專利名稱：一種led芯片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及LED技術領域，特別地，涉及一種LED芯片。
背景技術：
作為目前全球最受矚目的新一代光源，LED因其高亮度、低熱量、長壽命、無毒、可回收再利用等優(yōu)點，被稱為是21世紀最有發(fā)展前景的綠色照明光源。隨著全球LED市場需求的進一步加大，未來我國LED產業(yè)發(fā)展面臨巨大機遇。從芯片來看，目前最普遍的是水平式芯片，比較高端的廠商則研發(fā)垂直式芯片與覆晶型芯片，原先水平式LED使用藍寶石基板，散熱能力較差，且在高電流驅動下，光取出效率下降幅度也較大。因此，為了降低LED成本，高電流密度的芯片設計便以獲取更多的光輸出為主要研究方向，在這樣的考慮下，使用垂直式封裝的芯片便成為下一課題，此類芯片使用硅等高散熱基板，在高電流操作下有更好的散熱效率，所以也有更高的光輸出，但由于制作流程復雜，工藝良率過低，以致于無法達到理想的高性價比。因此，提升芯片良率是行業(yè)內的共同技術需求。

實用新型內容本實用新型目的在于提供一種LED芯片，以解決業(yè)內芯片良率過低的技術問題。為實現上述目的，本實用新型提供了一種LED芯片，在芯片正面設置有白膜和鐵環(huán)，所述鐵環(huán)相接觸芯片；所述芯片背面設置有麥拉膜，所述麥拉膜的厚度為70— 80 μ m。優(yōu)選的，所述芯片規(guī)格為7*9mil。優(yōu)選的，所述芯片厚度為95±3 μ m，所述芯片背面的紫外線切割深度為所述芯片厚度的25-35%。優(yōu)選的，所述紫外線切痕為V型。本實用新型具有以下有益效果:本實用新型的在芯片背面增設了 70-80 μ m的麥拉膜，增強芯片的抗劈裂性；從而在研磨一拋光一紫外切割一劈裂的工藝過程中，使得芯片劈裂后的外觀良率提升5%。除了上面所描述的目的、特征和優(yōu)點之外，本實用新型還有其它的目的、特征和優(yōu)點。下面將參照圖，對本實用新型作進一步詳細的說明。

構成本申請的一部分的附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構成對本實用新型的不當限定。在附圖中:圖1是本實用新型優(yōu)選實施例的結構示意圖；圖2是本實用新型優(yōu)選實施例的劈裂試驗原理示意圖；其中，1、白膜，2、鐵環(huán)，3、芯片，4、麥拉膜，5、劈裂刀，6、擊錘。
具體實施方式

以下結合附圖對本實用新型的實施例進行詳細說明，但是本實用新型可以根據權利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。參見圖1，一種LED芯片，在芯3正面設置有白膜I和鐵環(huán)2，所述鐵環(huán)2相接觸芯片3 ;所述芯片3背面設置有麥拉膜4，所述麥拉膜4的厚度為70— 80 μ m。麥拉膜4又稱麥拉紙或者絕緣帶，是一種聚酯薄膜，常用于電機線圈的捆扎。本實用新型將其貼在芯片背面，使用正恩劈裂機完成劈裂試驗。在進行該芯片的劈裂試驗前，使用NTS研磨、拋光設備把芯片加工至95 ± 3 μ m，并在芯片背面切割深度為30±3 μ m “V”型切痕，而后在芯片背表面貼上70— 80 μ m麥拉膜。參見圖2，再利用劈裂機擊錘6垂直下落至劈裂刀5，對芯片3造成沖擊，記錄統(tǒng)計沖擊后外觀保持完好的芯片數量。將同一制令的400片芯片，一分為二各200片，采用四種不同的厚度的麥拉膜進行劈裂對比，試驗結果顯示:使用厚度為70-80 μ m麥拉膜的外觀良率提高5%左右，具體數據參見下表。
權利要求1.一種LED芯片，其特征在于，在芯片正面設置有白膜和鐵環(huán)，所述鐵環(huán)與芯片相接觸；所述芯片背面設置有麥拉膜，所述麥拉膜的厚度為70— 80 μ m。
2.根據權利要求1所述的一種LED芯片，其特征在于，所述芯片規(guī)格為7*9mil。
3.根據權利要求1所述的一種LED芯片，其特征在于，所述芯片厚度為95±3μ m，所述芯片背面的紫外線切割深度為所述芯片厚度的25-35%。
4.根據權利要求3所述的一種LED芯片，其特征在于，所述紫外線切痕為V型。
專利摘要本實用新型提供了一種LED芯片，在芯片正面設置有白膜和鐵環(huán)，所述鐵環(huán)相接觸芯片；所述芯片背面設置有麥拉膜，所述麥拉膜的厚度為70—80μm。本實用新型的在芯片背面增設了厚度較大的麥拉膜，增強芯片的抗劈裂性；從而在研磨--拋光--紫外切割--劈裂的工藝過程中，使得芯片劈裂后的外觀良率提升5%。
文檔編號H01L33/44GK203071119SQ201320031748
公開日2013年7月17日 申請日期2013年1月22日 優(yōu)先權日2013年1月22日
發(fā)明者馬青會 申請人:湘能華磊光電股份有限公司