降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)和熱沉結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)和熱沉結(jié)構(gòu)，激光器芯片結(jié)構(gòu)包括激光器芯片主體，激光器芯片主體具有正極和與外部電極電性連接的負(fù)極，正極上設(shè)置有多個發(fā)光部，并且發(fā)光部之間設(shè)置有第一凹槽，還包括熱沉結(jié)構(gòu)，熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體，熱沉主體的正面通過焊料層焊接在激光器芯片主體的正極上，在熱沉主體的位于激光器芯片主體的第一凹槽相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽，并且該第二凹槽與第一凹槽一一對應(yīng)。本實(shí)用新型不僅具有低的應(yīng)力狀態(tài)，彎曲度低，能夠?qū)崿F(xiàn)低應(yīng)力或“無應(yīng)力”封裝，而且不影響激光器的導(dǎo)熱能力，可保證激光器長時間工作。
【專利說明】降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)和熱沉結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實(shí)用新型涉及一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)和熱沉結(jié)構(gòu)，屬于激光器制造領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前,半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管(LaserDiode)。隨著半導(dǎo)體激光器技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，其輸出功率、電光轉(zhuǎn)換效率、可靠性和壽命在不斷提高，可廣泛應(yīng)用于激光泵浦、激光加工、激光測距、科研和醫(yī)療等領(lǐng)域，市場需求巨大。
[0003]盡管半導(dǎo)體激光器技術(shù)已經(jīng)有了快速的進(jìn)步，但隨著各應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，對半導(dǎo)體激光器的性能提出了更高的要求。高品質(zhì)的光纖耦合和光學(xué)整形產(chǎn)品要求半導(dǎo)體激光器芯片具有低的芯片彎曲度，即很小的“smile”效應(yīng)，高可靠性、高穩(wěn)定性和長壽命等特點(diǎn)。要保證高功率半導(dǎo)體激光器長期穩(wěn)定工作，這給激光芯片本身和封裝技術(shù)來了極大的挑戰(zhàn)。
[0004]半導(dǎo)體激光器的性能除了與芯片有關(guān)外，還與其封裝結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。目前，大多數(shù)的高功率半導(dǎo)體激光器巴條封裝結(jié)構(gòu)主要應(yīng)用銅作為散熱材料“Two-dimensionalhigh-power laser diode arrays cooled by Funryu heat sink，，.SPIE, vol.889,66-70(2000))，雖然銅的熱導(dǎo)率比較高，導(dǎo)熱快，但其熱膨脹系數(shù)卻是激光芯片的2-3倍，在封裝后會產(chǎn)生較大的應(yīng)力施加于激光芯片上，導(dǎo)致半導(dǎo)體激光器巴條產(chǎn)生大的彎曲，smile值大，性能較低，也影響其輸出特性和生產(chǎn)成本。為了提高高功率半導(dǎo)體激光器的性能，降低生產(chǎn)成本，必須設(shè)計(jì)出降低應(yīng)力的熱沉結(jié)構(gòu)。
[0005]目前，大部分傳導(dǎo)冷卻和液體制冷高功率半導(dǎo)體激光器巴條芯片是貼在銅熱沉的平面上，熱沉表面是一個完整平面，沒有與激光芯片發(fā)光點(diǎn)對應(yīng)的凹槽結(jié)構(gòu)，芯片與熱沉之間是一層焊料。采用這種熱沉結(jié)構(gòu)封裝后的半導(dǎo)體激光器巴條應(yīng)力偏大，芯片易產(chǎn)生彎曲，嚴(yán)重限制了高功率半導(dǎo)體激光器巴條在光纖耦合和光學(xué)整形方面的應(yīng)用。
[0006]綜上所述，目前的封裝熱沉結(jié)構(gòu)不能夠完全滿足高功率半導(dǎo)體激光器的要求。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，它不僅具有低的應(yīng)力狀態(tài)，彎曲度低，能夠?qū)崿F(xiàn)低應(yīng)力或“無應(yīng)力”封裝，而且不影響激光器的導(dǎo)熱能力，可保證激光器長時間工作。
[0008]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題采取的技術(shù)方案是:一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，包括激光器芯片主體，激光器芯片主體具有正極和與外部電極電性連接的負(fù)極，正極上設(shè)置有多個發(fā)光部，并且發(fā)光部之間設(shè)置有第一凹槽，還包括熱沉結(jié)構(gòu)，熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體，熱沉主體的正面通過焊料層焊接在激光器芯片主體的正極上,在熱沉主體的位于激光器芯片主體的第一凹槽相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽，并且該第二凹槽與第一凹槽一一對應(yīng)。
[0009]進(jìn)一步，熱沉結(jié)構(gòu)還包括金屬結(jié)構(gòu)層，熱沉主體的背面通過焊料沉鍍在金屬結(jié)構(gòu)層上。
[0010]進(jìn)一步，所述的熱沉主體由金屬或陶瓷或金剛石或金屬基復(fù)合材料制成。
[0011]進(jìn)一步，所述的熱沉主體為多邊形的片狀或多邊形的塊狀。
[0012]進(jìn)一步，所述的多個第二凹槽為等間距排列狀，第二凹槽的寬度d小于第一凹槽的寬度D，并且第二凹槽的寬度d為0.0lmm?0.02mm。
[0013]進(jìn)一步，所述的第二凹槽的長度大于第一凹槽的長度。
[0014]進(jìn)一步，所述的第二凹槽的縱向深度h大于焊料層的厚度H。
[0015]進(jìn)一步，所述的第二凹槽的截面為矩形或“V”形或半圓形或半橢圓形或梯形。
[0016]本實(shí)用新型還提供了一種熱沉結(jié)構(gòu)，該熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體，熱沉主體的正面通過焊料層焊接在激光器芯片主體的正極上，熱沉主體的背面沉鍍在金屬結(jié)構(gòu)層上，在熱沉主體的位于激光器芯片主體的第一凹槽相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽，并且該第二凹槽與第一凹槽一一對應(yīng)。
[0017]進(jìn)一步，熱沉結(jié)構(gòu)還包括金屬結(jié)構(gòu)層，熱沉主體的背面通過焊料沉鍍在金屬結(jié)構(gòu)層上。
[0018]進(jìn)一步，所述的熱沉主體由金屬或陶瓷或金剛石或金屬基復(fù)合材料制成。
[0019]進(jìn)一步，所述的熱沉主體為多邊形的片狀或多邊形的塊狀。
[0020]進(jìn)一步，所述的多個第二凹槽為等間距排列狀，第二凹槽的寬度d小于第一凹槽的寬度D，并且第二凹槽的寬度d為0.0lmm?0.02mm。
[0021]進(jìn)一步，所述的第二凹槽的長度大于第一凹槽的長度。
[0022]進(jìn)一步，所述的第二凹槽的縱向深度h大于焊料層的厚度H。
[0023]本實(shí)用新型還提供了一種熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0024]I)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；
[0025]2)將基體上貼激光器芯片的部位進(jìn)行表面拋光；
[0026]3)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽，形成熱沉主體，并保證:a)第二凹槽的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽與激光器芯片發(fā)光部之間的第一凹槽一一對應(yīng)；
[0027]4)在熱沉主體的背面熱沉鍍金屬結(jié)構(gòu)層，完成整個熱沉結(jié)構(gòu)的制作。
[0028]本實(shí)用新型還提供了另一種熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0029]I)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；
[0030]2)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽，形成熱沉主體，并保證:a)第二凹槽的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽與激光器芯片發(fā)光部之間的第一凹槽一一對應(yīng)；
[0031]3)將熱沉主體上貼激光器芯片的部位進(jìn)行表面拋光；
[0032]4)在熱沉主體的背面熱沉鍍金屬結(jié)構(gòu)層，完成整個熱沉結(jié)構(gòu)的制作。
[0033]采用了上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型具有以下的有益效果:
[0034]1、本實(shí)用新型可使得激光巴條芯片封裝后具有低的應(yīng)力狀態(tài)，彎曲度低，實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力或“無應(yīng)力”封裝，從結(jié)構(gòu)上來講，目前的激光器芯片大部分還是采用銦焊料封裝在散熱銅熱沉上，為避免銦焊料在封裝過程中產(chǎn)生空洞，影響激光器性能，銅熱沉貼芯片表面加工成了沒有凹槽的高精度完整平面；雖然銦焊料能夠釋放一份應(yīng)力，但很多情況下還是造成激光器芯片，尤其是激光巴條產(chǎn)生彎曲，影響激光器的性能和長期壽命。另外，對于同種材料，某一方向的應(yīng)力與該材料在該方向上的尺寸成正比，尺寸越大應(yīng)力越大。因此，設(shè)計(jì)出凹槽結(jié)構(gòu)可有效降低該方向上的應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力分布。半導(dǎo)體激光芯片在封裝時，在芯片底部的焊料從升溫后的融化狀態(tài)降低至室溫的凝固狀態(tài)過程中，熱沉如常用的銅材料會和芯片一起收縮，雖然銅的熱膨脹系數(shù)較芯片的大，收縮量也就會大，但采用了凹槽結(jié)構(gòu)的熱沉，相當(dāng)于在其收縮方向長度減小，因此收縮量也就減小，這樣應(yīng)力也就相應(yīng)的降低了。
[0035]2、本實(shí)用新型不影響激光器的導(dǎo)熱能力，可保證大功率半導(dǎo)體激光器長時間工作；
[0036]3、本實(shí)用新型提高了激光器巴條封裝后的性能和成品率，降低生產(chǎn)成本；
[0037]4、本實(shí)用新型提高了激光器的可靠性、穩(wěn)定性和長期壽命。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0038]圖1為本實(shí)用新型的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)的第一種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖2為本實(shí)用新型的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)的第二種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖3為本實(shí)用新型的熱沉結(jié)構(gòu)的第二凹槽的第一種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖4為本實(shí)用新型的熱沉結(jié)構(gòu)的第二凹槽的第二種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖5為本實(shí)用新型的熱沉結(jié)構(gòu)的第二凹槽的第三種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖6為本實(shí)用新型的熱沉結(jié)構(gòu)的第二凹槽的第四種結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0045]實(shí)施例一
[0046]如圖1所不,一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu),包括激光器芯片主體4,激光器芯片主體4具有正極6和與外部電極電性連接的負(fù)極7，正極6上設(shè)置有多個發(fā)光部9，并且發(fā)光部9之間設(shè)置有第一凹槽8，還包括熱沉結(jié)構(gòu)，熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體1，熱沉主體I的正面2通過焊料層5焊接在激光器芯片主體4的正極6上，在熱沉主體I的位于激光器芯片主體4的第一凹槽8相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽3，并且該第二凹槽3與第一凹槽8 一一對應(yīng)。
[0047]熱沉主體I由金屬或陶瓷或金剛石或金屬基復(fù)合材料制成。金屬基復(fù)合材料可以采用銅和金剛石的復(fù)合材料。
[0048]熱沉主體I為多邊形的片狀或多邊形的塊狀。熱沉主體I的厚度依靠散熱能力而定。
[0049]多個第二凹槽3為等間距排列狀，第二凹槽3的寬度d小于第一凹槽8的寬度D，并且第二凹槽3的寬度d為0.0lmm?0.02mm。
[0050]第二凹槽3的長度大于第一凹槽8的長度。
[0051]第二凹槽3的縱向深度h大于焊料層5的厚度H，如第二凹槽3的縱向深度h大于10 μ m0
[0052]如圖3?6所示，第二凹槽3的截面為矩形或“V”形或半圓形或半橢圓形或梯形，但不限于此，或者是其他多邊形形狀。
[0053]激光器芯片主體4為巴條芯片或微型巴條或由巴條芯片并聯(lián)或者串聯(lián)或者混聯(lián)而成的芯片組。
[0054]一種熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0055]I)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；
[0056]2)將基體上貼激光器芯片的部位進(jìn)行表面拋光；
[0057]3)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽3，形成熱沉主體1，并保證:a)第二凹槽3的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽3與激光器芯片發(fā)光部9之間的第一凹槽8一一對應(yīng)；
[0058]激光器芯片的制備按照以下步驟執(zhí)行:
[0059]首先根據(jù)激光器芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)出降低應(yīng)力的熱沉結(jié)構(gòu)，要考慮激光器芯片的長度、腔長寬度、各發(fā)光部之間間距和激光器芯片上正極p-metal面上各第一凹槽8的尺寸，使得熱沉主體4上各第二凹槽3與激光芯片正極p-metal面上各第一凹槽8 一一對應(yīng)；
[0060]按照以上熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法制備熱沉結(jié)構(gòu)；
[0061]再在加工好的熱沉結(jié)構(gòu)的正面上采用蒸發(fā)鍍或化學(xué)鍍的方法鍍上所需的焊料層
5,如鋼、錫等；
[0062]將激光器芯片正極p-metal面放置于鍍好焊料層的熱沉結(jié)構(gòu)的正面上，發(fā)光部9和第一凹槽8與熱沉結(jié)構(gòu)關(guān)鍵區(qū)域和第二凹槽3—一對應(yīng)，激光器芯片的前腔面平行于熱沉結(jié)構(gòu)的前端面，并相對于熱沉結(jié)構(gòu)的前端面，避免激光器芯片嚴(yán)重突出或凹進(jìn)去；
[0063]最后通過金絲鍵合或銅箔等方式焊接在激光器芯片的負(fù)極上，完成低應(yīng)力高功率半導(dǎo)體激光器的封裝。
[0064]實(shí)施例二
[0065]如圖2所不,一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu),包括激光器芯片主體4,激光器芯片主體4具有正極6和與外部電極電性連接的負(fù)極7，正極6上設(shè)置有多個發(fā)光部9，并且發(fā)光部9之間設(shè)置有第一凹槽8，還包括熱沉結(jié)構(gòu)，熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體1，熱沉主體I的正面2通過焊料層5焊接在激光器芯片主體4的正極6上，在熱沉主體I的位于激光器芯片主體4的第一凹槽8相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽3，并且該第二凹槽3與第一凹槽8 一一對應(yīng)。熱沉結(jié)構(gòu)還包括金屬結(jié)構(gòu)層10，熱沉主體I的背面通過焊料11沉鍍在金屬結(jié)構(gòu)層5上。
[0066]熱沉主體I由金屬或陶瓷或金剛石或金屬基復(fù)合材料制成。金屬基復(fù)合材料可以采用銅和金剛石的復(fù)合材料。
[0067]熱沉主體I為多邊形的片狀或多邊形的塊狀。熱沉主體I的厚度依靠散熱能力而定。
[0068]多個第二凹槽3為等間距排列狀，第二凹槽3的寬度d小于第一凹槽8的寬度D，并且第二凹槽3的寬度d為0.0lmm?0.02mm。
[0069]第二凹槽3的長度大于第一凹槽8的長度。
[0070]第二凹槽3的縱向深度h大于焊料層5的厚度H，如第二凹槽3的縱向深度h大于10 u m0
[0071]如圖3?6所示，第二凹槽3的截面為矩形或“V”形或半圓形或半橢圓形或梯形，但不限于此，或者是其他多邊形形狀。
[0072]激光器芯片主體4為巴條芯片或微型巴條或由巴條芯片并聯(lián)或者串聯(lián)或者混聯(lián)而成的芯片組。
[0073]熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0074]I)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；
[0075]2)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽3，形成熱沉主體1，并保證:a)第二凹槽3的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽3與激光器芯片發(fā)光部9之間的第一凹槽8一一對應(yīng)；
[0076]3)將熱沉主體I上貼激光器芯片的部位進(jìn)行表面拋光；
[0077]4)在熱沉主體I的背面熱沉鍍金屬結(jié)構(gòu)層10，完成整個熱沉結(jié)構(gòu)。
[0078]或者采用以下制備方法制備熱沉結(jié)構(gòu)，一種熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法的步驟如下:
[0079]I)選用材料加工成所需要的多邊形片狀或塊狀的基體；
[0080]2)將基體上貼激光器芯片的部位進(jìn)行表面拋光；
[0081]3)在基體上貼激光器芯片的部位上加工出第二凹槽3，形成熱沉主體1，并保證:a)第二凹槽3的縱向與基體上貼激光器芯片的平面垂直；b)第二凹槽3與激光器芯片發(fā)光部9之間的第一凹槽8一一對應(yīng)；
[0082]4)在熱沉主體I的背面熱沉鍍金屬結(jié)構(gòu)層10，完成整個熱沉結(jié)構(gòu)的制作。
[0083]激光器芯片的制備按照以下步驟執(zhí)行:
[0084]首先根據(jù)激光器芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)出降低應(yīng)力的熱沉結(jié)構(gòu)，要考慮激光器芯片的長度、腔長寬度、各發(fā)光部之間間距和激光器芯片上正極p-metal面上各第一凹槽8的尺寸，使得熱沉主體上各第二凹槽3與激光芯片正極p-metal面上各第一凹槽8 一一對應(yīng)；
[0085]按照以上熱沉結(jié)構(gòu)的制備方法制備熱沉結(jié)構(gòu)；
[0086]再在加工好的熱沉結(jié)構(gòu)的正面上采用蒸發(fā)鍍或化學(xué)鍍的方法鍍上所需的焊料層
5,如鋼、錫等；
[0087]將激光器芯片正極p-metal面放置于鍍好焊料層的熱沉結(jié)構(gòu)的正面上，發(fā)光部9和第一凹槽8與熱沉結(jié)構(gòu)關(guān)鍵區(qū)域和第二凹槽3 —一對應(yīng)，激光器芯片的前腔面平行于熱沉結(jié)構(gòu)的前端面，并相對于熱沉結(jié)構(gòu)的前端面，避免激光器芯片嚴(yán)重突出或凹進(jìn)去；
[0088]該貼好激光器芯片的載體結(jié)構(gòu)再使用焊料11焊接接到一個散熱優(yōu)良的金屬結(jié)構(gòu)層(如銅)上10，這樣的好處是該金屬熱沉就可以不帶電工作，可滿足有些特殊的應(yīng)用需求；
[0089]最后通過金絲鍵合或銅箔等方式焊接在激光器芯片的負(fù)極上，完成低應(yīng)力高功率半導(dǎo)體激光器的封裝。
[0090]本實(shí)用新型的工作原理如下:
[0091]半導(dǎo)體激光芯片在封裝時，在芯片底部的焊料從升溫后的融化狀態(tài)降低至室溫的凝固狀態(tài)過程中，熱沉如常用的銅材料會和芯片一起收縮，雖然銅的熱膨脹系數(shù)較芯片的大，收縮量也就會大，但采用了凹槽結(jié)構(gòu)的熱沉，相當(dāng)于在其收縮方向長度減小，因此收縮量也就減小，這樣應(yīng)力也就相應(yīng)的降低了。
[0092]以上所述的具體實(shí)施例，對本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu),包括激光器芯片主體(4),激光器芯片主體(4)具有正極(6)和與外部電極電性連接的負(fù)極(7)，正極(6)上設(shè)置有多個發(fā)光部(9)，并且發(fā)光部(9)之間設(shè)置有第一凹槽(8)，其特征在于:還包括熱沉結(jié)構(gòu)，熱沉結(jié)構(gòu)包括熱沉主體(I)，熱沉主體(I)的正面(2)通過焊料層(5)焊接在激光器芯片主體(4)的正極(6)上，在熱沉主體(I)的位于激光器芯片主體(4)的第一凹槽(8)相對應(yīng)的部位上開有第二凹槽(3)，并且該第二凹槽(3)與第一凹槽(8) —一對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的熱沉結(jié)構(gòu)還包括金屬結(jié)構(gòu)層(10)，熱沉主體(I)的背面通過焊料(11)沉鍍在金屬結(jié)構(gòu)層(5)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的熱沉主體(I)由金屬或陶瓷或金剛石或金屬基復(fù)合材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的熱沉主體(I)為多邊形的片狀或多邊形的塊狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的多個第二凹槽⑶為等間距排列狀，第二凹槽⑶的寬度d小于第一凹槽⑶的寬度D，并且第二凹槽⑶的寬度d為0.01臟?0.02臟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的第二凹槽(3)的長度大于第一凹槽(8)的長度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述的第二凹槽(3)的縱向深度h大于焊料層(5)的厚度H。
8.一種熱沉結(jié)構(gòu)，其特征在于:它采用如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的降低應(yīng)力的激光器芯片結(jié)構(gòu)中的熱沉結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01S5/024GK203503972SQ201320428956
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年7月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月17日
【發(fā)明者】李豐 申請人:丹陽聚辰光電科技有限公司