一種改進(jìn)型led芯片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及以半導(dǎo)體為特征的基本電氣元件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是一種改進(jìn)型LED芯片，包括藍(lán)寶石襯底，其特征在于所述的藍(lán)寶石襯底上設(shè)有若干凸塊，襯底上部為N型氮化鎵層，N型氮化鎵層上部設(shè)有負(fù)電極，所述的N型氮化鎵層上部還設(shè)有多層量子阱，多層量子阱上部設(shè)有P型氮化鎵層，P型氮化鎵層上部還設(shè)有透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層上設(shè)有正電極。本實(shí)用新型的藍(lán)寶石襯底為圖形化藍(lán)寶石襯底，其均勻性好，能有效地降低外延位錯提高外延層的結(jié)晶質(zhì)量，使LED芯片的發(fā)光效率得到最大化的提升。本實(shí)用新型通過該圖形化藍(lán)寶石襯底降低了外延層的位錯缺陷，提高了外延層的結(jié)晶質(zhì)量，而本實(shí)用新型中的多個微型反射面也同樣大幅提高了LED芯片的發(fā)光效率。
【專利說明】—種改進(jìn)型LED芯片
[【技術(shù)領(lǐng)域】]
[0001]本實(shí)用新型涉及以半導(dǎo)體為特征的基本電氣元件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是一種改進(jìn)型LED芯片。
[【背景技術(shù)】]
[0002]LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極)芯片是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件,它可以直接把電轉(zhuǎn)化為光。LED的心臟是一個半導(dǎo)體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負(fù)極，另一端連接電源的正極，使整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。但現(xiàn)有技術(shù)中的LED芯片襯底均勻性不好，造成外延位錯誤，外延層結(jié)晶質(zhì)量差等不足，并影響到LED芯片的發(fā)光效率。另外，現(xiàn)有技術(shù)中的LED芯片還存在著光電特性分布不均勻、性能不佳等缺陷，不能滿足市場需求。
[實(shí)用新型內(nèi)容]
[0003]本實(shí)用新型的內(nèi)容就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中上述不足和缺陷，提供一種結(jié)構(gòu)新穎、安全可靠，發(fā)光效率高的改進(jìn)型LED芯片。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，提供一種改進(jìn)型LED芯片，包括藍(lán)寶石襯底，其特征在于所述的藍(lán)寶石襯底上設(shè)有若干凸塊，襯底上部為N型氮化鎵層，N型氮化鎵層上部設(shè)有負(fù)電極，所述的N型氮化鎵層上部還設(shè)有多層量子阱，多層量子阱上部設(shè)有P型氮化鎵層，P型氮化鎵層上部還設(shè)有透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層上設(shè)有正電極。
[0005]所述的藍(lán)寶石襯底材質(zhì)為AL203。
[0006]所述的若干個凸塊的形狀大小相同。
[0007]若干個凸塊為矩陣排列。
[0008]所述的正電極和負(fù)電極的材質(zhì)為鉻合金。
[0009]所述的透明導(dǎo)電層為銦錫氧化物半導(dǎo)體。
[0010]本實(shí)用新型同現(xiàn)有技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)在于:本實(shí)用新型的藍(lán)寶石襯底為圖形化藍(lán)寶石襯底，其均勻性好，能有效地降低外延位錯提高外延層的結(jié)晶質(zhì)量，使LED芯片的發(fā)光效率得到最大化的提升。本實(shí)用新型通過該圖形化藍(lán)寶石襯底降低了外延層的位錯缺陷，提高了外延層的結(jié)晶質(zhì)量，而本實(shí)用新型中的多個微型反射面也同樣大幅提高了 LED芯片的發(fā)光效率。
[【專利附圖】

【附圖說明】]
[0011]圖1為本實(shí)用新型的主要結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為本實(shí)用新型的圖形化藍(lán)寶石襯底結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]如圖所示，圖中:1.正電極2.透明導(dǎo)電層3.P型氮化鎵4.多層量子阱5.N型氮化鎵6.負(fù)電極7.襯底；
[0014]指定圖1為本實(shí)用新型的摘要附圖。[【具體實(shí)施方式】]
[0015]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，這種裝置的結(jié)構(gòu)和原理對本專業(yè)的人來說是非常清楚的。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0016]本實(shí)用新型為一種可大大提聞發(fā)光效率的改進(jìn)型LED芯片，如圖1所不，其具有多層結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型LED芯片的襯底為藍(lán)寶石襯底，襯底上層為N型氮化鎵層，N型氮化鎵層上設(shè)有負(fù)電極；N型氮化鎵層上層還設(shè)有多層量子阱，多層量子阱上層設(shè)有P型氮化鎵層，P型氮化鎵層上還設(shè)有透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層上設(shè)有正電極，由此構(gòu)成本實(shí)用新型的多層結(jié)構(gòu)。多層量子阱即為多量子阱是在由2種不同半導(dǎo)體材料薄層交替生長形成的多層結(jié)構(gòu)中，如果勢壘層足夠厚，以致相鄰勢阱之間載流子波函數(shù)之間耦合很小，則多層結(jié)構(gòu)將形成許多分離的量子阱，稱為多量子阱(MQW)。其中本實(shí)用新型的量子阱主要結(jié)構(gòu)優(yōu)選為由兩層砷化鋁之間夾設(shè)砷化鎵的結(jié)構(gòu)構(gòu)成。本實(shí)用新型的藍(lán)寶石襯底通過使用半導(dǎo)體工藝在藍(lán)寶石襯底上制備出特殊的圖形結(jié)構(gòu)，即本藍(lán)寶石襯底上的若干凸塊，該凸塊可降低外延層的位錯缺陷提供外延層結(jié)晶質(zhì)量，同時多個微型反射面的存在也有利于提高LED芯片的發(fā)光效率。
【權(quán)利要求】
1.一種改進(jìn)型LED芯片，包括藍(lán)寶石襯底，其特征在于所述的藍(lán)寶石襯底上設(shè)有若干凸塊，襯底上部為N型氮化鎵層，N型氮化鎵層上部設(shè)有負(fù)電極，所述的N型氮化鎵層上部還設(shè)有多層量子阱，多層量子阱上部設(shè)有P型氮化鎵層，P型氮化鎵層上部還設(shè)有透明導(dǎo)電層，透明導(dǎo)電層上設(shè)有正電極。
2.如權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)型LED芯片，其特征在于所述的藍(lán)寶石襯底材質(zhì)為AL2O3。
3.如權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)型LED芯片，其特征在于所述的若干個凸塊的形狀大小相同。
4.如權(quán)利要求1或3所述的一種改進(jìn)型LED芯片，其特征在于所述的若干個凸塊為矩陣排列。
5.如權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)型LED芯片，其特征在于所述的正電極和負(fù)電極的材質(zhì)為鉻合金。
6.如權(quán)利要求1所述的一種改進(jìn)型LED芯片，其特征在于所述的透明導(dǎo)電層為銦錫氧化物半導(dǎo)體。
【文檔編號】H01L33/20GK203503687SQ201320614492
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】林宇杰, 董慶安, 楊輝, 吳偉 申請人:上海博恩世通光電股份有限公司