基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型適用于通訊領(lǐng)域，提供了一種基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，與饋源相對(duì)設(shè)置，所述緊縮場(chǎng)天線(xiàn)包括超材料面板和設(shè)置在所述超材料面板一側(cè)的反射層；所述超材料面板包括至少一個(gè)超材料片層，所述超材料片層包括介質(zhì)基板以及設(shè)置在所述介質(zhì)基板上的多個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)。依據(jù)饋源參數(shù)、饋源位置、波束收發(fā)方向等排布各種導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)，能夠?qū)︷佋窗l(fā)出的電磁波產(chǎn)生量化調(diào)制的不同，實(shí)現(xiàn)了緊縮場(chǎng)天線(xiàn)建立的低成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于天線(xiàn)通信且可用于電磁調(diào)制的器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)。
【背景技術(shù)】
[0002]緊縮場(chǎng)是一種在近距離內(nèi)靠光滑的反射面將饋源發(fā)出的球面波變?yōu)槠矫娌ǖ臏y(cè)試設(shè)備。它所產(chǎn)生的平面波環(huán)境，可以充分滿(mǎn)足天線(xiàn)方向圖的測(cè)試要求，從而達(dá)到在近距離內(nèi)對(duì)天線(xiàn)進(jìn)行測(cè)試的目的。緊縮場(chǎng)系統(tǒng)上可以分為緊縮場(chǎng)天線(xiàn)部分和微波暗室部分。其天線(xiàn)部分采用精密的反射面，將點(diǎn)源產(chǎn)生的球面波在近距離內(nèi)變換為平面波的一套裝置，通常按照設(shè)計(jì)要求，將其位置準(zhǔn)確地安裝于微波暗室中，并調(diào)節(jié)好水平度，通過(guò)對(duì)緊縮場(chǎng)天線(xiàn)反射面邊緣的處理和微波暗室的配合，在空間測(cè)試區(qū)域創(chuàng)造出一個(gè)“靜區(qū)”，在靜區(qū)里可以模擬被測(cè)物在無(wú)反射的自由空間中的輻射特性。
[0003]與室外遠(yuǎn)場(chǎng)和室內(nèi)近場(chǎng)比較，緊縮場(chǎng)系統(tǒng)主要具有以下特點(diǎn):1、安裝在微波暗室的緊縮場(chǎng)系統(tǒng)具有較好的保密性；2、安裝在室內(nèi)的緊縮場(chǎng)受氣候環(huán)境影響小，改善了測(cè)試條件，進(jìn)而提高了 RCS (Radar Cross-Section，雷達(dá)散射截面)的測(cè)量效率；3、可以將室外遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)試問(wèn)題轉(zhuǎn)換為暗室內(nèi)近距離測(cè)試問(wèn)題。
[0004]這些特點(diǎn)決定了緊縮場(chǎng)是研究電磁散射的重要測(cè)試設(shè)備，也是高性能雷達(dá)天線(xiàn)測(cè)試、衛(wèi)星整星測(cè)試、飛機(jī)反射特性測(cè)試等系統(tǒng)性能測(cè)試的重要基礎(chǔ)設(shè)施。同時(shí)，緊縮場(chǎng)技術(shù)在軍事領(lǐng)域越來(lái)越發(fā)揮著不可替代的作用。無(wú)論是衛(wèi)星、飛機(jī)，還是導(dǎo)彈、坦克、大炮等大型武器裝備的隱身性能測(cè)試、調(diào)整等，都依賴(lài)于發(fā)揮緊縮場(chǎng)的技術(shù)作用?？梢哉f(shuō)，緊縮場(chǎng)的技術(shù)水平如何，不僅制約著軍隊(duì)武器裝備的性能與質(zhì)量，也關(guān)系到一個(gè)國(guó)家的國(guó)防安全問(wèn)題。因此，當(dāng)今各大軍事強(qiáng)國(guó)都把緊縮場(chǎng)系統(tǒng)作為國(guó)防戰(zhàn)略技術(shù)之一，重點(diǎn)加以研究和發(fā)展。
[0005]目前，國(guó)內(nèi)外從事電磁產(chǎn)品研發(fā)和技術(shù)研究的公司及科研院所，一般都建立了自己的緊縮場(chǎng)系統(tǒng)，使用起來(lái)非常方便和快捷。緊縮場(chǎng)系統(tǒng)作為現(xiàn)代天線(xiàn)測(cè)試的先進(jìn)設(shè)備，無(wú)疑具有越來(lái)越重要的技術(shù)進(jìn)步意義和極其廣泛的運(yùn)用前景。
[0006]但傳統(tǒng)設(shè)計(jì)仍存如下問(wèn)題:比如價(jià)格高昂，緊縮場(chǎng)天線(xiàn)表面處理依賴(lài)度高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0007]本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，以解決成本高，表面處理依賴(lài)度高的問(wèn)題。
[0008]本實(shí)用新型提供的一種基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，與饋源相對(duì)設(shè)置，所述緊縮場(chǎng)天線(xiàn)包括超材料面板和設(shè)置在所述超材料面板一側(cè)的反射層；
[0009]所述超材料面板包括至少一個(gè)超材料片層，所述超材料片層包括介質(zhì)基板以及設(shè)置在所述介質(zhì)基板上的多個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)。
[0010]進(jìn)一步地，所述超材料面板包括多個(gè)層疊設(shè)置的超材料片層。
[0011 ] 進(jìn)一步地，所述饋源與所述超材料面板上設(shè)有所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的一側(cè)的邊緣或中部相對(duì)。
[0012]進(jìn)一步地，所述饋源與所述超材料面板上設(shè)有所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的一側(cè)的中部相對(duì)。
[0013]進(jìn)一步地，所述反射層貼附于所述超材料面板上。
[0014]進(jìn)一步地，所述反射層與所述超材料面板間隔設(shè)置。
[0015]進(jìn)一步地，所述多個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)包括雪花型導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)、嵌套雪花型導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)、十字框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)、嵌套十字框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)、方框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)、菱形方格導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)、嵌套十字框切割導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)中的一種或多種。
[0016]進(jìn)一步地，所述反射層為金屬涂層或金屬薄膜。
[0017]進(jìn)一步地，所述反射層為金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
[0018]進(jìn)一步地，所述緊縮場(chǎng)天線(xiàn)還包括至少兩層保護(hù)膜，分別設(shè)置在所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層和所述反射層的上面。
[0019]進(jìn)一步地，所述緊縮場(chǎng)天線(xiàn)的外圍邊界還延伸出多個(gè)突起的尖部，每一尖部上設(shè)置有用于抑制表面波的多個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)。
[0020]進(jìn)一步地，所述緊縮場(chǎng)天線(xiàn)包括相互拼接的多塊超材料面板，每一超材料面板的同一側(cè)設(shè)置有反射層。
[0021]上述緊縮場(chǎng)天線(xiàn)在介質(zhì)基板上依據(jù)饋源參數(shù)、饋源位置、波束的收發(fā)方向等排布各種導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)，能夠?qū)︷佋窗l(fā)出的電磁波產(chǎn)生量化調(diào)制的不同，實(shí)現(xiàn)了緊縮場(chǎng)天線(xiàn)建立的低成本，另外，利用相位法對(duì)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的排布處理，使得天線(xiàn)的輻射出來(lái)的波束相位到達(dá)一致則能實(shí)現(xiàn)緊縮場(chǎng)系統(tǒng)性能，避免了傳統(tǒng)緊縮場(chǎng)天線(xiàn)需依賴(lài)特別設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)形狀才能實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性能，降低了成本、提高了效率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例提供的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本實(shí)用新型另一實(shí)施例提供的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3 (A)、3 (B)為本實(shí)用新型提供的單層和多層的超材料片層的示意圖；
[0025]圖4為本實(shí)用新型第一實(shí)施例提供導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖5為本實(shí)用新型第二實(shí)施例提供導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖6為本實(shí)用新型第三實(shí)施例提供導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖7為本實(shí)用新型第四實(shí)施例提供導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖8為本實(shí)用新型第五實(shí)施例提供導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖9為本實(shí)用新型第六實(shí)施例提供導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖10為本實(shí)用新型第七實(shí)施例提供導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖11為圖4的嵌套雪花型導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)隨生長(zhǎng)參數(shù)L的變化的示意圖；
[0033]圖12為圖6的嵌套十字框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)隨生長(zhǎng)參數(shù)L的變化的示意圖；
[0034]圖13為圖4中嵌套雪花導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的相位調(diào)制能力隨頻率和生長(zhǎng)參數(shù)L的變化測(cè)試圖；
[0035]圖14為圖5中單獨(dú)雪花導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的相位調(diào)制能力隨頻率和生長(zhǎng)參數(shù)的變化測(cè)試圖；[0036]圖15為圖6中嵌套十字框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)的相位調(diào)制能力隨頻率和長(zhǎng)度參數(shù)的變化測(cè)試圖；
[0037]圖16為圖7中單十字框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)相位調(diào)制能力隨頻率和長(zhǎng)度參數(shù)的變化測(cè)試圖；
[0038]圖17為圖9中方框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)位調(diào)制能力隨頻率和長(zhǎng)度參數(shù)的變化測(cè)試圖；
[0039]圖18為本實(shí)用新型實(shí)施例提供反射層結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]為了使本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具帶實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0041]參考圖1、2，本實(shí)用新型提供的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)系統(tǒng)由一個(gè)饋源和一個(gè)布滿(mǎn)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的超材料面板組成。緊縮場(chǎng)天線(xiàn)10放在距離饋源20高度h處，此面接收到饋源20發(fā)射的電磁波的幅相分布是均勻的，每一點(diǎn)的幅相分布與該點(diǎn)與饋源20的距離成正比，為使天線(xiàn)整體發(fā)射出緊縮場(chǎng)需要的平面波，則電磁波經(jīng)過(guò)該緊縮場(chǎng)天線(xiàn)10的調(diào)制后，需將所有點(diǎn)的相位調(diào)成一個(gè)統(tǒng)一值。以下示例所展示的相位調(diào)制能力將以Ku頻段的部分?jǐn)?shù)據(jù)作為說(shuō)明示例。
[0042]如圖1所示，一種基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)10，與饋源20相對(duì)設(shè)置，緊縮場(chǎng)天線(xiàn)10包括超材料面板和設(shè)置在超材料面板一側(cè)的反射層200 ;超材料面板100包括至少一個(gè)超材料片層，超材料片層包括介質(zhì)基板101以及設(shè)置在介質(zhì)基板101上的多個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)。而為了方便說(shuō)明，附圖1、2上的多個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)使用其構(gòu)成的導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層102表示。
[0043]在進(jìn)一步的實(shí)施例中，參考圖3 (A)和3 (B)，圖3A示出的是超材料面板100包括一個(gè)超材料片層的實(shí)施例；而圖3 (B)，根據(jù)場(chǎng)景需要，超材料面板100包括多個(gè)層疊設(shè)置的超材料片層，每個(gè)超材料片層以介質(zhì)基板101、導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層102依次層疊設(shè)置，以增強(qiáng)緊縮場(chǎng)天線(xiàn)的性能。
[0044]在進(jìn)一步的實(shí)施例中，參考圖1，饋源20與超材料面板100上設(shè)有導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的一側(cè)的邊緣相對(duì)；參考圖2，或饋源20與超材料面板100上設(shè)有導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的一側(cè)的中部相對(duì)。兩種不同的饋源放置位置主要是根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的需要，考慮被緊縮場(chǎng)天線(xiàn)10反射出的電磁波束被遮擋的方向問(wèn)題而選擇不同設(shè)置?？梢岳斫獾氖?，緊縮場(chǎng)天線(xiàn)10與饋源20的相向位置可以根據(jù)實(shí)際情況調(diào)節(jié)。
[0045]在進(jìn)一步的實(shí)施例中，反射層200貼附于超材料面板100上，實(shí)際是貼附在介質(zhì)基板101沒(méi)有設(shè)置導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的一側(cè)。進(jìn)一步地，緊縮場(chǎng)天線(xiàn)10的反射層200還可以與超材料面板100間隔設(shè)置，通過(guò)支撐結(jié)構(gòu)來(lái)固定連接。當(dāng)然為了天線(xiàn)工作性能的穩(wěn)定以及天線(xiàn)的牢固起見(jiàn)，還可以在反射層200和超材料面板100之間設(shè)置間隔層300，即反射層100與超材料面板100之間以間隔層300相隔，間隔層300可以是泡沫壓制而成。
[0046]優(yōu)選地，多個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)包括嵌套雪花型導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)A (參考圖4)、雪花型導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)A' (參考圖5)、嵌套十字框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)B (參考圖6)、十字框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)B' (參考圖7)、嵌套十字框切割導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)B'' (參考圖8)、方框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)C (參考圖9)、菱形方格導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)D (參考圖10)中的一種或多種。
[0047]上述的導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)均為由金屬或非金屬的導(dǎo)電材料構(gòu)成的微結(jié)構(gòu)，微結(jié)構(gòu)是通過(guò)蝕刻、電鍍、鉆刻、光刻、電子刻或離子刻的方法附著在介質(zhì)基板101上。制作微結(jié)構(gòu)的金屬可以為金、銀、銅、金合金、銀合金、銅合金、鋅合金或鋁合金；制作微結(jié)構(gòu)的非金屬導(dǎo)電材料可以為導(dǎo)電石墨、銦錫氧化物或摻鋁氧化鋅。圖4~12中的填充區(qū)域是由金屬或非金屬的導(dǎo)電材料構(gòu)成的，圖18中的填充區(qū)域由金屬構(gòu)成。下文中出現(xiàn)的“微結(jié)構(gòu)”一詞視為與“導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)”等同。
[0048]介質(zhì)基板101由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料制成。
[0049]根據(jù)無(wú)線(xiàn)電相關(guān)原理，調(diào)節(jié)微結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)參數(shù)L、線(xiàn)寬、間距以對(duì)電磁波的相位調(diào)制在指定頻率范圍內(nèi)變化。參考圖13至圖17。
[0050]結(jié)合圖4、5、11和13，設(shè)計(jì)雪花型微結(jié)構(gòu)構(gòu)成緊縮場(chǎng)天線(xiàn)面，由單獨(dú)雪花型微結(jié)構(gòu)A'或者嵌套雪花型微結(jié)構(gòu)A組成。調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)參數(shù)(定義為L(zhǎng))、線(xiàn)寬、間距等參數(shù)可以使單個(gè)微結(jié)構(gòu)對(duì)電磁波的相位調(diào)制能力在指定頻率范圍內(nèi)發(fā)生變化。以變化微結(jié)構(gòu)長(zhǎng)度L為例，微結(jié)構(gòu)尺寸為4mm,遠(yuǎn)小于對(duì)應(yīng)頻率范圍內(nèi)約10-15_的半波長(zhǎng)尺寸。
[0051]在仿真圖13可知，該嵌套雪花型微結(jié)構(gòu)A構(gòu)成的微結(jié)構(gòu)層102功能單元在生長(zhǎng)參數(shù)L自最小(對(duì)應(yīng)尺寸最小)變化到最大(對(duì)應(yīng)尺寸最大)的過(guò)程中(如圖11自左至右所示)，其對(duì)頻率范圍在10至20GHz的垂直極化電磁波的相位調(diào)制能力變化明顯，在部分區(qū)域其調(diào)相能力覆蓋范圍大于360度，如圖13所示，其中每一條曲線(xiàn)對(duì)應(yīng)一個(gè)不同的生長(zhǎng)參數(shù)L數(shù)值。
[0052]結(jié)合圖5和圖14，圖14展示了單獨(dú)雪花型微結(jié)構(gòu)A'其相位調(diào)制能力隨頻率和生長(zhǎng)參數(shù)的變化情況，其中每條曲線(xiàn)代表了一個(gè)不同的生長(zhǎng)參數(shù)數(shù)值，整體微結(jié)構(gòu)尺寸為4mm。可以看出其相位調(diào)制覆蓋范圍可以達(dá)到約300度。
[0053]結(jié)合圖6、12、15，該實(shí)施例微結(jié)構(gòu)尺寸為7mm的嵌套十字框微結(jié)構(gòu)B，小于所觀(guān)察示例頻率范圍對(duì)應(yīng)的半波長(zhǎng)，如圖6所示。該實(shí)施例中將以其相位調(diào)制能力隨微結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)參數(shù)L的變化情況作為例子展示嵌套十字框微結(jié)構(gòu)B所帶來(lái)的效果。該結(jié)構(gòu)隨生長(zhǎng)參數(shù)L的變化方式如圖12所示，其中生長(zhǎng)參數(shù)L自左至右變大。圖15展示了其在9至16GHz范圍內(nèi)的相位調(diào)制能力隨生長(zhǎng)參數(shù)L的變化，其中每一條曲線(xiàn)對(duì)應(yīng)一個(gè)不同的生長(zhǎng)參數(shù)L數(shù)值，具體如表一所不。
[0054]表一:
[0055]
【權(quán)利要求】
1.一種基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，與饋源相對(duì)設(shè)置，其特征在于，所述緊縮場(chǎng)天線(xiàn)包括超材料面板和設(shè)置在所述超材料面板一側(cè)的反射層； 所述超材料面板包括至少一個(gè)超材料片層，所述超材料片層包括介質(zhì)基板以及設(shè)置在所述介質(zhì)基板上的多個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述超材料面板包括多個(gè)層疊設(shè)置的超材料片層。
3.如權(quán)利要求1所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述饋源與所述超材料面板上設(shè)有所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的一側(cè)的邊緣相對(duì)。
4.如權(quán)利要求1所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述饋源與所述超材料面板上設(shè)有所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)的一側(cè)的中部相對(duì)。
5.如權(quán)利要求1所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述反射層貼附于所述超材料面板上。
6.如權(quán)利要求1所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述反射層與所述超材料面板間隔設(shè)置。
7.如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述多個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)包括雪花型導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)、十字框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)、方框?qū)щ妿缀谓Y(jié)構(gòu)中的一種或多種。
8.如權(quán)利要求1所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述反射層為金屬涂層或金屬薄膜。
9.如權(quán)利要求1所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述反射層為金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述緊縮場(chǎng)天線(xiàn)還包括至少兩層保護(hù)膜，分別設(shè)置在所述導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)層和所述反射層的上面。
11.如權(quán)利要求1所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述緊縮場(chǎng)天線(xiàn)的外圍邊界還延伸出多個(gè)突起的尖部，每一尖部上設(shè)置有用于抑制表面波的多個(gè)導(dǎo)電幾何結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求1或11所述的基于平板反射陣列的緊縮場(chǎng)天線(xiàn)，其特征在于，所述緊縮場(chǎng)天線(xiàn)包括相互拼接的多塊超材料面板，每一超材料面板的同一側(cè)設(shè)置有反射層。
【文檔編號(hào)】H01Q3/30GK203644950SQ201320674367
【公開(kāi)日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月29日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:深圳光啟創(chuàng)新技術(shù)有限公司