覆晶式led芯片的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種覆晶式LED芯片，該芯片包括：基板；以及沿水平方向依次設置在所述基板的正面上的正電極、隔離區(qū)、和負電極，其中，所述水平方向為與所述基板的正面平行的方向，所述隔離區(qū)在所述基板的正面上的垂直投影位于所述正電極和所述負電極在所述基板的正面上的垂直投影之間，所述隔離區(qū)在所述水平方向上的中心線與所述覆晶式LED芯片的一條對角線在所述基板的正面上的垂直投影相互重疊。根據(jù)本實用新型實施例的覆晶式LED芯片可以使得正電極和負電極間的距離最長，在使用傳統(tǒng)LED自動固晶機生產(chǎn)時可以實現(xiàn)最佳的焊接效果，從而可以避免在覆晶式LED封裝時正電極和負電極的相互導通，提高了覆晶式LED的封裝良率。
【專利說明】覆晶式LED芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及發(fā)光元件【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種覆晶式LED芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)照明技術(shù)的日益發(fā)展，LED在人們?nèi)粘Ｉ钪械膽靡苍絹碓綇V泛。
[0003]采用覆晶(Flip Chip)方式進行封裝的LED (以下稱覆晶式LED)的固晶方式簡略，擁有更高的信賴度，使得量產(chǎn)可行性大幅晉升，且兼具縮短高溫烘烤的制程時間、高良率、導熱效果佳、高出光量等優(yōu)勢，遂成為業(yè)界竭力開展的技術(shù)。
[0004]通過在覆晶式LED芯片的正電極以及負電極所電性連接的基板的結(jié)構(gòu)上進行金球、錫球、或共晶焊接來焊接覆晶式LED芯片，以實現(xiàn)覆晶式LED芯片的封裝。覆晶式LED芯片的正電極和負電極之間形成有隔離區(qū)，以防止兩電極短路。為了獲得最大的發(fā)光效果，現(xiàn)有的覆晶式LED芯片的隔離區(qū)通常做的較窄，并且隔離區(qū)隨著正電極和負電極大小的不同而偏左或偏右設置。但是，較窄的隔離區(qū)容易在芯片封裝工藝中，因高溫等原因?qū)е聝呻姌O跨過隔離區(qū)電性導通從而造成短路。此外，傳統(tǒng)的LED自動固晶機在芯片封裝時，點針點導電金屬(例如銀膠或錫膏)的面積是一致的，一般呈對等的圓面積?，F(xiàn)有結(jié)構(gòu)的覆晶式LED芯片無法使用傳統(tǒng)的LED自動固晶機生產(chǎn)，或者在使用傳統(tǒng)的LED自動固晶機生產(chǎn)時導電金屬出現(xiàn)點在同一個電極上、或同時點在兩個電極上的現(xiàn)象，或因一個電極過小導致導電金屬溢出電極表面進而出現(xiàn)短路的現(xiàn)象。這些都影響LED的封裝良率。
實用新型內(nèi)容
[0005]摶術(shù)問是頁
[0006]有鑒于此，本實用新型要解決的技術(shù)問題是，如何提高覆晶式LED芯片的封裝良率。
_7] 解決方案
[0008]為了解決上述問題，根據(jù)本實用新型的實施例，提供了一種覆晶式LED芯片，包括:基板；以及沿水平方向依次設置在所述基板的正面上的正電極、隔離區(qū)、和負電極，其中，所述水平方向為與所述基板的正面平行的方向，所述隔離區(qū)在所述基板的正面上的垂直投影位于所述正電極和所述負電極在所述基板的正面上的垂直投影之間，所述隔離區(qū)在所述水平方向上的中心線與所述覆晶式LED芯片的一條對角線在所述基板的正面上的垂直投影相互重疊。
[0009]對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述基板為正方形。
[0010]對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述隔離區(qū)在所述水平方向上的最小寬度大于0.05mm。
[0011]對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述正電極的形狀為多邊形或者圓形，所述負電極的形狀為多邊形或者圓形。[0012]對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述覆晶式LED芯片還包括:第一導電型半導體層，位于所述基板的正面；發(fā)光層，位于所述第一導電型半導體層的正面；第二導電型半導體層，位于所述發(fā)光層的正面；以及隔離層，位于所述第二導電型半導體層的正面；其中，所述負電極位于所述隔離層的正面，所述正電極位于所述隔離層的正面，所述隔離層裸露出的部分為所述隔離區(qū)，所述正電極通過貫穿所述隔離層的通孔與所述第二導電型半導體層電性接觸，所述負電極通過貫穿所述隔離層、所述第二導電型半導體層、以及所述發(fā)光層的通孔與所述第一導電型半導體層電性接觸。
[0013]對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述隔離層還位于所述覆晶式LED芯片的側(cè)面。
[0014]對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述隔尚層為Si02、DBR、光子晶體結(jié)構(gòu)、SiNx、AlOxJP AlN中的任意一種。
[0015]對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述覆晶式LED芯片還包括:保護層，位于所述負電極的正面和/或所述正電極的正面。
[0016]對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述保護層為鈦、鎳、鉻、銀、和金材料中的任意一種。
[0017]對上述覆晶式LED芯片，在一種可能的實現(xiàn)方式中，所述保護層的厚度為
20 A ?10000 Ao
[0018]有益.效果
[0019]通過沿覆晶式LED芯片的對角線設置用于隔離正電極和負電極的隔離區(qū)，根據(jù)本實用新型實施例的覆晶式LED芯片可以使得正電極和負電極間的距離最長，在使用傳統(tǒng)LED自動固晶機生產(chǎn)時可以實現(xiàn)最佳的焊接效果，從而可以避免在覆晶式LED封裝時正電極和負電極的相互導通，提高了覆晶式LED的封裝良率。
[0020]根據(jù)下面參考附圖對示例性實施例的詳細說明，本實用新型的其它特征及方面將
變得清楚。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]包含在說明書中并且構(gòu)成說明書的一部分的附圖與說明書一起示出了本實用新型的示例性實施例、特征和方面，并且用于解釋本實用新型的原理。
[0022]圖1不出本實用新型一實施例的覆晶式LED芯片的俯視圖；
[0023]圖2不出本實用新型又一實施例的覆晶式LED芯片的俯視圖；
[0024]圖3不出本實用新型又一實施例的覆晶式LED芯片的俯視圖；
[0025]圖4a示出本實用新型又一實施例的覆晶式LED芯片的俯視圖；
[0026]圖4b不出本實用新型又一實施例的覆晶式LED芯片的俯視圖；
[0027]圖5示出本實用新型又一實施例的覆晶式LED芯片的俯視圖；
[0028]圖6示出本實用新型實施例的覆晶式LED芯片的立體剖面圖；
[0029]圖7示出本實用新型實施例的覆晶式LED芯片的制備方法的流程圖；
[0030]圖8a?圖8c示出本實用新型實施例的覆晶式LED芯片的制備方法中所形成結(jié)構(gòu)的剖面圖；以及
[0031]圖9a和圖9b示出本實用新型實施例的覆晶式LED芯片的制備方法中所形成的底層電極示意圖。
[0032]附圖標記列表
[0033]10:基板;11、21、31、411、412、51、80:正電極;12、22、32、421、422、52:隔離區(qū);13、23、33、431、432、53、90:負電極；20:第一導電型半導體層；30:發(fā)光層；40:第二導電型半導體層；50:隔離層；60:第二通孔；70:第一通孔。
【具體實施方式】
[0034]以下將參考附圖詳細說明本實用新型的各種示例性實施例、特征和方面。附圖中相同的附圖標記表示功能相同或相似的元件。盡管在附圖中示出了實施例的各種方面，但是除非特別指出，不必按比例繪制附圖。
[0035]在這里專用的詞“示例性”意為“用作例子、實施例或說明性”。這里作為“示例性”所說明的任何實施例不必解釋為優(yōu)于或好于其它實施例。
[0036]另外，為了更好的說明本實用新型，在下文的【具體實施方式】中給出了眾多的具體細節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應當理解，沒有某些具體細節(jié)，本實用新型同樣可以實施。在另外一些實例中，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法、手段、元件和電路未作詳細描述，以便于凸顯本實用新型的主旨。
[0037]圖1示出根據(jù)本實用新型一實施例的覆晶式LED芯片的俯視圖。如圖1所示，該覆晶式LED芯片主要包括:基板10以及沿水平方向依次設置在基板10的正面上的正電極
11、隔離區(qū)12、和負電極13。其中，該水平方向可為圖1中虛線B所示的與基板10的正面平行的方向。隔離區(qū)12在基板10的正面上的垂直投影可位于正電極11和負電極13在基板10的正面上的垂直投影之間，以能夠用于隔離正電極11和負電極13。并且，在本實用新型實施例的覆晶式LED芯片中，該隔離區(qū)12在所述水平方向上的中心線A與覆晶式LED芯片的一條對角線在基板10的正面上的垂直投影可相互重疊。
[0038]本實用新型實施例的覆晶式LED芯片的正電極和負電極設計在基板10正面的對角兩端，能夠適當延長用于隔離正電極和負電極的隔離區(qū)的長度，即使在使用傳統(tǒng)LED自動固晶機生產(chǎn)時也可以實現(xiàn)較佳的焊接效果，從而可以避免在覆晶式LED封裝時正電極和負電極的相互導通，提高了覆晶式LED的封裝良率。
[0039]在一種可能的實現(xiàn)方式中，如圖1所示，覆晶LED芯片的正電極11和負電極13可為正方形，且正電極11與負電極13相對于隔離區(qū)12的中心線A相互對稱。
[0040]在另一種可能的實現(xiàn)方式中，如圖2所示，覆晶LED芯片的正電極21和負電極23可為五邊形，且正電極21與負電極23相對于隔離區(qū)22的中心線A相互對稱。
[0041]在另一種可能的實現(xiàn)方式中，如圖3所示，覆晶LED芯片的正電極31和負電極33可為圓形,且正電極31與負電極33相對于隔離區(qū)32的中心線A相互對稱。
[0042]在另一種可能的實現(xiàn)方式中，如圖4a所示，覆晶LED芯片的正電極411和負電極431可為三角形，且正電極411與負電極431相對于隔離區(qū)421的中心線A相互對稱。
[0043]在另一種可能的實現(xiàn)方式中，如圖4b所示，覆晶LED芯片的正電極412和負電極432可為圓角三角形，該圓角三角形可如圖4b所示僅兩個角為圓角。并且,正電極412與負電極432相對于隔離區(qū)422的中心線A相互對稱。
[0044]在另一種可能的實現(xiàn)方式中，如圖5所示，覆晶LED芯片的正電極51和負電極53可為不規(guī)則多邊形，并且正電極51與負電極53可不相對于隔離區(qū)52的中心線A相互對稱。
[0045]優(yōu)選地，本實用新型實施例的隔離區(qū)在所述水平方向上的寬度L可為等于或大于
0.05mm，這樣可以保證在芯片封裝工藝中不會出現(xiàn)正電極和負電極跨過隔離區(qū)電性導通的情況。
[0046]在一種可能的實現(xiàn)方式中，本實用新型實施例的覆晶LED芯片的基板為正方形。在這種情況下，由于隔離區(qū)沿芯片的一條對角線設置，正電極和負電極分別置于該對角線兩側(cè)，使得可以使用傳統(tǒng)的LED自動固晶機生產(chǎn)該覆晶LED芯片。
[0047]需要說明的是，盡管以正方形、五邊形、圓形、三角形、圓角三角形作為示例介紹了正電極和負電極的形狀，本領(lǐng)域技術(shù)人員應能理解，本實用新型實施例不限于此，正電極和負電極可為任意多邊形或圓形。并且，正電極和負電極可相對于隔離區(qū)的中心線相互對稱，也可不相互對稱，只要正電極和負電極分別置于隔離區(qū)的兩側(cè)即可。
[0048]圖6為根據(jù)本實用新型實施例的覆晶式LED芯片的立體剖面圖，其中，該剖面圖可為根據(jù)圖1至圖3、圖4a、圖4b、以及圖5所示的任意一種覆晶式LED芯片沿與虛線A垂直的方向的立體剖面圖。如圖6所示，該覆晶式LED芯片包括:基板10、依次形成于基板10的正面上的第一導電型半導體層20、發(fā)光層30、第二導電型半導體層40、以及隔離層50。該覆晶式LED芯片還包括形成在隔離層50正面的正電極80和負電極90。
[0049]該覆晶式LED芯片的第一導電型半導體層20可采用η型氮化鎵制作，第二導電型半導體層40可采用P型氮化鎵層制作。且在該覆晶式LED芯片中，將P型氮化鎵層40的遠離發(fā)光層30的一面稱為正面，將P型氮化鎵層40的更靠近發(fā)光層30的一面稱為背面，并將P型氮化鎵層40的剩下四個面均稱為側(cè)面。將η型氮化鎵層20的更靠近發(fā)光層30的一面稱為正面，將η型氮化鎵層20的更靠近基板10的一面稱為背面，并將η型氮化鎵層20的剩下四個面均稱為側(cè)面。將發(fā)光層30的更靠近P型氮化鎵層40的一面稱為正面，將發(fā)光層30的更靠近η型氮化鎵層20的一面稱為背面，將發(fā)光層30的剩下的面均稱為側(cè)面。
[0050]在一種可能的實現(xiàn)方式中，正電極80可通過貫穿隔離層50的通孔與P型氮化鎵層40電性接觸，負電極90可通過貫穿隔離層50、P型氮化鎵層40、以及發(fā)光層30的通孔與η型氮化鎵層20電性接觸。并且，隔離層50裸露出的部分為圖1至圖3、圖4a、圖4b、以及圖5中所示的隔離區(qū)。
[0051]在一種可能的實現(xiàn)方式中，隔離層50可為Si02、DBR (Distributed BraggReflection,分布式布拉格反射鏡)、光子晶體結(jié)構(gòu)、SiNx (氮化娃)、AlOx (氧化招)、和AlN(氮化鋁)中的任意一種，且該隔離層50還可以位于覆晶式LED芯片的側(cè)面，且可在貫穿隔離層50、P型氮化鎵層40、以及發(fā)光層30的通孔的孔壁上形成有類似的隔離層材料，以防止正電極80和負電極90的電性導通。
[0052]此外，在本實用新型實施例的覆晶式LED芯片中，正電極80以及負電極90可由ITO (納米銦錫金屬氧化物)及鋁材料制成。且為了防止電極氧化，在正電極80和/或負電極90的正面上還可形成有保護層(未示出)。該保護層可由薄層金屬例如鈦、鎳、鉻、銀、和金材料中的一種制成，其厚度為20 A?10000 A時可被錫膏或銀膠焊接使用。
[0053]圖7為圖6所示的覆晶式LED芯片的制備方法的流程圖，結(jié)合圖8a?圖8c所示詳細介紹如下。如圖7所示，該覆晶式LED芯片的制備方法包括:
[0054]步驟SI，對于在基板10上依次層疊有第一導電型半導體層20、發(fā)光層30和第二導電型半導體層40的LED外延片，可通過例如干式或者濕式的蝕刻方式，利用第一掩?？涛g第二導電型半導體層40及發(fā)光層30以暴露第一導電型半導體層20，形成如圖8a所示第二導電型半導體層40和發(fā)光層30中包含有至少一個第一通孔70的結(jié)構(gòu)。其中，第一通孔70將用于使下述的負電極與第一導電型半導體層20接觸，并優(yōu)選如圖8a所示的分布布局，使得第一通孔70盡可能分布均勻。
[0055]在一種可能的實現(xiàn)方式中，基板10可具體為各種具有不同晶向的基板，例如藍寶石、硅或者碳化硅基板。
[0056]此外，第一導電型半導體層20的材料可以為η型氮化鎵，也可以為η型磷化鋁銦鎵(AlGalnP)。第二導電型半導體層40的材料可以為P型氮化鎵，也可以為P型磷化鋁銦鎵。在一種可能的實現(xiàn)方式中，第一導電型半導體層20和第二導電型半導體層40可分別采用η型氮化鎵和P型氮化鎵制成。
[0057]步驟S2，在第一通孔70的側(cè)壁和第二導電型半導體層40上覆蓋由單層或者多層例如二氧化硅(Si02)、DBR (可由 Si02、Ti02、SiNx、Ta205、MgF2、ZnS 中的任意一種制成)、AlOx (氧化鋁)、A1N (氮化鋁)或光子晶體結(jié)構(gòu)等高反射率的絕緣材料作為隔離層50，其中隔離層50必須暴露位于第一通孔70底部的第一導電型半導體層20，從而形成如圖Sb所示第一通孔70延伸穿過隔離層50的結(jié)構(gòu)。其中，隔離層50本身不導電，起到絕緣隔離的作用，此外，隔離層50還可以反射光。
[0058]步驟S3，在隔離層50上，可通過例如干式或者濕式的蝕刻方式，利用第二掩模進行刻蝕以暴露第二導電型半導體層40，形成如圖Sc所示隔離層50中還包含有多個第二通孔60的結(jié)構(gòu)。其中，第二通孔60將用于使下述的正電極與第二導電型半導體層40接觸。
[0059]在一種可能的實現(xiàn)方式中，第二通孔60與第一通孔70的分布可如圖9a所示，至少部分第二通孔60到一個第一通孔70的距離一致，使得在最終制成的LED芯片中經(jīng)由這些通孔形成的正電極和負電極之間的距離一致、并且流過這部分正電極和負電極的電流所經(jīng)歷的電阻一致，從而能夠有效提高電流密度和發(fā)光的均勻性。
[0060]步驟S4，形成經(jīng)由第一通孔70連接至第一導電型半導體層20的負電極90以及經(jīng)由第二通孔60連接至第二導電型半導體層40的正電極80。
[0061]在一種可能的實現(xiàn)方式中，上述步驟S4中用以形成正電極和負電極的操作可包括底層電極制作步驟、隔離步驟以及表面電極制作步驟，其中:
[0062]在底層電極制作步驟中，利用電極材料填充各第一通孔70和各第二通孔60，使位于預定的負電極區(qū)內(nèi)的各第一通孔70中的電極材料經(jīng)由引線連接至位于預定的正電極區(qū)內(nèi)的第一通孔70中的電極材料，并使填充各第二通孔60的電極材料避開各第一通孔70以及引線相互連接，從而形成俯視結(jié)構(gòu)如圖9a所示的底層電極。在如圖9a所示的底層電極示意圖中，以圖中虛線A所示的芯片對角線為界，右上角區(qū)域是所謂的預定的負電極區(qū)，左下角區(qū)域是所謂的預定的正電極區(qū)。
[0063]在隔離步驟中，至少在隔離層50的正面上覆蓋絕緣材料，并利用第三掩模對該覆蓋有絕緣材料的隔離層進行刻蝕，以在正電極區(qū)暴露填充各第一通孔70的電極材料、在負電極區(qū)至少暴露填充各第二通孔60的電極材料及其連接部分，從而形成如圖9b所示的俯視結(jié)構(gòu)。
[0064]在表面電極制作步驟中，至少在正電極區(qū)的正面覆蓋電極材料以完成正電極80，并至少在負電極區(qū)的正面覆蓋電極材料以完成負電極90。正電極80和負電極90的形狀可以參照圖1至圖3、圖4a、圖4b、以及圖5所示設置。以圖4a所示的LED芯片為例，正電極和負電極的形狀均為三角形，且正電極與負電極相對于圖9b中虛線A相互對稱。正電極和負電極之間存在由隔離層構(gòu)成的隔離區(qū)，以確保兩者電性不接觸。
[0065]這樣，由于正電極和負電極隔著隔離區(qū)分設于該LED芯片正面的對角線的兩側(cè)，兩個電極的正面面積不至于相差太多。在封裝時、尤其是以覆晶方式封裝時，導電金屬不會恰好點至兩個電極上且大小適中，從而防止了出現(xiàn)導電金屬溢出的現(xiàn)象，進一步提高了產(chǎn)品的良率。
[0066]此外，在一種可能的實現(xiàn)方式中，還可在正電極和負電極至少之一上形成保護層。所述保護層可由鈦、鎳、鉻、銀、和金等金屬材料中的任意一種制成，其厚度為20 A?10000 A丨時可被錫膏或銀膠焊接使用。
[0067]在一種可能的實現(xiàn)方式中，在表面電極形成步驟中，還使例如二氧化硅(Si02)等的高絕緣材料作為絕緣保護層包覆整個LED芯片，僅暴露正電極和負電極，以避免在該LED芯片的安裝過程中、尤其是覆晶安裝中因?qū)щ姸绊懥悸省Ａ硗?，由于二氧化硅是一種硬度比較堅硬的材料，極有可能因在分離裂片過程中使用鎢鋼刀進行劈裂時產(chǎn)生的內(nèi)應力，使得被劈的LED芯片的二氧化硅保護層出現(xiàn)膜裂，進而使得用以粘接發(fā)光元件和基板的材料滲入元件內(nèi)。在這種情況下，在裂片過程中使用鎢鋼刀進行劈裂時，在被劈的LED芯片表面涂上一層軟性材料，可以有效抵消鎢鋼刀在劈裂時造成的內(nèi)應力，從而可以防止二氧化硅保護層膜裂。
[0068]這樣，通過將覆晶式LED芯片的正電極和負電極設計在覆晶式LED芯片的一條對角線的兩側(cè)，根據(jù)本實用新型上述實施例的覆晶式LED芯片能夠在使用傳統(tǒng)LED自動固晶機生產(chǎn)時避免正電極和負電極的導通，從而提高了覆晶式LED芯片的封裝良率。
[0069]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應所述以權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種覆晶式LED芯片，其特征在于，包括: 基板；以及 沿水平方向依次設置在所述基板的正面上的正電極、隔離區(qū)、和負電極， 其中，所述水平方向為與所述基板的正面平行的方向， 所述隔離區(qū)在所述基板的正面上的垂直投影位于所述正電極和所述負電極在所述基板的正面上的垂直投影之間， 所述隔離區(qū)在所述水平方向上的中心線與所述覆晶式LED芯片的一條對角線在所述基板的正面上的垂直投影相互重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述基板為正方形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述隔離區(qū)在所述水平方向上的最小寬度大于0.05mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述正電極的形狀為多邊形或者圓形，所述負電極的形狀為多邊形或者圓形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，還包括: 第一導電型半導體層，位于所述基板的正面； 發(fā)光層，位于所述第一導電型半導體層的正面； 第二導電型半導體層，位于所述發(fā)光層的正面；以及 隔離層，位于所述第二導電型半導體層的正面； 其中，所述負電極位于所述隔離層的正面，所述正電極位于所述隔離層的正面，所述隔離層裸露出的部分為所述隔離區(qū)， 所述正電極通過貫穿所述隔離層的通孔與所述第二導電型半導體層電性接觸，所述負電極通過貫穿所述隔離層、所述第二導電型半導體層、以及所述發(fā)光層的通孔與所述第一導電型半導體層電性接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述隔離層還位于所述覆晶式LED芯片的側(cè)面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述隔離層為Si02、DBR、光子晶體結(jié)構(gòu)、SiNx、AlOxJP AlN中的任意一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，還包括: 保護層，位于所述負電極的正面和/或所述正電極的正面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述保護層為鈦、鎳、鉻、銀、和金材料中的任意一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的覆晶式LED芯片，其特征在于，所述保護層的厚度為.20 A- 10000 A0
【文檔編號】H01L33/38GK203503689SQ201320568040
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月12日
【發(fā)明者】吳裕朝, 劉艷 申請人:劉艷