一種晶片上的基準芯片結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種芯片結構，尤其是一種晶片上的芯片結構。一種晶片上的基準芯片結構，包括襯底、設置于襯底上的布線層、設置于布線層上的鈍化膜，在布線層與鈍化膜間設置有抗反射膜；在所述鈍化膜上設置有開口部分，所述開口部分貫穿鈍化膜與抗反射膜銜接；所述開口部分為兩個。本實用新型具有如下優(yōu)點：識別度高。
【專利說明】 —種晶片上的基準芯片結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種芯片結構，尤其是一種晶片上的芯片結構。
【背景技術】
[0002]在半導體器件制造過程中，通常會對保持在晶片狀態(tài)下的半導體器件做多次檢查，即使多次檢查，也會把含有缺陷的誤當做沒有缺陷的芯片登記，傳送到后續(xù)的裝配步驟。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實用新型的目的是提供一種識別度高的基準芯片結構。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術方案:一種晶片上的基準芯片結構，包括襯底、設置于襯底上的布線層、設置于布線層上的鈍化膜，在布線層與鈍化膜間設置有抗反射膜；在所述鈍化膜上設置有開口部分，所述開口部分貫穿鈍化膜與抗反射膜銜接；所述開口部分為兩個。
[0005]此芯片結構由于在基準芯片中形成了兩個狹縫狀的開口結構，即使使用傳統(tǒng)的圖像識別處理器，也能很容易的區(qū)分處理。
[0006]本實用新型具有如下優(yōu)點:識別度高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是本實用新型的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0008]下面結合附圖對本實用新型做進一步的詳述:一種晶片上的基準芯片結構，包括襯底1、設置于襯底I上的布線層2、設置于布線層上的鈍化膜3，在布線層與鈍化膜間設置有抗反射膜4 ;在所述鈍化膜3上設置有開口部分5，所述開口部分5貫穿鈍化膜3與抗反射膜4銜接；所述開口部分5為兩個；所述鈍化膜3由絕緣膜的單層或多層制得。
【權利要求】
1.一種晶片上的基準芯片結構，包括襯底(I)、設置于襯底(I)上的布線層(2)、設置于布線層上的鈍化膜(3)，其特征在于:在布線層與鈍化膜間設置有抗反射膜(4);在所述鈍化膜(3)上設置有開口部分(5)，所述開口部分(5)貫穿鈍化膜(3)與抗反射膜(4)銜接。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶片上的基準芯片結構，其特征在于:所述鈍化膜(3)由絕緣膜的單層或多層制得。
3.根據(jù)權利要求1所述的晶片上的基準芯片結構，其特征在于:所述開口部分(5)為兩個。
【文檔編號】H01L23/544GK203481224SQ201320554603
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年9月9日 優(yōu)先權日:2013年9月9日
【發(fā)明者】洪元本, 彭成炫 申請人:江西省一元數(shù)碼科技有限公司