高壓硅堆二極管的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種二極管，具體為一種高壓硅堆二極管，包括橢圓形的玻璃體，所述的玻璃體的內(nèi)部設(shè)置有晶片，所述的晶片兩端通過焊片分別固定有一個(gè)鉬粒，所述鉬粒的一端與晶片相連接，所述鉬粒的另一端設(shè)置有焊片，所述的焊片固定有引線。本實(shí)用新型的高壓硅堆二極管，采用多個(gè)晶粒串聯(lián)，反向電壓可達(dá)到1萬伏以上，晶片表面鍍鋁，在晶片與焊片之間加設(shè)有一個(gè)鉬粒，采用鉬粒作為緩沖層，鉬粒與晶粒的熱膨脹系數(shù)接近，在溫度突變時(shí)可以緩沖因熱脹冷縮帶來的內(nèi)應(yīng)力，確保晶粒不失效，極大的提高了產(chǎn)品的可靠性；同時(shí)晶片外面采用玻璃作為鈍化層，結(jié)溫可以到175度。
【專利說明】高壓硅堆二極管
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種二極管，具體為一種高壓硅堆二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]目前常用的二極管反向電壓一般為1500V以內(nèi)，結(jié)溫一般為125度，焊接方式為晶粒與銅引線直接焊接，因銅引線的熱膨脹系數(shù)與晶粒的熱膨脹系數(shù)有較大差異，故在溫度突變時(shí)，銅引線會(huì)給晶粒一個(gè)內(nèi)應(yīng)力，當(dāng)應(yīng)力較大時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致晶粒失效，從而導(dǎo)致產(chǎn)品失效；這樣二極管在使用中的壽命短，可靠性差。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種高壓硅堆二極管，極大的提升了二極管的耐壓能力，解決了傳統(tǒng)的二極管的方邊角不易保護(hù)、在高溫或高壓下容易損傷的問題。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:
[0005]一種高壓硅堆二極管，包括橢圓形的玻璃體，所述的玻璃體的內(nèi)部設(shè)置有晶片，所述的晶片兩端通過焊片固定有一個(gè)鑰粒，所述鑰粒的一端與晶片相連接，所述鑰粒的另一端設(shè)置有焊片，所述的焊片固定有引線。
[0006]進(jìn)一步，本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案:所述晶片由8-16個(gè)晶粒組成，優(yōu)選晶粒為12個(gè)，所述的晶粒串聯(lián)固定在一起。多顆晶粒串聯(lián)，使二極管反向電壓可達(dá)到I萬V以上。
[0007]進(jìn)一步，本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案:所述的晶粒為方形。
[0008]進(jìn)一步，本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案:所述晶片外包覆有鋁膜。在晶片外包覆鋁膜，方便鑰粒與晶片焊接固定在一起。
[0009]進(jìn)一步，本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案:所述的引線為銅包鋼線。
[0010]進(jìn)一步，本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案:所述的引線表面鍍有錫膜，可以延緩引線氧化速度，提聞引線的壽命。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0012]本實(shí)用新型的高壓硅堆二極管，采用多個(gè)晶粒串聯(lián)，反向電壓可達(dá)到I萬伏以上，晶片表面鍍鋁，在晶片與焊片之間加設(shè)有一個(gè)鑰粒，采用鑰粒作為緩沖層，鑰粒與晶粒的熱膨脹系數(shù)接近，在溫度突變時(shí)可以緩沖因熱脹冷縮帶來的內(nèi)應(yīng)力，確保晶粒不失效，極大的提高了產(chǎn)品的可靠性；同時(shí)晶片外面采用玻璃作為鈍化層，結(jié)溫可以到175度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0014]圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]其中，I為引線，2為玻璃體，3為焊片，4為鑰粒，5為鋁膜，6為晶粒。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0017]如圖1所示，一種高壓硅堆二極管，包括橢圓形的玻璃體2，所述的玻璃體2的內(nèi)部設(shè)置有晶片，所述晶片由8-16個(gè)晶粒6組成，優(yōu)選晶粒6為12個(gè)，所述的晶粒6串聯(lián)固定在一起，所述的晶片兩端通過焊片3分別固定有一個(gè)鑰粒4，所述鑰粒4的一端與晶片相連接，所述鑰粒4的另一端設(shè)置有焊片3，所述的焊片3固定有引線I。
[0018]優(yōu)選地:所述的晶粒6為方形。
[0019]優(yōu)選地:所述晶片外包覆有鋁膜5。在晶片外包覆鋁膜，方便鑰粒與晶片焊接固定
在一起。
[0020]優(yōu)選地:所述的引線I為銅包鋼線。
[0021]優(yōu)選地:所述的引線I表面鍍有錫膜，可以延緩引線氧化速度，提高引線的壽命。
[0022]本實(shí)用新型的高壓硅堆二極管經(jīng)過測試和客戶的使用，高壓硅堆二極管的向電壓可達(dá)到I萬伏上，結(jié)溫可以到175度，晶片經(jīng)過長久的使用，晶粒沒有出現(xiàn)失效的問題，極大的提聞了廣品的可罪性。
[0023]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高壓硅堆二極管，包括橢圓形的玻璃體，所述的玻璃體的內(nèi)部設(shè)置有晶片，其特征在于:所述的晶片兩端通過焊片分別固定有一個(gè)鑰粒，所述鑰粒的一端與晶片相連接，所述鑰粒的另一端設(shè)置有焊片，所述的焊片固定有引線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓硅堆二極管，其特征在于:所述晶片由8-16個(gè)晶粒組成，所述的晶粒串聯(lián)固定在一起。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓硅堆二極管，其特征在于:所述晶片由12個(gè)晶粒組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓硅堆二極管，其特征在于:所述的晶粒為方形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓硅堆二極管，其特征在于:所述晶片外包覆有鋁膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的高壓硅堆二極管，其特征在于:所述的引線為銅包鋼線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的高壓硅堆二極管，其特征在于:所述的引線表面鍍有錫膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓硅堆二極管，其特征在于:所述引線表面鍍有錫膜。
【文檔編號】H01L23/488GK203491256SQ201320574549
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年9月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月16日
【發(fā)明者】董志強(qiáng) 申請人:海灣電子(山東)有限公司