專利名稱：一種影像傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種感光元件，具體的是一種影像傳感器。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的影像傳感器在硅晶圓背面減薄后，會(huì)生長(zhǎng)一蒸氣氧化物，其厚度約為10人
(埃)，蒸氣氧化物的作用在于硅表面處理，減少表面缺陷。接著淀積高介質(zhì)層，所述高介質(zhì)層可以為氧化鉿、氧化鉭、氧化鋯等等，然后淀積金屬遮蔽層，防止色彩串?dāng)_，最后就是濾光片及微透鏡等后續(xù)工藝。但是這種結(jié)構(gòu)的影像傳感器存在一個(gè)問(wèn)題，因蒸氣氧化物很薄，對(duì)熱膨脹影響幾乎忽略不計(jì)，硅晶圓的熱膨脹系數(shù)約為2.5E-6m/K,而高介質(zhì)層(一般為Hf205)的熱膨脹系數(shù)為5.8E-6m/K，兩者相差很大，在后續(xù)熱處理中因膨脹與收縮的不同，極易造成剝落的問(wèn)題。對(duì)于薄膜剝落的問(wèn)題，現(xiàn)有解決方案一般會(huì)通過(guò)表面清洗增加薄膜間的粘度來(lái)解決，但是這種效果并不好，因?yàn)楸∧らg的粘度很大程度上是由其相互本身的性質(zhì)決定的。目前急需要一種更好的解決方法來(lái)解決薄膜脫落的問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決 的技術(shù)問(wèn)題是提供一種影像傳感器來(lái)解決薄膜脫落的問(wèn)題。本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下:一種影像傳感器，包括硅晶圓，所述硅晶圓上附著有蒸汽氧化物，所述蒸汽氧化物上有高介質(zhì)層，所述高介質(zhì)層上附著有金屬遮蔽層，所述金屬遮蔽層上附著有濾光片及透光鏡，所述濾光片位于所述金屬遮蔽層和所述透光鏡之間，還包括熱膨脹緩沖層，所述熱膨脹緩沖層位于所述蒸汽氧化物和所述高介質(zhì)層之間，所述膨脹緩沖層附著在所述蒸汽氧化物上。本實(shí)用新型的有益效果是:在所述蒸汽氧化物和所述高介質(zhì)層之間增加了熱膨脹緩沖層，使本實(shí)用新型在外界溫度產(chǎn)生變化的時(shí)候，所述蒸汽氧化物和所述高介質(zhì)層之間有一個(gè)熱緩沖的過(guò)渡，較好的解決了薄膜脫落的問(wèn)題。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn)。進(jìn)一步,所述熱膨脹緩沖層的熱膨脹系數(shù)在2.5E-6m/k 5.8E_6m/k之間。進(jìn)一步，所述熱膨脹緩沖層的厚度在50A IOOA (A:埃，厚度單位，I A=0.1nm)之間。進(jìn)一步，所述熱膨脹緩沖層為氧化物或氮化物或氮氧化物。采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是，選擇合適的熱膨脹系數(shù)的材料作為本實(shí)用新型的熱膨脹緩沖層，并控制其厚度，使所述熱膨脹緩沖層在起到熱緩沖作用的同時(shí)也不影響其它工藝的加工。
圖1為現(xiàn)有的影像傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下:1、娃晶圓，2、蒸汽氧化物,3、高介質(zhì)層,4、金屬遮蔽層,5、濾光片及微透鏡,6、熱膨脹緩沖層。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。圖1為現(xiàn)有的影像傳感器，可以清楚的看到不包括熱膨脹緩沖層6。圖2為本實(shí)用新型的具有熱膨脹緩沖層的影像傳感器，即一種影像傳感器，如圖2所示，包括硅晶圓1，所述硅晶圓I上附著有蒸汽氧化物2，所述蒸汽氧化物2上有高介質(zhì)層3，所述高介質(zhì)層3可以為氧化鉿、氧化鉭、氧化鋯等等，所述高介質(zhì)層3上附著有金屬遮蔽層4，所述金屬遮蔽層4上附著有濾光片及透光鏡5，所述濾光片位于所述金屬遮蔽層4和所述透光鏡之間，還包括熱膨脹緩沖層6，所述熱膨脹緩沖層6位于所述蒸汽氧化物2和所述高介質(zhì)層3之間，所述膨脹緩沖層6附著在所述蒸汽氧化物2上。所述熱膨脹緩沖層6的熱膨脹系數(shù)在2.5E-6m/k 5.8E_6m/k。(2.5E_6m/k
5.8E-6m/k即2.5*l(T6m/k 5.8*l(T6m/k)之間。所述熱膨脹緩沖層的厚度在5θΑ IOOA
之間。所述熱膨脹緩沖層為 氧化物或氮化物或氮氧化物。所述熱膨脹緩沖層的生長(zhǎng)方式為熱生長(zhǎng)或者化學(xué)氣相沉積。本實(shí)用新型在硅晶圓生長(zhǎng)蒸氣氧化物后，淀積一熱膨脹緩沖層，來(lái)緩解硅晶圓與高介質(zhì)層之間的熱膨脹系數(shù)的差異而在后續(xù)熱處理工藝時(shí)導(dǎo)致薄膜的剝落現(xiàn)象，造成產(chǎn)能下降以及產(chǎn)品的可靠性不足等問(wèn)題。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種影像傳感器，包括硅晶圓，所述硅晶圓上附著有蒸汽氧化物，所述蒸汽氧化物上有高介質(zhì)層，所述高介質(zhì)層上附著有金屬遮蔽層，所述金屬遮蔽層上附著有濾光片及透光鏡，其特征在于，還包括熱膨脹緩沖層，所述熱膨脹緩沖層位于所述蒸汽氧化物和所述高介質(zhì)層之間，所述膨脹緩沖層附著在所述蒸汽氧化物上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種影像傳感器，其特征在于，所述熱膨脹緩沖層的熱膨脹系數(shù)在 2.5E-6m/k 5.8E_6m/k 之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種影像傳感器，其特征在于，所述熱膨脹緩沖層的厚度在5OA IOO A之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種影像傳感器，其特征在于，所述熱膨脹緩沖層為氧化物或氮化 物或氮氧化物。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種感光元件，具體的是一種影像傳感器。它包括硅晶圓，所述硅晶圓上附著有蒸汽氧化物，所述蒸汽氧化物上有高介質(zhì)層，所述高介質(zhì)層上附著有金屬遮蔽層，所述金屬遮蔽層上附著有濾光片及透光鏡，其特征在于，還包括熱膨脹緩沖層，所述熱膨脹緩沖層位于所述蒸汽氧化物和所述高介質(zhì)層之間，所述膨脹緩沖層附著在所述蒸汽氧化物上。在所述蒸汽氧化物和所述高介質(zhì)層之間增加了熱膨脹緩沖層，使本實(shí)用新型在外界溫度產(chǎn)生變化的時(shí)候，所述蒸汽氧化物和所述高介質(zhì)層之間有一個(gè)熱緩沖的過(guò)渡，較好的解決了薄膜脫落的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L27/146GK203085539SQ20132001623
公開(kāi)日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月11日
發(fā)明者李平 申請(qǐng)人:陸偉