專利名稱：一種無接觸式晶片上料裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽能晶片檢測(cè)平臺(tái)，尤其是涉及一種太陽能晶片的自動(dòng)無接觸式上料系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
晶片是太陽能電池片的載體，晶片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此在晶片的生產(chǎn)過程中需要多道工序的檢測(cè)以保證出廠晶片的質(zhì)量和性能。在晶片的檢測(cè)過程中，常常需要將一疊晶片分開并一片片放在傳輸帶上，然后再進(jìn)行后續(xù)的檢測(cè)。目前晶片的上料方式大多采用人工的方式進(jìn)行發(fā)片，操作人員拿起一疊晶片，用手分開，然后一張張放在傳輸帶上。這樣操作的缺點(diǎn)在于增加了人的工作量，同時(shí)由于人工操作很難保證操作的均勻性，晶片在傳輸皮帶上的分布不均勻會(huì)影響到后續(xù)的測(cè)量，上料時(shí)晶片偏向某一邊時(shí)也可能會(huì)超出測(cè)量的范圍。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種針對(duì)太陽能晶片的自動(dòng)無接觸式上料系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)全自動(dòng)無接觸無污染的堆疊晶片上料。本實(shí)用新型所提供的無接觸式晶片上料裝置，包括:滑臺(tái)、吸盤裝置、輸送皮帶、活動(dòng)式片盒、片盒托架、噴氣嘴、調(diào)速閥、晶片頂起升降機(jī)構(gòu)；所述吸盤裝置包括吸盤安裝塊、鉸鏈機(jī)構(gòu)、氣缸固定塊、氣缸、兩個(gè)電容傳感器、吸盤進(jìn)氣孔、吸盤、排氣槽；吸盤安裝塊固連接于滑臺(tái)，鉸鏈機(jī)構(gòu)包含鉸鏈和磁鐵，兩個(gè)電容傳感器固定在吸盤上，一個(gè)電·容傳感器用于探測(cè)片盒里的晶片以決定晶片頂起升降機(jī)構(gòu)升起的高度，另一個(gè)電容傳感器判定是否有晶片吸附在吸盤上；壓縮空氣由進(jìn)氣孔進(jìn)入吸盤，由排氣槽 寫出；所述活動(dòng)式片盒的底部有一塊可以升降的底板，且底板與片盒側(cè)邊的皮帶連接，與皮帶保持上下方向的同步運(yùn)動(dòng)；所述片盒托架下部為一個(gè)鏤空的結(jié)構(gòu)，用來承載活動(dòng)式片盒；所述噴氣嘴設(shè)置在活動(dòng)式片盒的對(duì)側(cè)，控制系統(tǒng)通過電磁閥控制，在上料時(shí)吹出壓縮空氣將活動(dòng)式片盒上部的堆疊晶片分離；所述調(diào)速閥設(shè)置在噴氣嘴的進(jìn)氣端，通過控制壓縮空氣的流速來調(diào)節(jié)晶片被吹起的高度；所述晶片頂起升降機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)升降的步進(jìn)電機(jī)、零位傳感器、絲桿、導(dǎo)軌和頂起片盒的頂起軸。進(jìn)一步的，本實(shí)用新型所提供的無接觸式晶片上料裝置的吸盤采用“伯努利”吸盤，吸盤由控制系統(tǒng)通過電磁閥控制，吸盤的平面上裝有聚氨酯墊，防止晶片在水平方向的滑動(dòng)。[0013]本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，安裝方便，可以滿足晶片上料的要求，且不需要提供真空設(shè)備，吸盤采用“伯努利”原理，對(duì)晶片無污染，沖擊力?。晃P接觸面大，只需很小的接觸力就可以把晶片抓起，實(shí)現(xiàn)了無痕抓取，不會(huì)造成抓取時(shí)晶片的變形；且對(duì)晶片表面的形狀沒有特別的要求，晶片表面的彎曲翹曲不影響抓取效果。

圖1是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的吸盤裝置結(jié)構(gòu)圖。圖3是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的控制結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為讓本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能詳細(xì)易懂，以下將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)說明。圖1是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的控制結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1和圖3所示，無接觸式晶片上料裝置包括滑臺(tái)20、吸盤裝置21、輸送皮帶22、活動(dòng)式片盒23、片盒托架24、噴氣嘴25、調(diào)速閥26、晶片頂起升降機(jī)構(gòu)27。片盒托架24用來承載活動(dòng)式片盒，其下部為一個(gè)鏤空的結(jié)構(gòu)。發(fā)片時(shí)，操作人員需要將活動(dòng)式片盒23放在片盒托架上。活動(dòng)式片盒23的底部有一塊可以升降的底板，且底板與片盒側(cè)邊的皮帶連接，與皮帶保持上下方向的同步運(yùn)動(dòng)。晶片頂起升降機(jī)構(gòu)27包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)升降的步進(jìn)電機(jī)34、零位傳感器33,絲桿，導(dǎo)軌和頂起片盒的頂起軸。噴氣嘴25設(shè)置在活動(dòng)式片盒23的對(duì)側(cè)，控制系統(tǒng)通過電磁閥32控制噴氣嘴25在上料時(shí)吹出壓縮空氣將活動(dòng)式片盒23上部的堆疊晶片分離。調(diào)速閥26設(shè)置在噴氣嘴25的進(jìn)氣端，通過控制壓縮空氣的流速來調(diào)節(jié)晶片被吹起的高度。圖2是本實(shí)用新型提供的無接觸式晶片上料裝置的吸盤裝置結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，吸盤裝置21包括吸盤安裝塊10、鉸鏈機(jī)構(gòu)11、氣缸固定塊12、氣缸14、電容傳感器15和18、吸盤進(jìn)氣孔19、吸盤17、排氣槽16。吸盤安裝塊10固連接于滑臺(tái)20，鉸鏈機(jī)構(gòu)11包含鉸鏈和磁鐵，電容傳感器15和18固定在吸盤17上，電容傳感器15用于探測(cè)活動(dòng)式片盒23里的晶片以決定晶片頂起升降機(jī)構(gòu)27升起的高度，電容傳感器18判定是否有晶片吸附在吸盤17上。壓縮空氣由進(jìn)氣孔19進(jìn)入吸盤17，由排氣槽16瀉出。吸盤裝置21由控制系統(tǒng)通過電磁閥30控制，吸盤17采用“伯努利”吸盤，吸盤17的平面上裝有聚氨酯墊，防止晶片在水平方向的滑動(dòng)。吸盤17固定在氣缸14上，氣缸14由控制系統(tǒng)通過電磁閥31控制，實(shí)現(xiàn)吸盤17往下的取晶片的動(dòng)作。上料步驟如下:1.初始狀態(tài)下，吸盤裝置21停在皮帶的上方。需要發(fā)片時(shí)，先將活動(dòng)式片盒23置于片盒托架24上，操作人員把一疊晶片放入活動(dòng)式片盒23中。2.確認(rèn)發(fā)片后，晶片頂起升降機(jī)構(gòu)27先在步進(jìn)電機(jī)34的帶動(dòng)下向下回到零位傳感器33的位置。3.控制系統(tǒng)控制滑臺(tái)20運(yùn)動(dòng)，吸盤裝置21在滑臺(tái)20的帶動(dòng)下到達(dá)活動(dòng)式片盒23的正上方。4.控制單元給電磁閥31信號(hào)，電磁閥31控制氣缸14帶動(dòng)吸盤裝置21向下。隨后晶片頂起升降機(jī)構(gòu)27向上運(yùn)行，片盒頂起軸會(huì)先接觸到片盒底板，將片盒底板連同晶片一起向上頂起，直到傳感器15探測(cè)到晶片，控制系統(tǒng)會(huì)給出信號(hào)，晶片頂起升降機(jī)構(gòu)27停止向上運(yùn)動(dòng)。5.控制系統(tǒng)將電磁閥32開啟，噴氣嘴25通氣將活動(dòng)式片盒23里的晶片吹開，隨后電磁閥30通過進(jìn)氣口 19給吸盤裝置21通氣，吸盤裝置21吸起最上面的一片晶片。6.滑臺(tái)20帶動(dòng)吸盤裝置21將晶片運(yùn)送到皮帶的上方，電磁閥30在控制系統(tǒng)的作用下切斷吸盤裝置21供氣，晶片落到皮帶面上。如此往復(fù)，完成堆疊晶片的上料。綜上所述，本實(shí)用新型具有堆疊晶片的上料功能，操作簡單，而且不會(huì)對(duì)晶片造成污損，碎片率低。
權(quán)利要求1.一種無接觸式晶片上料裝置，其特征在于:包括滑臺(tái)、吸盤裝置、輸送皮帶、活動(dòng)式片盒、片盒托架、噴氣嘴、調(diào)速閥、晶片頂起升降機(jī)構(gòu)； 所述吸盤裝置包括吸盤安裝塊、鉸鏈機(jī)構(gòu)、氣缸固定塊、氣缸、兩個(gè)電容傳感器、吸盤進(jìn)氣孔、吸盤、排氣槽；吸盤安裝塊固連接于滑臺(tái)，鉸鏈機(jī)構(gòu)包含鉸鏈和磁鐵，兩個(gè)電容傳感器固定在吸盤上，一個(gè)電容傳感器用于探測(cè)片盒里的晶片以決定晶片頂起升降機(jī)構(gòu)升起的高度，另一個(gè)電容傳感器判定是否有晶片吸附在吸盤上；壓縮空氣由進(jìn)氣孔進(jìn)入吸盤，由排氣槽瀉出； 所述活動(dòng)式片盒的底部有一塊可以升降的底板，且底板與片盒側(cè)邊的皮帶連接，與皮帶保持上下方向的同步運(yùn)動(dòng)； 所述片盒托架下部為一個(gè)鏤空的結(jié)構(gòu)，用來承載活動(dòng)式片盒； 所述噴氣嘴設(shè)置在活動(dòng)式片盒的對(duì)側(cè)，控制系統(tǒng)通過電磁閥控制，在上料時(shí)吹出壓縮空氣將活動(dòng)式片盒上部的堆疊晶片分離； 所述調(diào)速閥設(shè)置在噴氣嘴的進(jìn)氣端，通過控制壓縮空氣的流速來調(diào)節(jié)晶片被吹起的高度； 所述晶片頂起升降機(jī)構(gòu)包括驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)升降的步進(jìn)電機(jī)、零位傳感器、絲桿、導(dǎo)軌和頂起片盒的頂起軸。
2.如權(quán)利要求1所述的一種無接觸式晶片上料裝置，其特征在于:所述的吸盤采用“伯努利”吸盤，吸盤由控制系統(tǒng)通過電磁閥控制，吸盤的平面上裝有聚氨酯墊，防止晶片在水平方向的滑動(dòng)。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種無接觸式晶片上料裝置，包括滑臺(tái)、吸盤裝置、輸送皮帶、活動(dòng)式片盒、片盒托架、噴氣嘴、調(diào)速閥、晶片頂起升降機(jī)構(gòu)，可將堆疊的晶片頂起并通過供氣進(jìn)行晶片的分離，使用無接觸式吸盤裝置抓取晶片，使用滑臺(tái)傳送晶片。該裝置結(jié)構(gòu)簡單，安裝方便，可以滿足晶片上料的要求，且不需要提供真空設(shè)備，吸盤采用“伯努利”原理，實(shí)現(xiàn)了無痕抓取，且對(duì)晶片表面的形狀沒有特別的要求。該裝置具有無接觸，不污染晶片的特性，能夠?qū)崿F(xiàn)全自動(dòng)無接觸無污染的堆疊晶片上料。
文檔編號(hào)H01L31/18GK203165871SQ20132005525
公開日2013年8月28日 申請(qǐng)日期2013年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月31日
發(fā)明者李福榮, 裴瓊?cè)A 申請(qǐng)人:上海星納電子科技有限公司