一種可提高壽命的oled藍(lán)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可提高壽命的OLED藍(lán)光器件，其包括有基板、第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及第二電極，在空穴注入層與空穴傳輸層之間還包括一層中間層，所述中間層的材料與空穴傳輸層的材料的空穴遷移率在同一個量級。相較于未加入中間層的藍(lán)光器件，本發(fā)明的藍(lán)光器件加入了中間層之后，器件的壽命提升了將近10倍，同時不會影響器件的其他性能。
【專利說明】一種可提高壽命的OLED藍(lán)光器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)一種OLED器件，特別是指一種可提高壽命的OLED藍(lán)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著OLED材料合成技術(shù)的提高，電子材料的電子遷移率相對于發(fā)展初期的Alq等材料已經(jīng)有了較大的提升，甚至有些材料的電子遷移率已經(jīng)和一般的空穴傳輸材料的空穴遷移率達(dá)到了同一數(shù)量級。但由于目前在載流子的注入方面，可以認(rèn)為電子從陰極向電子傳輸層(ETL, Electron Transport Layer)的注入是幾乎沒有障礙的，而由于ITO (IndiumTin Oxides,氧化銦錫)與空穴注入層(HIL, Hole Injection Layer)的能級差異較大,空穴的注入存在很大的障礙，且目前所用的主體材料幾乎都是偏電子型的，因此載流子幾乎都在空穴傳輸層(HTL, Hole Transport Layer) / 發(fā)光層(EML, Emitting Layer)界面聚集，導(dǎo)致復(fù)合中心離HTL很近，而由于HTL材料的激發(fā)態(tài)不夠穩(wěn)定，導(dǎo)致器件壽命變短。
[0003]同時，由于電子遷移率的提高，OLED器件轉(zhuǎn)變成偏電子型的器件，多余的電子會流向HTL層并到達(dá)陽極，形成漏電流。由于多余的電子會導(dǎo)致HTL產(chǎn)生自由基，使HTL材料分解，導(dǎo)致器件壽命變差。
[0004]對于紅綠光材料而言，可以采用雙主體的形式，加入一種傳空穴的主體，將復(fù)合區(qū)域轉(zhuǎn)移到EML中間或者是EML/ETL的界面，從而提高器件的壽命。但是對于藍(lán)光材料而言，目前尚無能級合適、穩(wěn)定的空穴型藍(lán)光主體，因此，對于藍(lán)光而言，只能靠改變ETL結(jié)構(gòu)，如采用低遷移率的ETL材料，可以很好地提高器件的壽命，但帶來的缺陷是提高了器件的驅(qū)動電壓。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種可提高壽命且降低器件驅(qū)動電壓的OLED藍(lán)光器件。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種可提高壽命的OLED藍(lán)光器件，其包括有基板、第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及第二電極，在空穴注入層與空穴傳輸層之間還包括一層中間層，所述中間層的材料與空穴傳輸層的材料的空穴遷移率在同一個量級。
[0007]所述中間層的材料為單一材料。
[0008]所述中間層的材料摻雜有所述空穴傳輸層的材料。
[0009]所述中間層與所述空穴注入層之間還設(shè)有輔助空穴傳輸層。
[0010]所述中間層厚度為1-500 A，所述中間層中中間層的材料的摻雜濃度為1_30%，與所述發(fā)光層接觸的所述空穴傳輸層的厚度為20-200 L
[0011]所述中間層的材料的最高占有分子軌道能級在5.3-5.5eV之間，而最低空分子軌道能級在2.6-3.3eV之間。
[0012]所述中間層的材料為綠光、黃光和紅光發(fā)光材料，其中包括有10-(2-苯并噻唑基)-2，3，6，7_四氫-1，1，7，7-四甲基-1H，5H，IlH-(I)苯并吡喃、紅熒烯、4 - (二氰基亞甲基)_2 -叔-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃，及4 - (二氰基亞甲基)-2 -異丙基-6 - (I, 1,7,7 -四甲基久洛尼定-9 -烯基)-4H-吡喃。
[0013] 所述中間層具有以下結(jié)構(gòu)通式中的一種:
【權(quán)利要求】
1.一種可提高壽命的OLED藍(lán)光器件,其包括有基板、第一電極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及第二電極，其特征在于，在空穴注入層與空穴傳輸層之間還包括一層中間層，所述中間層的材料與所述空穴傳輸層的材料的空穴遷移率在同一個量級。
2.如權(quán)利要求1所述的可提高壽命的OLED藍(lán)光器件，其特征在于，所述中間層的材料為單一材料。
3.如權(quán)利要求1所述的可提高壽命的OLED藍(lán)光器件，其特征在于，所述中間層的材料摻雜有所述空穴傳輸層的材料。
4.如權(quán)利要求2所述的可提高壽命的OLED藍(lán)光器件，其特征在于，所述中間層與所述空穴注入層之間還設(shè)有輔助空穴傳輸層。
5.如權(quán)利要求3所述的可提高壽命的OLED藍(lán)光器件，其特征在于，所述中間層厚度為1-500 A，所述中間層中中間層的材料的摻雜濃度為1_30%，與所述發(fā)光層接觸的所述空穴傳輸層的厚度為20-200 L
6.如權(quán)利要求2、3或4所述的可提高壽命的OLED藍(lán)光器件，其特征在于，所述中間層的材料的最高占有分子軌道能級在5.3-5.5eV之間，而最低空分子軌道能級在2.6-3.3eV之間。
7.如權(quán)利要求6所述的可提高壽命的OLED藍(lán)光器件，其特征在于，所述中間層的材料為綠光、黃光和紅光發(fā)光材料，其中包括有10- (2-苯并噻唑基)-2，3，6，7-四氫-1，1，7，7-四甲基-1H，5H，IlH-(I)苯并吡喃、紅熒烯、4 - (二氰基亞甲基)_2 -叔-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛尼定-9-烯基)-4H-吡喃，及4 - (二氰基亞甲基)_2 -異丙基-6 - (I, 1,7,7 -四甲基久洛尼定-9 -烯基)-4H-吡喃。
8.如權(quán)利要求6所述的可提高壽命的OLED藍(lán)光器件，其特征在于，所述中間層的材料具有以下結(jié)構(gòu)通式中的一種:
【文檔編號】H01L51/52GK103887444SQ201310748007
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】何麟, 邱勇, 羅志忠, 黃秀頎 申請人:昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司, 昆山國顯光電有限公司