陣列基板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種陣列基板和顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】。所述陣列基板的柵電極和柵線的外部包覆有金屬氧化物薄膜，所述柵電極和柵線為在利用包括有第一金屬和第二金屬的柵金屬層形成柵電極和柵線的圖形之后、對(duì)柵電極和柵線的圖形在含氧氣體中進(jìn)行退火后得到，其中，所述金屬氧化物薄膜為所述第二金屬與氧氣發(fā)生反應(yīng)后形成。通過(guò)本實(shí)用新型的技術(shù)方案，能夠避免柵電極和柵線中的金屬原子在陣列基板中發(fā)生擴(kuò)散。
【專利說(shuō)明】陣列基板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的不斷進(jìn)步，用戶對(duì)液晶顯示設(shè)備的需求日益增加，TFT-1XD(Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器)也成為了手機(jī)、平板電腦等產(chǎn)品中使用的主流顯示器。
[0003]TFT的性能決定了液晶顯示器的顯示品質(zhì)，圖1為現(xiàn)有TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有TFT陣列基板一般依次包括有襯底基板1、柵電極和柵線11、柵絕緣層
5、有源層6、刻蝕阻擋層7、源電極和漏電極8、鈍化層9和像素電極10。為了提高柵電極和柵線的導(dǎo)電性能，一般采用Cu來(lái)制備柵電極和柵線，但是在采用Cu制備柵電極和柵線之后，柵電極和柵線中的Cu原子容易發(fā)生擴(kuò)散，并且由于柵絕緣層的致密性不是很好，Cu原子會(huì)通過(guò)柵絕緣層進(jìn)入到有源層中，增大有源層的導(dǎo)電性，將會(huì)嚴(yán)重影響TFT的性能，導(dǎo)致顯示器不能正常顯示。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種陣列基板和顯示裝置，能夠避免柵電極和柵線中的金屬原子在陣列基板中發(fā)生擴(kuò)散。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下:
[0006]一方面，提供一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的柵電極和柵線的外部包
覆有金屬氧化物薄膜。
[0007]進(jìn)一步地，上述方案中，所述柵電極和柵線的材質(zhì)為銅，所述金屬氧化物薄膜為氧化鎂、氧化鉻、氧化鉿、氧化鈣、氧化鋁中的一種。
[0008]進(jìn)一步地，上述方案中，所述陣列基板具體包括:
[0009]襯底基板；
[0010]所述襯底基板上的外部包覆有金屬氧化物薄膜的所述柵電極和所述柵線；
[0011]所述柵電極和所述柵線上的柵絕緣層；
[0012]所述柵絕緣層上的有源層；
[0013]所述有源層上的刻蝕阻擋層；
[0014]所述刻蝕阻擋層上的由所述源漏金屬層組成的漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線；
[0015]所述漏電極、所述源電極和所述數(shù)據(jù)線上的鈍化層，所述鈍化層包括有對(duì)應(yīng)所述漏電極的過(guò)孔；
[0016]所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極電連接。
[0017]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0018]本實(shí)用新型的實(shí)施例具有以下有益效果:
[0019]上述方案中，陣列基板的柵電極和柵線的外部包覆有金屬氧化物薄膜，能夠有效阻擋柵電極和柵線中的金屬原子擴(kuò)散到陣列基板的其他區(qū)域，從而不會(huì)影響TFT的性能，保證了顯示器的正常顯示。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成柵電極和柵線后的截面示意圖；
[0022]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上對(duì)形成柵電極和柵線進(jìn)行退火后的截面示意圖；
[0023]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成柵絕緣層后的截面示意圖；
[0024]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成有源層的圖形后的截面示意圖；
[0025]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成刻蝕阻擋層的圖形后的截面示意圖；
[0026]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成源漏金屬層后的截面示意圖；
[0027]圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線后的截面示意圖；
[0028]圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成鈍化層的圖形后的截面示意圖； [0029]圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例在陣列基板上形成像素電極后的截面示意圖。
[0030]附圖標(biāo)記
[0031]I襯底基板2柵金屬層 3金屬導(dǎo)電部分
[0032]4金屬氧化物薄膜5柵絕緣層 6有源層
[0033]7刻蝕阻擋層8源漏金屬層9鈍化層
[0034]10像素電極
【具體實(shí)施方式】
[0035]為使本實(shí)用新型的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0036]本實(shí)用新型的實(shí)施例針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中柵電極和柵線中的Cu原子容易發(fā)生擴(kuò)散，通過(guò)柵絕緣層進(jìn)入到有源層中，增大有源層的導(dǎo)電性，嚴(yán)重影響TFT的性能，導(dǎo)致顯示器不能正常顯示的問(wèn)題，提供一種陣列基板和顯示裝置，能夠避免柵電極和柵線中的金屬原子在陣列基板中發(fā)生擴(kuò)散。
[0037]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板的柵電極和柵線的外部包覆有金屬氧化物薄膜。因?yàn)榻饘傺趸锉∧け容^致密，因此能夠有效阻擋柵電極和柵線中的金屬原子擴(kuò)散到陣列基板的其他區(qū)域，從而不會(huì)影響TFT的性能，保證了顯示器的正常顯不O
[0038]具體地，所述柵電極和柵線的內(nèi)部為第一金屬，所述柵電極和柵線的外部為利用第二金屬形成的金屬氧化物薄膜。所述柵電極和柵線為在利用包括有第一金屬和第二金屬的柵金屬層形成柵電極和柵線的圖形之后、對(duì)柵電極和柵線的圖形在含氧氣體中進(jìn)行退火后得到，其中，所述金屬氧化物薄膜為所述第二金屬與氧氣發(fā)生反應(yīng)后形成。
[0039]本實(shí)用新型中，柵金屬層為包括有第一金屬和第二金屬的合金，第一金屬是作為柵電極和柵線的主體，一般情況下，第一金屬可以選用導(dǎo)電性能比較好的金屬，比如Cu ;第二金屬是為了在柵電極和柵線外部形成金屬氧化物薄膜，一般情況下，第二金屬可以選用易與氧氣發(fā)生反應(yīng)的金屬，比如Mg、Cr、Hf、Ca、Al等，第二金屬并不局限為一種金屬，可以為兩種或三種以上的金屬。采用包含有第一金屬和第二金屬的合金形成柵電極和柵線的圖形后，對(duì)柵電極和柵線在含氧氣體中進(jìn)行退火處理，在退火處理的高溫中，第二金屬將在第一金屬中發(fā)生偏析與外部的氧氣反應(yīng)，從而在柵電極和柵線外側(cè)形成一層致密的金屬氧化物薄膜，有效阻擋柵電極和柵線中金屬原子的擴(kuò)散。
[0040]本實(shí)用新型的技術(shù)方案中，第二金屬的作用主要是為了形成金屬氧化物薄膜，而不是作為柵電極和柵線的主體，因此，柵金屬層中第二金屬所占的比重不需要太大，一般在1-5%或者更少。
[0041]優(yōu)選地，所述柵電極和柵線的材質(zhì)為銅，所述金屬氧化物薄膜為氧化鎂、氧化鉻、氧化鉿、氧化鈣、氧化鋁中的一種。
[0042]具體地，本實(shí)用新型的陣列基板包括:
[0043]襯底基板；
[0044]所述襯底基板上的所述柵電極和所述柵線，所述柵電極和柵線的外部包覆有金屬氧化物薄膜；
[0045]所述柵電極和所述柵線上的柵絕緣層；
[0046]所述柵絕緣層上的有源層；
[0047]所述有源層上的刻蝕阻擋層；
[0048]所述刻蝕阻擋層上的由所述源漏金屬層組成的漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線；
[0049]所述漏電極、所述源電極和所述數(shù)據(jù)線上的鈍化層，所述鈍化層包括有對(duì)應(yīng)所述漏電極的過(guò)孔；
[0050]所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極電連接。
[0051]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上任一實(shí)施例所述的陣列基板。其中，陣列基板的結(jié)構(gòu)同上述實(shí)施例，在此不再贅述。另外，顯示裝置其他部分的結(jié)構(gòu)可以參考現(xiàn)有技術(shù)，對(duì)此本文不再詳細(xì)描述。該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0052]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種上述陣列基板的制作方法，包括:形成包覆陣列基板的柵電極和柵線的金屬氧化物薄膜。因?yàn)榻饘傺趸锉∧け容^致密，因此能夠有效阻擋柵電極和柵線中的金屬原子擴(kuò)散到陣列基板的其他區(qū)域，從而不會(huì)影響TFT的性能，保證了顯示器的正常顯示。
[0053]在形成包覆柵電極和柵線的金屬氧化物薄膜時(shí)，如果采用在形成柵電極和柵線之后，再在柵電極和柵線上沉積金屬氧化物薄膜、通過(guò)構(gòu)圖工藝得到包覆柵電極和柵線的金屬氧化物薄膜的制作方法，對(duì)工藝的要求比較高，將會(huì)大大增加生產(chǎn)成本。因此，本實(shí)用新型的技術(shù)方案中，利用包括有第一金屬和第二金屬的柵金屬層形成柵電極和柵線的圖形，之后在含氧氣體中對(duì)柵電極和柵線的圖形進(jìn)行退火，使第二金屬在第一金屬中發(fā)生偏析與外部的氧氣反應(yīng)，在柵電極和柵線外部形成金屬氧化物薄膜。
[0054]本實(shí)用新型的陣列基板的制作方法，只需要采用包括有第一金屬和第二金屬的合金來(lái)制備柵電極和柵線，之后再在含氧氣體中對(duì)柵電極和柵線的圖形進(jìn)行退火，即可得到包覆柵電極和柵線的金屬氧化物薄膜，無(wú)需增加額外的構(gòu)圖工藝，在不增加生產(chǎn)成本的情況下就能實(shí)現(xiàn)阻擋柵電極和柵線中的金屬原子擴(kuò)散到陣列基板的其他區(qū)域。
[0055]本實(shí)用新型中，柵金屬層為包括有第一金屬和第二金屬的合金，第一金屬是作為柵電極和柵線的主體，一般情況下，第一金屬可以選用導(dǎo)電性能比較好的金屬，比如Cu ;第二金屬是為了在柵電極和柵線外部形成金屬氧化物薄膜，一般情況下，第二金屬可以選用易與氧氣發(fā)生反應(yīng)的金屬，比如Mg、Cr、Hf、Ca、Al等，第二金屬并不局限為一種金屬，可以為兩種或三種以上的金屬。采用包含有第一金屬和第二金屬的合金形成柵電極和柵線的圖形后，對(duì)柵電極和柵線在含氧氣體中進(jìn)行退火處理，在退火處理的高溫中，第二金屬將在第一金屬中發(fā)生偏析與外部的氧氣反應(yīng)，從而在柵電極和柵線外側(cè)形成一層致密的金屬氧化物薄膜，有效阻擋柵電極和柵線中金屬原子的擴(kuò)散。
[0056]本實(shí)用新型的技術(shù)方案中，第二金屬的作用主要是為了形成金屬氧化物薄膜，而不是作為柵電極和柵線的主體，因此，柵金屬層中第二金屬所占的比重不需要太大，一般在1-5%或者更少。
[0057]優(yōu)選地，本實(shí)用新型一具體實(shí)施例中，第一金屬為Cu，第二金屬可以為Mg和Al，柵金屬層為包含有少量Al、Mg成分的Cu合金，在襯底基板上沉積含有少量Al、Mg成分的Cu合金，經(jīng)過(guò)構(gòu)圖工藝后形成柵電極和柵線的圖形，之后對(duì)柵電極和柵線的圖形在含氧氣體中進(jìn)行退火處理，具體地，可以在純氧中、200到300°的環(huán)境下退火0.5-2h，由于Al、Mg成分在Cu合金中的偏析使其聚集在柵電極和柵線的表面與外部的氧氣發(fā)生反應(yīng)生成Al2O3和MgO，而柵電極和柵線的中心部分則幾乎完全成為Cu，由于Al2O3和MgO都屬于比較致密的金屬氧化物，因此可以有效的防止Cu原子的擴(kuò)散，從而解決了 Cu原子在TFT陣列基板中的擴(kuò)散現(xiàn)象，獲得低電阻的Cu柵電極的薄膜晶體管。
[0058]具體地，本實(shí)用新型的陣列基板的制作方法可以包括:
[0059]提供一襯底基板；
[0060]在所述襯底基板上利用柵金屬層形成柵電極和柵線的圖形，對(duì)所述柵電極和柵線的圖形在含氧氣體中進(jìn)行退火，得到外部包覆有金屬氧化物薄膜的柵電極和柵線；
[0061]在形成有所述柵電極和所述柵線的襯底基板上形成柵絕緣層；
[0062]在形成有所述柵絕緣層的襯底基板上形成有源層的圖形；
[0063]在形成有所述有源層的襯底基板上形成刻蝕阻擋層的圖形；
[0064]在形成有所述刻蝕阻擋層的襯底基板上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖形；
[0065]在形成有所述數(shù)據(jù)線、所述源電極和所述漏電極的襯底基板上形成鈍化層的圖形，所述鈍化層的圖形包括有對(duì)應(yīng)所述漏電極的過(guò)孔；
[0066]在形成有所述鈍化層的襯底基板上形成像素電極的圖形，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極電連接。
[0067]下面結(jié)合具體的工藝流程對(duì)本實(shí)施例的陣列基板的制作方法進(jìn)行進(jìn)一步地介紹:
[0068]如圖2?圖10所示，本實(shí)用新型的陣列基板的制作方法包括以下步驟:
[0069]步驟a、提供一襯底基板1，在襯底基板I上形成由柵金屬層2組成的柵電極和柵線的圖形；
[0070]如圖2所示，首先通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在襯底基板I上形成由柵金屬層2組成的包括柵電極和與柵電極連接的柵線的圖形。其中，襯底基板I可為玻璃基板或石英基板。[0071]具體地，可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在襯底基板I上沉積一層?xùn)沤饘賹?。柵金屬層為包括有第一金屬和第二金屬的合金，第一金屬是作為柵電極和柵線的主體，一般情況下，第一金屬可以選用導(dǎo)電性能比較好的金屬，比如Cu ;第二金屬是為了在柵電極和柵線外部形成金屬氧化物薄膜，一般情況下，第二金屬可以選用易與氧氣發(fā)生反應(yīng)的金屬，t匕如Mg、Cr、Hf、Ca、Al等，第二金屬并不局限為一種金屬，可以為兩種或三種以上的金屬。在柵金屬層上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵線和柵電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成柵線和柵電極的圖形；剝離剩余的光刻膠。
[0072]步驟b:如圖3所示，對(duì)柵電極和柵線的圖形在含氧氣體中進(jìn)行退火處理，形成外部包覆有金屬氧化物薄膜4的柵電極和柵線；
[0073]在退火處理的高溫中，第二金屬將在第一金屬中發(fā)生偏析與外部的氧氣反應(yīng)，從而在柵電極和柵線外側(cè)形成一層致密的金屬氧化物薄膜4，有效阻擋柵電極和柵線中金屬原子的擴(kuò)散。柵電極和柵線的主體部分為金屬導(dǎo)電部分3，金屬導(dǎo)電部分3主要包括第一金屬，還可能包括有少部分未與氧氣發(fā)生反應(yīng)的第二金屬。
[0074]在第一金屬選用Cu,第二金屬為Al和Mg,柵金屬層為包含有少量Al和Mg的Cu合金時(shí)，具體地，可以對(duì)柵電極和柵線的圖形在含氧氣體中和200到300°的環(huán)境下退火
0.5-2h，為了提高金屬氧化物薄膜形成的效率，優(yōu)選地，可以在純氧環(huán)境中進(jìn)行退火。在退火中，Al、Mg成分在Cu合金中發(fā)生偏析使其聚集在柵電極和柵線的表面與外部的氧氣發(fā)生反應(yīng)生成Al2O3和MgO，而柵電極和柵線的中心部分則幾乎完全成為Cu，由于Al2O3和MgO都屬于比較致密的金屬氧化物，因此可以有效的防止Cu原子的擴(kuò)散。
[0075]步驟c:如圖4所示，在形成有柵電極和柵線的襯底基板I上形成柵絕緣層5 ；
[0076]具體地，可以采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，在經(jīng)過(guò)步驟b的襯底
基板I上沉積厚度為300 A^SOOA的柵絕緣層材料形成柵絕緣層5，其中，柵絕緣層材料
可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化物，柵絕緣層可以為單層、雙層或多層結(jié)構(gòu)。針對(duì)于有源層材料的不同，選擇不同的柵絕緣層材料。例如，如果有源層采用a-si，則可以采用SiNx形成柵絕緣層；如果有源層選用IGZO等金屬氧化物層，則需要采用SiOx或者SiOx/SiNx或者SiOx/SiON/SiNx等復(fù)合層結(jié)構(gòu)來(lái)制備柵絕緣層。總之柵絕緣層與之前在柵電極和柵線外部形成的Al2O3和MgO共同作用，防止柵電極及柵線Cu原子的擴(kuò)散，造成TFT器件的失效。
[0077]步驟d:在形成有柵絕緣層5的襯底基板I上形成有源層6的圖形；
[0078]如圖5所示，具體地，可以先在經(jīng)過(guò)步驟c的襯底基板I上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層有源層材料，之后在有源層材料上涂覆光刻膠，對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域；之后進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的有源層材料6，形成有源層6的圖形；剝離光刻膠保留區(qū)域的剩余的光刻膠。其中，有 源層材料可以選用a-Si，IGZO或者其他材料。
[0079]步驟e:如圖6所示，在襯底基板I上形成刻蝕阻擋層7的圖形；[0080]具體地，在經(jīng)過(guò)步驟d的襯底基板I上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積刻蝕阻擋層材料，其中，刻蝕阻擋層材料可以選用氧化物或者氮化物。在刻蝕阻擋層材料上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于刻蝕阻擋層7的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的刻蝕阻擋層材料，形成刻蝕阻擋層7的圖形；剝離剩余的光刻膠。
[0081]步驟f:如圖7和圖8所示，在襯底基板I上形成由源漏金屬層8組成的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形；
[0082]具體地，在經(jīng)過(guò)步驟e的襯底基板I上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積一層源漏金屬層8。源漏金屬層8的材料可以是Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等金屬及其合金，源漏金屬層8也可以是由多層金屬薄膜組成。在源漏金屬層8上涂覆一層光刻膠，采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的源漏金屬薄膜，形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線的圖形；剝離剩余的光刻膠。
[0083]步驟g:如圖9所示，在襯底基板I上形成鈍化層9的圖形；
[0084]具體地，在經(jīng)過(guò)步驟f的襯底基板I上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積
厚度為1500A~2500人的 鈍化層材料，其中，鈍化層材料可以選用氧化物或者氮化物。在
鈍化層材料上涂敷一層光刻膠；采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于鈍化層的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的鈍化層材料，形成包括過(guò)孔的鈍化層9的圖形；剝離剩余的光刻膠。
[0085]步驟h:如圖10所示，在襯底基板I上形成像素電極10的圖形，像素電極10通過(guò)過(guò)孔與漏電極連接。
[0086]具體地，在經(jīng)過(guò)步驟g的襯底基板I上采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法沉積厚度為300/\、_600人的透明導(dǎo)電層，其中，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)等材料。在透明導(dǎo)電層上涂敷一層光刻膠；采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極10的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；通過(guò)刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的透明導(dǎo)電層，形成像素電極?ο的圖形；剝離剩余的光刻膠。
[0087]經(jīng)過(guò)上述步驟a_h即得到如圖10所示的本實(shí)施例的陣列基板。本實(shí)施例的柵電極和柵線外部包覆有金屬氧化物薄膜。因?yàn)榻饘傺趸锉∧け容^致密，因此能夠有效阻擋柵電極和柵線中的金屬原子擴(kuò)散到陣列基板的其他區(qū)域，從而不會(huì)影響TFT的性能，保證了顯示器的正常顯示。[0088] 以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板，設(shè)置在所述襯底基板上的柵電極和柵線，所述柵電極和柵線的外部包覆有金屬氧化物薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵電極和柵線的材質(zhì)為銅，所述金屬氧化物薄膜為氧化鎂、氧化鉻、氧化鉿、氧化鈣、氧化鋁中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 所述柵電極和所述柵線上的柵絕緣層； 所述柵絕緣層上的有源層； 所述有源層上的刻蝕阻擋層； 所述刻蝕阻擋層上的由所述源漏金屬層組成的漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線； 所述漏電極、所述源電極和所述數(shù)據(jù)線上的鈍化層，所述鈍化層包括有對(duì)應(yīng)所述漏電極的過(guò)孔； 所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述漏電極電連接。
4.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L29/786GK203690307SQ201320459793
【公開(kāi)日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月30日
【發(fā)明者】閆梁臣 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司