一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的rf基卡的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡，該基卡包括：多層布線式薄膜電容器、RF線圈、卡基板；多層布線式薄膜電容器包括第一電極板、第二電極板以及第一電極板與第二電極板之間的電介質(zhì)層，第一電極板的焊接位置或引線位置與第二電極板的焊接位置或引線位置共面；多層布線式薄膜電容器嵌于卡基板中，RF線圈采用超聲波繞線方式嵌于卡基板中；RF線圈的一端與多層布線式薄膜電容器的任一電極板相連，RF線圈的另一端與多層布線式薄膜電容器的另一電極板相連。其中，薄膜電容器的厚度小，基卡平整度高，薄膜電容器與RF線圈連接可靠，該基卡特別應(yīng)用于耦合式雙界面IC卡。
【專利說明】一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的RF基卡
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路和信息交互【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的RF基卡。
【背景技術(shù)】
[0002]對于集接觸式與非接觸式于一體的雙界面IC卡，由于其外形與接觸式IC卡一致，具有符合國際標(biāo)準(zhǔn)的載帶電極膜片及其金屬觸點，讀寫器具可以通過接觸金屬觸點訪問芯片；雙界面IC卡的內(nèi)部結(jié)構(gòu)則與非接觸式IC卡相似，卡基內(nèi)的天線與芯片相連接構(gòu)成RFID (Radio Frequency Identification,無線射頻識別)模塊，讀寫器具可以在一定距離(IOcm內(nèi))以無線射頻方式訪問芯片。雙界面IC卡集合了接觸式IC卡與非接觸式IC卡的優(yōu)點，具有廣泛的適用性。
[0003]具有RF (Radio Frequency,無線射頻)電路的基卡是稱合式雙界面IC卡的一種重要組成部分。在現(xiàn)有技術(shù)中基卡制造技術(shù)主要包括:在卡基材料上制造RF線圈，然后RF線圈的輸入輸出端引線與插腳電容器的輸入輸出端引線相連接，再層壓并與面材封裝成基卡。但是，采用這種技術(shù)制造基卡存在以下問題:由于插腳電容器厚度大，嵌在基卡內(nèi)，導(dǎo)致基卡封裝后表面不平整，不能達(dá)到雙界面IC卡的質(zhì)量要求；同時，插腳電容器的輸入輸出端引線與RF線圈的輸入輸出端引線連接不可靠，容易脫開，影響基卡的質(zhì)量穩(wěn)定性；而且不能使用常規(guī)的IC卡制造設(shè)備進(jìn)行大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，生產(chǎn)效率低，生產(chǎn)成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的是提供一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的RF基卡，以解決現(xiàn)有技術(shù)中制造雙界面IC卡的基卡存在基卡封裝后表面不平整，RF線圈與插腳電容器連接不可靠、穩(wěn)定性差的技術(shù)問題。
[0005]為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
[0006]一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡，所述基卡包括:
[0007]多層布線式薄膜電容器、RF線圈、卡基板；
[0008]所述多層布線式薄膜電容器包括第一電極板、第二電極板以及所述第一電極板與所述第二電極板之間的電介質(zhì)層，所述第一電極板的焊接位置或引線位置與所述第二電極板的焊接位置或引線位置共面；
[0009]所述多層布線式薄膜電容器嵌于所述卡基板中，所述RF線圈采用超聲波繞線方式嵌于所述卡基板中；
[0010]所述RF線圈的一端與所述多層布線式薄膜電容器的任一電極板相連，所述RF線圈的另一端與所述多層布線式薄膜電容器的另一電極板相連。
[0011 ] 相應(yīng)的，所述第一電極板、所述電介質(zhì)層以及所述第二電極板分層依次排列，所述電介質(zhì)層的長度與所述第二電極板的長度均大于所述第一電極板的長度；
[0012]在所述電介質(zhì)層上有一通過激光燒刻方式或機(jī)械沖壓電介質(zhì)方式刻出的通孔或通槽，裸露出所述第二電極板，使所述第一電極板的焊接位置或引線位置與所述第二電極板的焊接位置或弓I線位置共面。
[0013]相應(yīng)的，所述第一電極板、所述電介質(zhì)層以及所述第二電極板分層依次排列，所述電介質(zhì)層的長度與所述第二電極板的長度均大于所述第一電極板的長度；
[0014]所述多層布線式薄膜電容器還包括一金屬層，所述金屬層與所述第一電極板共面，所述金屬層通過過孔金屬化方式或鉚接方式穿過所述電介質(zhì)層與所述第二電極板相連，使所述第一電極板的焊接位置或引線位置與所述第二電極板的焊接位置或引線位置共面。
[0015]相應(yīng)的，所述第一電極板、所述電介質(zhì)層以及所述第二電極板分層依次排列，所述電介質(zhì)層的長度大于所述第一電極板的長度，所述第二電極板的長度大于所述電介質(zhì)層的長度；
[0016]所述第二電極板通過彎折方式彎折到所述第一電極板的平面，使所述第一電極板的焊接位置或弓I線位置與所述第二電極板的焊接位置或弓I線位置共面。
[0017]相應(yīng)的，所述多層布線式薄膜電容器的厚度小于400微米。
[0018]相應(yīng)的，所述基卡還包括:
[0019]卡面材料，所述卡面材料封裝于所述卡基板的外層。
[0020]相應(yīng)的，所述RF線圈的兩端通過焊接、導(dǎo)電膠粘結(jié)、珍珠球焊或電阻焊方式與所述多層布線式薄膜電容器的電極板相連。
[0021]相應(yīng)的,所述卡基板的材料包括:
[0022]聚氯乙烯PVC或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS。
[0023]相應(yīng)的,所述卡面材料包括:
[0024]聚碳酸酯PC、聚對苯二甲酸乙二醇酯PET、聚對苯二甲酸乙二醇酯-1，4-環(huán)己烷二甲醇酯PETG、聚苯乙烯PS或紙。
[0025]相應(yīng)的，所述第一電極板與所述第二電極板為固體金屬；所述電介質(zhì)層的材料包括:環(huán)氧玻璃布層壓板FR4、PET、PC、PETG或聚萘二甲酸乙二醇酯PEN。
[0026]由此可見，本發(fā)明具有如下有益效果:
[0027]本發(fā)明實施例所提供的內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡，其中，多層布線式薄膜電容器的兩電極板共面，可以使薄膜電容器與RF線圈的連接可靠，穩(wěn)定性好；且薄膜電容器厚度小，所制得的基卡表面平整，不會影響雙界面IC卡的外觀質(zhì)量；同時，能夠使用常規(guī)且成熟的IC卡接線工藝和設(shè)備進(jìn)行大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高，成本低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1為本發(fā)明實施例中所提供的內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實施例中所提供的內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖3為本發(fā)明實施例中所提供的雙界面IC卡的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4 Ca)為本發(fā)明實施例中所提供的多層布線式薄膜電容器第一種結(jié)構(gòu)示意圖；[0032]圖4 (b)為本發(fā)明實施例中所提供的多層布線式薄膜電容器第二種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖4 (c)為本發(fā)明實施例中所提供的多層布線式薄膜電容器第三種結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0034]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明實施例作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0035]本發(fā)明實施例是針對現(xiàn)有技術(shù)中耦合式雙界面IC卡的基卡制造中插腳電容器厚度大，嵌在基卡內(nèi)，導(dǎo)致基卡封裝后表面不平整；插腳電容器與RF天線的連接不可靠，容易脫開；不能使用常規(guī)IC卡制造設(shè)備進(jìn)行大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，生產(chǎn)效率低等一系列問題，提供了一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡，包括:多層布線式薄膜電容器、超聲波繞線式RF線圈、卡基板。薄膜電容器的第一電極板與第二電極板采用多層布線式結(jié)構(gòu)，確保兩電極板共面；采用超聲波繞線技術(shù)，將銅導(dǎo)線埋嵌到PVC (或ABS)等材料的基板上，形成RF線圈；使用常規(guī)的IC卡制造設(shè)備，用焊接或?qū)щ娔z粘結(jié)等方式將RF線圈的輸入輸出端引線分別與薄膜電容器的第一電極板、第二電極板連接，構(gòu)成LC (電感L、電容C)回路；層壓基板，再與IC卡表面材料封裝成RF基卡，該基卡符合智能IC卡的IS0/IEC7816標(biāo)準(zhǔn)。該RF基卡的頻率可以通過調(diào)節(jié)薄膜電容器的電容值和RF線圈的電感值來控制。在該RF基卡的芯片封裝位置銑槽，將雙界面IC卡的載帶電極膜片和芯片嵌入到RF基卡的銑槽內(nèi)，經(jīng)封裝，可以制得耦合式雙界面IC卡。本發(fā)明提供的內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡特別應(yīng)用于耦合式雙界面IC卡等領(lǐng)域。
[0036]以上是本申請的核心思想，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0037]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0038]其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示RF基卡結(jié)構(gòu)示意圖及剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0039]參見圖1所示，是本發(fā)明實施例提供的一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的RF基卡的結(jié)構(gòu)示意圖，該基卡包括:
[0040]多層布線式薄膜電容器7、RF線圈3以及卡基板I。
[0041]多層布線式薄膜電容器包括第一電極板8、第二電極板9以及第一電極板與第二電極板之間的電介質(zhì)層5，第一電極板的焊接位置或引線位置與第二電極板的焊接位置或引線位置共面。
[0042]多層布線式薄膜電容器7嵌于卡基板I中，RF線圈3采用超聲波繞線方式嵌于卡基板I中。
[0043]RF線圈的一端4與多層布線式薄膜電容器的任一電極板相連，RF線圈的另一端6與多層布線式薄膜電容器的另一電極板相連。
[0044]在本發(fā)明的一些實施例中,本發(fā)明實施例提供的內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的RF基卡還可以進(jìn)一步包括:
[0045]卡面材料,卡面材料封裝于卡基板的外層。
[0046]在本發(fā)明的一些實施例中，RF線圈的兩端通過焊接、導(dǎo)電膠粘結(jié)、珍珠球焊或電阻焊等方式與多層布線式薄膜電容器的電極板相連。
[0047]在本發(fā)明的一些實施例中，卡基板的材料可以為:聚氯乙烯PVC或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS等可層壓材料。
[0048]在本發(fā)明的一些實施例中，卡面材料可以為:聚碳酸酯PC、聚對苯二甲酸乙二醇酯PET、聚對苯二甲酸乙二醇酯-1，4-環(huán)己烷二甲醇酯PETG、聚苯乙烯PS或紙等符合雙界面IC卡使用要求的表面材料。
[0049]在本發(fā)明的一些實施例中，可以通過改變薄膜電容器內(nèi)的電介質(zhì)層的材質(zhì)、厚度、面積、層數(shù)等參數(shù)，調(diào)節(jié)薄膜電容器的電容值，調(diào)控RF基卡的頻率。
[0050]在本發(fā)明的一些實施例中，可以通過改變超聲波繞線式RF線圈的形狀、圈數(shù)、線間隙、導(dǎo)線線徑、導(dǎo)線材質(zhì)等參數(shù)，調(diào)節(jié)RF線圈的電感值，調(diào)控RF基卡的頻率。
[0051]圖2是本發(fā)明實施例提供的一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖1、圖2所示，對本發(fā)明實施例所提供的一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡制造過程進(jìn)一步進(jìn)行解釋。
[0052]首先在PVC或ABS等材料制得的卡基板I的某位置銑出孔2，孔2的長寬應(yīng)略大于多層布線式薄膜電容器的長寬，機(jī)器設(shè)備自動地將多層布線式薄膜電容器7放置在孔2中，然后用超聲波繞線技術(shù)將RF線圈3的輸入端4跨過孔2，再按照RF線圈3的形狀，依次將RF線圈3埋入基板I上，制得RF線圈3，輸出端6同樣跨過孔2，因此，RF線圈3的兩端4和6并列布置在孔2的上方，也即RF線圈3的輸入端4和輸出端6并列放置在多層布線式薄膜電容器7的同一面上。RF線圈3的直徑、線圈的形狀、線圈的間隙等參數(shù)影響RF線圈3的電感和電阻等電學(xué)性能；多層布線式薄膜電容器7的第一電極板8與RF線圈3的輸入端4連接，多層布線式薄膜電容器7的第二電極板9與RF線圈3的輸出端6連接，連接方法有焊錫技術(shù)、珍珠球焊技術(shù)、導(dǎo)電膠粘結(jié)技術(shù)等。這樣，多層布線式薄膜電容器7與RF線圈3構(gòu)成一個LC電路，其頻率由多層布線式薄膜電容器7的電容值與RF線圈3的電感值等參數(shù)決定。
[0053]參見圖3所示，是包括本發(fā)明實施例提供的一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的RF基卡的雙界面IC卡的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，將上述嵌入多層布線式薄膜電容器7和RF線圈3的卡基板I再與PVC或ABS等材料制得的基板10層壓，與雙界面IC卡卡面材料11和12封裝，得到本發(fā)明實施例提供的一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的RF基卡。在基卡的某位置上通過洗槽技術(shù)得到槽13，將包含芯片的載帶電極膜片14嵌入在槽13中，封裝得到耦合式雙界面IC卡，該耦合式雙界面IC卡的RF基卡、載帶電極膜片14等各部分的結(jié)構(gòu)、位置以及封裝質(zhì)量均要求符合智能IC卡的IS0/IEC7816標(biāo)準(zhǔn)及非接觸式智能卡的IS0/IEC15693標(biāo)準(zhǔn)。RF基卡的頻率可以通過多層布線式薄膜電容器的電容值和RF線圈的電感值來控制。本發(fā)明實施例提供的RF基卡特別應(yīng)用于耦合式雙界面IC卡、電子防偽卡等領(lǐng)域。
[0054]參見圖4 (a)、4 (b)、4 (c)所示，是本發(fā)明實施例所提供的三種不同的多層布線式薄膜電容器的結(jié)構(gòu)不意圖。在本發(fā)明的一些實施例中，第一電極板與第二電極板為固體金屬，例如銅、鋁等金屬；電介質(zhì)層的材料包括:環(huán)氧玻璃布層壓板FR4、PET、PC、PETG或聚萘二甲酸乙二醇酯PEN等絕緣材料。
[0055]在本發(fā)明的實施例中，多層布線式薄膜電容器包括第一電極板、第二電極板以及第一電極板與第二電極板之間的電介質(zhì)層，需要通過特殊的布線結(jié)構(gòu)，將第二電極板的接觸面與第一電極板共面，也即第一電極板的焊接位置或引線位置與第二電極板的焊接位置或引線位置共面。
[0056]參見圖4 (a)所示，是本發(fā)明實施例中多層布線式薄膜電容器的第一種結(jié)構(gòu)示意圖，在本發(fā)明的一些實施例中，多層布線式薄膜電容器的第一電極板、電介質(zhì)層以及第二電極板分層依次排列，電介質(zhì)層的長度與第二電極板的長度均大于第一電極板的長度；
[0057]在電介質(zhì)層上有一通過激光燒刻方式或機(jī)械沖壓電介質(zhì)方式刻出的通孔或通槽，裸露出第二電極板，使第一電極板的焊接位置或引線位置與第二電極板的焊接位置或引線位置共面。
[0058]參見圖4 (b)所示，是本發(fā)明實施例中多層布線式薄膜電容器的第二種結(jié)構(gòu)示意圖，在本發(fā)明的一些實施例中，多層布線式薄膜電容器的第一電極板、電介質(zhì)層以及第二電極板分層依次排列，電介質(zhì)層的長度與第二電極板的長度均大于第一電極板的長度；
[0059]多層布線式薄膜電容器還包括一金屬層，金屬層與第一電極板共面，金屬層通過過孔金屬化方式或鉚接方式穿過電介質(zhì)層與第二電極板相連，使第一電極板的焊接位置或弓I線位置與第二電極板的焊接位置或弓I線位置共面。
[0060]參見圖4 (C)所示，是本發(fā)明實施例中多層布線式薄膜電容器的第三種結(jié)構(gòu)示意圖，在本發(fā)明的一些實施例中，多層布線式薄膜電容器的第一電極板、電介質(zhì)層以及第二電極板分層依次排列，電介質(zhì)層的長度大于第一電極板的長度，第二電極板的長度大于電介質(zhì)層的長度；
[0061]第二電極板通過彎折方式彎折到第一電極板的平面，使第一電極板的焊接位置或弓I線位置與第二電極板的焊接位置或弓I線位置共面。
[0062]基于上述實施例，本發(fā)明實施例中多層布線式薄膜電容器的厚度小于400微米，可以保證基卡封裝后表面平整，達(dá)到雙界面IC卡的質(zhì)量要求。
[0063]需要注意的是，本發(fā)明實施例中提供的是三種優(yōu)選的多層布線式薄膜電容器結(jié)構(gòu)，其他多層布線式結(jié)構(gòu)一并在本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍中。
[0064]這樣，本發(fā)明實施例所提供的內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡，其中，多層布線式薄膜電容器的兩電極板共面，可以使薄膜電容器與RF線圈的連接可靠，穩(wěn)定性好；且薄膜電容器厚度小，所制得的基卡表面平整，不會影響雙界面IC卡的外觀質(zhì)量，且多層布線式薄膜電容器制造簡單，成本低，性能穩(wěn)定；同時，能夠使用常規(guī)且成熟的IC卡接線工藝和設(shè)備進(jìn)行大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)，生產(chǎn)效率高，成本低。另外，薄膜電容器的電容值和RF線圈的電感值易調(diào)整，能滿足不同頻率的RF基卡的制造要求，電學(xué)性能高，與載帶電極膜片上的天線模塊產(chǎn)生的耦合效果好。
[0065]需要說明的是，本說明書中各個實施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。
[0066]還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。 [0067]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種內(nèi)嵌多層布線式薄膜電容器的無線射頻RF基卡，其特征在于，所述基卡包括: 多層布線式薄膜電容器、RF線圈、卡基板； 所述多層布線式薄膜電容器包括第一電極板、第二電極板以及所述第一電極板與所述第二電極板之間的電介質(zhì)層，所述第一電極板的焊接位置或引線位置與所述第二電極板的焊接位置或引線位置共面； 所述多層布線式薄膜電容器嵌于所述卡基板中，所述RF線圈采用超聲波繞線方式嵌于所述卡基板中； 所述RF線圈的一端與所述多層布線式薄膜電容器的任一電極板相連，所述RF線圈的另一端與所述多層布線式薄膜電容器的另一電極板相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基卡，其特征在于，所述第一電極板、所述電介質(zhì)層以及所述第二電極板分層依次排列，所述電介質(zhì)層的長度與所述第二電極板的長度均大于所述第一電極板的長度； 在所述電介質(zhì)層上有一通過激光燒刻方式或機(jī)械沖壓電介質(zhì)方式刻出的通孔或通槽，裸露出所述第二電極板，使所述第一電極板的焊接位置或引線位置與所述第二電極板的焊接位置或引線位置共面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基卡，其特征在于，所述第一電極板、所述電介質(zhì)層以及所述第二電極板分層依次排列，所述電介質(zhì)層的長度與所述第二電極板的長度均大于所述第一電極板的長度； 所述多層布線式薄膜電容器還包括一金屬層，所述金屬層與所述第一電極板共面，所述金屬層通過過孔金屬化方式或鉚接方式穿過所述電介質(zhì)層與所述第二電極板相連，使所述第一電極板的焊接位置或引線位置與所述第二電極板的焊接位置或引線位置共面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基卡，其特征在于，所述第一電極板、所述電介質(zhì)層以及所述第二電極板分層依次排列，所述電介質(zhì)層的長度大于所述第一電極板的長度，所述第二電極板的長度大于所述電介質(zhì)層的長度； 所述第二電極板通過彎折方式彎折到所述第一電極板的平面，使所述第一電極板的焊接位置或引線位置與所述第二電極板的焊接位置或引線位置共面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的基卡，其特征在于，所述多層布線式薄膜電容器的厚度小于400微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基卡，其特征在于，所述基卡還包括:卡面材料，所述卡面材料封裝于所述卡基板的外層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基卡，其特征在于，所述RF線圈的兩端通過焊接、導(dǎo)電膠粘結(jié)、珍珠球焊或電阻焊方式與所述多層布線式薄膜電容器的電極板相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基卡，其特征在于，所述卡基板的材料包括: 聚氯乙烯PVC或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基卡，其特征在于，所述卡面材料包括: 聚碳酸酯PC、聚對苯二甲酸乙二醇酯PET、聚對苯二甲酸乙二醇酯-1，4-環(huán)己烷二甲醇酯PETG、聚苯乙烯PS或紙。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基卡，其特征在于，所述第一電極板與所述第二電極板為固體金屬；所述電介質(zhì)層的材料包括:環(huán)氧玻璃布層壓板FR4、PET、PC、PETG或聚萘二甲酸乙二醇酯PEN。
【文檔編號】H01G4/33GK103679258SQ201310753247
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】劉彩鳳, 閭邱祁剛, 王丹寧 申請人:北京豹馳智能科技有限公司, 劉彩鳳