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具有防竊電屏蔽層的零磁通高精度電流互感器的制造方法

文檔序號:7019982閱讀:384來源:國知局
具有防竊電屏蔽層的零磁通高精度電流互感器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種具有防竊電屏蔽層的零磁通高精度電流互感器,它包括覆蓋有高導(dǎo)磁層的機(jī)殼、位于機(jī)殼內(nèi)的環(huán)形鐵芯T1、環(huán)形鐵芯T2、一次繞組、二次繞組、附加繞組和補(bǔ)償電阻Rf;所述一次繞組依次穿繞環(huán)形鐵芯T1、環(huán)形鐵芯T2各N1匝,或者同時穿繞相互疊合的環(huán)形鐵芯T1、環(huán)形鐵芯T2總共N1匝;二次繞組依次穿繞環(huán)形鐵芯T1、環(huán)形鐵芯T2的線圈匝數(shù)分別為N2和N2’;附加繞組穿繞環(huán)形鐵芯T2,其匝數(shù)為N3;補(bǔ)償電阻Rf接在附加繞組兩端;所述N2’和N3的范圍為N2/3~N2。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是通過磁分路補(bǔ)償和電勢補(bǔ)償相結(jié)合,提高了誤差級別,環(huán)形鐵芯T1、T2體積小,成本低;覆蓋有高導(dǎo)磁層的機(jī)殼可有效防止利用“在電表外施加恒定磁場或強(qiáng)磁鐵”竊電。
【專利說明】具有防竊電屏蔽層的零磁通高精度電流互感器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種具有防竊電屏蔽層的零磁通高精度電流互感器。
【背景技術(shù)】
[0002]在電測領(lǐng)域用到的普通電流互感器,通常都是用單個磁芯,在其上繞制相當(dāng)多的漆包線,以達(dá)到所要求電流與精度的要求,尤其儀用微型電流互感器,因其體積很小,單個磁芯所能做到的最聞精度等級目如是0.05級。
[0003]在提高電流互感器的精度上面,國內(nèi)外學(xué)者提出了很多帶補(bǔ)償和不帶補(bǔ)償?shù)亩喾N方案,有些已經(jīng)在實(shí)際中有所應(yīng)用,但是電流互感器應(yīng)用非常廣泛,不同的場合對其側(cè)重點(diǎn)不同,但是所有領(lǐng)域都會對其精度有特殊的要求,所以提高互感器的精度等級是十分重要的。
[0004]目前普遍應(yīng)用的有雙極互感器、電子式補(bǔ)償互感器等等,但是雙極互感器對兩個磁芯有特殊的要求,需要兩個磁芯匹配好,這就需要非常清楚兩個磁芯的工作狀態(tài),以及工作狀態(tài)下的磁導(dǎo)率、磁通密度等具體參數(shù),以便準(zhǔn)確地進(jìn)行補(bǔ)償;而電子式補(bǔ)償互感器需要后續(xù)接比較復(fù)雜的電子處理電路,對客戶應(yīng)用方來說很不方便。[0005]在應(yīng)用中,電流互感器在電表內(nèi)部屬于關(guān)鍵元器件,主要用以測量流過的實(shí)際電流,當(dāng)用戶通過在電表周圍施加一個強(qiáng)磁鐵(產(chǎn)生恒定的強(qiáng)磁場)時,電表內(nèi)的普通電流互感器極易受到磁場影響使其磁芯達(dá)到飽和狀態(tài),從而使電流互感器輸出嚴(yán)重失真,導(dǎo)致電表對電能計量誤差嚴(yán)重增加,從而實(shí)現(xiàn)竊電,造成電力損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供了一種測量精度高、體積小、成本低且具有防竊電屏蔽層的零磁通高精度電流互感器。
[0007]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案:
[0008]本實(shí)用新型包括覆蓋有高導(dǎo)磁層的機(jī)殼、位于機(jī)殼內(nèi)的環(huán)形鐵芯Tl、環(huán)形鐵芯T2、一次繞組、二次繞組、附加繞組和補(bǔ)償電阻Rf ;
[0009]所述一次繞組依次穿繞環(huán)形鐵芯Tl、環(huán)形鐵芯12各N1匝,或者同時穿繞相互疊合的環(huán)形鐵芯Tl、環(huán)形鐵芯T2總共N1匝;所述二次繞組依次穿繞環(huán)形鐵芯Tl、環(huán)形鐵芯T2的線圈匝數(shù)分別為N2和N2’ ;所述附加繞組穿繞環(huán)形鐵芯T2,其匝數(shù)為N3 ;所述補(bǔ)償電阻Rf接在附加繞組兩端;所述N2 =N1的比值等于通過一次繞組的一次電流I1和通過二次繞組的二次電流I2的比值;所述N2’的范圍為N2/3~N2 ;所述N3的范圍為N2/3~N2 ;
[0010]所述補(bǔ)償電阻Rf的大小需滿足公式
【權(quán)利要求】
1.一種具有防竊電屏蔽層的零磁通高精度電流互感器,其特征在于包括覆蓋有高導(dǎo)磁層的機(jī)殼(7 )、位于機(jī)殼內(nèi)的環(huán)形鐵芯TI (3 )、環(huán)形鐵芯T2 (4 )、一次繞組(5 )、二次繞組、附加繞組和補(bǔ)償電阻Rf (2); 所述一次繞組(5)依次穿繞環(huán)形鐵芯Tl (3)、環(huán)形鐵芯T2 (4)各N1匝,或者同時穿繞相互疊合的環(huán)形鐵芯Tl (3)、環(huán)形鐵芯T2 (4)總共N1匝;所述二次繞組依次穿繞環(huán)形鐵芯Tl (3)、環(huán)形鐵芯T2 (4)的線圈匝數(shù)分別為N2和隊’;所述附加繞組穿繞環(huán)形鐵芯T2 (4),其匝數(shù)為N3 ;所述補(bǔ)償電阻Rf (2)接在附加繞組兩端;所述N2 =N1的比值等于通過一次繞組(5)的一次電流I1和通過二次繞組的二次電流I2的比值;所述N2’的范圍為N2/3~N2 ;所述乂的范圍為隊/3、2; 所述補(bǔ)償電阻Rf (2)的大小需滿足公式
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有防竊電屏蔽層的零磁通高精度電流互感器,其特征在于所述覆蓋有高導(dǎo)磁層的機(jī)殼(7)上的高導(dǎo)磁層的厚度在0.5mm-2.5mm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有防竊電屏蔽層的零磁通高精度電流互感器,其特征在于所述補(bǔ)償電阻Rf (2)為微型電位器或者定值電阻。
【文檔編號】H01F38/28GK203503451SQ201320462655
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】馮長泳, 李敬潔, 劉光躍, 王燦, 鄭堯 申請人:河北申科電子股份有限公司
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