專利名稱：高速晶粒吸料軌道的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種高速晶粒吸料軌道，具體地說，涉及一種用于引導(dǎo)晶粒高速進(jìn)給以供晶粒檢測的高速晶粒吸料軌道。
背景技術(shù)：
隨著晶粒檢測設(shè)備不斷地朝向高速化演進(jìn)，目前已經(jīng)達(dá)到每小時可以測試兩萬顆的晶粒技術(shù)，然而在如此高速的測試速度下，對于晶粒檢測設(shè)備而言卻面臨嚴(yán)峻考驗。舉例說明，以晶粒供料模組而言，其勢必要達(dá)到可以提供每小時兩萬顆以上晶粒的程度。然而，在供料過程中如何使晶粒很安穩(wěn)且平整地進(jìn)給供料，這對現(xiàn)有技術(shù)而言確實是很迫切的需求。具體地說，請同時參閱圖1，圖1是熟知的晶粒檢測設(shè)備的進(jìn)料模組的正視圖。如圖所示，晶粒檢測設(shè)備Ti的進(jìn)料模組Fe主要包括一喂料盤6和一進(jìn)料軌道7，其中通過喂料盤6廣生震動力使晶粒C循序進(jìn)給到吸料機(jī)構(gòu)8,而吸料機(jī)構(gòu)8吸取晶粒C后移到檢測裝置81 (探針)處來進(jìn)行測試。
請參閱圖2，圖2是熟知的吸料機(jī)構(gòu)和進(jìn)料軌道的局部側(cè)視圖。然而，隨著晶粒的進(jìn)料速度的提升，時常發(fā)生前后晶粒堆疊的情形。換句話說，當(dāng)提高喂料盤6的震動頻率，而使晶粒C的行進(jìn)速度加快時，這樣很容易因為后方晶粒C的推擠，導(dǎo)致晶粒C 一端翹起而跨在另一晶粒C的上方。然而，當(dāng)吸料機(jī)構(gòu)8進(jìn)行取放時，堆置的晶粒C因整體聞度改變，堆疊的晶粒C將受到吸料機(jī)構(gòu)8沖擊，而導(dǎo)致晶粒破裂毀損、甚至被擊碎，而構(gòu)成晶粒主要瑕疵(major defect)。綜上所述，如何達(dá)成一種簡單、成本低廉、并且更重要的是在精密且高速進(jìn)料的條件下，仍可以維持晶粒平整、循序的進(jìn)給的高速晶粒吸料軌道，實為目前產(chǎn)業(yè)界迫切的需求。

實用新型內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型的目的在于提供一種高速晶粒吸料軌道，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷。本實用新型的主要目的是在于提供一種高速晶粒吸料軌道，使其能在精密且高速進(jìn)料的條件下，仍可以維持晶粒平整且循序的進(jìn)給，而不會有晶粒堆疊的情形發(fā)生。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種高速晶粒吸料軌道以供給晶粒，所述高速晶粒吸料軌道主要包括一軌道本體以及一固定式或可調(diào)整式的高度擋件。其中，所述軌道本體包括有一上表面，所述上表面的一側(cè)端向上凸伸有一側(cè)擋墻，晶粒沿著所述側(cè)擋墻進(jìn)給。另外，所述高度擋件位于所述軌道本體的所述上表面上并橫跨側(cè)擋墻，并且所述高度擋件和所述軌道本體的所述上表面之間保持有一間隙，所述間隙供晶粒通過，所述間隙大于等于晶粒的厚度一倍并小于晶粒的厚度兩倍。優(yōu)選為所述間隙等于晶粒的厚度1.5倍。[0009]由此，本實用新型通過在軌道本體上方設(shè)置有一高度擋件，并用高度擋件來避免晶粒重置的情形發(fā)生。也就是說，當(dāng)有晶粒重置的情形發(fā)生時，其重置后的聞度將超過晶粒的厚度兩倍，此時高度擋件便阻擋重疊在上方的晶粒，將其去除，進(jìn)而維持晶粒平整且循序的進(jìn)給，而不會有晶粒堆疊的情形發(fā)生。優(yōu)選地，本實用新型的所述軌道本體的側(cè)端面為一斜面，所述側(cè)擋墻位于所述斜面和所述上表面之間。而且，本實用新型的所述高度擋件可以包括一擋片，所述擋片組設(shè)在所述軌道本體的所述斜面上。此外，本實用新型的高速晶粒吸料軌道還包括一進(jìn)料止件，所述進(jìn)料止件組設(shè)在所述軌道本體的進(jìn)料終點處；所述進(jìn)料止件用于阻擋晶粒行進(jìn)。另外，所述高度擋件包括與所述進(jìn)料止件鄰近的一頭端，所述頭端和所述進(jìn)料止件之間容納至少一個晶粒但不超過兩個晶粒。另外，本實用新型的所述擋片可以包括一去料斜邊，所述去料斜邊為所述擋片相對于晶粒行進(jìn)方向的端邊。由此，本實用新型可以通過組設(shè)在軌道本體的斜面上的擋片來除去重疊的晶粒，而且利用擋片的去料斜邊可以使重疊在上方的晶粒沿著斜邊掉落軌道，以供回收并再次進(jìn)料檢測。優(yōu)選地，本實用新型的所述高度擋件也可以包括一 L型擋板，所述L型擋板包括一側(cè)板和一頂板，所述側(cè)板組設(shè)在所述軌道本體的側(cè)端面上，所述頂板和所述軌道本體的所述上表面之間保持有間隙。此外，本實用新型的高速晶粒吸料軌道還包括至少一螺栓，所述L型擋板的所述側(cè)板開設(shè)有至少一長槽，至少一螺栓穿過所述L型擋板的所述至少一長槽并螺鎖在所述軌道本體的所述側(cè)端面上。由此，本實用新型可以通過組設(shè)在軌道本體的側(cè)端面上的L型擋板來除去重疊的晶粒，而且長槽的設(shè)計還可以用來調(diào)整L型擋板的高度。換句話說，本實用新型可以適時調(diào)整L型擋板和軌 道本體的上表面之間的間隙，以適應(yīng)不同規(guī)格的晶粒厚度。優(yōu)選地，在本實用新型的高速晶粒吸料軌道中，所述L型擋板包括一去料斜邊，所述去料斜邊為所述L型擋板相對于晶粒行進(jìn)方向的端邊。優(yōu)選地，本實用新型L型擋板的側(cè)板的所述至少一長槽的短邊可以大于所述至少一螺栓的直徑。由此，本實用新型可以通過長槽的短邊大于螺栓直徑的設(shè)計，以使螺栓和長槽側(cè)壁間留有適當(dāng)余隙，以便根據(jù)不同規(guī)格的晶粒大小來輕微調(diào)整L型擋板的水平位置。因此，本實用新型的高速晶粒吸料軌道能在精密并且高速進(jìn)料的條件下，仍可以維持晶粒平整且循序的進(jìn)給，而不會有晶粒堆疊的情形發(fā)生。

圖1是熟知的晶粒檢測設(shè)備的進(jìn)料模組的正視圖。圖2是熟知的吸料機(jī)構(gòu)和進(jìn)料軌道的局部側(cè)視圖。圖3A是本實用新型的高速晶粒吸料軌道第一實施例的正視圖。圖3B是本實用新型的高速晶粒吸料軌道第一實施例的仰視圖。圖3C是本實用新型的高速晶粒吸料軌道第一實施例的右側(cè)視圖。圖4A是本實用新型的高速晶粒吸料軌道第一實施例的正視局部放大圖。[0025]圖4B是本實用新型的高速晶粒吸料軌道第一實施例的仰視局部放大圖圖5A是本實用新型的高速晶粒吸料軌道第二實施例的L型擋板立體圖。圖5B是本實用新型的高速晶粒吸料軌道第二實施例的右側(cè)視圖。附圖標(biāo)記說明如下:喂料盤6、進(jìn)料軌道7、吸料機(jī)構(gòu)8、檢測裝置81、晶粒C、進(jìn)料模組Fe、晶粒檢測設(shè)備T1、高速晶粒吸料軌道2、側(cè)端面20、軌道本體21、斜面22、上表面210、側(cè)擋墻211、高度擋件3、擋片31、去料斜邊311、L型擋板32、側(cè)板321、頂板322、長槽33、頭端34、螺栓4、進(jìn)料止件5、間隙D、直徑d、短邊I。
具體實施方式
為使審查員能進(jìn)一步了解本實用新型的結(jié)構(gòu)、特征及其他目的，現(xiàn)結(jié)合所附較佳實施例附以附圖詳細(xì)說明如下，使用本附圖所說明的實施例僅用于說明本實用新型的技術(shù)方案，并非限定本實用新型。請同時參 閱圖3A、圖3B、圖3C、圖4A以及圖4B，圖3A是本實用新型高速晶粒吸料軌道第一實施例的正視圖，圖3B是本實用新型高速晶粒吸料軌道第一實施例的仰視圖，圖3C是本實用新型高速晶粒吸料軌道第一實施例的右側(cè)視圖，圖4A是本實用新型高速晶粒吸料軌道第一實施例的正視局部放大圖，圖4B是本實用新型高速晶粒吸料軌道第一實施例的仰視局部放大圖。如圖所示，用于供給晶粒C的高速晶粒吸料軌道2主要包括一軌道本體21、一高度擋件3和一進(jìn)料止件5，其中軌道本體21包括有一上表面210，而上表面210的一側(cè)端向上凸伸有側(cè)擋墻211，晶粒C便是沿著側(cè)擋墻211進(jìn)給。另外，高度擋件3位于軌道本體21的上表面210上并橫跨側(cè)擋墻211，而且高度擋件3和軌道本體21的上表面210之間保持有一間隙D，以供晶粒C通過。其中，本實施例的間隙D為晶粒的厚度1.5倍。由此，當(dāng)有晶粒C重疊的情形發(fā)生時，其重疊后的高度將超過晶粒C的厚度兩倍，此時高度擋件3便阻擋重疊在上方的晶粒C，將其去除。在本實施例中，高度擋件3為一固定式擋片31，而軌道本體21的側(cè)端面20為一斜面22，其中側(cè)擋墻211位于斜面22和上表面210之間。并且，本實施例的擋片31為一梯型擋片，其鎖附在斜面22上。當(dāng)然，本實用新型的擋片31的型態(tài)并不局限于梯型，其他任意形狀均可以適用于本實用新型。另外，擋片31包括一去料斜邊311，而去料斜邊311為擋片31相對于晶粒C行進(jìn)方向的端邊。由此，利用擋片31的去料斜邊311可以使重疊在上方的晶粒C沿著去料斜邊311掉落軌道，以供回收并再次進(jìn)料檢測。另外，如圖所示，本實施例的高速晶粒吸料軌道2進(jìn)一步包括一進(jìn)料止件5，其組設(shè)在軌道本體21的進(jìn)料終點處，而進(jìn)料止件5是用于阻擋晶粒C行進(jìn)，以使晶粒C保持在取放位置，不致偏移甚至掉落。另外，擋片31包括一頭端34，其為與進(jìn)料止件5鄰近的一側(cè)端，而頭端34和進(jìn)料止件5之間容納不超過兩個晶粒C，優(yōu)選為一又二分之一的晶粒C，以保持僅一個晶粒C處在取放位置，而避免產(chǎn)生再次重疊的情形。再請同時參閱，圖5A、和圖5B，圖5A是本實用新型高速晶粒吸料軌道第二實施例的L型擋板立體圖，圖5B是本實用新型高速晶粒吸料軌道第二實施例的右側(cè)視圖。第二實施例和第一實施例主要差異在于高度擋件3的型態(tài)和其固定方式有所不同。[0036]在本實施例中，高度擋件3為一 L型擋板32，其位置可以調(diào)整，而L型擋板32主要包括一側(cè)板321和一頂板322。其中,側(cè)板321組設(shè)在軌道本體21的側(cè)端面20上,而頂板322和軌道本體21的上表面210間保持有間隙D。另外，L型擋板32的側(cè)板321開設(shè)有兩個長槽33，并有兩螺栓4分別穿過長槽33并螺鎖在軌道本體21的側(cè)端面20上。由此，本實施例可以通過長槽33的設(shè)計可以用來調(diào)整L型擋板32的高度。換句話說，可以適時調(diào)整L型擋板33和軌道本體21的上表面210之間的間隙，以適應(yīng)不同規(guī)格的晶粒C的厚度。當(dāng)然，L型擋板33的頂板322的型態(tài)并不局限于圖式中所示的梯型，其他任意形狀均可以適用于本實用新型。另外，在本實施例中，長槽33的短邊I大于螺栓4的直徑d。由此，可以通過長槽33的短邊I大于螺栓4的直徑d的設(shè)計，使得螺栓4和長槽33側(cè)壁間留有適當(dāng)余隙，以便根據(jù)不同規(guī)格的晶粒C大小，以微調(diào)整L型擋板的水平位置。需要聲明的是，上述實用新型內(nèi)容及具體實施方式
意在證明本實用新型所提供技術(shù)方案的實際應(yīng)用，不應(yīng)解釋為對本實用新型保護(hù)范圍的限定。本領(lǐng)域技術(shù)人員在本實用新型的精神和原理內(nèi)，當(dāng)可作各種修改、等同替換、或改進(jìn)。本實用新型的保護(hù)范圍以所附權(quán)利要求書為準(zhǔn)?！?br> 權(quán)利要求1.一種高速晶粒吸料軌道，其特征在于，所述高速晶粒吸料軌道包括: 一軌道本體，所述軌道本體包括有一上表面，所述上表面的一側(cè)端向上凸伸有一側(cè)擋墻，晶粒沿著所述側(cè)擋墻進(jìn)給；以及 一高度擋件，所述高度擋件位于所述軌道本體的所述上表面上，所述高度擋件和所述軌道本體的所述上表面之間保持有一間隙，所述間隙供晶粒通過，所述間隙大于等于晶粒的厚度一倍并小于晶粒的厚度兩倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速晶粒吸料軌道，其特征在于，所述高速晶粒吸料軌道還包括一進(jìn)料止件，所述進(jìn)料止件組設(shè)在所述軌道本體的進(jìn)料終點處；所述進(jìn)料止件用于阻擋晶粒行進(jìn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高速晶粒吸料軌道，其特征在于，所述高度擋件包括與所述進(jìn)料止件鄰近的一頭端，所述頭端和所述進(jìn)料止件之間容納至少一個晶粒但不超過兩個晶粒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速晶粒吸料軌道，其特征在于，所述軌道本體的側(cè)端面為一斜面，所述側(cè)擋墻位于所述斜面和所述上表面之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高速晶粒吸料軌道，其特征在于，所述高度擋件包括一擋片，所述擋片組設(shè)在所述軌道本體的所述斜面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高速晶粒吸料軌道，其特征在于，所述擋片包括一去料斜邊，所述去料斜邊為所述擋片相對于晶粒行進(jìn)方向的端邊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高速晶粒吸料軌道，其特征在于，所述高度擋件包括一L型擋板，所述L型 擋板包括一側(cè)板和一頂板，所述側(cè)板組設(shè)在所述軌道本體的側(cè)端面上，所述頂板和所述軌道本體的所述上表面之間保持有間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高速晶粒吸料軌道，其特征在于，所述高速晶粒吸料軌道還包括至少一螺栓，所述L型擋板的所述側(cè)板開設(shè)有至少一長槽，至少一螺栓穿過所述L型擋板的所述至少一長槽并螺鎖在所述軌道本體的所述側(cè)端面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高速晶粒吸料軌道，其特征在于，所述L型擋板包括一去料斜邊，所述去料斜邊為所述L型擋板相對于晶粒行進(jìn)方向的端邊。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高速晶粒吸料軌道，其特征在于，所述至少一長槽的短邊大于所述至少一螺栓的直徑。
專利摘要本實用新型涉及一種高速晶粒吸料軌道，所述高速晶粒吸料軌道主要包括一軌道本體和一固定式或可調(diào)整式的高度擋件，所述軌道本體包括有一上表面，所述上表面的一側(cè)端向上凸伸有一側(cè)擋墻，晶粒沿著所述側(cè)擋墻進(jìn)給；所述高度擋件位于所述軌道本體的所述上表面上，所述高度擋件和所述軌道本體的所述上表面之間保持有一間隙，所述間隙供晶粒通過，所述間隙大于等于晶粒的厚度一倍并小于晶粒的厚度兩倍。由此，當(dāng)有晶粒重疊的情形發(fā)生時，其重疊后的高度將超過晶粒的厚度兩倍，此時高度擋件便阻擋重疊在上方的晶粒，將其去除，進(jìn)而維持晶粒平整且循序的進(jìn)給，而不會有晶粒堆疊的情形發(fā)生。
文檔編號H01L21/683GK203118925SQ201320071780
公開日2013年8月7日 申請日期2013年2月7日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月7日
發(fā)明者黃德崑 申請人:臺北歆科科技有限公司