑比導(dǎo)電孔的孔徑大上0. 5mnT3. Omm ； D、絲網(wǎng)印刷主柵負(fù)極（9)，與導(dǎo)電孔圓心相同，覆蓋在保護(hù)絕緣膜上，主要分布于導(dǎo)電孔內(nèi)及導(dǎo)電孔在娃片背面周?chē)?. 3mnT2. Omm半徑范圍； E、在硅片背面絲網(wǎng)印刷背電場(chǎng)（5)和正電極（4)，背電場(chǎng)（5)上設(shè)置有對(duì)應(yīng)導(dǎo)電孔的通孔，以及安裝正電極（4)的開(kāi)槽，該通孔比導(dǎo)電孔的半徑大I. 0mnT3. 5mm，正電極（4)設(shè)于背電場(chǎng)（5)的開(kāi)槽內(nèi)，其位于娃片背面的表面,且與背電場(chǎng)（5)連接； F、翻轉(zhuǎn)硅片，在硅片正面印刷細(xì)柵線（2)，并使之與導(dǎo)電孔內(nèi)主柵負(fù)極（9)連通； G、烘干、燒結(jié)、退火，即得到晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池的制備方法，其特征在于，步驟A中的硅片清洗的方法采用硝酸、氫氟酸和水的混合溶液清洗，混合溶液中按體積比硝酸：氫氟酸：水=2:1:2~5:1:2。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池的制備方法，其特征在于，步驟B中在硅片正面進(jìn)行發(fā)射結(jié)區(qū)（7)的制作方法是采用沉積氣態(tài)POC13摻雜擴(kuò)散，擴(kuò)散方阻控制在55~85 Q/ □，擴(kuò)散方法為常規(guī)的氣態(tài)源擴(kuò)散淀積方法。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體硅太陽(yáng)電池背接觸電池的制備方法，其特征在于，步驟B中的減反鈍化膜（3)為折射率為I. 95^2. 10、厚度為 7(Tl00nm的氮化硅薄膜。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103700715SQ201310745404
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】林洪峰, 王嵐, 吳昕, 蔡蔚, 龍巍, 趙秀生 申請(qǐng)人:天威新能源控股有限公司