一種新型晶片座的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種新型晶片座，包括晶片座，所述晶片座為矩形結(jié)構(gòu)，所述晶片座上設(shè)有若干個凹點(diǎn)，所述凹點(diǎn)在所述晶片座上均勻分布，所述凹點(diǎn)為“+”字型結(jié)構(gòu)或“×”字型結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型提供的一種新型晶片座，使得原本光滑的表面增大了摩擦，解決了現(xiàn)有晶片座由于表面粘合力不足導(dǎo)致壓膜后錫液分布不均勻的現(xiàn)狀，便于后期焊片。
【專利說明】一種新型晶片座
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體焊接領(lǐng)域，具體涉及一種新型晶片座。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，晶片座結(jié)構(gòu)如圖1所述，包括一晶片座I，所述晶片座I設(shè)置于導(dǎo)線架2上，此結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)在于晶片座表面太光滑，熔化后的錫線點(diǎn)在晶片座上然后用壓膜頭將其壓勻時，晶片表面太光滑，粘合力不足導(dǎo)致壓膜后分布不均勻，從而給焊片造成困難。
[0003]申請?zhí)枮?00620102765.7中國專利公開了名稱為“一種改進(jìn)型發(fā)功率三極管引線框架”的實(shí)用新型專利，所示引線框架采用在芯片部上增加網(wǎng)格的方法來增加引線框架與芯片的結(jié)合力，從而提高產(chǎn)品的使用壽命，但由于通過設(shè)置網(wǎng)格這種方法所產(chǎn)生的結(jié)合力有限，對于一些高端和精密產(chǎn)品來說，并不能滿足產(chǎn)品的要求，從而影響其引線框架與芯片的結(jié)合力。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種新型晶片座，使得原本光滑的表面增大摩擦，解決現(xiàn)有晶片座由于表面粘合力不足導(dǎo)致壓膜后錫液分布不均勻的現(xiàn)狀，便于后期焊片。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型提供一種新型晶片座，包括晶片座，所述晶片座設(shè)置于導(dǎo)線架上，所述晶片座為矩形結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型的改進(jìn)之處在于，所述晶片座上設(shè)有若干個凹點(diǎn)。
[0006]進(jìn)一步的，所述凹點(diǎn)在所述晶片座上均勻分布。
[0007]作為一種實(shí)施方式，所述凹點(diǎn)為“ + ”字型結(jié)構(gòu)。
[0008]作為另一種實(shí)施方式，所述凹點(diǎn)為“ X ”字型結(jié)構(gòu)。
[0009]本實(shí)用新型提供的一種新型晶片座，在原本光滑的表面打上若干個均勻的凹點(diǎn)，增大表面摩擦，從而使得結(jié)合材分布均勻，提高表面粘合力，解決了現(xiàn)有晶片座由于表面粘合力不足導(dǎo)致壓膜后錫液分布不均勻的現(xiàn)狀，便于后期焊片。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1為現(xiàn)有的晶片座的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0012]圖2為本實(shí)用新型提供的一種新型晶片座的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]本實(shí)用新型提供一種新型晶片座，使得原本光滑的表面增大摩擦，解決現(xiàn)有晶片座由于表面粘合力不足導(dǎo)致壓膜后錫液分布不均勻的現(xiàn)狀，便于后期焊片。
[0014]下面將結(jié)合本實(shí)用新型中的附圖，對本實(shí)用新型中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0015]參見圖2, —種新型晶片座，包括晶片座10,所述晶片座10設(shè)置于導(dǎo)線架11上，所述晶片座10為矩形結(jié)構(gòu)，所述晶片座上10設(shè)有若干個凹點(diǎn)12，所述凹點(diǎn)12在所述晶片座上均勻分布，作為一種【具體實(shí)施方式】，所述凹點(diǎn)為“ + ”字型結(jié)構(gòu)，增大表面摩擦，從而使得結(jié)合材分布均勻，提高表面粘合力；作為另一種【具體實(shí)施方式】，所述凹點(diǎn)為“ X ”字型結(jié)構(gòu)，增大表面摩擦，從而使得結(jié)合材分布均勻，提高表面粘合力。
[0016]通過以上描述可知，本實(shí)用新型提供的一種新型晶片座，在原本光滑的表面打上若干個均勻的凹點(diǎn)，增大表面摩擦，從而使得結(jié)合材分布均勻，提高表面粘合力，解決了現(xiàn)有晶片座由于表面粘合力不足導(dǎo)致壓膜后錫液分布不均勻的現(xiàn)狀，便于后期焊片。
[0017]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本實(shí)用新型所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種新型晶片座，包括晶片座，所述晶片座設(shè)置于導(dǎo)線架上，所述晶片座為矩形結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶片座上設(shè)有若干個凹點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型晶片座，其特征在于，所述凹點(diǎn)在所述晶片座上均勻分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種新型晶片座，其特征在于，所述凹點(diǎn)為“+ ”字型結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種新型晶片座，其特征在于，所述凹點(diǎn)為“X ”字型結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L23/13GK203536405SQ201320567352
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月13日
【發(fā)明者】邱建軍, 曹周 申請人:杰群電子科技（東莞）有限公司