柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制造方法
【專利摘要】提供了一種柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制造方法。在該柔性電致發(fā)光裝置中，在位于柔性印刷電路板所連接到的焊盤區(qū)中的多個(gè)無機(jī)層的表面上形成線孔圖案，以防止由有機(jī)電致發(fā)光裝置的反復(fù)彎曲和伸展所引起的裂縫的路徑擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部。
【專利說明】柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光裝置(或有機(jī)發(fā)光顯示裝置)。更具體地，本發(fā)明涉及一種能夠使由具有在容易產(chǎn)生裂縫(crack)的焊盤區(qū)或者包括該焊盤區(qū)的非顯示區(qū)中形成的線孔(line hole)的臺(tái)階部分產(chǎn)生裂縫最小化的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光裝置是平板顯示器(FPD)中的一種，具有高亮度和低操作電壓的特性。另外，因?yàn)橛袡C(jī)電致發(fā)光裝置是自發(fā)光裝置，所以有機(jī)電致發(fā)光裝置具有大的對(duì)比度，能夠被用作超薄顯示器，具有與幾微秒(US) —樣快的響應(yīng)時(shí)間以便于實(shí)現(xiàn)視頻，在視角方面沒有限制，在低溫下穩(wěn)定，并且以直流電流的從5V至15V范圍內(nèi)的低電壓驅(qū)動(dòng)。
[0003]另外，有機(jī)電致發(fā)光裝置的制造工藝僅需要沉積和封裝設(shè)備，因此非常簡單。
[0004]將具有上述特性的有機(jī)電致發(fā)光裝置劃分為無源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置和有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置。在無源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置中，掃描線和信號(hào)線以矩陣形式交叉，并且為了驅(qū)動(dòng)各像素，掃描線隨時(shí)間被順序地驅(qū)動(dòng)。因此，為了獲得所需的平均亮度，需要獲得與通過將線的數(shù)量乘以平均亮度所獲得的值相對(duì)應(yīng)的瞬間亮度(即瞬間亮度與平均亮度和線的數(shù)量的乘積一樣高)。
[0005]然而，在有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置中，薄膜晶體管(TFT)被用作接通或斷開像素區(qū)的開關(guān)元件，并且設(shè)置在各像素區(qū)中。TFT連接至電源線和各像素區(qū)中的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
[0006]在這種情況下，連接至驅(qū)動(dòng)TFT的第一電極通過像素區(qū)被接通和斷開，并且面對(duì)第一電極的第二電極可以用作公共電極。第一電極和第二電極與插入在第一電極和第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層一起形成0LED。
[0007]在具有前述特性的有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置中，施加至像素區(qū)的電壓充入存儲(chǔ)電容器Cst，以提供電力，直到施加下一幀信號(hào)為止，由此在單個(gè)畫面期間不管掃描線的數(shù)量而連續(xù)地驅(qū)動(dòng)裝置。
[0008]因此，盡管施加了低電流，但可以獲得相同的亮度，具有耗電少的優(yōu)點(diǎn)，可以獲得小點(diǎn)距(pitch)，并且可以增加顯示尺寸。這些特征使得增加了有源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置的通常使用。
[0009]將參照?qǐng)D1和圖2描述相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0010]圖1是相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置的平面圖。
[0011]圖2是沿著圖1中的線I1-1I截取的相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置的截面圖。
[0012]在圖1的相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置10中，在基板(未示出)中限定顯示區(qū)AA，在顯示區(qū)AA的外部限定具有焊盤區(qū)H)的非顯示區(qū)(未示出)，在顯示區(qū)AA中設(shè)置被限定為由選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)所占據(jù)的區(qū)域的多個(gè)像素區(qū)(未示出)，并且電源線(未示出)被設(shè)置為與數(shù)據(jù)線(未示出)平行。
[0013]在各像素區(qū)(未示出)中形成TFT。
[0014]在相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置10中，用保護(hù)膜(圖2中的47)封裝形成有TFT和有機(jī)電致發(fā)光元件(或0LED)E的基板(圖2中的11)。
[0015]詳細(xì)地，如圖2所示，在基板11中限定顯示區(qū)AA，并且在顯示區(qū)AA的外部限定包括焊盤區(qū)ro的非顯示區(qū)。在顯示區(qū)AA中設(shè)置通過由選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)形成的區(qū)域所限定的多個(gè)像素區(qū)(未示出)，并且電源線(未示出)被設(shè)置為與數(shù)據(jù)線(未示出)平行。
[0016]這里，在用玻璃材料制成的基板11上形成聚酰亞胺層15，并且在聚酰亞胺層15和基板11之間形成犧牲層(sacrificial layer) 13。
[0017]在聚酰亞胺層15上形成用絕緣材料(例如，作為無機(jī)絕緣材料的硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx))制成的緩沖層17。
[0018]另外，在顯示區(qū)AA的各像素區(qū)中在緩沖層(未示出)上方形成有源層19。有源層19包括用純多晶硅制成并具有形成溝道的中心部分的溝道區(qū)19a、形成在溝道區(qū)19a的兩側(cè)并高濃度摻雜的源區(qū)1%和漏區(qū)19c。
[0019]在包括有源區(qū)19的緩沖層(未示出)上形成柵絕緣層21，并且柵極23被形成為在柵絕緣層21的上方與各有源層19的溝道區(qū)19a相對(duì)應(yīng)。
[0020]另外，選通線(未示出)被形成為在柵絕緣層21的上方沿一個(gè)方向從柵極23延伸。
[0021]在柵極23和選通線(未示出)的上方在顯示區(qū)的整個(gè)表面上形成層間絕緣層25。在這種情況下，層間絕緣層25和下面的柵絕緣層21包括分別將設(shè)置在各有源層的溝道區(qū)19a的兩側(cè)的源區(qū)19b和漏區(qū)19c露出的接觸孔(未示出)。
[0022]另外，在包括接觸孔(未示出)的層間絕緣層25的上方形成數(shù)據(jù)線(未示出)。數(shù)據(jù)線與選通線(未示出)交叉以限定像素區(qū)，并且用金屬制成。電源線(未示出)形成為與數(shù)據(jù)線隔開。這里，還可以在形成有選通線(未示出)的層上(即，在柵絕緣層上)將電源線(未示出)形成為與選通線隔開并且與選通線(未示出)平行。
[0023]在層間絕緣層25上形成源極27a和漏極27b。源極27a和漏極27b彼此隔開，分別與通過接觸孔(未示出)露出的源區(qū)1%和漏區(qū)19c相接觸，并且用與數(shù)據(jù)線(未示出)相同的金屬制成。在這種情況下，順序堆疊的有源層19、柵絕緣層21、柵極23和層間絕緣層25以及形成為彼此隔開的源極27a和漏極27b全部形成TFT (T)。
[0024]在TFT上形成具有將TFT (T)的漏極27b露出的漏接觸孔的第一鈍化層31和平整層33。
[0025]另外，在平整層33上形成第一電極35。第一電極35通過漏接觸孔與TFT(T)的漏極27b接觸，并且通過像素區(qū)分開。
[0026]在第一電極35上形成像素限定層37以獨(dú)立地形成各像素區(qū)。在這種情況下，像素限定層37設(shè)置在相鄰的像素區(qū)之間。
[0027]有機(jī)發(fā)光層39形成在由像素限定層37圍繞的各像素區(qū)內(nèi)的第一電極上，并且包括發(fā)出紅光、綠光和藍(lán)光的發(fā)光層(未不出)。
[0028]另外，基本在顯示區(qū)AA的整個(gè)表面上(包括在有機(jī)發(fā)光層39和像素限定層37上)形成第二電極41。在這種情況下，第一電極35、第二電極41以及插入在兩個(gè)電極35和41之間的有機(jī)發(fā)光層39形成有機(jī)電致發(fā)光元件E。
[0029]在包括第二電極41的基板的整個(gè)表面上形成有機(jī)層43，并且在有機(jī)層43上形成第二鈍化層45。
[0030]阻擋膜(barrier film) 47設(shè)置在第二鈍化層45上，以對(duì)有機(jī)電致發(fā)光元件E進(jìn)行封裝并防止?jié)駳馔高^。壓敏粘合劑(PSA)(未示出)被插入以完全且緊密地附接到基板11和阻擋膜47，而沒有空氣層。在阻擋膜47上設(shè)置偏振板53。在這種情況下，第二鈍化層45、PSA和阻擋膜47形成面密封結(jié)構(gòu)。
[0031]以這種方式，通過PSA將基板11和阻擋膜47固定以形成面板狀態(tài)，構(gòu)成相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0032]為了將如上所述配置的有機(jī)電致發(fā)光裝置10制造為柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，首先，清洗有機(jī)電致發(fā)光裝置10的基板11的后表面，并且照射激光以將插入在基板11和聚酰亞胺層15之間的犧牲層13分開，從而將基板11從有機(jī)電致發(fā)光裝置10剝離(delaminate)。
[0033]之后，在分開的有機(jī)電致發(fā)光裝置的聚酰亞胺層15的表面上層壓背板，以形成柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0034]然而，當(dāng)將基板11與有機(jī)電致發(fā)光裝置分開以制造柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置時(shí)，由于構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光裝置的阻擋膜47、偏振板53和TFT(T)的自應(yīng)力而導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光裝置10彎曲。
[0035]圖3是示出裂縫從有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)擴(kuò)展以在有機(jī)電致發(fā)光裝置中引起卷曲(curling)現(xiàn)象的情境的相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置的示意性立體圖。
[0036]如圖3所示，在沒有基板11的聚酰亞胺層15的表面上層壓背板(未示出)的工藝期間，反復(fù)彎曲和伸展而在脆弱(weak)區(qū)(例如，柔性印刷電路板(FPCB)所連接到的焊盤區(qū)PD)中產(chǎn)生裂縫C，并且裂縫C甚至擴(kuò)展至TFT部分，導(dǎo)致有缺陷的有機(jī)電致發(fā)光裝置。具體地，在去除了基板11之后，構(gòu)成焊盤區(qū)H)的這些層大部分是無機(jī)層，并且聚酰亞胺層15是易碎的以至于容易產(chǎn)生裂縫。因此，在制造相關(guān)技術(shù)的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的過程中，因?yàn)橛捎诜磸?fù)彎曲和伸展而導(dǎo)致在FPCB所連接到的焊盤區(qū)H)(即脆弱區(qū))中產(chǎn)生到裝置內(nèi)的TFT的裂縫C，所以制造了有缺陷的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0037]另外，在后續(xù)工藝期間裂縫增加，而與面板的信號(hào)線干擾，這導(dǎo)致了有缺陷的驅(qū)動(dòng)和有缺陷的屏幕。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0038]因此，本發(fā)明致力于一種基本避免了由于相關(guān)技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)所導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè)問題的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制造方法。
[0039]本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于提供一種柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中，在位于FPCB所連接到的焊盤區(qū)(由于在制造有機(jī)電致發(fā)光裝置時(shí)的反復(fù)彎曲和伸展，導(dǎo)致所述焊盤區(qū)脆弱)中的多個(gè)無機(jī)層的表面上形成線孔圖案，以重定向裂縫路徑，使得裂縫不擴(kuò)展到裝置的內(nèi)部。因此，使對(duì)柔性有機(jī)電致裝置的損壞最小化。
[0040]為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本說明書的目的，如這里實(shí)現(xiàn)和廣義描述的，一種柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置包括:基板，其具有包括多個(gè)像素區(qū)的顯示區(qū)和在所述顯示區(qū)的外部的包括焊盤區(qū)的非顯示區(qū)；多個(gè)薄膜晶體管(TFT)，其形成在所述基板上的各個(gè)所述像素區(qū)中；層間絕緣層和鈍化層，其形成在包括所述TFT的所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)的所述焊盤區(qū)中的所述非顯示區(qū)中；至少一個(gè)線孔圖案，其形成在位于所述非顯示區(qū)的所述層間絕緣層和所述鈍化層中的至少一個(gè)中；第一電極，其形成在所述平整層上并在各像素區(qū)中，并且連接至各TFT的漏極；像素限定層，其形成在包括所述第一電極和所述非顯示區(qū)的所述基板的各像素區(qū)的周圍；有機(jī)發(fā)光層，其分開地形成在所述第一電極上并在各像素區(qū)中；以及第二電極，其形成在所述顯示區(qū)的整個(gè)表面上并在所述有機(jī)發(fā)光層的上方。
[0041]為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本說明書的目的，如這里實(shí)現(xiàn)和廣義描述的，一種制造有機(jī)電致發(fā)光裝置的方法包括以下步驟:提供基板，在所述基板中限定了包括多個(gè)像素區(qū)的顯示區(qū)和所述顯示區(qū)的外部的包括焊盤區(qū)的非顯示區(qū)；在所述基板上的各個(gè)所述像素區(qū)中形成多個(gè)薄膜晶體管(TFT);在包括所述TFT的所述基板的整個(gè)表面上形成層間絕緣層和鈍化層；在位于所述非顯示區(qū)的所述層間絕緣層和所述鈍化層中的至少一個(gè)中形成至少一個(gè)線孔圖案；在所述鈍化層上形成平整層；在所述平整層上在各像素區(qū)中形成連接至各TFT的漏極的第一電極；在所述基板的包括所述第一電極的各像素區(qū)周圍形成像素限定層；在所述第一電極的上方在各像素區(qū)中形成有機(jī)發(fā)光層；以及在包括所述有機(jī)發(fā)光層的所述顯示區(qū)的所述整個(gè)表面上形成第二電極。
[0042]根據(jù)本實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致裝置及其制造方法，在位于由于在制造有機(jī)電致發(fā)光裝置時(shí)的反復(fù)彎曲和伸展導(dǎo)致的脆弱區(qū)(即FPCB所連接到的焊盤區(qū)或包括焊盤區(qū)的非顯示區(qū))中的多個(gè)無機(jī)層(即柵絕緣層、層間絕緣層和鈍化層)的表面中形成線孔圖案。因此，裂縫的路徑被重定向并且防止擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部，這使對(duì)柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的損壞最小化。
[0043]具體地，因?yàn)樵卩徑懈罹€(scribe line)的脆弱點(diǎn)形成多個(gè)線孔圖案以重定向在脆弱點(diǎn)中的線損壞和裂縫的路徑，所以可以防止作為關(guān)鍵點(diǎn)的面板布線裂縫。
[0044]此外，在制造柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的過程中，對(duì)限定在面板的焊盤區(qū)的上部和下部的邊緣處的修剪線進(jìn)行修剪切割，因?yàn)樵诤副P區(qū)的上部和下部形成曲線孔圖案以圍繞焊盤區(qū)的修剪線，使得裂縫的路徑被重定向并防止擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部，這使對(duì)柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的損壞最小化。
[0045]此外，在制造柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的過程中，對(duì)位于與包括焊盤區(qū)的上部和下部的邊緣的焊盤區(qū)相對(duì)的非顯示區(qū)的上部和下部的邊緣處所限定的修剪線進(jìn)行修剪切割的情況下，因?yàn)樵诎ê副P區(qū)的非顯示區(qū)進(jìn)一步形成從曲線孔圖案延伸的線孔圖案以圍繞修剪線和顯示區(qū)，使得裂縫的路徑被重定向并防止擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部，這使對(duì)柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的損壞最小化。
[0046]本申請(qǐng)的進(jìn)一步的應(yīng)用范圍從下面給出的詳細(xì)描述將變得明顯。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，因?yàn)閷?duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的各種變化和修改根據(jù)詳細(xì)的描述將變得明顯，所以僅通過說明的方式給出了指示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)的描述和特定示例。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0047]附圖被包括以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且所述附圖并入本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分，所述附圖示出示例性實(shí)施方式，并且與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0048]附圖中:
[0049]圖1是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置的平面圖。
[0050]圖2是沿著圖1中的線I1-1I截取的相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置的截面圖。
[0051]圖3是示出裂縫從有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)蔓延以引起有機(jī)電致發(fā)光裝置卷邊的相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光裝置的示意性立體圖。
[0052]圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的平面圖。
[0053]圖5是沿圖4的線V-V截取的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的示意性截面圖。
[0054]圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)的放大截面圖。
[0055]圖7A至圖7S是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制造柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的工藝的截面圖。
[0056]圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的示意性立體圖。
[0057]圖9是示出裂縫的路徑沿多個(gè)線孔圖案繞過的狀態(tài)的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)的放大平面圖。
[0058]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)的線孔圖案的另一個(gè)示例的立體圖。
[0059]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)的線孔圖案的又一個(gè)示例的立體圖。

【具體實(shí)施方式】
[0060]將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0061]下面，將參照附圖詳細(xì)描述實(shí)施方式，以使本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易實(shí)施所述實(shí)施方式。在描述本發(fā)明的過程中，如果認(rèn)為對(duì)相關(guān)的已知功能或結(jié)構(gòu)的詳細(xì)解釋沒必要地偏離了本發(fā)明的要點(diǎn)，則這樣的解釋將會(huì)被省略，但將會(huì)被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解。另外，在整個(gè)說明書中，類似的標(biāo)號(hào)用于類似的部件。
[0062]可以基于所發(fā)射的光傳輸?shù)姆较驅(qū)⒏鶕?jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置劃分為頂部發(fā)光型裝置和底部發(fā)光型裝置。下面，將底部發(fā)光型裝置作為示例進(jìn)行描述。
[0063]將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0064]圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的平面圖。
[0065]圖5是沿圖4的線V-V截取的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的截面圖。
[0066]圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)ro的放大截面圖。
[0067]這里，薄膜晶體管(T)假定與圖5中所示的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T)相同。另外，薄膜晶體管(T)可以被用作開關(guān)薄膜晶體管。
[0068]在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置100中，通過阻擋膜151對(duì)形成有薄膜晶體管(TFT)(未示出)和有機(jī)電致發(fā)光元件E的基板101進(jìn)行封裝。
[0069]詳細(xì)地，參見圖4和圖5，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置100中，在用諸如玻璃制成的基板101上限定顯示區(qū)AA，在顯示區(qū)AA的外部限定具有焊盤區(qū)H)的非顯示區(qū)NA，在顯示區(qū)AA中設(shè)置被限定為通過選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)的交叉而形成的區(qū)域的多個(gè)像素區(qū)(未示出)，并且將電源線(未示出)設(shè)置為與數(shù)據(jù)線(未示出)平行。
[0070]這里，在制造了有機(jī)電致發(fā)光裝置之后，將用例如玻璃制成的基板101剝離，并且將柔性背板(未示出)(圖7S中的161)層壓在剝離的部分上。用柔性玻璃基板或具有柔性的諸如聚酰亞胺膜的柔性材料形成背板161，以使盡管例如將柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置像紙一樣彎曲(或翹曲)，但該裝置仍然作為顯示器進(jìn)行操作。
[0071]另外，在基板101上形成聚酰亞胺層105，并且在聚酰亞胺層105上形成用諸如硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的無機(jī)絕緣材料制成的具有例如多層結(jié)構(gòu)的緩沖層107。在本實(shí)施方式中，在后續(xù)工藝中形成的有源層109下面形成緩沖層107的原因是防止由于當(dāng)有源層109結(jié)晶時(shí)從基板101的內(nèi)部發(fā)射堿離子而導(dǎo)致的有源層109的特性劣化。
[0072]在基板101和聚酰亞胺層105之間形成用非晶硅或硅氮化物(SiNx)制成的犧牲層103。犧牲層103用于在制造了有機(jī)電致發(fā)光裝置之后通過激光照射工藝使基板101容易與聚酰亞胺層105剝離并與聚酰亞胺層105分開。
[0073]另外，在顯示區(qū)AA的各像素區(qū)中在緩沖層107的上方形成有源層109。有源層109包括用純多晶硅制成并具有形成溝道的中心部分的溝道區(qū)109a、形成在溝道區(qū)109a的兩側(cè)并高濃度摻雜的源區(qū)109b和漏區(qū)109c。
[0074]在包括有源層109的緩沖層107上形成柵絕緣層113，并且在柵絕緣層113的上方與各有源層109的溝道區(qū)109a相對(duì)應(yīng)地形成柵極115a?？梢栽诤副P區(qū)H)的長邊方向上(即，在設(shè)置在焊盤區(qū)H)中的層間絕緣層121中與顯示區(qū)AA相對(duì))形成至少一個(gè)線孔圖案125c。
[0075]另外，選通線(未示出)被形成為在柵絕緣層113上方沿一個(gè)方向從柵極115a延伸。柵極115a和選通線(未示出)可以用諸如鋁(Al) 'Al合金(AlNd)、銅(Cu) 'Cu合金、鑰(Mo)和鑰鈦(molytitanium, MoTi)中的任一種的第一金屬材料制成，以具有單層結(jié)構(gòu)，或可以用兩種或更多種的第一金屬材料形成以具有雙層或三層結(jié)構(gòu)。在附圖中，柵極115a和選通線(未示出)被示出為具有單層結(jié)構(gòu)。
[0076]在包括柵極115a和選通線(未示出)的基板的顯示區(qū)的整個(gè)表面上形成層間絕緣層121。用諸如作為無機(jī)絕緣材料的硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的絕緣材料制成層間絕緣層121。在這種情況下，層間絕緣層121和下面的柵絕緣層113包括分別將位于有源層109的溝道區(qū)109a的兩側(cè)的源區(qū)109a和漏區(qū)109c露出的有源層接觸孔(未示出)。
[0077]另外，位于焊盤區(qū)H)中的層間絕緣層121中形成有至少一個(gè)第一線孔圖案125c。這里，第一線孔圖案125C形成在焊盤區(qū)H)的長邊方向上(即，與顯示區(qū)AA相對(duì))。
[0078]另外，在包括有源層接觸孔(未示出)的層間絕緣層121的上方形成數(shù)據(jù)線(未示出)。數(shù)據(jù)線與選通線(未示出)交叉以限定像素區(qū)(未示出)。數(shù)據(jù)線可以用諸如鋁(Al)、Al 合金(AlNd)、銅(Cu)、Cu 合金、鑰(Mo)、鑰鈦(MoTi)、鉻(Cr)和鈦(Ti)中的任一種或兩種或更多種的第二金屬材料制成。電源線(未示出)被形成為與數(shù)據(jù)線隔開。在這種情況下，電源線(未示出)還可以被形成在形成有選通線的層上(即，在柵絕緣層113上)，以使電源線與選通線隔開。
[0079]在層間絕緣層121上形成源極127a和漏極127b。源極127a和漏極127b彼此隔開，分別與通過有源層接觸孔露出的源區(qū)10%和漏區(qū)109c相接觸，并且用與數(shù)據(jù)線(未示出)的材料相同的第二金屬材料制成。在本實(shí)施方式中，順序堆疊的有源層109、柵絕緣層113、柵極115a和層間絕緣層121以及形成為彼此隔開的源極127a和漏極127b形成TFT (T)。
[0080]在附圖中，數(shù)據(jù)線(未示出)、源極127a和漏極127b都被示出為具有單層結(jié)構(gòu)，但是這些還可以具有雙層或三層結(jié)構(gòu)。
[0081]雖然未示出，但在開關(guān)區(qū)域(未示出)中形成TFT。開關(guān)TFT(未示出)電連接至驅(qū)動(dòng)TFT、選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)。S卩，選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)連接至開關(guān)TFT (未示出)的柵極(未示出)和源極(未示出)，并且開關(guān)TFT (未示出)的漏極(未示出)電連接至驅(qū)動(dòng)TFT(T)的柵極。
[0082]同時(shí)，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，例如，驅(qū)動(dòng)TFT(T)和開關(guān)TFT(未示出)具有多晶硅的有源層109并被配置為頂柵型，但是驅(qū)動(dòng)TFT(T)和開關(guān)TFT(未示出)還可以被配置為具有非晶硅的有源層的底柵型。
[0083]在驅(qū)動(dòng)TFT (T)和開關(guān)TFT (未示出)被配置為底柵型時(shí)，其堆疊結(jié)構(gòu)包括柵極、柵絕緣層、用摻雜非晶硅的歐姆接觸層形成并與純非晶硅的有源層隔開的有源層、以及彼此隔開的源極和漏極。在這種情況下，選通線被形成為在上面形成有開關(guān)TFT的柵極的層中連接至該柵極，并且數(shù)據(jù)線被形成為在上面形成有開關(guān)TFT的源極的層中連接到該源極。
[0084]同時(shí)，在驅(qū)動(dòng)TFT(T)和開關(guān)TFT(未示出)上堆疊將驅(qū)動(dòng)TFT(T)的漏極127b露出的鈍化層131和平整層133。在這種情況下，諸如作為無機(jī)絕緣材料的硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的絕緣材料被用作層間絕緣層121的材料。另外，可以使用包括光亞克力(photo acryl)的有機(jī)材料以形成平整層133。
[0085]同時(shí)，在位于焊盤區(qū)ro中的鈍化層131的一部分中形成至少一個(gè)第二線孔圖案135b。在這種情況下，第二線孔圖案135b被形成在焊盤區(qū)H)的長邊方向上(即，與顯示區(qū)AA相對(duì))。可以形成至少一個(gè)第二線孔圖案135b，使得所述至少一個(gè)第二線孔圖案135b與下面的第一線孔圖案125c交疊或可以不與第一線孔圖案125c交疊。
[0086]另外，在平整層133上形成第一電極137。第一電極137通過漏接觸孔(未示出)與驅(qū)動(dòng)TFT(T)的漏極127b相接觸，并且通過各像素區(qū)分開。第一電極137可以被設(shè)置為透明電極或反射電極。在第一電極137被用作透明電極時(shí)，第一電極137可以用ΙΤ0、ΙΖ0、ZnO或In2O3制成,而在第一電極137被用作反射電極時(shí),第一電極137可以用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr及其化合物等形成，并且其上可以形成ITO、ΙΖ0、ZnO或Ιη203。
[0087]在第一電極137的上方在各像素區(qū)的邊界區(qū)域中形成用絕緣材料(具體地，例如BCB、聚酰亞胺或光亞克力)制成的像素限定層139。在這種情況下，像素限定層139圍繞各像素區(qū)(未示出)并與第一電極137的邊緣交疊，并且具有在整個(gè)顯示區(qū)AA中具有多個(gè)開口的網(wǎng)格形式。
[0088]在由像素限定層139所圍繞的各像素區(qū)中，在第一電極137上形成用發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的有機(jī)材料制成的有機(jī)發(fā)光層141。有機(jī)發(fā)光層141可以被配置為用有機(jī)發(fā)光材料制成的單層。另外，盡管未示出，但有機(jī)發(fā)光層141可以被配置為包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層以及電子注入層的多層，以提高發(fā)光效率。
[0089]另外，基本在顯示區(qū)AA的整個(gè)表面上(包括在有機(jī)發(fā)光層141和像素限定層139上)形成第二電極143。在這個(gè)實(shí)施方式中，第一電極137、第二電極143和插入兩個(gè)電極137和143之間的有機(jī)發(fā)光層141構(gòu)成有機(jī)電致發(fā)光元件E。
[0090]因此，在根據(jù)選擇的顏色信號(hào)將預(yù)定電壓施加到有機(jī)電致發(fā)光元件E的第一電極137和第二電極143時(shí)，從第一電極137注入的空穴和從第二電極143提供的電子被傳輸至有機(jī)發(fā)光層141以形成激子，并且當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)遷移至基態(tài)時(shí)，以可見光的形式產(chǎn)生光并發(fā)射光。在這種情況下，所發(fā)出的光通過透明第二電極143而被釋放至外部，由此柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置實(shí)現(xiàn)特定圖像。
[0091]同時(shí)，在包括第二電極143的基板的整個(gè)表面上形成用具體地作為無機(jī)絕緣材料的硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的絕緣材料制成的下鈍化層145。在這種情況下，僅通過第二電極143不能完全防止?jié)駳馇秩氲接袡C(jī)發(fā)光層141，所以在第二電極143上形成下鈍化層145，從而完全防止?jié)駳馇秩氲接袡C(jī)發(fā)光層141。
[0092]另外，在顯示區(qū)AA中的下鈍化層145上形成用諸如聚合物的聚合物有機(jī)材料制成的有機(jī)層147。在這種情況下，作為用于形成有機(jī)層147的聚合物，可以使用烯烴基聚合物(聚乙烯或聚丙烯)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、環(huán)氧樹脂、氟樹脂、聚硅氧烷等。
[0093]為了防止?jié)駳馔ㄟ^有機(jī)層147侵入，在包括有機(jī)層147的基板的整個(gè)表面上另外形成用諸如作為無機(jī)絕緣材料的硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的絕緣材料制成的上鈍化層149。
[0094]在包括上鈍化層149的基板的整個(gè)表面上設(shè)置阻擋膜151，以對(duì)有機(jī)電致發(fā)光元件E進(jìn)行封裝。在基板101和阻擋膜151之間，插入用透明且具有結(jié)合特性的玻料(frit)、有機(jī)絕緣材料和聚合物材料中的任一種制成的粘合劑(未示出)，以使得基板101和阻擋膜151完全且緊密地附接而沒有空氣層。在阻擋膜151上設(shè)置偏振板153。
[0095]當(dāng)通過粘合劑(未示出)將基板101和阻擋膜151固定以形成面板狀態(tài)時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置完成。
[0096]另外，為了將如上所述配置的有機(jī)電致發(fā)光裝置制成柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，首先清洗有機(jī)電致發(fā)光裝置的基板101的后表面，并且照射激光以分開插入在基板101和聚酰亞胺層105之間的犧牲層103。因此，將基板101從有機(jī)電致發(fā)光裝置剝離。
[0097]之后，將背板層壓在分開的有機(jī)電致發(fā)光裝置的聚酰亞胺層105的表面上，以形成柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0098]以這種方式，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，因?yàn)樵诙鄠€(gè)無機(jī)層(即位于FPCB所連接到的焊盤區(qū)(PD)中的柵絕緣層、層間絕緣層和鈍化層，在制造有機(jī)電致發(fā)光裝置時(shí)，由于反復(fù)的彎曲和伸展導(dǎo)致所述焊盤區(qū)是脆弱的)的表面中形成線孔圖案，以重定向裂縫的路徑，從而防止裂縫的路徑擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部，所以可以使對(duì)柔性有機(jī)電致裝置的損壞最小化。
[0099]具體地，因?yàn)樵卩徑懈罹€SL的脆弱點(diǎn)形成諸如125c和135b的多個(gè)線孔圖案，所以在產(chǎn)生裂縫時(shí)，在脆弱點(diǎn)中線損壞和裂縫路徑被旁路，從而防止作為關(guān)鍵點(diǎn)的面板布線裂縫。
[0100]下面，將參照?qǐng)D7A至圖7S描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造柔性有機(jī)電致裝置的方法。
[0101]圖7A至圖7S是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的工藝的截面圖。
[0102]這里，假定術(shù)語膜晶體管(T)與圖5所示的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T)相同。另外，薄膜晶體管(T)可以用作開關(guān)薄膜晶體管。
[0103]如圖7A所示，制備諸如玻璃基板的基板101，在基板101中限定了顯示區(qū)AA和在顯示區(qū)AA的外部的包括焊盤區(qū)ro的非顯示區(qū)(未示出)。在制造有機(jī)電致裝置之后將基板101剝離或去除，然后在有機(jī)電致發(fā)光裝置上層壓柔性背板(圖7S中的161)。背板161用柔性玻璃基板或具有柔性的材料形成，使得盡管柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置像紙一樣彎曲(或翹曲)，但柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置可以照原樣具有顯示性能。
[0104]另外，在基板101上形成聚酰亞胺層105，并且在聚酰亞胺層105上形成具有用諸如硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的無機(jī)絕緣材料制成的多層結(jié)構(gòu)的緩沖層107。在后續(xù)工藝中形成的有源層109的下面形成緩沖層107的原因是為了防止由于在有源層109結(jié)晶時(shí)堿離子從基板101的內(nèi)部發(fā)射而導(dǎo)致的有源層109的特性劣化。
[0105]在基板101和聚酰亞胺層105之間形成用非晶硅或硅氮化物(SiNx)制成的犧牲層103。犧牲層103用于使基板101在制造了有機(jī)電致發(fā)光裝置之后通過激光照射工藝容易地從聚酰亞胺層105剝離或分開。
[0106]如圖7B所示，在顯示區(qū)AA中的各像素區(qū)中在緩沖層107的上方形成有源層109。有源層109包括用純多晶硅制成并具有形成溝道的中心部分的溝道區(qū)109a、形成在溝道區(qū)109a兩側(cè)并高濃度摻雜的源區(qū)109b和漏區(qū)109c，這參照?qǐng)D7F和圖7G進(jìn)行說明并描述。
[0107]在緩沖層107上形成有源層109。在這種情況下，在顯示區(qū)AA中的各像素區(qū)中用純多晶硅制成有源層109。
[0108]隨后，如圖7C所示，在有源層109上涂敷第一光敏膜(未示出)，并且通過曝光和顯影工藝選擇性地對(duì)第一光敏膜進(jìn)行構(gòu)圖，以形成第一光敏膜圖案111。
[0109]之后，如圖7D所示，通過使用第一光敏膜圖案111作為蝕刻掩模選擇性地去除有源層109。
[0110]隨后，如圖7E所示，隨著第一光敏膜圖案111被去除，在緩沖層107上(包括在有源層109上)順序地沉積柵絕緣層113和第一金屬材料層115。在這種情況下，第一金屬材料層115可以用諸如鋁(Al)、Al合金(AlNd)、銅(Cu)、Cu合金、鑰(Mo)和鑰鈦(MoTi)中的任一種的第一金屬材料制成以具有單層結(jié)構(gòu)，或者可以用兩種或更多種的第一金屬材料形成以具有雙層或三層結(jié)構(gòu)。在附圖中，柵極和選通線(未示出)被示出為具有單層結(jié)構(gòu)。
[0111]之后，在第一金屬材料層115上涂敷第二光敏膜(未示出)，并且通過曝光和顯影工藝選擇性地對(duì)第二光敏膜進(jìn)行構(gòu)圖以形成第二光敏膜圖案117。
[0112]隨后，如圖7F所示，通過使用第二光敏膜圖案117作為蝕刻掩模選擇性地蝕刻第一金屬材料層115以形成柵極115a。選通線(未示出)被形成為在柵極絕緣層113的上方沿一個(gè)方向從柵極115a延伸。
[0113]隨后，去除第二光敏膜圖案117，并且將雜質(zhì)注入到在柵極115a下面的有源層109的兩側(cè)，以形成在有源層109的中心部分形成溝道的溝道區(qū)109a，并且基于溝道區(qū)109a形成彼此隔開的源區(qū)109b和漏區(qū)109c。
[0114]隨后，如圖7G所示，在柵極115a和選通線(未示出)的上方在顯示區(qū)的整個(gè)表面上形成用諸如作為無機(jī)絕緣材料的硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的絕緣材料制成的層間絕緣層121。
[0115]之后，在層間絕緣層121上涂敷第三光敏膜(未示出)，并且通過曝光和顯影工藝選擇性地對(duì)第三光敏膜進(jìn)行構(gòu)圖以形成第三光敏膜圖案123。
[0116]隨后，如圖7H所示，使用第三光敏膜圖案123作為蝕刻掩模選擇性地蝕刻層間絕緣層121和下面的柵絕緣層113，以同時(shí)形成將有源層109的源區(qū)109b和漏區(qū)109c露出的源區(qū)接觸孔125a和漏區(qū)接觸孔125b。在這種情況下，在形成源區(qū)接觸孔125a和漏區(qū)接觸孔125b的過程中，還在層間絕緣層121的位于焊盤區(qū)H)中的部分中形成至少一個(gè)第一線孔圖案125c。在焊盤區(qū)的長邊方向上(即與顯示區(qū)AA相對(duì))形成第一線孔圖案125c。
[0117]隨后，如圖71所示，去除第三光敏膜圖案123，并且在包括第一線孔125c的層間絕緣層121上形成第二金屬材料層127。第二金屬材料層127與選通線(未示出)交叉以限定像素區(qū)(未示出)。在這種情況下，第二金屬材料層127可以用鋁(Al)、A1合金(AlNd)、銅(Cu)、Cu合金、鑰(Mo)、鑰鈦(MoTi)、鉻(Cr)和鈦(Ti)中的任一種或兩種或更多種制成。
[0118]隨后，在第二金屬材料層127上涂敷第四光敏膜(未示出)，并且通過曝光和顯影工藝選擇性地對(duì)第四光敏膜進(jìn)行構(gòu)圖以形成第四光敏膜圖案129。
[0119]之后，如圖7J所示，通過使用第四光敏膜圖案129作為蝕刻掩模選擇性地蝕刻第二金屬材料層127，以形成與選通線(未示出)交叉以限定像素區(qū)P的數(shù)據(jù)線(未示出)和與數(shù)據(jù)線隔開的電源線(未示出)。在這種情況下，電源線(未示出)可以形成在形成有選通線的層上(即，在柵絕緣層上)，使得電源線與選通線(未示出)并排地隔開。
[0120]另外，在形成數(shù)據(jù)線(未示出)的過程中，在層間絕緣層121上形成源極127a和漏極127b。源極127a和漏極127b彼此隔開，分別與通過有源層接觸孔(未示出)露出的源區(qū)10%和漏區(qū)109c相接觸，并且用與數(shù)據(jù)線(未示出)的材料相同的第二金屬材料制成。順序堆疊的有源層109、柵絕緣層113、柵極115a和層間絕緣層121以及形成為彼此隔開的源極127a和漏極127b形成TFT(T)。
[0121]同時(shí)，在附圖中，數(shù)據(jù)線(未示出)、源極127a和漏極127b被示出為具有單層結(jié)構(gòu)，但是這些還可以具有雙層或三層結(jié)構(gòu)。
[0122]盡管未示出，但形成具有與驅(qū)動(dòng)TFT(T)的結(jié)構(gòu)相同的堆疊結(jié)構(gòu)的開關(guān)TFT(未示出)。在這種情況下，開關(guān)TFT(未示出)電連接至驅(qū)動(dòng)TFT、選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)。也就是說，選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)連接至開關(guān)TFT (未示出)的柵極(未示出)和源極(未示出)，并且開關(guān)TFT (未示出)的漏極(未示出)電連接至驅(qū)動(dòng)TFT (T)的柵極。
[0123]同時(shí)，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，例如，驅(qū)動(dòng)TFT(T)和開關(guān)TFT(未示出)具有多晶硅的有源層109，并且被配置為頂柵型，但驅(qū)動(dòng)TFT(T)和開關(guān)TFT(未示出)還可以被配置為具有非晶硅的有源層的底柵型。
[0124]在驅(qū)動(dòng)TFT(T)和開關(guān)TFT(未示出)被配置為底柵型時(shí)，其堆疊結(jié)構(gòu)包括柵極、柵絕緣層、用摻雜非晶硅的歐姆接觸層形成并與純非晶硅的有源層隔開的有源層、以及彼此隔開的源極和漏極。在這種情況下，選通線被形成為在形成有開關(guān)TFT的柵極的層中連接至該柵極，并且數(shù)據(jù)線被形成為在形成有開關(guān)TFT的源極的層中連接至該源極。
[0125]隨后，如圖7K所示，隨著第四光敏膜圖案129已經(jīng)被去除，在包括源極127a和漏極127b的基板的整個(gè)表面上形成鈍化層131。在這種情況下，使用諸如作為無機(jī)絕緣材料的硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的絕緣材料作為鈍化層131的材料。
[0126]隨后，如圖7L所示，在鈍化層131上形成用有機(jī)材料制成的平整層133。在這種情況下，有機(jī)材料可以是作為具有絕緣屬性的疏水性有機(jī)材料的從由聚丙烯、聚酰亞胺、聚酰胺(PA)、苯并環(huán)丁烯(BCB)和酚樹脂組成的組中選擇出的一種。
[0127]隨后，如圖7M所示，順序地刻蝕平整層133和下面的鈍化層131以形成將漏極127b露出的漏接觸孔135a。在這種情況下，在形成漏接觸孔135a的過程中，還在鈍化層131的位于焊盤區(qū)H)中的部分中形成至少一個(gè)第二線孔圖案135b。這里，第二線孔圖案135b可以形成在焊盤區(qū)H)的長邊方向上(即與顯示區(qū)AA相對(duì))，并且可以不與形成在層間絕緣層121中的第一線孔圖案125c交疊或可以與第一線孔圖案125c交疊。
[0128]隨后，如圖7N所示，在平整層133上沉積導(dǎo)電材料層(未示出)并且通過掩模工藝選擇性地刻蝕導(dǎo)電材料層以形成第一電極137，所述第一電極137與TFT(T)的漏極127b相接觸并且被各像素區(qū)分開。在這種情況下，導(dǎo)電材料層(未示出)可以設(shè)置為透明電極或反射電極。在第一電極137被用作透明電極時(shí)，第一電極137可以用ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3制成，而在第一電極137被用作反射電極時(shí),反射層可以用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、其化合物等形成，并且可以在其上形成ITO、ΙΖ0、ZnO或Ιη203。
[0129]隨后，如圖70所示，在第一電極137上在各像素區(qū)的邊界區(qū)域中形成用諸如BCB、聚酰亞胺或光亞克力制成的絕緣材料層(未示出)。
[0130]隨后，選擇性地對(duì)絕緣材料層(未示出)進(jìn)行構(gòu)圖以形成像素限定層139。在這種情況下，像素限定層139被形成為與第一電極137的邊緣交疊，使得像素限定層139圍繞各像素區(qū)，并且具有在整個(gè)顯示區(qū)AA上具有多個(gè)開口的網(wǎng)格形式。
[0131]隨后，如圖7Ρ所示，在被像素限定層139圍繞的各像素區(qū)內(nèi)的第一電極層上形成發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的有機(jī)發(fā)光層141。在這種情況下，有機(jī)發(fā)光層141可以被配置為用有機(jī)發(fā)光材料制成的單層。另外，盡管未示出，但有機(jī)發(fā)光層141可以被配置為包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層的多層結(jié)構(gòu)，從而增強(qiáng)發(fā)光效率。
[0132]之后，如圖7Q所示，在包括有機(jī)發(fā)光層141的顯示區(qū)AA的整個(gè)表面以及像素限定層139的上部和側(cè)部上形成第二電極143。在這種情況下，第二電極143可以被設(shè)置為透明電極或反射電極。在第二電極143被用作透明電極時(shí)，第二電極143被用作陰極，從而朝向有機(jī)層129沉積具有小的功函(work funct1n)的金屬(即L1、Ca、LiF / Ca、LiF / Al、八1、么8、1%及其化合物)，其中，在所述有機(jī)層129上可以用諸如ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0、Ιη203等的透明電極形成材料來形成輔助電極層或總線電極線。在第二電極143被用作反射電極時(shí)，完全沉積 L1、Ca、LiF / Ca、LiF / Al、Al、Ag、Mg 及其化合物。
[0133]因此，根據(jù)電流的流動(dòng)發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光以顯示預(yù)定圖像信息的有機(jī)電致發(fā)光元件E包括連接至TFT(T)的漏極127b以從其提供正電(positive power)的第一電極137、設(shè)置為覆蓋整個(gè)像素以提供負(fù)電的第二電極143、以及設(shè)置在第一電極137和第二電極143之間以發(fā)射光的有機(jī)發(fā)光層141。
[0134]第一電極137和第二電極143通過有機(jī)發(fā)光層141而彼此絕緣,并且在施加電壓時(shí)，有機(jī)發(fā)光層141發(fā)射光。
[0135]因此，在根據(jù)選擇的顏色信號(hào)將預(yù)定電壓施加到有機(jī)電致發(fā)光元件E的第一電極137和第二電極143時(shí)，從第一電極137注入的空穴和從第二電極143提供的電子被傳輸至有機(jī)發(fā)光層141以形成激子，并且當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)遷移至基態(tài)時(shí)，以可見光的形式產(chǎn)生光并發(fā)射光。在這種情況下，所發(fā)射的光通過透明第二電極143被釋放至外部，由此柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置實(shí)現(xiàn)特定圖像。
[0136]隨后，如圖7R所示，在包括第二電極143的基板的整個(gè)表面上形成用絕緣材料(具體地，作為無機(jī)絕緣材料的硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx))制成的下鈍化層145。在這種情況下，僅用第二電極143不能完全防止?jié)駳馇秩氲接袡C(jī)發(fā)光層141。所以，在第二電極143上形成下鈍化層145。因此，完全防止?jié)駳馇秩氲接袡C(jī)發(fā)光層141。
[0137]之后，通過諸如絲網(wǎng)印刷的方法在下鈍化層145上在顯示區(qū)AA和非顯示區(qū)中形成用諸如聚合物的聚合物有機(jī)材料制成的有機(jī)層147。在這種情況下，可以使用烯烴基聚合物(聚乙烯或聚丙烯)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、環(huán)氧樹脂、氟樹脂、聚硅氧烷等作為用于形成有機(jī)層147的聚合物。在顯示區(qū)AA中形成有機(jī)層147。
[0138]為了防止?jié)駳馔ㄟ^有機(jī)層147侵入，在包括有機(jī)層147的基板的整個(gè)表面上另外形成用諸如作為無機(jī)絕緣材料的硅氧化物(S12)或硅氮化物(SiNx)的絕緣材料制成的上鈍化層149。
[0139]隨后，在包括上鈍化層149的基板的整個(gè)表面上設(shè)置阻擋膜151，以對(duì)有機(jī)電致發(fā)光元件E進(jìn)行封裝。在基板101和阻擋膜151之間，插入用透明且具有結(jié)合特性的玻料、有機(jī)絕緣材料和聚合物材料中的任一種制成的粘合劑(未示出)，以使得基板101和阻擋膜151完全且緊密地附接而沒有空氣層。之后，偏振板153被附接至阻擋膜151。
[0140]隨著通過粘合劑(未示出)將基板101和阻擋膜151固定以形成面板狀態(tài)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的制造有機(jī)電致發(fā)光裝置的工藝完成。
[0141]之后，如圖7S所示，為了將所描述的配置的有機(jī)電致發(fā)光裝置制成柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，首先清洗有機(jī)電致發(fā)光裝置的基板的后表面，并照射激光以分開插入在基板101和聚酰亞胺層105之間的犧牲層103。因此，基板101從有機(jī)電致發(fā)光裝置剝離。
[0142]之后，在分開的有機(jī)電致發(fā)光裝置的聚酰亞胺層105的表面上層壓背板161，從而完成柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的制造工藝。
[0143]圖8是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的示意性立體圖。
[0144]圖9是示出沿多個(gè)線孔圖案重定向裂縫的路徑的狀態(tài)的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)ro的放大平面圖。
[0145]這里，薄膜晶體管(T)假定與圖5所示的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(T)相同。此外，薄膜晶體管(T)可以被用作開關(guān)薄膜晶體管。
[0146]如圖8所示，在位于焊盤區(qū)H)中的諸如層間絕緣層121和鈍化層131的多個(gè)無機(jī)層的表面中形成線孔圖案125c和135b，其中，F(xiàn)PCB170連接至所述焊盤區(qū)，由于在制造有機(jī)電致發(fā)光裝置時(shí)反復(fù)的彎曲和伸展導(dǎo)致所述焊盤區(qū)脆弱。
[0147]如圖9所示，線孔圖案125c和135b被形成為鄰近位于焊盤區(qū)H)中的層間絕緣層121和鈍化層131的表面中的面板切割線，以使由于在外部沖擊的情況下的吸收和對(duì)脆弱點(diǎn)的損壞而產(chǎn)生的裂縫的蔓延路徑旁路，因此可以使裂縫到顯示區(qū)內(nèi)部的蔓延最小化，其中，F(xiàn)PCB170連接至所述焊盤區(qū)，由于在制造有機(jī)電致發(fā)光裝置時(shí)反復(fù)彎曲和伸展導(dǎo)致焊盤區(qū)脆弱。
[0148]下面，將參照?qǐng)D10描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)中設(shè)置的線孔圖案的另一個(gè)示例。
[0149]圖10是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)的線孔圖案的另一個(gè)示例的立體圖。
[0150]在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置中，可以根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域按需要設(shè)置諸如照相機(jī)的獨(dú)立構(gòu)件或任意其它構(gòu)件。在這種情況下，可以不將這樣的構(gòu)件設(shè)置在顯示區(qū)AA中，而是使用焊盤區(qū)H)。在這種情況下，因?yàn)檎障鄼C(jī)或其它部件將被設(shè)置在焊盤區(qū)ro的一部分中，所以在設(shè)計(jì)焊盤區(qū)的過程中，可能同樣減小了焊盤區(qū)ro的面積。
[0151]在這種情況下，因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)ro的面積減小，所以應(yīng)該改變形成在焊盤區(qū)ro中的線孔圖案的形狀。
[0152]這里，將作為示例描述這樣的情況:在圖5中所示的本發(fā)明的第一實(shí)施方式的柵絕緣層113、層間絕緣層121和鈍化層131上形成根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的第一孔圖案225和第二線孔圖案235。
[0153]S卩，將作為示例描述這樣的情況:在層間絕緣層121中形成第一線孔圖案225并且在鈍化層(圖5中的131)上形成線孔圖案235。
[0154]參見圖10，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)發(fā)光裝置200中，在基板(未示出)上限定顯示區(qū)AA，并且在顯示區(qū)AA的外部限定包括焊盤區(qū)H)的非顯示區(qū)NA。
[0155]在非顯示區(qū)的兩個(gè)邊緣部分中設(shè)置空間部分240，使得空間部分240與焊盤區(qū)H)相鄰，以允許在空間部分240中設(shè)置照相機(jī)或任意其它構(gòu)件。焊盤區(qū)ro具有比第一實(shí)施方式的焊盤區(qū)ro小的面積，因此，形成在位于焊盤區(qū)ro中的層間絕緣層(未示出)和鈍化層(未示出)中的第一線孔圖案225和第二線孔圖案235具有與先前公開的形狀不同的形狀。
[0156]這里，第一線孔圖案225和第二線孔圖案235分別包括直線部分225a和235a以及彎曲部分225b和235b。直線部分225a和235a與第一線孔圖案225和第二線孔圖案235的中心區(qū)相對(duì)應(yīng)，彎曲部分225b和235b與第一線孔圖案225和第二線孔圖案235的兩側(cè)端部區(qū)相對(duì)應(yīng)。
[0157]因此，因?yàn)榭紤]到焊盤區(qū)H)的面積根據(jù)需要而減小，彎曲部225b和235b形成在第一和第二線孔圖案225和235的兩側(cè)端部區(qū)中，所以可以使由于撞擊等導(dǎo)致的裂縫的路徑或由于在制造柔性有機(jī)發(fā)光裝置中反復(fù)翹曲(或彎曲)或伸展而產(chǎn)生的裂縫的路徑旁路，以使所述路徑不蔓延至裝置的內(nèi)部，從而使對(duì)柔性有機(jī)發(fā)光裝置的損壞最小化。
[0158]以這種方式，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)發(fā)光裝置，在位于因?yàn)樵谥圃煊袡C(jī)電致發(fā)光裝置時(shí)被反復(fù)彎曲和伸展而導(dǎo)致的脆弱區(qū)(即FPCB所連接到的焊盤區(qū)ro)中的多個(gè)無機(jī)層(即，柵絕緣層、層間絕緣層和鈍化層)的表面中形成線孔圖案。因此，裂縫的路徑被重定向并且被防止擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部，這使對(duì)柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的損壞最小化。
[0159]具體地，因?yàn)樵谂c切割線鄰近的脆弱點(diǎn)中形成多個(gè)線孔圖案以重定向在脆弱點(diǎn)中的線損壞和裂縫的路徑，所以可以防止作為關(guān)鍵點(diǎn)的面板布線裂縫。
[0160]下面，將參照?qǐng)D11描述在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)中設(shè)置的線孔圖案的又一個(gè)示例。
[0161]圖11是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的焊盤區(qū)的線孔圖案的又一個(gè)示例的立體圖。
[0162]在根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置300中，在用例如玻璃制成的基板(未示出)上限定顯示區(qū)AA，在顯示區(qū)AA的外部限定具有焊盤區(qū)H)的非顯示區(qū)NA，在顯示區(qū)AA中設(shè)置被限定為通過選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)的交叉而形成的區(qū)域的多個(gè)像素區(qū)(未示出)，并且與數(shù)據(jù)線(未示出)平行地設(shè)置電源線(未示出)。
[0163]在非顯示區(qū)NA的外部限定切割線SL，在焊盤區(qū)H)的上部和下部的邊緣限定第一修剪線TL1，并且在位于與焊盤區(qū)相對(duì)的非顯示區(qū)的上部和下部的邊緣限定第二修剪線TL2。
[0164]在制造柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的過程中，對(duì)第一修剪線TLl和第二修剪線TL2進(jìn)行修剪切割。
[0165]如圖11所示，在焊盤區(qū)ro的上部和下部的邊緣形成圍繞第一修剪線的第一孔圖案325a。第一孔圖案325a可以通過曲線型或直線型而形成。因此，由于第一孔圖案325a使得裂縫的路徑被重定向并且防止擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部，這使對(duì)柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的損壞最小化。
[0166]此外，如圖11所示，在位于與焊盤區(qū)H)相對(duì)的顯示區(qū)AA的外部的非顯示區(qū)NA形成從第一孔圖案325a延伸的第二孔圖案325b。裂縫防止孔圖案325包括第一孔圖案325a和第二孔圖案325b。
[0167]因此，因?yàn)橛傻谝豢讏D案325a和第二孔圖案325b形成所有裂縫防止孔圖案325，所以裂縫的路徑被重定向并且防止擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部(例如，從第二修剪線擴(kuò)展至顯示區(qū)AA的內(nèi)部的裂縫，以及從焊盤區(qū)的第一修剪線擴(kuò)展至顯示區(qū)AA的內(nèi)部的裂縫)。
[0168]如上，根據(jù)本實(shí)施方式的柔性有機(jī)電致裝置及其制造方法，在位于由于在制造有機(jī)電致發(fā)光裝置時(shí)反復(fù)彎曲和伸展而導(dǎo)致的脆弱區(qū)(即FPCB所連接到的焊盤區(qū)或包括焊盤區(qū)的非顯示區(qū))中的多個(gè)無機(jī)層(即柵絕緣層、層間絕緣層和鈍化層)的表面中形成線孔圖案。因此，裂縫的路徑被重定向并且防止擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部，這使對(duì)柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的損壞最小化。
[0169]具體地，因?yàn)樵卩徑懈罹€的脆弱點(diǎn)形成多個(gè)線孔圖案以重定向在脆弱點(diǎn)中的線損壞和裂縫的路徑，所以可以防止作為關(guān)鍵點(diǎn)的面板布線裂縫。
[0170]此外，因?yàn)樵谛藜艟€的外圍部分形成曲線孔圖案以圍繞焊盤區(qū)的修剪線，所以使得裂縫的路徑被重定向并防止擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部，這使對(duì)柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的損壞最小化。
[0171]同時(shí)，因?yàn)樵诎ê副P區(qū)的非顯示區(qū)進(jìn)一步形成從曲線孔圖案延伸的線孔圖案以圍繞修剪線和顯示區(qū)，所以使得裂縫的路徑被重定向并防止擴(kuò)展至裝置的內(nèi)部，這使對(duì)柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置的損壞最小化。
[0172]前述的實(shí)施方式和優(yōu)點(diǎn)僅為示例性的，并且不能被認(rèn)為限制本公開。本教導(dǎo)可以容易地應(yīng)用于其它類型的裝置。本描述意在為說明性的，并且不限制權(quán)利要求的范圍。多種替代、修改和變型對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是明顯的。這里所述的示例性實(shí)施方式的特征、結(jié)構(gòu)、方法和其它特性可以以各種方式組合以獲得另外的和/或替代的示例性實(shí)施方式。
[0173]因?yàn)檫@些特征在不脫離其特性的情況下可以以多種形式實(shí)現(xiàn)，所以應(yīng)當(dāng)理解的是上述實(shí)施方式不被前面描述的任意細(xì)節(jié)所限定，除非另有指定，而應(yīng)該被廣義地認(rèn)為在所附權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)，因此落入權(quán)利要求的邊界和范圍或者這樣的邊界和范圍的等同物內(nèi)的所有變化和修改因此意在被所附權(quán)利要求包含。
【權(quán)利要求】
1.一種柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，所述柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置包括: 基板，其具有包括多個(gè)像素區(qū)的顯示區(qū)和在所述顯示區(qū)的外部的包括焊盤區(qū)的非顯示區(qū)； 多個(gè)薄膜晶體管TFT，其形成在所述基板上的各個(gè)所述像素區(qū)中； 層間絕緣層，其形成在包括所述TFT的所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)中，并且具有形成在所述非顯示區(qū)的所述焊盤區(qū)中的至少一個(gè)第一線孔圖案； 鈍化層，其形成在所述層間絕緣層上； 至少一個(gè)線孔圖案，其形成在位于所述非顯示區(qū)的所述層間絕緣層和所述鈍化層中的至少一個(gè)中； 平整層，其形成在所述鈍化層上； 第一電極，其形成在所述鈍化層上并在各像素區(qū)中，并且連接至各TFT的漏極； 像素限定層，其形成在包括所述第一電極和所述非顯示區(qū)的所述基板的各像素區(qū)的周圍； 有機(jī)發(fā)光層，其分開地形成在所述第一電極上并在各像素區(qū)中；以及 第二電極，其形成在所述顯示區(qū)的整個(gè)表面上并在所述有機(jī)發(fā)光層的上方。
2.如權(quán)利要求1所述的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，所述柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置還包括: 下鈍化層，其形成在包括所述第二電極的所述基板的所述整個(gè)表面上； 有機(jī)層，其形成在所述下鈍化層上并在所述顯示區(qū)中； 上鈍化層，其形成在包括所述有機(jī)層的所述第一鈍化層上； 阻擋膜，其設(shè)置為面對(duì)所述基板；以及 偏振板，其附接至所述阻擋膜。
3.如權(quán)利要求1所述的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中，所述基板是具有柔性特性的柔性玻璃基板或用柔性材料制成。
4.如權(quán)利要求1所述的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中，所述線孔圖案交疊。
5.如權(quán)利要求1所述的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中，所述線孔圖案不交疊。
6.如權(quán)利要求1所述的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中，所述線孔圖案形成在所述非顯示區(qū)的焊盤區(qū)或形成在包括所述焊盤區(qū)的所述非顯示區(qū)。
7.如權(quán)利要求1所述的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中，所述至少一個(gè)線孔圖案還形成在所述柵絕緣層的所述焊盤區(qū)中。
8.如權(quán)利要求6所述的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中，形成在包括所述焊盤區(qū)的非顯示區(qū)的曲線型的所述線孔圖案包括:第一孔圖案，其具有圍繞形成在所述焊盤區(qū)的上部和下部的邊緣的修剪線的曲線部分；以及第二孔圖案，其從具有直線部分的所述第一孔圖案延伸，以在位于所述顯示區(qū)的外部的與所述焊盤區(qū)相對(duì)的所述非顯示區(qū)圍繞所述顯示區(qū)。
9.如權(quán)利要求1所述的柔性有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中，聚酰亞胺層和多個(gè)緩沖層插入在所述基板和所述多個(gè)薄膜晶體管之間。
10.一種制造有機(jī)電致發(fā)光裝置的方法，所述方法包括以下步驟: 提供基板，在所述基板中限定包括多個(gè)像素區(qū)的顯示區(qū)和所述顯示區(qū)的外部的包括焊盤區(qū)的非顯示區(qū)； 在所述基板上的各個(gè)所述像素區(qū)中形成多個(gè)薄膜晶體管TFT ； 在包括所述TFT的所述基板的整個(gè)表面上形成層間絕緣層； 在所述層間絕緣層上形成鈍化層； 在位于所述非顯示區(qū)的所述層間絕緣層和所述鈍化層中的至少一個(gè)中形成至少一個(gè)線孔圖案； 在所述鈍化層上形成平整層； 在所述平整層上在各像素區(qū)中形成連接至各TFT的漏極的第一電極； 在所述基板的包括所述第一電極的各像素區(qū)周圍形成像素限定層； 在所述第一電極的上方在各像素區(qū)中形成有機(jī)發(fā)光層；以及 在包括所述有機(jī)發(fā)光層的所述顯示區(qū)的所述整個(gè)表面上形成第二電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，所述方法還包括以下步驟: 在包括所述有機(jī)發(fā)光層的所述顯示區(qū)的所述整個(gè)表面上形成所述第二電極之后， 在包括所述第二電極的所述基板的整個(gè)表面上形成下鈍化層； 在所述下鈍化層上在所述顯示區(qū)中形成有機(jī)層； 在包括所述有機(jī)層的所述第一鈍化層上形成上鈍化層；在所述上鈍化層上與阻擋膜一起形成偏振板； 剝離所述基板；以及 將背板層壓至剝離了所述基板的部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述線孔圖案被形成為交疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述線孔圖案被形成為不交疊。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述線孔圖案形成在非顯示區(qū)的焊盤區(qū)或形成在包括所述焊盤區(qū)的所述非顯示區(qū)。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，在所述柵絕緣層的所述焊盤區(qū)中形成至少一個(gè)線孔圖案。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成在包括所述焊盤區(qū)的所述非顯示區(qū)的所述線孔圖案包括:第一孔圖案，其具有圍繞形成在所述焊盤區(qū)的上部和下部的邊緣的修剪線的曲線部分；以及第二孔圖案，其從具有直線部分的所述第一孔圖案延伸，以在位于所述顯示區(qū)的外部的與所述焊盤區(qū)相對(duì)的所述非顯示區(qū)圍繞所述顯示區(qū)。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，在所述基板和所述多個(gè)薄膜晶體管之間插入聚酰亞胺層和多個(gè)緩沖層。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104425550SQ201310757250
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】金首豪, 金相培, 全俊泰, 李庸三 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司