用于制造電子元件的方法
【專利摘要】用于制造電子元件的方法。提供一種載體和一種半導(dǎo)體芯片。連接層被施加到該半導(dǎo)體芯片的第一主面。該連接層包括多個(gè)凹陷部。填料被施加到該連接層或該載體。該半導(dǎo)體芯片被附著到該載體，使得該連接層被設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片和該載體之間。該半導(dǎo)體芯片被附接到該載體。
【專利說明】己中，這種應(yīng)力可導(dǎo)致半導(dǎo)體基板的強(qiáng)烈變印如激光鉆孔、層壓、線結(jié)合等?？偟膩碚f，
I勺工藝步驟的可靠性。因此，需要一種能夠體之間提供穩(wěn)定和永久可靠的連接的互連
步的理解并且被并入和構(gòu)成該說明書的一@釋實(shí)施例的原理。將容易領(lǐng)會(huì)其它實(shí)施例描述它們將變得更好理解。這些圖的元件專相應(yīng)的相似部分。
&件的方法的流程圖；
有接觸柱的半導(dǎo)體芯片的示意生的截面?zhèn)葓D28)，用以說明根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的制作電
=填充填充材料之后的圖2的組件的示意性知結(jié)構(gòu)和元件以便便于描述實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面。應(yīng)該理解在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以利用其它實(shí)施例并且可以作出結(jié)構(gòu)或邏輯變化。應(yīng)該進(jìn)一步注意到各圖不是按比例或者不必要按比例。
[0011]另外，雖然可以相對(duì)于幾個(gè)實(shí)施方式中的僅一個(gè)來公開實(shí)施例的特定特征或方面，但是在對(duì)于任何給定的或特定的應(yīng)用可以是所需的和有利的時(shí)，這樣的特征或方面可以與其它實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)其它特征或者方面相結(jié)合。此外，就在詳細(xì)的描述或者權(quán)利要求中使用的術(shù)語“包括”，“具有”，“有”或者其其它變體來說，這樣的術(shù)語以與術(shù)語“包含”相似的方式旨在是包括一切的(111011181%)?？梢允褂眯g(shù)語“耦合”和“連接”以及派生詞。應(yīng)該理解這些術(shù)語可以被用來表示兩個(gè)元件互相協(xié)作或互相作用，不管它們是直接物理或電接觸，還是它們不是互相直接接觸。而且，術(shù)語“示例性的”僅意指作為示例，而不是最好的或最佳的。因此，下面詳細(xì)的描述不是在限制性意義上來進(jìn)行的，并且本發(fā)明的范圍被所附權(quán)利要求限定。
[0012]電子元件和制造電子元件的方法的實(shí)施例可使用多種類型的半導(dǎo)體芯片或集成在半導(dǎo)體芯片中的電路，在它們之中有邏輯集成電路，模擬集成電路，混合信號(hào)集成電路，傳感器電路，1213(微機(jī)電系統(tǒng))，功率集成電路，具有集成無源器(1=1:6取'￡11:6(1 (68881^68)的芯片等。實(shí)施例也可以使用半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括服)3晶體管結(jié)構(gòu)或者垂直晶體管結(jié)構(gòu)，比如例如，1681(絕緣柵雙極晶體管)結(jié)構(gòu)或者通常是其中至少一個(gè)電接觸焊盤被布置在半導(dǎo)體芯片的第一主面上并且至少一個(gè)其它電接觸焊盤被布置在與半導(dǎo)體芯片的第一主面相對(duì)的半導(dǎo)體芯片的第二主面上的晶體管或其它結(jié)構(gòu)或器件。
[0013]在幾個(gè)實(shí)施例中，層或者層堆疊被施加到彼此或者材料被施加或者沉積到層上。應(yīng)該領(lǐng)會(huì)到任何這樣的術(shù)語如“被施加”或者“被沉積”意味著字面上覆蓋將層施加到彼此之上的所有種類和技術(shù)。特別地，它們意味著覆蓋其中各層作為整體被同時(shí)施加的技術(shù)，比如，例如層壓技術(shù)以及其中層以順序的方式被沉積的技術(shù)，比如，例如濺射，電鍍，模塑，口0
坐寸。
[0014]半導(dǎo)體芯片可以包括在其外表面的一個(gè)或多個(gè)上的接觸元件或接觸焊盤，其中接觸元件用于電接觸半導(dǎo)體芯片。接觸元件可以具有任何所需的外形或形狀。它們可以例如具有接觸面(1311(1)的形式，即在半導(dǎo)體芯片的外表面上的平的接觸層?？梢杂扇魏螌?dǎo)電材料，例如由金屬(諸如如鋁，金，或銅)或者金屬合金，或者導(dǎo)電有機(jī)材料，或者導(dǎo)電半導(dǎo)體材料來制成接觸元件或者接觸焊盤。
[0015]在權(quán)利要求中并且在下面的描述中，尤其在流程圖中，用于制作電子元件的方法的不同實(shí)施例被描述為特定順序的工藝或者測量。應(yīng)該注意到實(shí)施例不應(yīng)被限制到描述的特定順序。不同工藝或者測量的特定的一些或者全部也可以同時(shí)地或者以任何其它有益的和適當(dāng)?shù)捻樞騺磉M(jìn)行。
[0016]參見圖1，示出 了一種用于制造電子模塊的方法的流程圖。圖1中的方法100包括提供載體(110),提供半導(dǎo)體芯片(120),將連接層施加到所述半導(dǎo)體芯片的第一主面，所述連接層包括多個(gè)凹陷部(130),施加填充材料到連接層或載體(140),利用連接層將所述半導(dǎo)體芯片附著到所述載體(150),并施加熱、壓力和超聲中的一個(gè)或多個(gè)來將所述半導(dǎo)體芯片固定到所述載體(160).[0017]所述填充材料可直接填充在連接層的凹陷部中，或其可以被施加到在連接層之間接層的凹陷部可以具有任何想要的外形和，或它們可在外形和形狀上不同，其中多個(gè):述凹陷部或它們的一部分可以具有深度使勺止，或者所述凹陷部或它們的一部分可以隹芯片的第一主面。所述凹陷部或它們的一1形截面。所述柱的布局也可以被調(diào)整到載面載體限定至少一個(gè)平面。
容部可由連接層的柱來限定，其中所述凹陷美有在從5 4 111-50 4 III范圍內(nèi)的橫向尺寸和&可以在從5 9 111-50 9 111范圍內(nèi)?？梢赃x擇空間形成的凹陷部可以是鄰接的或是不鄰被形成為規(guī)則圖案，特別是方格圖案，在這司的空間體積，或者在非常多的柱或大面積了以占據(jù)總面積的僅一小部分。
連接基層施加到所述半導(dǎo)體芯片的主面上[0028]根據(jù)圖1中的方法100的實(shí)施例，該半導(dǎo)體芯片由半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體芯片區(qū)域構(gòu)成，其中該半導(dǎo)體晶片包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片區(qū)域。該多個(gè)半導(dǎo)體芯片區(qū)域可包括共用的第一主面。該連接層可在晶片級(jí)基礎(chǔ)上被施加，以及特別地，向凹陷部中填充填充材料也可在晶片級(jí)基礎(chǔ)上進(jìn)行。然后，該半導(dǎo)體晶片被分離成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片。其中一個(gè)半導(dǎo)體芯片可然后如前述那樣附著到載體并固定到該載體。
[0029]參考圖2-4，示出了用于說明用于制作電子元件的方法的示意圖。圖2八和28示出了半導(dǎo)體芯片200和施加到該半導(dǎo)體芯片200的連接層250的截面圖(八)和俯視圖(8)。圖2八是沿圖28中的八-八線的截面圖。該半導(dǎo)體芯片200可由例如硅芯片構(gòu)成，并可進(jìn)一步地由具有設(shè)置在該半導(dǎo)體芯片200的第一主面上的第一接觸層210和設(shè)置在與該第一主面相對(duì)的第二主面上的第二和第三接觸層220和230的芯片構(gòu)成。該半導(dǎo)體芯片200可例如由垂直晶體管芯片(比如例如1681(絕緣柵雙極晶體管))構(gòu)成。該第一、第二和第三接觸層210、220和230可以是1(^81的漏極、源極和柵極接觸層。該半導(dǎo)體芯片200可具有在從50 4 111-800 4 III的范圍內(nèi)的厚度，特別是在從50 4 1-11-300 4 III的范圍內(nèi)，特別是在從50 ^ 0-100 ^ 0的范圍內(nèi)。該半導(dǎo)體芯片200可以是單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片或者是半導(dǎo)體晶片內(nèi)的半導(dǎo)體芯片區(qū)域。
[0030]該連接層250可由規(guī)則的接觸柱陣列251以及這些接觸柱251之間的中間空間(凹陷部)252構(gòu)成。如圖28中所示，接觸柱251和中間空間252的布置可以是棋盤圖案的布置，這意味著接觸柱251的總數(shù)和中間空間252的總數(shù)占據(jù)同樣的空間體積。在圖28中所示的實(shí)施例中，中間空間252彼此分開。然而，也可以是這種情況，即接觸柱251在彼此之間具有較小的橫向尺寸或較大的距離，使得接觸柱251之間的中間空間252彼比連接并在管芯接觸柱251之間形成鄰接的空的空間。接觸柱251可具有矩形截面和垂直側(cè)壁，以及中間空間252也可具有矩形截面和垂直側(cè)壁。柱251也可具有任何其他所需的形狀，如1-或乂-狀形狀，以及也可具有非垂直側(cè)壁，優(yōu)選是相對(duì)平面有超過90。的角度的那些側(cè)壁。接觸柱251可具有寬度，即在從5 4 11-50 4 III的范圍內(nèi)的側(cè)面邊緣長度和在從5^111-3011111的范圍內(nèi)的高度。接觸柱251可由金屬材料制成，比如例如銅。它們可通過沉積銅層以及然后通過例如光刻技術(shù)和蝕刻去除預(yù)定的部分來制造。預(yù)定的部分被預(yù)期成為中間空間252。作為替換，也可通過掩模來沉積該銅層，其中該掩模的掩蔽部分限定沒有銅將被沉積的區(qū)域，即與中間空間252對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
[0031]參考圖3，示出了在沉積填充材料300到中間空間252中之后如圖2八所示的組件的示意截面圖。填充材料300可以是下述中的一種或多種 :可熱收縮的材料、導(dǎo)電材料、絕緣材料、粘合劑材料、聚合物材料、不導(dǎo)電膏劑(冗?)、不導(dǎo)電箔、和任何種類的填充有顆粒的主材料，特別是導(dǎo)電顆粒或絕緣顆粒，特別是微米或納米顆粒。填充材料可以，特別地，由固有導(dǎo)電聚合物構(gòu)成，比如例如摻雜或不摻雜的聚噻吩(聚3，4(1乙撐二氧噻吩$017-(3, 4-61:1171611(110^71:11101)611))，其可填充有導(dǎo)電或絕緣顆粒。填充材料300可根據(jù)填充材料300的種類和性質(zhì)通過不同的方法和技術(shù)來沉積。填充材料300可以例如通過旋涂、層壓、印刷或利用刮刀或刮板進(jìn)行涂覆而被填充到中間空間252之中或之上。
[0032]參考圖4，示出了在將其附著到載體400(比如例如引線框)之后圖3的組件的截面圖。引線框400可例如由銅或銅合金制成。引線框400可包括第-上表面410和與該上表面410相對(duì)的第二下表面420。引線框400可在其整個(gè)表面處或儀在連接電子元件所在的第一表面410上具有銀或鎳鍍層，其厚度在從50011111-5 0 111的范圍內(nèi)。
[0033]圖3所示的包括半導(dǎo)體芯片200、連接層250和填充材料300的組件被附著到引線框400的第一表面410。然后可以施加壓力、熱和超聲中的一種或多種以便將半導(dǎo)體芯片固定到引線框400，使得最初只在半導(dǎo)體芯片200、連接層250、填充材料300和引線框400之間建立適形連接江0:011 001111601:1011) 0可以從上方和下方施加壓力來將半導(dǎo)體芯片200和引線框400壓在一起，以及可施加在1001 -2501，或1501 -2001范圍內(nèi)的溫度達(dá)1-10分鐘來將連接層250的下表面和填充材料300固定到引線框400的上表面。作為對(duì)熱處理的替換或者除了熱處理之外，超聲輻射可指向半導(dǎo)體芯片200和引線框400之間的接合點(diǎn)。
[0034]如上所述的這種處理的結(jié)果將是，在填充材料300和接觸柱251之間、在填充材料300和引線框400之間、以及在接觸柱251和引線框400之間產(chǎn)生粘性結(jié)合。由于填充材料的性質(zhì)，填充材料300的熱收縮性是不可逆轉(zhuǎn)的，使得在這些元件之間的粘性結(jié)合將是穩(wěn)定的和永久可靠的。在半導(dǎo)體芯片的電子器件的操作中，特別是垂直晶體管，由于施加的電壓、以及因電擴(kuò)散和電遷移以及所得到的從接觸接合點(diǎn)中的任一個(gè)的一側(cè)到另一側(cè)的原子擴(kuò)散導(dǎo)致的流過接觸的電流，粘性結(jié)合可甚至被進(jìn)一步增強(qiáng)。而且，填充材料300可用作針對(duì)可能出現(xiàn)在連接層(即接觸柱251)中的機(jī)械誘發(fā)裂紋或裂縫的屏障。因此，不僅在連接的穩(wěn)定性方面有優(yōu)勢，而且在由基于焊料的接觸化所產(chǎn)生的電遷移方面也有優(yōu)勢。
[0035]參考圖5，示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電子元件的示意截面?zhèn)纫晥D。電子元件500包括載體510、包括主面521和在后表面處的第一接觸層522的半導(dǎo)體芯片520、施加到半導(dǎo)體芯片520的主面521的接觸層530、包括多個(gè)凹陷部531的連接層530、設(shè)置于凹陷部531內(nèi)的填充材料540，其中連接層530設(shè)置于半導(dǎo)體芯片520和載體510之間。
[0036]該電子元件可具有如上面結(jié)合制作方法描述的任何進(jìn)一步的特征。以下僅描述幾個(gè)重要特征。`
[0037]根據(jù)圖5的電子兀件500的一個(gè)實(shí)施例，載體510由導(dǎo)電材料構(gòu)成。特別地，載體510可包括引線框或任何其它的金屬載體。載體510也可包括在其主面上具有金屬化區(qū)域的絕緣材料或印刷電路板$(?)或任何其它基板。
[0038]根據(jù)圖5的電子元件500的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片520包括第一主面和與該第一主面相對(duì)的第二二主面，其中至少一個(gè)電接觸焊盤被布置在該第一主面上，以及至少一個(gè)電接觸焊盤被布置在該第二主面上。根據(jù)其一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片520包括垂直晶體管結(jié)構(gòu)，比如例如，絕緣柵雙極晶體管)結(jié)構(gòu)。
[0039]根據(jù)圖5的電子元件500的一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片520可包括任何種類的電子器件或并入在半導(dǎo)體芯片中的電子電路，在它們之中有邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號(hào)集成電路、傳感器電路、腿13 (微機(jī)電系統(tǒng))、功率集成電路、晶體管，比如例如103晶體管、1681晶體管或垂直晶體管。
[0040]根據(jù)圖5的電子元件500的一個(gè)實(shí)施例，連接層530的凹陷部531可以具有任何所需的外形和形狀。特別地，凹陷部531可具有相同的外形和形狀，或者它們可以在外形和形狀方面是不同的，其中該多個(gè)凹陷部531中的一部分也可在外形和形狀方面是相同的。凹陷部531或其一部分可以具有深度，使得它們穿過層530直到半導(dǎo)體芯片520的第一主面521，或者凹陷部531或其一部分可具有深度，使得它們不穿過層530直到半導(dǎo)體芯片520的第一主面521。凹陷部531或其一部分可具有垂直側(cè)壁。凹陷部531可具有矩形截面。
[0041]根據(jù)圖5的電子元件500的一個(gè)實(shí)施例，凹陷部531可由層530的柱550來限定，其中凹陷部531由柱550之間的中間空間構(gòu)成。例如，柱550可具有在5 ^11-50 4 11范圍內(nèi)的橫向尺寸和在10 11 111-30 9 III范圍內(nèi)的高度。柱550之間的距離可以在5 11 111-50 9 III范圍內(nèi)或更大?？梢赃x擇柱550的尺寸和柱550之間的距離，使得由柱550之間的中間空間形成的凹陷部531可以是鄰接的或不鄰接的。根據(jù)一個(gè)例子，柱550以及它們之間的中間空間可以形成為規(guī)則的圖案，特別是方格圖案，在這種情況下，柱550和它們之間的中間空間占據(jù)相同的空間體積。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，由柱550所占據(jù)的面積與總面積相比小得多。
[0042]根據(jù)圖5的電子兀件500的一個(gè)實(shí)施例,連接層530或柱550可由導(dǎo)電材料構(gòu)成，比如例如銅或任何其它金屬材料。
[0043]根據(jù)圖5的電子元件500的一個(gè)實(shí)施例，連接層530或柱550可由絕緣材料構(gòu)成。
[0044]根據(jù)圖5的電子元件500的一個(gè)實(shí)施例，包括多個(gè)凹陷部的連接層530可由光刻方法或剝離方法制造。
[0045]根據(jù)圖5的電子元件500的一個(gè)實(shí)施例，填充材料540由下述中的一種或多種構(gòu)成:可熱收縮的材料、導(dǎo)電材料、絕緣材料、聚合物材料、粘合劑材料、和作為填充有顆粒的主材料的以上所提到的材料中的任一個(gè)，特別是導(dǎo)電顆粒、絕緣顆粒、以及微米顆?；蚣{米顆粒中的一種或多種。
[0046]參考圖6，示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電子元件的示意性截面?zhèn)纫晥D。圖6的電子元件600是圖5的電子元件500的進(jìn)一步開發(fā)。至于使用相同的參考標(biāo)記，這里不再重復(fù)相應(yīng)元件的描述。電子元件600另外包括在半導(dǎo)體芯片520的前表面上的第二和第三接觸層523和524，其中另一連接層560被施加到接觸層523和524。連接層560可以以與連接層530相同的方式來形成，即，通過包含由柱580限定的凹陷部570。在稍后階段中，連接元件可以以與如上所述用于半導(dǎo)體芯片的背面相同的方式通過使用填充材料連接到連接層560。[0047]雖然已經(jīng)相對(duì)于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式示出和描述了本發(fā)明，但是在不脫離所附權(quán)利要求的精神和范圍的情況下，可以作出對(duì)圖示示例的改變和域修改。尤其關(guān)于由上面描述的部件或結(jié)構(gòu)(組件，器件，電路，系統(tǒng)等)所執(zhí)行的各種功能，除非另外表明，用來描述這種部件的術(shù)語(包括對(duì)“裝置”的引用)旨在對(duì)應(yīng)于執(zhí)行所描述部件的指定功能的任何部件或結(jié)構(gòu)(例如，其是功能上等同的)，即使結(jié)構(gòu)上不等同于執(zhí)行本發(fā)明于此示出的示例性實(shí)施方式中的功能的公開結(jié)構(gòu)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制作電子元件的方法，該方法包括: 提供載體； 提供半導(dǎo)體芯片； 施加連接層到該半導(dǎo)體芯片的第一主面，該連接層包括多個(gè)凹陷部； 施加填充材料到該連接層或到該載體； 將該半導(dǎo)體芯片附著到該載體，使得該連接層位于該半導(dǎo)體芯片和該載體之間；以及 施加熱和壓力中的一個(gè)或多個(gè)以將該半導(dǎo)體芯片固定到該載體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中施加該連接層包括施加一層到該半導(dǎo)體芯片的第一主面并去除該層的預(yù)定部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中去除預(yù)定部分包括通過激光結(jié)構(gòu)化或蝕刻來去除所述預(yù)定部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中凹陷部彼此具有相同外形、相同尺寸和相同距離中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該填充材料包括可熱收縮的材料。
6.根據(jù)權(quán) 利要求1所述的方法，其中該填充材料包括導(dǎo)電材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該填充材料包括絕緣材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該填充材料包括粘合劑材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該填充材料包括填充有導(dǎo)電顆粒的主材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中: 提供該半導(dǎo)體芯片包括提供半導(dǎo)體晶片； 該半導(dǎo)體晶片包括多個(gè)芯片區(qū)域； 該連接層被施加到該半導(dǎo)體晶片的第一主面； 該填充材料被填充到凹陷部中；以及 該方法還包括將晶片分離成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片。
11.一種用于制作電子元件的方法，該方法包括: 提供載體； 提供包括多個(gè)芯片區(qū)域的半導(dǎo)體晶片； 施加連接層到該半導(dǎo)體晶片的第一主面，該連接層包括多個(gè)凹陷部； 用填充材料填充凹陷部； 將該晶片分離成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片；以及 將具有主面的半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)附著到該載體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括施加熱、壓力和超聲中的一種或多種以將該半導(dǎo)體芯片固定到該載體。
13.一種電子元件，包括: 載體； 具有第一主面的半導(dǎo)體芯片； 施加到該半導(dǎo)體芯片的第一主面的連接層，該連接層包括多個(gè)凹陷部； 該連接層設(shè)置在該半導(dǎo)體芯片和該載體之間；以及 設(shè)置在該載體和該連接層之間的填充材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子元件，其中凹陷部彼此具有相同外形、相同尺寸和相同距離中的一種或多種。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子元件，其中該填充材料由可熱收縮的材料構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子元件，其中該填充材料包括導(dǎo)電材料。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子元件，其中該填充材料包括絕緣材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子元件，其中該填充材料包括粘合劑材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子元件，其中該填充材料包括填充有導(dǎo)電顆粒的主材料。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子元件，其中該半導(dǎo)體芯片包括具有在該第一主面處的第一電接觸元件和在與該第一主面相對(duì)的第二主面處的第二電接觸元件的電器件。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子元件，其中該電器件包括垂直晶體管、103晶體管、1(?晶體管或功率晶體管。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電子元件，還包括設(shè)置在該第一電接觸元件上的導(dǎo)電層，其中凹陷部形成在該導(dǎo)電層中。
23.根據(jù)權(quán)利要 求13所述的電子元件，其中該半導(dǎo)體芯片還包括與該第一主面相對(duì)的第二主面，該電子元件還包括施加到該半導(dǎo)體芯片的第二主面的另一連接層，該另一連接層包括多個(gè)凹陷部。
24.—種電子元件,包括: 載體； 包括主面的半導(dǎo)體芯片； 施加到該半導(dǎo)體芯片的主面的連接層，該連接層包括多個(gè)隆起，其中該連接層設(shè)置于該半導(dǎo)體芯片和該載體之間；以及 設(shè)置在所述隆起之間的中間空間中的填充材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電子元件，其中所述隆起被形成為柱，所述柱具有垂直側(cè)面。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電子元件，其中所述隆起彼此具有相同外形、相同尺寸和相同距離中的一個(gè)或多個(gè)。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電子元件，其中所述隆起以規(guī)則的方式布置。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK103839842SQ201310757117
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月19日
【發(fā)明者】E·菲爾古特, K·侯賽因, J·馬勒, G·邁爾-貝格 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司