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層疊式有機發(fā)光二極體及其制備方法

文檔序號:7016375閱讀:218來源:國知局
層疊式有機發(fā)光二極體及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施例提供了一種層疊式有機發(fā)光二極體及其制備方法,涉及光致發(fā)光領域,為提供均勻性和防止側向導電而發(fā)明。所述層疊式有機發(fā)光二極體,包括:至少兩個發(fā)光單元;設置在所述發(fā)光單元之間的載子產生層;其中,所述載子產生層包括混合導電層,所述混合導電層由5~95重量份的至少一種電導率大于103S/cm的材料以及95~5重量份的至少一種電導率小于10-6S/cm的材料混合而成。本發(fā)明可用于顯示裝置中。
【專利說明】層疊式有機發(fā)光二極體及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及光致發(fā)光領域,尤其涉及一種層疊式有機發(fā)光二極體及其制備方法。【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二極體(Organic Light Emitting Diode, OLED)通常包括陽極和陰極,以及位于陽極和陰極之間的發(fā)光單元。根據發(fā)光單元數目的不同,有機發(fā)光二極體可以分為一單元有機發(fā)光二極體(1-unit 0LED)和層疊式有機發(fā)光二極體(Tandem 0LED)。層疊式OLED至少具有兩個發(fā)光單元,發(fā)光單元之間可以設置金屬層或η型摻雜有機層等。
[0003]其中,理想的金屬層是極薄且能夠成膜的。但在實際工藝中,太薄的金屬層在制作較大尺寸的面板時,由于厚度太薄,容易產生均勻性的問題,甚至使層疊式OLED無法正常運轉;而如果將金屬層制作的太厚時,又會降低穿透率,當金屬層更厚時,還會造成側向導電的問題。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的實施例提供一種層疊式有機發(fā)光二極體及其制備方法,能夠使實現均勻性并防止側向導電。
[0005]為達到上述目的,本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0006]—種層疊式有機發(fā)光二極體,包括:
[0007]至少兩個發(fā)光單元;
[0008]設置在所述發(fā)光單元之間的載子產生層;
[0009]其中,所述載子產生層包括混合導電層,所述混合導電層由5?95重量份的至少一種電導率大于103S/cm的材料以及95?5重量份的至少一種電導率小于10 6S/cm的材料混合而成。
[0010]可選的,所述電導率大于103S/cm的材料選自A1Q3、ITO、IZO、AZO、FTO、ZnO、ZITO和GITO ;或
[0011]所述電導率大于103S/cm的材料選自由In、Sn、Zn、Al、F、和Ga中的至少兩種構成的金屬氧化物;或
[0012]所述電導率大于103S/cm的材料選自Cs、L1、Na、K、Al、Ag、Ca、Li和Mg。
[0013]可選的,所述電導率大于103S/cm的材料的電導率大于105S/cm,并且選自Cs、L1、Na、K、Al、Ag、Ca、Li 和 Mg。
[0014]可選的,所述混合導電層的厚度為5?10nm。
[0015]可選的,所述載子產生層還包括電子注入層。
[0016]可選的,所述電子注入層的厚度為0.5?3nm。
[0017]優(yōu)選的,所述混合導電層由Al與AlQ3的混合物形成;所述電子注入層為LiF。
[0018]優(yōu)選的,所述混合導電層由Ca與AlQ3的混合物形成;所述電子注入層由AlQ3和LiQ形成。[0019]一種顯示裝置,包括本發(fā)明實施例提供的層疊式有機發(fā)光二極體。
[0020]一種本發(fā)明實施例提供的層疊式有機發(fā)光二極體的制備方法,包括:
[0021]制作第一發(fā)光單元;
[0022]在所述第一發(fā)光單元上制作混合導電層,所述混合導電層由5?95重量份的至少一種電導率大于103S/cm的材料以及95?5重量份的至少一種電導率小于10 6S/cm的材料混合而成;
[0023]在所述混合導電層上制作第二發(fā)光單元。
[0024]可選的,所述混合導電層通過真空熱蒸鍍方法制備。
[0025]本發(fā)明實施例提供的層疊式有機發(fā)光二極體及其制備方法,通過在各發(fā)光單元之間設置由電導率不同的兩種材料形成的混合導電層,提供厚度適中、導電性能適中的層疊式有機發(fā)光二極體,解決了現有技術中太薄的金屬層造成的不均勻的問題,還解決了現有技術中較厚金屬層由于導電性過高而導致的穿透率低及側向導電的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1為本發(fā)明實施例提供的層疊式有機發(fā)光二極體的結構示意圖;
[0028]圖2為本發(fā)明另一實施例提供的層疊式有機發(fā)光二極體的結構示意圖;
[0029]圖3為本發(fā)明實施例提供的層疊式有機發(fā)光二極體的制備方法流程圖;
[0030]圖4為本發(fā)明實施例1提供的層疊式有機發(fā)光二極體的結構示意圖;
[0031]圖5為本發(fā)明實施例2提供的層疊式有機發(fā)光二極體的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0032]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0033]下面結合附圖對本發(fā)明實施例的層疊式有機發(fā)光二極體及其制備方法進行詳細描述。
[0034]本發(fā)明實施例提供了一種層疊式有機發(fā)光二極體,如圖1所不的層疊式有機發(fā)光二極體的結構示意圖,包括:至少兩個發(fā)光單元11和12。
[0035]具體可選的,如圖1所示,所述發(fā)光單元11可以包括空穴注入層(Hole InjectionLayer, HIL)、空穴傳輸層(Hole Transport Layer, HTL)、發(fā)光材料層(Emitting MaterialLayer, EML)、電子傳輸層(Electron Transport Layer, ETL)等??梢岳斫獾氖?上述僅為舉例說明,本實施例并不具體限定發(fā)光單元11的構造,可根據實際情況進行設置。
[0036]在各個發(fā)光單元之間設置有載子產生層(Charge Generation Layer, CGL),例如圖1中設置在發(fā)光單元11和12之間的載子產生層21。載子產生層21起到連通各發(fā)光單元的作用。其中,所述載子產生層21又可包括混合導電層211,所述混合導電層211由5?95重量份的至少一種電導率大于103S/cm的材料以及95?5重量份的至少一種電導率小于10_6S/cm的材料混合而成。進一步優(yōu)選的,所述混合導電層211由45?75重量份的至少一種電導率大于103S/cm的材料以及55?25重量份的至少一種電導率小于10 6S/cm的材料混合而成。
[0037]優(yōu)選的,所述電導率大于103S/cm的材料選自A1Q3、ITO、IZO、AZO、FTO、ZnO、ZITO和GITO ;或選自由In、Sn、Zn、Al、FJP Ga中的至少兩種構成的金屬氧化物;或選自Cs、L1、Na、K、Al、Ag、Ca、Li和Mg。所述電導率小于10_6S/cm的材料多為有機材料或某些金屬氧化物。進一步優(yōu)選的,所述電導率大于103S/cm的材料的電導率大于105S/cm,并且選自Cs、L1、Na、K、Al、Ag、Ca、Li 和 Mg。
[0038]可以理解,混合導電層211通過高電導率(大于103S/cm)材料和低電導率(小于10_6S/cm)材料混合形成,以獲得適宜導電性能的混合導電層211。其中高電導率材料可以為上述列舉的材料中的一種,也可以為上述列舉的材料的兩種以上的混合物。所述混合物例如可以為兩種以上金屬氧化物的混合物或兩種以上金屬的混合物等,也可以金屬及金屬氧化物相互混合。同樣低電導率材料可以為某一種有機材料或金屬氧化物,可以為有機材料的混合物、金屬氧化物的混合物或者有機材料和金屬氧化物的混合物。
[0039]由于本發(fā)明中通過5?95重量份的高電導率(大于103S/cm)材料和95?5重量份的低電導率(小于10_6S/Cm)材料進行混合,最終獲得的混合導電層211的電導率通常在10_6S/cm和103S/cm之間,即平均導電度降低,因此,可以提高混合導電層的至厚度在4?15nm之間,從而避免了混合導電層太薄而導致的均勻性問題。而雖然混合導電層211的厚度在4?15nm之間,但由于高電導率和低電導率材料是混合形成、彼此摻雜的,不會由于混合導電層211過厚而導致側向導電。
[0040]此外,在兩端的發(fā)光單元外側還分別設置有陽極31和陰極32,可選用本領域常用的陽極和陰極,此處不再贅述。所述陽極31可設置在透明基板41上。
[0041]本發(fā)明實施例提供的層疊式有機發(fā)光二極體,通過在各發(fā)光單元之間設置由電導率不同的兩種材料形成的混合導電層,提供厚度適中、導電性能適中的層疊式有機發(fā)光二極體,解決了現有技術中太薄的金屬層造成的不均勻的問題,還解決了現有技術中較厚金屬層由于導電性過高而導致的穿透率低及側向導電的問題。
[0042]優(yōu)選的,在本發(fā)明的又一實施例中,混合導電層211可以為Al和AlQ3的混合物。又優(yōu)選的,所述混合導電層211還可以為Ca與AlQ3的混合物。其中Q代表的是8-羥基喹
啉基團。
[0043]可選的,在本發(fā)明的另一實施例中,混合導電層211的厚度可以為5?10nm。進一步優(yōu)選的,混合導電層211可以為6nm、7nm、8nm或9nm。
[0044]可選的,在本發(fā)明提供的另一實施例中,為了更好的提供層疊式有機發(fā)光二極體的發(fā)光效率,如圖2所示,載子產生層21還包括電子注入層(Emitting Injection Layer,EIL) 212。在每一載子產生層21中,電子注入層212與混合導電層211之間的相對位置關系為電子注入層212位于靠近陰極的一側,混合導電層211位于靠近陽極的一側。這樣,陰極產生的電子能夠經由電子注入層212源源不斷的從靠近陰極的發(fā)光單元向鄰近的靠近陽極的發(fā)光單元注入。[0045]優(yōu)選的,電子注入層212可以為LiF,又優(yōu)選的,電子注入層212還可以為AlQ3與LiQ的混合物等。其中Q代表的是8-羥基喹啉基團。
[0046]進一步可選的,電子注入層212的厚度可以為0.5?3nm。具體的,電子注入層212的厚度可以為 0.7nm、lnm、2nm、2.5nm。
[0047]與上述層疊式有機發(fā)光二極體相對應的,本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置,包括該層疊式有機發(fā)光二極體。
[0048]本發(fā)明實施例提供的顯示裝置,該顯示裝置包括層疊式有機發(fā)光二極體,后者通過在各發(fā)光單元之間設置由電導率不同的兩種材料形成的混合導電層,提供厚度適中、導電性能良好的層疊式有機發(fā)光二極體,由于厚度適中,解決了現有技術中太薄的金屬層造成的不均勻的問題。進一步的,可以提供大尺寸的顯示裝置。又由于導電性能良好,解決了現有技術中側向導電的問題。
[0049]與上述層疊式有機發(fā)光二極體相對應的,本發(fā)明實施例還提供了其制備方法,如圖3所示,包括:
[0050]101、制作第一發(fā)光單元;
[0051 ] 102、在所述第一發(fā)光單元上制作混合導電層,所述混合導電層由5?95重量份的至少一種電導率大于IO3S/cm的材料以及95?5重量份的至少一種電導率小于10 6S/cm的材料混合而成;
[0052]可選的,所述混合導電層通過真空熱蒸鍍方法制備。
[0053]203、在所述混合導電層上制作第二發(fā)光單元。
[0054]本發(fā)明實施例提供的層疊式有機發(fā)光二極體制備方法,制備得到的層疊式有機發(fā)光二極體通過在各發(fā)光單元之間設置由電導率不同的兩種材料形成的混合導電層,提供厚度適中、導電性能適中的層疊式有機發(fā)光二極體,解決了現有技術中太薄的金屬層造成的不均勻的問題,還解決了現有技術中較厚金屬層由于導電性過高而導致的穿透率低及側向導電的問題。進一步的,可以制備大尺寸的顯示裝置。又由于導電性能良好,解決了現有技術中側向導電的問題。
[0055]為了更好地說明本發(fā)明實施例提供的層疊式有機發(fā)光二極體,提供了下述具體實施例進行描述。
[0056]實施例1
[0057]如圖4所示,實施例1提供了一種層疊式有機發(fā)光二極體,依次包括透明基板41、陽極31、第一發(fā)光單元11、載子產生層21、第二發(fā)光單元12、以及更多的載子產生層及發(fā)光單元、陰極32。其中,載子產生層21包括由40重量份的Al、60重量份的AlQ3混合形成的混合導電層211,以及由LiF形成的電子注入層212。混合導電層211的厚度為6nm,電子注入層212的厚度為2.6nm。
[0058]實施例2
[0059]如圖4所示,實施例2提供了一種層疊式有機發(fā)光二極體,依次包括透明基板41、陽極31、第一發(fā)光單元11、載子產生層21、第二發(fā)光單元12、以及更多的載子產生層及發(fā)光單元、陰極32。其中,載子產生層21包括由65重量份的Ca、35重量份的AlQ3混合形成的混合導電層211,以及由A1Q3、LiQ3混合形成的電子注入層212。混合導電層211的厚度為
5.5nm,電子注入層212的厚度為1.2nm。[0060]以上所述,僅為本發(fā)明的【具體實施方式】,但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內,可輕易想到變化或替換,都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此,本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種層疊式有機發(fā)光二極體,其特征在于,包括: 至少兩個發(fā)光單元; 設置在所述發(fā)光單元之間的載子產生層; 其中,所述載子產生層包括混合導電層,所述混合導電層由5?95重量份的至少一種電導率大于103S/cm的材料以及95?5重量份的至少一種電導率小于10 6S/cm的材料混合而成。
2.根據權利要求1所述的層疊式有機發(fā)光二級體,其特征在于, 所述電導率大于103S/cm的材料選自AlQ3' ITO、IZO、AZO、FTO、ZnO、ZITO和GITO ;或 所述電導率大于103S/cm的材料選自由In、Sn、Zn、Al、F、和Ga中的至少兩種構成的金屬氧化物;或 所述電導率大于103S/cm的材料選自Cs、L1、Na、K、Al、Ag、Ca、Li和Mg。
3.根據權利要求1所述的層疊式有機發(fā)光二極體,其特征在于, 所述電導率大于103S/cm的材料的電導率大于105S/cm,并且選自Cs、L1、Na、K、Al、Ag、Ca、Li 和 Mg。
4.根據權利要求1所述的層疊式有機發(fā)光二級體,其特征在于,所述混合導電層的厚度為5?IOnm0
5.根據權利要求1所述的層疊式有機發(fā)光二極體,其特征在于,所述載子產生層還包括電子注入層。
6.根據權利要求5所述的層疊式有機發(fā)光二極體,其特征在于,所述電子注入層的厚度為0.5?3nm。
7.根據權利要求5或6所述的層疊式有機發(fā)光二極體,其特征在于,所述混合導電層由Al與AlQ3的混合物形成;所述電子注入層為LiF。
8.根據權利要求5或6所述的層疊式有機發(fā)光二極體,其特征在于,所述混合導電層由Ca與AlQ3的混合物形成;所述電子注入層由AlQ3和LiQ形成。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-8任一項所述的層疊式有機發(fā)光二極體。
10.一種權利要求1-8任一項所述的層疊式有機發(fā)光二極體的制備方法,其特征在于,包括: 制作第一發(fā)光單元; 在所述第一發(fā)光單元上制作混合導電層,所述混合導電層由5?95重量份的至少一種電導率大于103S/cm的材料以及95?5重量份的至少一種電導率小于10 6S/cm的材料混合而成; 在所述混合導電層上制作第二發(fā)光單元。
11.根據權利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述混合導電層通過真空熱蒸鍍方法制備。
【文檔編號】H01L51/54GK103730586SQ201310751767
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權日:2013年12月31日
【發(fā)明者】吳長晏 申請人:京東方科技集團股份有限公司
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