一種be結(jié)集成電阻的改進(jìn)型槽型聯(lián)柵晶體管的制作方法
【專利摘要】一種BE結(jié)集成電阻的改進(jìn)型槽型聯(lián)柵晶體管，包括集電極的引出端、N+襯底、N+導(dǎo)電材料層、N-導(dǎo)電材料層、槽型柵極、基區(qū)、氧化層、多晶硅層以及發(fā)射極，所述集電極的引出端、N+襯底、N+導(dǎo)電材料層以及N-導(dǎo)電材料層依次相連，所述N-導(dǎo)電材料層上設(shè)有兩個注有B的槽型柵極，所述柵極之間設(shè)有注有B的基區(qū)，柵極和基區(qū)通過擴(kuò)散后連成一體，柵極和基區(qū)上面設(shè)有氧化層，基區(qū)和氧化層上開有發(fā)射極，同時氧化層上淀積有多晶硅層，多晶硅層通過離子注入As/P形成導(dǎo)電層。本實(shí)用新型熱穩(wěn)定性好，抗沖擊能力和抗高頻輻射能力強(qiáng)；為終端客戶節(jié)省成本，提升電路的集成度，具有一定的應(yīng)用與推廣價值。
【專利說明】一種BE結(jié)集成電阻的改進(jìn)型槽型聯(lián)柵晶體管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，具體為一種BE結(jié)集成電阻的改進(jìn)型槽型聯(lián)柵
晶體管。
【背景技術(shù)】
[0002]功率器件是現(xiàn)代電力電子行業(yè)的核心器件。半導(dǎo)體新能源技術(shù)以及國家節(jié)能降耗政策均離不開功率器件的支持，如MOSFET以及基于MOSFET發(fā)展起來的IGBT等，而槽型聯(lián)柵型晶體管則是一種新型的功率器件，槽型聯(lián)柵晶體管同時具有MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，其主要特點(diǎn)為:動態(tài)損耗小，開關(guān)速度快，二次擊穿耐壓高，功率容量和安全工作區(qū)大；具有負(fù)的溫度系數(shù)，熱穩(wěn)定性好，抗沖擊能力和抗高頻輻射能力強(qiáng)。
[0003]如圖1所示，通常槽型聯(lián)柵晶體管在應(yīng)用中，柵極5的凹槽內(nèi)沒有沉淀一層多晶硅層8，需要在BE間外接電阻，這樣就增加了用戶的成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題在于提供一種BE結(jié)集成電阻的改進(jìn)型槽型聯(lián)柵晶體管，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0005]本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):
[0006]一種BE結(jié)集成電阻的改進(jìn)型槽型聯(lián)柵晶體管，包括集電極的引出端、N+襯底、N+導(dǎo)電材料層、N-導(dǎo)電材料層、槽型柵極、基區(qū)、氧化層、多晶硅層以及發(fā)射極，所述集電極的引出端、N+襯底、N+導(dǎo)電材料層以及N-導(dǎo)電材料層依次相連，所述N-導(dǎo)電材料層上設(shè)有兩個注有B的槽型柵極，所述柵極之間設(shè)有注有B的基區(qū)，柵極和基區(qū)通過擴(kuò)散后連成一體，柵極和基區(qū)上面設(shè)有氧化層，基區(qū)和氧化層上開有發(fā)射極，同時氧化層上淀積有多晶硅層，多晶硅層通過離子注入As/P形成導(dǎo)電層，發(fā)射極上面的多晶硅層經(jīng)過高溫?cái)U(kuò)散后在發(fā)射極下面形成一定的發(fā)射區(qū)。
[0007]有益效果:
[0008]本實(shí)用新型動態(tài)損耗小，開關(guān)速度快，二次擊穿耐壓高，功率容量和安全工作區(qū)大；具有負(fù)的溫度系數(shù)，熱穩(wěn)定性好，抗沖擊能力和抗高頻輻射能力強(qiáng)；為終端客戶節(jié)省成本，提升電路的集成度，具有一定的應(yīng)用與推廣價值。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為【背景技術(shù)】的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]為了使本實(shí)用新型的實(shí)現(xiàn)技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。[0012]如圖2所示，一種BE結(jié)集成電阻的改進(jìn)型槽型聯(lián)柵晶體管，包括集電極的引出端
1、N+襯底2、N+導(dǎo)電材料層3、N-導(dǎo)電材料層4、槽型柵極5、基區(qū)6、氧化層7、多晶硅層8以及發(fā)射極9，所述集電極的引出端1、N+襯底2、N+導(dǎo)電材料層3以及N-導(dǎo)電材料層4依次相連，所述N-導(dǎo)電材料層4上設(shè)有兩個注有B的槽型柵極5，所述柵極5之間設(shè)有注有B的基區(qū)6，柵極5和基區(qū)6通過擴(kuò)散后連成一體，柵極5和基區(qū)6上面設(shè)有氧化層7，基區(qū)6和氧化層7上開有發(fā)射極9，同時氧化層7上淀積有多晶硅層8，多晶硅層8通過離子注入As/P形成導(dǎo)電層，發(fā)射極9上面的多晶硅層8經(jīng)過高溫?cái)U(kuò)散后在發(fā)射極下面形成一定的發(fā)射區(qū)。
[0013]在本實(shí)用新型中，發(fā)射極在RIE刻蝕時在基區(qū)6和多晶硅層8之間保留一個條形多晶硅發(fā)射極9，發(fā)射極9的面積可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用電路中B和E之間所需的電阻大小進(jìn)行調(diào)整，并進(jìn)行高溫退火，在芯片B和E之間形成一定電阻值的發(fā)射極9，從而在不增加芯片面積和工藝復(fù)雜度以及工藝成本的情況下替換掉GAT管子應(yīng)用電路中B和E之間必不可少的電阻。
[0014]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型的要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種BE結(jié)集成電阻的改進(jìn)型槽型聯(lián)柵晶體管，包括集電極的引出端、N+襯底、N+導(dǎo)電材料層、N-導(dǎo)電材料層、槽型柵極、基區(qū)、氧化層、多晶硅層以及發(fā)射極，其特征是:所述集電極的引出端、N+襯底、N+導(dǎo)電材料層以及N-導(dǎo)電材料層依次相連，所述N-導(dǎo)電材料層上設(shè)有兩個注有B的槽型柵極，所述柵極之間設(shè)有注有B的基區(qū)，柵極和基區(qū)通過擴(kuò)散后連成一體，柵極和基區(qū)上面設(shè)有氧化層，基區(qū)和氧化層上開有發(fā)射極，發(fā)射極上面的多晶硅層經(jīng)過高溫?cái)U(kuò)散后在發(fā)射極下面形成一定的發(fā)射區(qū)。
【文檔編號】H01L29/417GK203423186SQ201320264090
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年5月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月15日
【發(fā)明者】張雷, 喬宇波, 梁明 申請人:深圳市盛元半導(dǎo)體有限公司