半箔半線低壓線圈結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種半箔半線低壓線圈結構，包括箔繞線圈，所述箔繞線圈的每層之間設有端絕緣和層間絕緣，所述箔繞線圈的首尾兩端分別由引線排出線，所述箔繞線圈外圍纏繞有線繞線圈，所述線繞線圈是由導線并聯(lián)繞成且分別出線，所述線繞線圈的匝數(shù)比箔繞線圈的匝數(shù)多，所述線繞線圈的每層之間也設有端絕緣和層間絕緣；所述箔繞線圈可以是由銅箔繞成，所述引線排可以是銅排，所述導線可以是銅線；所述箔繞線圈的端絕緣和層間絕緣可以均采用DMD預浸布。該半箔半線低壓線圈結構新穎，具有強度較高、整體性較好、抗短路能力較強、動熱穩(wěn)定性較好且造價較低等優(yōu)點，保證變壓器可靠運行。
【專利說明】半箔半線低壓線圈結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半箔半線低壓線圈結構。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有變壓器的低壓線圈有兩種結構:(1)箔繞式結構:雖然強度高、整體性好，但是散熱性能差且造價高；(2)線繞式結構:雖然強度較低、整體性差一些，但是散熱性能好且造價低。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型針對上述現(xiàn)有技術存在的問題做出改進，即本實用新型所要解決的技術問題是提供一種強度較高、整體性較好、散熱性能較好且造價較低的半箔半線低壓線圈結構。
[0004]為了解決上述技術問題，本實用新型的技術方案是:一種半箔半線低壓線圈結構，包括箔繞線圈，所述箔繞線圈的每層之間設有端絕緣和層間絕緣，所述箔繞線圈的首尾兩端分別由引線排出線，所述箔繞線圈外圍纏繞有線繞線圈，所述線繞線圈是由導線并聯(lián)繞成且分別出線，所述線繞線圈的匝數(shù)比箔繞線圈的匝數(shù)多，所述線繞線圈的每層之間也設有端絕緣和層間絕緣。
[0005]進一步的，所述箔繞線圈是由銅箔繞成，所述引線排為銅排。
[0006]進一步的，所述導線為銅線。
[0007]進一步的，所述箔繞線圈的端絕緣和層間絕緣均采用DMD預浸布或其它特殊材料。
[0008]與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有以下有益效果:該半箔半線低壓線圈結構新穎，具有強度較高、整體性較好、抗短路能力較強、動熱穩(wěn)定性較好且造價較低等優(yōu)點，保證變壓器可靠運行。
[0009]下面結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型做進一步詳細的說明。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型實施例的主視示意圖。
[0011]圖2為本實用新型實施例的俯視示意圖。
[0012]圖中:1_箔繞部分，11-箔繞線圈，12-箔繞線圈的端絕緣，13-箔繞線圈的層間絕緣，2-線繞部分，21-線繞線圈，22-線繞線圈的端絕緣，23-線繞線圈的層間絕緣，3-引線排，4-導線。
【具體實施方式】
[0013]如圖f 2所示，一種半箔半線低壓線圈結構，包括箔繞線圈11，所述箔繞線圈11的每層之間設有端絕緣11和層間絕緣12，所述箔繞線圈11的首尾兩端分別由引線排3出線，所述箔繞線圈11外圍纏繞有線繞線圈21，所述線繞線圈21是由導線4并聯(lián)繞成且分別出線，所述線繞線圈21的匝數(shù)比箔繞線圈11的匝數(shù)多，即少數(shù)匝部分用銅箔繞成、多數(shù)匝部分用導線4并聯(lián)繞成，所述線繞線圈21的每層之間也設有端絕緣22和層間絕緣23。
[0014]在本實施例中，該半箔半線低壓線圈結構為調(diào)容變壓器的低壓線圈結構，所述箔繞線圈11是由銅箔繞成，所述引線排3為銅排；當然，箔繞線圈11和引線排的材質(zhì)并不局限于銅，還可以是鋁等材質(zhì)。所述導線4為銅線，但并不局限于此。
[0015]在本實施例中，所述箔繞線圈11和線繞線圈21的所有出線頭均在上端；當然，所述箔繞線圈11和線繞線圈21的出線位置還可以在下端，具體可以根據(jù)引線結構而定。
[0016]在本實施例中，所述箔繞線圈11的端絕緣12和層間絕緣13均采用DMD預浸布或其它特殊材料，使得箔繞線圈11整體固化，提高了變壓器整體抗短路能力和動熱穩(wěn)定性能，保證變壓器運行的可靠性；所述線繞線圈21的端絕緣22和層間絕緣23可以采用電纜紙，但并不局限于此。
[0017]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，凡依本實用新型申請專利范圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本實用新型的涵蓋范圍。
【權利要求】
1.一種半箔半線低壓線圈結構，包括箔繞線圈，所述箔繞線圈的每層之間設有端絕緣和層間絕緣，所述箔繞線圈的首尾兩端分別由引線排出線，其特征在于:所述箔繞線圈外圍纏繞有線繞線圈，所述線繞線圈是由導線并聯(lián)繞成且分別出線，所述線繞線圈的匝數(shù)比箔繞線圈的匝數(shù)多，所述線繞線圈的每層之間也設有端絕緣和層間絕緣。
2.根據(jù)權利要求1所述的半箔半線低壓線圈結構，其特征在于:所述箔繞線圈是由銅箔繞成，所述引線排為銅排。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的半箔半線低壓線圈結構，其特征在于:所述導線為銅線。
4.根據(jù)權利要求1所述的半箔半線低壓線圈結構，其特征在于:所述箔繞線圈的端絕緣和層間絕緣均采用DMD預浸布。
【文檔編號】H01F27/32GK203386579SQ201320424673
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年7月17日 優(yōu)先權日:2013年7月17日
【發(fā)明者】林光鶯, 范益彬 申請人:國家電網(wǎng)公司, 福州天宇電氣股份有限公司