包含封裝基板的集成電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是關(guān)于一包含封裝基板的集成電路。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一集成電路包含芯片及承載該芯片的封裝基板。該封裝基板包含：具有相對(duì)的上表面與下表面的介電層，及嵌埋于該介電層且位于該芯片下方的散熱條區(qū)，其中該散熱條區(qū)界定的區(qū)域大于該芯片的覆蓋區(qū)域。本發(fā)明的包含封裝基板的集成電路可在保證封裝基板平整性和有效利用率要求下，進(jìn)一步提高該封裝基板和集成電路的散熱能力。
【專利說(shuō)明】包含封裝基板的集成電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，特別是關(guān)于集成電路領(lǐng)域的包含封裝基板的集成電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的發(fā)展，消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品的要求越來(lái)越高。人們希望同一電子產(chǎn)品上集成的功能越來(lái)越來(lái)越多，但體積卻日益輕薄。而要滿足這種高整合度及微型化的要求，主要依賴的還是作為核心部件的集成電路產(chǎn)品的改進(jìn)。
[0003]改進(jìn)的途徑之一就是使用多層封裝基板，在有限的空間下運(yùn)用層間連接技術(shù)以擴(kuò)大封裝基板上可供利用的線路布局面積，配合高線路密度的集成電路的使用需求，降低封裝基板的厚度，從而達(dá)到封裝產(chǎn)品多功能、小型化的目的。
[0004]目前多層封裝基板主要有兩種，一種是有載板的封裝基板，或稱有核心層的封裝基板，其由一具有內(nèi)層線路的核心板及形成于該核心板兩側(cè)的線路增層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，核心板可保證整個(gè)封裝基板的平整；另一種則是無(wú)載板的封裝基板，或稱無(wú)核心層的封裝基板，其在基礎(chǔ)增層后會(huì)移除載板從而進(jìn)一步縮短導(dǎo)線長(zhǎng)度及降低整體厚度。封裝基板后續(xù)用于芯片封裝。在封裝后的集成電路中，芯片的部分熱量需要通過(guò)封裝基板傳導(dǎo)出來(lái)，尤其是較高功率的芯片，對(duì)散熱的要求更高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的之一在于提供一包含封裝基板的集成電路，其可提高集成電路的散熱能力。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，一集成電路包含芯片及承載該芯片的封裝基板。該封裝基板包含:具有相對(duì)的上表面與下表面的介電層，及嵌埋于該介電層且位于該芯片下方的散熱條區(qū)，其中該散熱條區(qū)界定的區(qū)域大于該芯片的覆蓋區(qū)域。
[0007]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，該封裝基板是無(wú)核心層封裝基板。該散熱條區(qū)與該封裝基板的接地電路電連接。該散熱條區(qū)是圓柱形并呈一矩陣排列的多個(gè)金屬塊、長(zhǎng)條形且整體上仍形成一區(qū)域的多個(gè)金屬塊、或一整塊金屬塊。在一實(shí)施例中，該芯片是由固晶膠固定在該封裝基板上，該散熱條區(qū)界定的區(qū)域不小于該固晶膠界定的區(qū)域。該散熱條區(qū)的邊界超出該芯片的邊界的寬度不大于800um，較佳的，該散熱條區(qū)的邊界超出該芯片的邊界的寬度為400-600um。該封裝基板可以是多層封裝基板，各層的散熱條區(qū)實(shí)質(zhì)上位于同一垂直直線上
[0008]相較于現(xiàn)有技術(shù)中散熱條區(qū)的設(shè)計(jì)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的集成電路將散熱條區(qū)設(shè)計(jì)為大于其上芯片所覆蓋的區(qū)域，并盡可能將多層散熱條區(qū)設(shè)計(jì)在同一直線上，從而提供盡可能聞的散熱效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0009]圖1是一現(xiàn)有封裝基板在制造過(guò)程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖
[0010]圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的集成電路的俯視示意圖
[0011]圖3是沿圖2中AA線截取的集成電路的剖面結(jié)構(gòu)示意圖
[0012]圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的集成電路的俯視示意圖
[0013]圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的集成電路的俯視示意圖
[0014]圖6是根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的集成電路的封裝基板的剖視示意圖
【具體實(shí)施方式】
[0015]圖1是一現(xiàn)有封裝基板10在制造過(guò)程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。簡(jiǎn)單起見(jiàn)，圖1中僅給出封裝基板10的一部分。
[0016]如圖1所不,該封裝基板10包含載板層16,及形成于載板層16兩側(cè)的介電層100、102。各介電層100、102中主要存在兩種金屬結(jié)構(gòu):一種是用于散熱的金屬凸塊，可稱散熱條(bar)12 ;另一種用于支撐及電路導(dǎo)通的金屬凸塊,可稱導(dǎo)通柱(pillar)14。Bar 12通常是多個(gè)集中組成一散熱條區(qū)120，主要在用作功率放大器的集成電路內(nèi)使用，可設(shè)置在芯片(未圖示)的下方并與芯片連接以起到為芯片散熱的作用。相對(duì)于封裝基板10里的有效電性線路(不包含單純接地線路)，barl2是電性獨(dú)立的。PillarH則是散落的，可導(dǎo)通上下層電路(未圖示)，通常是圓柱形。
[0017]鑒于電路集成度的提高及功耗的增加，散熱的需求愈來(lái)愈高。盡管散熱條區(qū)120理論上愈大愈好，但是，過(guò)大的散熱條區(qū)120會(huì)影響封裝基板的線路排布的效率，所以需要對(duì)散熱條區(qū)120的設(shè)計(jì)進(jìn)行研究以期盡可能提高其散熱效率。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例的集成電路將散熱條區(qū)設(shè)計(jì)為大于其上芯片的覆蓋區(qū)域，從而增大散熱條區(qū)的散熱面積并提高散熱效率。
[0019]根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的集成電路包含芯片及承載該芯片的封裝基板。該封裝基板包含:具有相對(duì)的上表面與下表面的介電層，及嵌埋于該介電層且位于該芯片下方的散熱條區(qū)，其中該散熱條區(qū)界定的區(qū)域大于該芯片的覆蓋區(qū)域。
[0020]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，該封裝基板是無(wú)核心層封裝基板。該散熱條區(qū)與該封裝基板的接地電路電連接，可同時(shí)起到散熱和接地的效果。該散熱條區(qū)是圓柱形并呈一矩陣排列的多個(gè)金屬塊、長(zhǎng)條形且整體上仍形成一區(qū)域的多個(gè)金屬塊、或一整塊金屬塊。散熱條區(qū)還可以其它不規(guī)則形狀，此處不一一贅述。在一實(shí)施例中，該芯片是由固晶膠固定在該封裝基板上，該散熱條區(qū)界定的區(qū)域不小于該固晶膠界定的區(qū)域。
[0021]該封裝基板可適用任意多層的封裝基板，如其進(jìn)一步可包含設(shè)于該介電層上方的第二介電層或下方的第三介電層，及分別嵌埋于該第二介電層與第三介電層的對(duì)應(yīng)該芯片的第二散熱條區(qū)與第三散熱條區(qū)。該第一、第二及第三散熱條區(qū)可實(shí)質(zhì)上在同一垂直直線上，從而可相互連接以自上而下無(wú)間斷的將芯片產(chǎn)生的熱量快速散出。由于在各層的位置相互對(duì)應(yīng)，偏離較小，因此在封裝基板設(shè)計(jì)時(shí)可統(tǒng)一考慮各層的散熱條區(qū)，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
[0022]為更好的理解本發(fā)明的精神，以下結(jié)合本發(fā)明的部分優(yōu)選實(shí)施例對(duì)其作進(jìn)一步說(shuō)明。
[0023]圖2是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的集成電路20的俯視示意圖。
[0024]如圖2所示，該集成電路20包含一芯片22，及承載該芯片22的封裝基板24。該封裝基板24進(jìn)一步包含至少一介電層240，及嵌埋于該介電層240內(nèi)的散熱條區(qū)242。該散熱條區(qū)242位于該芯片22正下方，包含若干圓柱形的散熱條244。該散熱條區(qū)242界定的區(qū)域大于該芯片22覆蓋的區(qū)域。
[0025]圖3是沿圖2中AA線截取的集成電路20的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]如圖3所示，芯片22是用固晶膠26固定至封裝基板24上，并進(jìn)一步由封裝膠28整體覆蓋。為保證固定效果，固晶膠26界定的區(qū)域大于芯片22的實(shí)際大小。芯片22運(yùn)行所產(chǎn)生的熱量由固晶膠26進(jìn)一步傳遞給散熱條區(qū)242，再由散熱條區(qū)242將熱量傳遞至封裝基板24外。散熱條區(qū)242設(shè)計(jì)為大于芯片22覆蓋的區(qū)域，較佳地，散熱條區(qū)242設(shè)計(jì)為不小于該固晶膠26界定的區(qū)域，這樣可有效的利用固晶膠26所占用的面積。一方面不影響封裝基板24的有效利用率和平整性，另一方面也盡可能最大限度的提高了散熱面積。本發(fā)明研究發(fā)現(xiàn)散熱條區(qū)242的邊界超出該芯片22的邊界的距離“D”不大于SOOum的情況下，對(duì)封裝基板24的有效利用率和平整性影響并不大，較佳的，可選取400-600um。
[0027]圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的集成電路20的俯視示意圖。
[0028]如圖4所示，該集成電路20包含一芯片22及承載該芯片22的封裝基板24。該封裝基板24進(jìn)一步包含至少一介電層240，及嵌埋于該介電層240內(nèi)的散熱條區(qū)242。該散熱條區(qū)242位于該芯片22正下方,包含若干長(zhǎng)條形的散熱條244。同樣,該散熱條區(qū)242界定的區(qū)域大于該芯片22覆蓋的區(qū)域。
[0029]圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的集成電路20的俯視示意圖。
[0030]如圖5所示，該集成電路20包含一芯片22及承載該芯片22的封裝基板24。該封裝基板24進(jìn)一步包含至少一介電層240，及嵌埋于該介電層240內(nèi)的散熱條區(qū)242。該散熱條區(qū)242位于該芯片22正下方，是一整塊的散熱條244。同樣，該散熱條區(qū)242界定的區(qū)域大于該芯片22覆蓋的區(qū)域。
[0031]圖6是根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的集成電路20的封裝基板24的剖視示意圖。
[0032]如圖6所示，該封裝基板24包含四層介電層240，及嵌埋于各介電層240內(nèi)的散熱條區(qū)242。所有四層的散熱條區(qū)242在同一直線上，并相互連接，因此可自上而下無(wú)間斷的將芯片(未圖示)產(chǎn)生的熱量快速散出。
[0033]本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本發(fā)明的教示及揭示而作種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為本專利申請(qǐng)權(quán)利要求書(shū)所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種集成電路，包含: 芯片；及 承載該芯片的封裝基板，該封裝基板包含: 介電層，具有相對(duì)的上表面與下表面；及 散熱條區(qū)，嵌埋于該介電層且位于該芯片下方； 其中該散熱條區(qū)界定的區(qū)域大于該芯片的覆蓋區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該散熱條區(qū)與該封裝基板的接地電路電連接。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該散熱條區(qū)是圓柱形并呈一矩陣排列的多個(gè)金屬塊、長(zhǎng)條形且整體上仍形成一區(qū)域的多個(gè)金屬塊、或一整塊金屬塊。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該芯片是由固晶膠固定在該封裝基板上，該散熱條區(qū)界定的區(qū)域不小于該固晶膠界定的區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該散熱條區(qū)的邊界超出該芯片的邊界的寬度不大于800um。
6.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該散熱條區(qū)的邊界超出該芯片的邊界的寬度為400_600umo
7.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該封裝基板是無(wú)核心層封裝基板。
8.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中該封裝基板是多層封裝基板，各層的散熱條區(qū)實(shí)質(zhì)上位于同一垂直直線上。
【文檔編號(hào)】H01L23/367GK103715155SQ201310751909
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】陳飛, 黃建華 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體(上海)有限公司