專利名稱：多芯片焊接結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電子芯片焊接技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁入多功能、高性能的研發(fā)方向，為滿足電子芯片的高集成度以及微型化的封裝需求，以符合電子產(chǎn)品小型化、大容量以及高速化的發(fā)展趨勢，多數(shù)電子產(chǎn)品采用在同一芯片承載體上進行多個芯片焊接的方式。例如一種光電耦合器，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括放置芯片承載體的外塑封體1，芯片承載體包括相對設(shè)置的四個導(dǎo)電支架2，第一導(dǎo)電支架上安裝有第一芯片3和第二芯片4，第二導(dǎo)電支架上安裝有第三芯片5，其中第一芯片的同一焊點需分別與第二芯片和第三芯片焊接；然而由于芯片的實際焊接區(qū)面積較小，大約只有0.01mm2，而導(dǎo)線焊點與芯片焊接區(qū)6面積相當，如重復(fù)焊接，必將引起焊接不牢固，降低光耦合器的成品率以及使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型解決的技術(shù)問題是提供一種多芯片焊接結(jié)構(gòu)，用于避免焊接不牢固現(xiàn)象的發(fā)生，進一步提聞廣品的成品率以及廣品的使用壽命。為解決上述技術(shù)問題，本實用新型所采取的技術(shù)方案如下。多芯片焊接結(jié)構(gòu)，包括安裝在導(dǎo)電支架上的多個芯片，所述芯片安裝較少的導(dǎo)電支架上設(shè)置有用于通過導(dǎo)線轉(zhuǎn)接各芯片的焊接島。
所述焊接島的具體結(jié)構(gòu)為:所述焊接島包括粘接在導(dǎo)電支架上的絕緣層，絕緣層的頂面上粘接有連接導(dǎo)線的導(dǎo)電層；所述絕緣層的厚度為0.2mm±0.01mm，導(dǎo)電層的厚度
2u m 5 y m。所述焊接島的改進在于:所述絕緣層的頂面上設(shè)置有安裝導(dǎo)電層的凹坑。所述焊接島的進一步改進在于:所述凹坑的的邊框上設(shè)置有斜槽。由于采用了以上技術(shù)方案，本實用新型所取得技術(shù)進步如下。本實用新型通過在芯片較少的導(dǎo)電支架上設(shè)置焊接島，通過焊接島對多芯片之間重復(fù)焊接進行轉(zhuǎn)接，在保證接線牢固可靠的基礎(chǔ)上，提高產(chǎn)品的成品率以及使用壽命。焊接島的設(shè)置還可在不改變導(dǎo)電支架的結(jié)構(gòu)下，靈活改變各芯片的安裝極性，使得原產(chǎn)品在有限的空間內(nèi)提高芯片的集成度，進一步增加產(chǎn)品功能。本實用新型絕緣層設(shè)置的凹坑，用于防止導(dǎo)電膠注入時從絕緣層流出，凹坑的邊框上設(shè)置的斜槽，用于使導(dǎo)電膠與絕緣層結(jié)合的更加牢固。

圖1為傳統(tǒng)光耦合器多芯片焊接結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為焊接島的剖視圖。[0014]其 中:1.外塑封體，2.導(dǎo)電支架，3.第一芯片，4.第二芯片，5.第三芯片，6.芯片焊接區(qū)，7.焊接島，71.絕緣層，711.斜槽，72.導(dǎo)電層，8.導(dǎo)電膠，9.焊點，10.導(dǎo)線。
具體實施方式
下面將結(jié)合具體實施例和附圖，對本實用新型進行進一步詳細說明。本實施例為用于光耦合器中的多芯片焊接結(jié)構(gòu)，如圖2所示。光耦合器包括外塑封體，外塑封體內(nèi)相對設(shè)置有四個導(dǎo)電支架，第一導(dǎo)電支架上安裝有第一芯片3和第二芯片4，第二導(dǎo)電支架上安裝有第三芯片5和焊接島7，焊接島用于轉(zhuǎn)接各芯片，即將第一芯片的重復(fù)焊點分別通過導(dǎo)線連接在焊接島上，以實現(xiàn)第一芯片的同一焊點分別與第二芯片和第三芯片連接。所述焊接島7的結(jié)構(gòu)如圖3所示，包括絕緣層71和導(dǎo)電層72，絕緣層71采用導(dǎo)電膠8粘接在導(dǎo)電支架2上；絕緣層的頂面上凹坑，導(dǎo)電層72采用導(dǎo)電膠粘接在絕緣層的凹坑中，凹坑的的邊框上設(shè)置有斜槽711。本實施例中絕緣層的厚度為0.2mm，導(dǎo)電層的厚度為3 ii m,當然導(dǎo)電層厚度還可以為2 V- m一5 u m之間的任意數(shù)值。本實用新型安裝時，首先通過真空濺射在絕緣層的凹坑中形成導(dǎo)電層，將焊接島的絕緣層通過導(dǎo)電膠粘接在導(dǎo)電支架上，然后將導(dǎo)線一端焊接在相應(yīng)芯片的電極上，導(dǎo)線的另一端焊接在焊接島導(dǎo)電層上端面，再向?qū)щ妼由献⑷雽?dǎo)電膠，使焊點9連接的更加牢固。
權(quán)利要求1.一種多芯片焊接結(jié)構(gòu)，包括安裝在導(dǎo)電支架(2)上的多個芯片，其特征在于:所述芯片安裝較少的導(dǎo)電支架上設(shè)置有用于通過導(dǎo)線轉(zhuǎn)接各芯片的焊接島(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述焊接島(7)包括粘接在導(dǎo)電支架上的絕緣層(71)，絕緣層的頂面上粘接有連接導(dǎo)線(10)的導(dǎo)電層(72);所述絕緣層的厚度為0.2mm±0.0lmm,導(dǎo)電層(72)的厚度大于2 y m小于5 y m。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的 多芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述絕緣層(71)的頂面上設(shè)置有安裝導(dǎo)電層的凹坑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多芯片焊接結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述凹坑的邊框上設(shè)置有斜槽(711)。
專利摘要本實用新型公開了一種多芯片焊接結(jié)構(gòu)，包括安裝在導(dǎo)電支架上的多個芯片，所述芯片安裝較少的導(dǎo)電支架上設(shè)置有用于通過導(dǎo)線轉(zhuǎn)接各芯片的焊接島。本實用新型通過在芯片較少的導(dǎo)電支架上設(shè)置焊接島，通過焊接島對多芯片之間重復(fù)焊接進行轉(zhuǎn)接，在保證接線牢固可靠的基礎(chǔ)上，提高產(chǎn)品的成品率以及使用壽命。
文檔編號H01L21/67GK203165868SQ20132020350
公開日2013年8月28日 申請日期2013年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月19日
發(fā)明者沈震強 申請人:沈震強