三相全橋快恢復(fù)整流模塊的制作方法
【專利摘要】三相全橋快恢復(fù)整流模塊，在殼體的底板上燒結(jié)隔離基片；在基片上燒結(jié)第一鉬片、第二鉬片、第三鉬片；在第一鉬片上焊接三個(gè)第一芯片，在三個(gè)第二鉬片上三個(gè)第二芯片；三個(gè)第一芯片分別與三個(gè)第二鉬片焊接連接橋進(jìn)行電連接；三個(gè)第二芯片與第三鉬片焊接連接橋進(jìn)行電連接；殼體側(cè)板上設(shè)有內(nèi)裝陶瓷隔片的插孔，直流接線端子穿過陶瓷隔片分別與第一鉬片、第三鉬片上的引線連接；交流接線端子穿過陶瓷隔片與第二鉬片上的引線連接。其優(yōu)點(diǎn)是：外形小、耐壓高、頻率高、大電流、散熱性好，能耐高冷熱劇變等特點(diǎn)，適合于在高壓、高頻、惡劣環(huán)境下對三相交流電進(jìn)行整流，采用全金屬密封外殼，絕緣電壓大于2000V，殼蓋與殼體能耐更高的溫度沖擊。
【專利說明】三相全橋快恢復(fù)整流模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于交直流轉(zhuǎn)換裝置【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種三相全橋快恢復(fù)整流模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在，國內(nèi)許多生產(chǎn)廠家生產(chǎn)的整流模塊，其內(nèi)部芯片與接線端子的連接，多采用多條鋁絲鍵合，其封裝多采用塑封外殼灌膠。由于三相整流模塊在實(shí)際使用過程中，在開機(jī)瞬間的沖擊電流很大，因此，現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)是:多條鋁絲容易分流不均而導(dǎo)致鋁絲熔斷，電流過載能力比較低，可靠性較差；其塑封外殼灌膠的封裝方式，使得耐溫度循環(huán)性能及密封性能、散熱性能重量等均不能滿足用戶及標(biāo)準(zhǔn)的要求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種性能優(yōu)越、外形體積小、重量輕且安裝拆卸方便的三相全橋快恢復(fù)整流模塊。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種三相全橋快恢復(fù)整流模塊，包括一殼體，其特征在于:在所述殼體的底板上，燒結(jié)一與所述底板電隔離的基片；在所述基片上，下部燒結(jié)第一鑰片，中部燒結(jié)三個(gè)相同尺寸、間隔分布的第二鑰片，上部燒結(jié)第三鑰片；在所述第一鑰片上，間隔均勻地焊接三個(gè)第一芯片，在所述三個(gè)第二鑰片上，分別焊接三個(gè)第二芯片；
[0005]所述三個(gè)第一芯片分別與所述三個(gè)第二鑰片焊接連接橋，進(jìn)行電連接；所述三個(gè)第二芯片與所述第三鑰片焊接連接橋，進(jìn)行電連接；
[0006]在所述殼體的側(cè)板上設(shè)置有插孔，所述插孔內(nèi)設(shè)有陶瓷隔片；一直流接線端子穿過所述陶瓷隔片與焊接于所述第一鑰片上的引線連接；另一直流接線端子穿過所述陶瓷隔片與焊接于所述第三鑰片上的引線連接；三個(gè)交流接線端子穿過所述陶瓷隔片，分別與焊接于三個(gè)所述第二鑰片上的引線連接。
[0007]優(yōu)選的，還包括殼蓋，所述殼蓋扣設(shè)在所述殼體上方，并將所述基片、第一鑰片、第二鑰片、第三鑰片、第一芯片、第二芯片及連接橋罩于所述殼體內(nèi)。
[0008]優(yōu)選的，所述殼體、殼蓋均為金屬材料制作。
[0009]優(yōu)選的，所述底板為鎢銅底板。
[0010]優(yōu)選的，所述基片為氧化鈹基片。
[0011]優(yōu)選的，所述連接橋?yàn)闊o氧銅導(dǎo)帶，所述引線為無氧銅引線。
[0012]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的外形體積小、耐壓高、頻率高、大電流、散熱性好，能耐更高的冷熱劇變等特點(diǎn)，適合于在高壓、高頻、自然條件惡劣的環(huán)境下對三相交流電進(jìn)行整流，米用全金屬密封外殼，絕緣電壓大于2000V,殼蓋與殼體的連接采用平行縫焊工藝，使其能耐更高的溫度沖擊?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例取掉殼蓋的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0014]圖2是本實(shí)用新型封裝后局部剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖中標(biāo)記為:
[0016]1、殼體；2、殼蓋；3、氧化鈹基片；4、第一鑰片；5、第二鑰片；6、第三鑰片；
[0017]7、第一芯片；8、第二芯片；9、無氧銅導(dǎo)帶；10、陶瓷隔片；11、直流接線端子；
[0018]12、無氧銅引線；13、交流接線端子。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖實(shí)施例，對本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述:
[0020]如圖1、2所示，一種三相全橋快恢復(fù)整流模塊，包括殼體1、殼蓋2均為鎢銅材料制作，在殼體I的底板上，燒結(jié)了氧化鈹基片3，氧化鈹基片3與底板電隔離；在氧化鈹基片3上，下部燒結(jié)第一鑰片4，中部燒結(jié)三個(gè)相同尺寸、間隔分布的第二鑰片5，上部燒結(jié)第三鑰片6 ;在第一鑰片4上，間隔均勻地焊接三個(gè)第一芯片7，在三個(gè)第二鑰片5上，分別焊接三個(gè)第二芯片8 ；
[0021]三個(gè)第一芯片7與三個(gè)第二鑰片5之間，分別一一對應(yīng)焊接了無氧銅導(dǎo)帶9，每對第一芯片7、第二鑰片5之間，通過無氧銅導(dǎo)帶9進(jìn)行電連接；三個(gè)第二芯片8均分別與第三鑰片6焊接無氧銅導(dǎo)帶9，三個(gè)第二芯片8均通過無氧銅導(dǎo)帶9，分別與第三鑰片6進(jìn)行電連接；
[0022]在殼體I的側(cè)板上設(shè)置有插孔，插孔內(nèi)設(shè)有陶瓷隔片10 ;兩個(gè)直流接線端子11之一穿過陶瓷隔片10與焊接于第一鑰片4上的無氧銅引線12連接；另一個(gè)直流接線端子11穿過陶瓷隔片10與焊接于第三鑰片6上的無氧銅引線12連接；三個(gè)交流接線端子13穿過陶瓷隔片10，分別與焊接于三個(gè)第二鑰片5上的無氧銅引線12連接；
[0023]殼蓋2扣設(shè)在殼體I上方，并將氧化鈹基片3、第一鑰片4、第二鑰片5、第三鑰片
6、第一芯片7、第二芯片8及無氧銅導(dǎo)帶9、無氧銅引線12均罩于殼體內(nèi)。兩個(gè)直流接線端子11、三個(gè)交流接線端子13均設(shè)置在殼體I的側(cè)板外。
[0024]以上，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非是對本實(shí)用新型作其它形式的限制，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或改型為等同變化的等效實(shí)施例。但是凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與改型，仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種三相全橋快恢復(fù)整流模塊，包括一殼體，其特征在于:在所述殼體的底板上，燒結(jié)一與所述底板電隔離的基片；在所述基片上，下部燒結(jié)第一鑰片，中部燒結(jié)三個(gè)相同尺寸、間隔分布的第二鑰片，上部燒結(jié)第三鑰片；在所述第一鑰片上，間隔均勻地焊接三個(gè)第一芯片，在所述三個(gè)第二鑰片上，分別焊接三個(gè)第二芯片； 所述三個(gè)第一芯片分別與所述三個(gè)第二鑰片焊接連接橋，進(jìn)行電連接；所述三個(gè)第二芯片與所述第三鑰片焊接連接橋，進(jìn)行電連接； 在所述殼體的側(cè)板上設(shè)置有插孔，所述插孔內(nèi)設(shè)有陶瓷隔片；一直流接線端子穿過所述陶瓷隔片與焊接于所述第一鑰片上的引線連接；另一直流接線端子穿過所述陶瓷隔片與焊接于所述第三鑰片上的引線連接；三個(gè)交流接線端子穿過所述陶瓷隔片，分別與焊接于三個(gè)所述第二鑰片上的引線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三相全橋快恢復(fù)整流模塊，其特征在于:還包括殼蓋，所述殼蓋扣設(shè)在所述殼體上方，并將所述基片、第一鑰片、第二鑰片、第三鑰片、第一芯片、第二芯片及連接橋罩于所述殼體內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的三相全橋快恢復(fù)整流模塊，其特征在于:所述殼體、殼蓋均為金屬材料制作。
4.如權(quán)利要求1至3任一所述的三相全橋快恢復(fù)整流模塊，其特征在于:所述底板為鎢銅底板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的三相全橋快恢復(fù)整流模塊，其特征在于:所述基片為氧化鈹基片。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三相全橋快恢復(fù)整流模塊，其特征在于:所述連接橋?yàn)闊o氧銅導(dǎo)帶，所述引線為無氧銅引線。
【文檔編號】H01L23/488GK203481216SQ201320538135
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月2日
【發(fā)明者】劉宏偉 申請人:青島航天半導(dǎo)體研究所有限公司