專利名稱：一種影像傳感器結(jié)構(gòu)的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及影像傳感器制造領域，具體涉及一種影像傳感器結(jié)構(gòu)。
背景技術：
在背照式影像傳感器工藝流程中，硅基底蝕刻后會暴露在空氣中，極易受到污染，需要淀積氧化層進行保護，但是淀積的氧化物需要使用光刻及刻蝕打開氧化物層進而刻蝕硅刻蝕之下的區(qū)域。現(xiàn)有工藝在器件晶圓與邏輯晶圓鍵合后，最終刻蝕出三階臺階結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)復雜，所需成本較高，并且由于頂層金屬在二階臺階出，由于工藝尺寸所致，填充金屬與頂層金屬接觸面較小，電阻大而導致的導電性能不佳。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種影像傳感器結(jié)構(gòu)來解決現(xiàn)有技術中影像傳感器結(jié)構(gòu)復雜，所需成本高，導電性不佳的問題。本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下:一種影像傳感器結(jié)構(gòu)，包括邏輯晶圓和器件晶圓，所述邏輯晶圓上設有有邏輯晶圓二氧化硅層，所述邏輯晶圓二氧化硅層上覆蓋有邏輯晶圓頂層頂層金屬，所述邏輯晶圓頂層金屬上設有鍵合氧化物層，所述鍵和氧化層上設有器件晶圓頂層金屬，所述器件晶圓頂層金屬上設有器件晶圓二氧化硅層，所述器件晶圓器件晶圓二氧化硅層上為器件晶圓，所述器件晶圓二氧化硅層上設有溝槽，所述溝槽底部為器件晶圓頂層金屬，所述器件晶圓頂層金屬上設有鍵合層深通孔，所述鍵合層深通孔底部為邏輯晶圓金屬層，所述鍵合層深通孔與溝槽之中布滿銅。本實用新型的有益效果是:在通過使原來的結(jié)構(gòu)中三階臺階變?yōu)槎A臺階，簡化了結(jié)構(gòu)致使減少了制作流程中的步驟，進而減少了生產(chǎn)成本，增加了器件晶圓頂層金屬與開口中銅的接觸面積增大，提高了導電效果，進而提高影像傳感器的性能。在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。進一步，所述器件晶圓頂層金屬與鍵和氧化層之間設有阻擋層；進一步，所述邏輯晶圓頂層金屬與鍵和氧化層之間設有阻擋層；進一步，所述溝槽與鍵合層深通孔與布滿其中的銅之間設有阻擋層。采用上述進一步方案的有益效果是防止填充的金屬銅向溝槽附近擴散，從而影響器件的性能，進一步提高了影像傳感器的質(zhì)量。

圖1為本實用新型影像傳感器結(jié)構(gòu)圖；附圖中，各標號所代表的部件列表如下:1、器件晶圓，2、邏輯晶圓，3、器件晶圓二氧化硅層，4、邏輯晶圓二氧化硅層，5、器件晶圓頂層金屬，6、邏輯晶圓頂層金屬，7、鍵合氧化物層，8、鍵合層深通孔，9、溝槽。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。如圖1所示，包括邏輯晶圓2和器件晶圓1，所述邏輯晶圓2上設有有邏輯晶圓二氧化硅層4，所述邏輯晶圓二氧化硅層4上覆蓋有邏輯晶圓頂層金屬6，所述邏輯晶圓頂層金屬6上設有鍵合氧化物層7，所述鍵和氧化層7上設有器件晶圓頂層金屬5，所述器件晶圓頂層金屬5上設有器件晶圓二氧化硅層3，所述器件晶圓器件晶圓二氧化硅層3上為器件晶圓1，所述器件晶圓二氧化硅層3上設有溝槽9，所述溝槽9底部為器件晶圓頂層金屬5，所述器件晶圓頂層金屬5上設有鍵合層深通孔8，所述鍵合層深通孔8底部為邏輯晶圓金屬層6，所述鍵合層深通孔8與溝槽9之中布滿銅。所述鍵合層通孔8和溝槽9與其中布滿的銅之間設有一層阻擋層，所述邏輯晶圓頂層金屬6與鍵和氧化物層7之間設有阻擋層，所述器件晶圓頂層金屬5與鍵和氧化物層7之間設有阻擋層，所述阻擋層為氮化鈦阻擋層。以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種影像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征是:包括邏輯晶圓和器件晶圓，所述邏輯晶圓上設有有邏輯晶圓二氧化硅層，所述邏輯晶圓二氧化硅層上覆蓋有邏輯晶圓頂層頂層金屬，所述邏輯晶圓頂層金屬上設有鍵合氧化物層，所述鍵和氧化層上設有器件晶圓頂層金屬，所述器件晶圓頂層金屬上設有器件晶圓二氧化硅層，所述器件晶圓器件晶圓二氧化硅層上為器件晶圓，所述器件晶圓二氧化硅層上設有溝槽，所述溝槽底部為器件晶圓頂層金屬，所述器件晶圓頂層金屬上設有鍵合層深通孔，所述鍵合層深通孔底部為邏輯晶圓金屬層，所述鍵合層深通孔與溝槽之中布滿銅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種影像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征是:所述鍵合層通孔和溝槽與其中布滿的銅之間設有一層阻擋層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種影像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征是:所述邏輯晶圓頂層金屬與鍵和氧化層之間設有阻擋層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種影像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征是:所述器件晶圓頂層金屬與鍵和氧化層之間設有阻擋層
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一所述的一種影像傳感器結(jié)構(gòu)，其特征是:所述阻擋層為氮化鈦阻擋層。
專利摘要本實用新型涉及影像傳感器制造領域，具體涉及一種影像傳感器結(jié)構(gòu)。包括邏輯晶圓和器件晶圓,邏輯晶圓上設有有邏輯晶圓二氧化硅層,之上覆蓋有邏輯晶圓頂層頂層金屬,頂層金屬上設有鍵合氧化物層,之上設有器件晶圓頂層金屬，之上設有器件晶圓二氧化硅層,之上為器件晶圓,器件晶圓二氧化硅層上設有溝槽，溝槽底部為器件晶圓頂層金屬，器件晶圓頂層金屬上設有鍵合層深通孔，鍵合層深通孔底部為邏輯晶圓金屬層，鍵合層深通孔與溝槽之中布滿銅。在通過使原來的結(jié)構(gòu)中三階臺階變?yōu)槎A臺階，簡化了結(jié)構(gòu)致使減少了制作流程中的步驟，進而減少了生產(chǎn)成本，增加了器件晶圓頂層金屬與開口中銅的接觸面積增大，提高了導電效果，進而提高影像傳感器的性能。
文檔編號H01L23/538GK203165886SQ20132001689
公開日2013年8月28日 申請日期2013年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月14日
發(fā)明者李平 申請人:武漢新芯集成電路制造有限公司