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一種射頻同軸連接器的制造方法

文檔序號(hào):7021647閱讀:159來源:國知局
一種射頻同軸連接器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種射頻同軸連接器。本實(shí)用新型的目的在于提供一種改進(jìn)的射頻同軸連接器。本實(shí)用新型包括本體,本體包括第一插座和第二插座以及連接兩者的轉(zhuǎn)接器,通過轉(zhuǎn)接器將第一插座和第二插座進(jìn)行信號(hào)連接,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、結(jié)實(shí)耐用、連接方便、信號(hào)傳遞好的特點(diǎn)。本實(shí)用新型主要用于電路板射頻連接。
【專利說明】一種射頻同軸連接器
【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0001]本實(shí)用新型公開了一種射頻同軸連接器,屬于電路板射頻同軸連接器領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】:
[0002]射頻同軸連接器用于電路板對(duì)電路板或電路板對(duì)射頻模塊或射頻模塊對(duì)射頻模塊時(shí)射頻同軸連接器需有一定的徑向和軸向容差以補(bǔ)償制造的公差。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中已知有射頻同軸連接器可以實(shí)現(xiàn)電路板對(duì)電路板連接。問題是所述連接器通常只是允許不足的徑向和軸向容差或者在界面產(chǎn)生間隙時(shí)產(chǎn)生高阻抗降低了射頻電氣性能。
[0004]現(xiàn)有電路板對(duì)電路板或電路板對(duì)射頻模塊或射頻模塊對(duì)射頻模塊連接器內(nèi)導(dǎo)都沒有插入導(dǎo)向,容易損壞連接器內(nèi)導(dǎo)體。
[0005]現(xiàn)有現(xiàn)有電路板對(duì)電路板或電路板對(duì)射頻模塊或射頻模塊對(duì)射頻模塊連接器的中間的轉(zhuǎn)接器都可任意地與兩端的插座插合,造成兩端都有不匹配區(qū)域不利于阻抗匹配從而降低了射頻電氣性能(加大了電壓駐波比)。
實(shí)用新型內(nèi)容:
[0006]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種允許較大軸向偏移量,而又具有良好射頻電氣性的射頻同軸連接器。要解決在插合時(shí)轉(zhuǎn)接器內(nèi)導(dǎo)體插壞的問題。
[0007]為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:一種射頻同軸連接器,包括本體,本體包括第一插座和第二插座以及連接兩者的轉(zhuǎn)接器;第一插座包括第一外導(dǎo)體、第一中心導(dǎo)體以及設(shè)在兩者之間的第一絕緣體;轉(zhuǎn)接器包括第二外導(dǎo)體、第二中心導(dǎo)體以及設(shè)在兩者之間的第二絕緣體;第二插座包括第三外導(dǎo)體、第三中心導(dǎo)體以及設(shè)在兩者之間的第三絕緣體,其特征是:
[0008]a.所述第一插座的第一外導(dǎo)體接觸面為內(nèi)部圓柱面,第一中心導(dǎo)體接觸面為外部圓柱面,第二中心導(dǎo)體末端為帶彈性的外部形狀為T形,內(nèi)部孔口呈碗口狀;
[0009]b.所述轉(zhuǎn)接器的第二外導(dǎo)體的上端與下端的端部均為具有彈性且設(shè)有徑向帶凸點(diǎn)的卡塊;
[0010]所述第二插座的第三外導(dǎo)體接觸面為內(nèi)部圓柱面且底部帶有徑向槽,第三中心導(dǎo)體接觸面為內(nèi)部圓柱面;
[0011 ] 轉(zhuǎn)接器的上端插設(shè)在第一插座內(nèi),轉(zhuǎn)接器的上端的第二外導(dǎo)體的上端與第一插座上的第一外導(dǎo)體連接、第二中心導(dǎo)體的上端與第一插座上的第一中心導(dǎo)體連接;
[0012]轉(zhuǎn)接器的下端插設(shè)在第二插座內(nèi),轉(zhuǎn)接器的下端的第二外導(dǎo)體的下端與第二插座上的第三外導(dǎo)體連接、第二中心導(dǎo)體的下端與第二插座上的第三中心導(dǎo)體連接。
[0013]本實(shí)用新型的效果:由于在轉(zhuǎn)接器的內(nèi)部設(shè)有T形的內(nèi)導(dǎo)體,從而在轉(zhuǎn)接器與插座的接合區(qū)域內(nèi)形成不同阻抗區(qū)域:當(dāng)被連接的器件間距有很大的軸向公差時(shí)在連接器的連接區(qū)域處會(huì)出現(xiàn)較大的空氣間隙,從而形成高阻抗區(qū)域;而轉(zhuǎn)接器的端面區(qū)域形成低阻抗區(qū)域,插座肩部的設(shè)計(jì)也形成一個(gè)低阻抗區(qū)域,其它區(qū)域?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)阻抗區(qū)域,這樣高阻抗區(qū)域與低阻抗區(qū)域可以形成阻抗互補(bǔ),從而降低高阻抗區(qū)域?qū)B接器性能的不良影響,提高了產(chǎn)品的射頻電氣性能。因此,本實(shí)用新型的射頻同軸連接器與現(xiàn)有技術(shù)相比可以允許更大的軸向偏移量(±1_),減少連接界面處由空氣間隙引起的阻抗不匹配的量,在頻率O到6Ghz內(nèi)具有良好的射頻電氣性能。轉(zhuǎn)接器內(nèi)導(dǎo)體如碗口將保護(hù)內(nèi)導(dǎo)體不被插壞。插座4只與轉(zhuǎn)接器3的下端配合保證了 A區(qū)域的阻抗匹配性以達(dá)到優(yōu)異的射頻電氣性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)說明。
[0015]圖1是本實(shí)用新型的連接器在組裝狀態(tài)下的正視剖面圖。
[0016]圖2是本實(shí)用新型的連接器的轉(zhuǎn)接器的正視剖視圖。
[0017]圖3是本實(shí)用新型的連接器的轉(zhuǎn)接器的中心導(dǎo)體上端剖視圖。
[0018]圖4是阻抗區(qū)域示意圖。
[0019]圖5是本實(shí)用新型電壓駐波比曲線圖。
[0020]圖中A為標(biāo)準(zhǔn)阻抗區(qū)域,V為低阻抗區(qū)域,S為低阻抗區(qū)域,R為連接后形成的間隙,為高阻抗區(qū)域,本體1、第一插座2、轉(zhuǎn)接器3、第二插座4、第一外導(dǎo)體21、第一絕緣體22、第一中心導(dǎo)體23、第二外導(dǎo)體31、第二絕緣體32、第二中心導(dǎo)體33、第三外導(dǎo)體41、第三絕緣體42、第三中心導(dǎo)體43
【具體實(shí)施方式】
[0021]參見附圖1至附圖4,本實(shí)用新型包括本體1,本體I包括第一插座2和第二插座4以及連接兩者的轉(zhuǎn)接器3 ;第一插座2包括第一外導(dǎo)體21、第一中心導(dǎo)體23以及設(shè)在兩者之間的第一絕緣體22 ;轉(zhuǎn)接器3包括第二外導(dǎo)體31、第二中心導(dǎo)體33以及設(shè)在兩者之間的第二絕緣體32 ;第二插座4包括第三外導(dǎo)體41、第三中心導(dǎo)體43以及設(shè)在兩者之間的第三絕緣體42,其特征是:
[0022]a.所述第一插座2的第一外導(dǎo)體21接觸面為內(nèi)部圓柱面,第一中心導(dǎo)體23接觸面為外部圓柱面,第二中心導(dǎo)體33末端為帶彈性的外部形狀為T形,內(nèi)部孔口呈碗口狀;
[0023]b.所述轉(zhuǎn)接器3的第二外導(dǎo)體31的上端與下端的端部均為具有彈性且設(shè)有徑向帶凸點(diǎn)的卡塊;
[0024]c.所述第二插座4的第三外導(dǎo)體41接觸面為內(nèi)部圓柱面且底部帶有徑向槽,第三中心導(dǎo)體43接觸面為內(nèi)部圓柱面;
[0025]轉(zhuǎn)接器3的上端插設(shè)在第一插座2內(nèi),轉(zhuǎn)接器3的上端的第二外導(dǎo)體31的上端與第一插座2上的第一外導(dǎo)體21連接、第二中心導(dǎo)體33的上端與第一插座2上的第一中心導(dǎo)體23連接;
[0026]轉(zhuǎn)接器3的下端插設(shè)在第二插座4內(nèi),轉(zhuǎn)接器3的下端的第二外導(dǎo)體31的下端與第二插座4上的第三外導(dǎo)體41連接、第二中心導(dǎo)體33的下端與第二插座4上的第三中心導(dǎo)體43連接。
[0027]所述轉(zhuǎn)接器3的第二外導(dǎo)體31的上端與下端的端部均為具有彈性且設(shè)有徑向帶凸點(diǎn)的卡決。由第二插座4與轉(zhuǎn)接器3的下端構(gòu)成的A區(qū)域?yàn)樽杩蛊ヅ鋮^(qū)域,V區(qū)域?yàn)榈妥杩箙^(qū)域,R區(qū)域?yàn)楦咦杩箙^(qū)域,S區(qū)域?yàn)榈妥杩箙^(qū)域。
[0028]轉(zhuǎn)接器3的上端插入第一插座2內(nèi)形成空成影響射頻電氣性能的間隙(如圖4“R”區(qū)域),轉(zhuǎn)接器的T形內(nèi)導(dǎo)體形成低阻抗區(qū)域(如圖4 “V”),第一插座2內(nèi)的“S”區(qū)域?yàn)榈妥杩箙^(qū)域,這樣一個(gè)高阻抗區(qū)域和兩個(gè)低阻抗區(qū)域相鄰互補(bǔ),降低阻抗的不匹配性,提高射頻電氣性能。
[0029]當(dāng)?shù)诙遄?與轉(zhuǎn)接器3的下端插合,第一插座2與轉(zhuǎn)接器3的上端插合,第一插座2內(nèi)孔直徑H = 4.63,插座內(nèi)孔深度L = 3,肩部內(nèi)孔直徑J = 3.6,肩部寬S = 0.3,插座第一中心導(dǎo)體23直徑G = 0.93,轉(zhuǎn)接器3的第二外導(dǎo)體31內(nèi)徑I = 3.85,轉(zhuǎn)接器3的第二中心導(dǎo)體33外徑W= 1.9,寬度V= 1.7,插合間隙R= Imm時(shí)射頻電氣性能“電壓駐波比”最小。插合間隙R = 2和R = O時(shí)射頻電氣性能“電壓駐波比”最大,實(shí)際使用時(shí)以R = I作為基準(zhǔn),這樣多數(shù)插合情況下射頻電氣性能“電壓駐波比”低于極最大值,以達(dá)到優(yōu)異的射頻電氣性能(如圖5)。
[0030]轉(zhuǎn)接器3的上端T形第二中心導(dǎo)體33與第一插座2的第一中心導(dǎo)體23插合時(shí),轉(zhuǎn)接器3的第二中心導(dǎo)體33利用孔口的碗口狀(圖3)導(dǎo)向防止被第一插座2的第一中心導(dǎo)體23將轉(zhuǎn)接器3的第二中心導(dǎo)體33插壞。
[0031]通過上述的結(jié)構(gòu)和原理的描述,所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,本實(shí)用新型不局限于上述的【具體實(shí)施方式】,在本實(shí)用新型基礎(chǔ)上采用本領(lǐng)域公知技術(shù)的改進(jìn)和替代均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍,應(yīng)由各權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種射頻同軸連接器,包括本體(1),本體⑴包括第一插座⑵和第二插座⑷以及連接兩者的轉(zhuǎn)接器(3);第一插座(2)包括第一外導(dǎo)體(21)、第一中心導(dǎo)體(23)以及設(shè)在兩者之間的第一絕緣體(22);轉(zhuǎn)接器(3)包括第二外導(dǎo)體(31)、第二中心導(dǎo)體(33)以及設(shè)在兩者之間的第二絕緣體(32);第二插座(4)包括第三外導(dǎo)體(41)、第三中心導(dǎo)體(43)以及設(shè)在兩者之間的第三絕緣體(42),其特征是: a.所述第一插座(2)的第一外導(dǎo)體(21)接觸面為內(nèi)部圓柱面,第一中心導(dǎo)體(23)接觸面為外部圓柱面,第二中心導(dǎo)體(33)末端為帶彈性的外部形狀為T形,內(nèi)部孔口呈碗口狀; b.所述轉(zhuǎn)接器(3)的第二外導(dǎo)體(31)的上端與下端的端部均為具有彈性且設(shè)有徑向帶凸點(diǎn)的卡塊; c.所述第二插座(4)的第三外導(dǎo)體(41)接觸面為內(nèi)部圓柱面且底部帶有徑向槽,第三中心導(dǎo)體(43)接觸面為內(nèi)部圓柱面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種射頻同軸連接器,其特征在于:轉(zhuǎn)接器(3)的上端插設(shè)在第一插座(2)內(nèi),轉(zhuǎn)接器(3)的上端的第二外導(dǎo)體(31)的上端與第一插座(2)上的第一外導(dǎo)體(21)連接、第二中心導(dǎo)體(33)的上端與第一插座(2)上的第一中心導(dǎo)體(23)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種射頻同軸連接器,其特征在于:轉(zhuǎn)接器(3)的下端插設(shè)在第二插座(4)內(nèi),轉(zhuǎn)接器(3)的下端的第二外導(dǎo)體(31)的下端與第二插座(4)上的第三外導(dǎo)體(41)連接、第二中心導(dǎo)體(33)的下端與第二插座(4)上的第三中心導(dǎo)體(43)連接。
【文檔編號(hào)】H01R13/631GK203631921SQ201320509613
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2013年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月21日
【發(fā)明者】歐陽偉, 壽祖剛 申請(qǐng)人:蘇州瑞可達(dá)連接系統(tǒng)有限公司
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