半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括：襯底；位于所述襯底上的緩沖層；補(bǔ)償區(qū)，其包括位于所述緩沖層上的p區(qū)和n區(qū)；以及位于所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分下面的第一p區(qū)的深度比位于所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第二部分下面的第二p區(qū)的深度更深。
【專利說(shuō)明】 半導(dǎo)體器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及一種具有改善的耐用性的超結(jié)器件。
【背景技術(shù)】
[0002]超結(jié)器件采用的想法是通過(guò)在該區(qū)域附近添加相反極性的電荷來(lái)補(bǔ)償通態(tài)電流路徑中低導(dǎo)通電阻值所需的剩余電荷。一般用于垂直器件的結(jié)構(gòu)采用垂直的η摻雜柱和P摻雜柱，通過(guò)溝槽刻蝕和再填充來(lái)形成所述η摻雜柱和P摻雜柱，或者通過(guò)多次外延布置來(lái)形成所述η摻雜柱和P摻雜柱。
[0003]超結(jié)器件的開發(fā)通常至少必須權(quán)衡擊穿電壓、導(dǎo)通電阻、雪崩耐量、整流行為和制
造窗口。
[0004]這些權(quán)衡主要受到對(duì)P柱和η柱以及補(bǔ)償結(jié)構(gòu)和基底材料之間的層的摻雜的所有幾何維度定尺寸的限制。
[0005]由于這是一個(gè)多維優(yōu)化問(wèn)題，因此找到非常符合應(yīng)用要求的器件設(shè)計(jì)是困難且具有挑戰(zhàn)性的。
[0006]目前，垂直的分立超結(jié)MOSFET包括數(shù)千個(gè)平行的相同晶體管單元的布置。晶體管單元包括補(bǔ)償結(jié)構(gòu)和頂部單元，該頂部單元一般是公知的DMOS單元(多晶硅柵極在柵極氧化物上，且通過(guò)多晶硅柵極中的開口提供源極和體接觸)的變型設(shè)計(jì)。補(bǔ)償結(jié)構(gòu)和單元設(shè)計(jì)被設(shè)計(jì)成在擊穿電壓、導(dǎo)通電阻、抗雪崩能力和體二極管的整流行為方面存在妥協(xié)。在該器件概念中，幾乎不可能在不惡化或至少改變器件性能的情況下而改善一個(gè)器件方面(例如，雪崩耐量)。
[0007]因此，需要一種使用補(bǔ)償機(jī)構(gòu)來(lái)改善耐用性的結(jié)構(gòu)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0008]本實(shí)用新型的目的在于解決、至少減輕以上一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)所述目的，根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，提供一種半導(dǎo)體器件，其包括:
[0010]襯底；
[0011]位于所述襯底上的緩沖層；
[0012]補(bǔ)償區(qū)，其包括位于所述緩沖層上的P區(qū)和η區(qū)；以及
[0013]位于所述補(bǔ)償區(qū)上的多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)，
[0014]其特征在于，位于所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分下面的第一 P區(qū)的深度比位于所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第二部分下面的第二 P區(qū)的深度更深。
[0015]在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分的晶體管單元結(jié)構(gòu)均勻地分布在所述半導(dǎo)體器件中。
[0016]在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分的晶體管單元結(jié)構(gòu)隨機(jī)地分布在所述半導(dǎo)體器件中。[0017]在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分的晶體管單元結(jié)構(gòu)中的至少一部分被置于所述半導(dǎo)體器件的柵極焊盤下面或者在所述半導(dǎo)體器件的邊緣終止機(jī)構(gòu)附近。
[0018]在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分的晶體管單元結(jié)構(gòu)中的至少一部分不具有源區(qū)。
[0019]在一些實(shí)施例中，至少所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第二部分包括源區(qū)和體區(qū)。
[0020]在一些實(shí)施例中，所述緩沖層具有為所述晶體管單元結(jié)構(gòu)的所述緩沖層、所述補(bǔ)償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的至少25%的厚度。
[0021]在一些實(shí)施例中，所述緩沖層具有為所述晶體管單元結(jié)構(gòu)的所述緩沖層、所述補(bǔ)償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的至少30%的厚度。
[0022]在一些實(shí)施例中，所述緩沖層具有為所述晶體管單元結(jié)構(gòu)的所述緩沖層、所述補(bǔ)償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的至少1/3的厚度。
[0023]在一些實(shí)施例中，所述緩沖層具有在所述晶體管單元結(jié)構(gòu)的所述緩沖層、所述補(bǔ)償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的35%和45%之間的厚度。
[0024]在一些實(shí)施例中，所述緩沖層具有朝向襯底增加的摻雜濃度。
[0025]在一些實(shí)施例中，所述緩沖層包括所述襯底上的第一子層和第一子層上的第二子層，并且第二子層的摻雜濃度不同于第一子層的摻雜濃度。
[0026]在一些實(shí)施例中，所述緩沖層的第二子層具有與所述補(bǔ)償區(qū)的η區(qū)相同的摻雜濃度并且是恒定的。
[0027]在一些實(shí)施例中，所述第一子層的摻雜濃度朝向襯底增加。
[0028]在一些實(shí)施例中，所述緩沖層的第二子層具有與所述補(bǔ)償區(qū)的η區(qū)相同的摻雜濃度并且是恒定的，并且所述第二子層的摻雜濃度低于所述第一子層的摻雜濃度。
[0029]在一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體器件是超結(jié)器件。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]本實(shí)用新型的這些和其它特征和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)以下參考附圖的詳細(xì)描述而變得明顯，在附圖中:
[0031]圖1示意性地示出超結(jié)晶體管的三個(gè)非限制性實(shí)例的截面圖。
[0032]圖2示意性地示出超結(jié)晶體管的兩個(gè)實(shí)例的截面圖和阻斷操作中電場(chǎng)的可能的特性。
[0033]圖3示意性地示出根據(jù)本實(shí)用新型的具有不同緩沖區(qū)和用于雪崩箝位結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的超結(jié)晶體管的實(shí)施例的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]現(xiàn)在將參考示出本實(shí)用新型的實(shí)施例的附圖在下文中更全面地描述本實(shí)用新型的實(shí)施例。然而，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式來(lái)具體實(shí)施并且不應(yīng)該被解釋為受限于本文所闡述的實(shí)施例。更確切地說(shuō)，提供這些實(shí)施例是為了使該公開內(nèi)容更徹底和完整，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地傳達(dá)本實(shí)用新型的范圍。遍及全文，相似的數(shù)字指代相似的元件。此外，附圖中示出的各個(gè)層和區(qū)只是示意性的并且沒有必要按比例繪制。因此本實(shí)用新型不限于附圖中示出的相對(duì)大小、間距和對(duì)準(zhǔn)。另外，正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所認(rèn)識(shí)的，本文提到的形成于襯底或其它層上的層可以指直接形成在襯底或其它層上的層，也可以指在襯底或其它層上形成的一個(gè)或多個(gè)居間層上的層。而且，術(shù)語(yǔ)“第一導(dǎo)電類型”和“第二導(dǎo)電類型”指的是相反的導(dǎo)電類型，例如N或P型，然而，這里所描述和示出的每個(gè)實(shí)施例也包括其互補(bǔ)實(shí)施例。
[0035]在本文中所使用的術(shù)語(yǔ)僅僅為了描述特定實(shí)施例的目的并且不意圖限制本實(shí)用新型。如本文所使用的那樣，單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該”意圖也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文以其它方式明確指示。還將理解，當(dāng)在本文使用術(shù)語(yǔ)“包括”和/或“包含”時(shí)，其指定所敘述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組群的存在或添加。
[0036]除非以其它方式限定，本文所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與如本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還將理解本文所使用的術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被解釋為具有與它們?cè)谠撜f(shuō)明書的背景以及相關(guān)領(lǐng)域中的含義一致的含義，并且將不會(huì)以理想化或過(guò)分形式的方式解釋，除非在本文中明確如此限定。
[0037]附圖通過(guò)在摻雜類型“η”或“p”旁邊指示或“ + ”來(lái)說(shuō)明相對(duì)摻雜濃度。例如，“η-”表示低于“η”摻雜區(qū)域的摻雜濃度的摻雜濃度，而“η+”摻雜區(qū)域具有比“η “摻雜區(qū)域高的摻雜濃度。相同的相對(duì)摻雜濃度的摻雜區(qū)域沒有必要具有相同的絕對(duì)摻雜濃度。例如，兩個(gè)不同的“η”摻雜區(qū)域可以具有相同或不同的絕對(duì)摻雜濃度。
[0038]圖1示意性地示出根據(jù)本實(shí)用新型的超結(jié)晶體管的三個(gè)非限制性實(shí)例的截面圖。示出了多種用于實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償區(qū)和可選緩沖區(qū)的可能性。這些實(shí)例并非限制性的，其可以以任何方式結(jié)合成不同的方案。為簡(jiǎn)單起見，僅一部分有源區(qū)，即，承載垂直負(fù)載電流的區(qū)域的截面被示出。而晶體管的其它部分，如邊緣終止系統(tǒng)，劃片區(qū)或者柵極連接并未在圖1中明確示出。所示出的器件具有半導(dǎo)體本體，其具有補(bǔ)償區(qū)，所述補(bǔ)償區(qū)包括P區(qū)(P柱)130和η區(qū)(η柱)134，其中所述補(bǔ)償，即在垂直方向上P柱和η柱之間的摻雜的差，既可以是均勻的也可以是可變的。
[0039]所述補(bǔ)償區(qū)被連接至MOS晶體管單元，MOS晶體管單元包括源區(qū)118，體區(qū)138和控制柵極114。在所示出的實(shí)例中，所述柵極被構(gòu)建成位于所述半導(dǎo)體本體頂部的平面柵電極。然而，所述柵極也能夠在刻蝕進(jìn)所述半導(dǎo)體本體中的溝槽中實(shí)現(xiàn)。
[0040]絕緣結(jié)構(gòu)140，例如氧化物，將所述柵極114與所述體區(qū)138，所述源區(qū)118，所述η區(qū)(η柱)134以及金屬化層110電隔離。并且，所述絕緣結(jié)構(gòu)140在所述柵極114下面的那部分可用作柵極絕緣層。
[0041]所述晶體管的漏極128連接至高摻雜的襯底124?？蛇x緩沖層126可以位于所述襯底和所述補(bǔ)償區(qū)之間。所述緩沖層具有與襯底相同的導(dǎo)電類型，但具有比該襯底更低濃度的摻雜。在垂直方向上所述緩沖層的摻雜可以是變化的。例如，圖1中部的截面示出所述緩沖層中逐步變化的摻雜水平。例如，所述緩沖層可以包括多個(gè)子層，如第一子層(緩沖層I)和第二子層(緩沖層2)，并且所述第二子層的摻雜可以大于所述第一子層的摻雜。又例如，圖1右部的截面示出所述η區(qū)(η柱)134的摻雜沿著自所述絕緣結(jié)構(gòu)140至所述緩沖層126的方向逐步增加和/或逐漸增加。根據(jù)一實(shí)施例(圖1中未示出)，η區(qū)(η柱)的摻雜和/或P區(qū)(P柱)的摻雜可以沿著自所述絕緣結(jié)構(gòu)140至所述緩沖層126的方向具有一個(gè)或多個(gè)局部摻雜最大量及一個(gè)或多個(gè)局部摻雜最小量。
[0042]源極接觸通過(guò)所述金屬化層110電連接，所述金屬化層在芯片的頂面構(gòu)建公共源極焊盤。各個(gè)單元柵極114通過(guò)多晶硅而被連接以在頂面構(gòu)建與金屬化部的公共柵極接觸。并且因此，具有相同或不同的金屬化部的兩個(gè)電極(一個(gè)用于源極，另一個(gè)用于柵極)被設(shè)置在器件頂面并且借助例如硅氧化物或硅氮化物鈍化層或者借助二者彼此隔離。所述漏極接觸構(gòu)建在器件的后部并且被超結(jié)器件的金屬化部128覆蓋。
[0043]圖2示意性地示出根據(jù)本實(shí)用新型的超結(jié)晶體管的兩個(gè)實(shí)例的截面圖和阻斷操作中電場(chǎng)的可能的特性。示出了多種用于實(shí)現(xiàn)補(bǔ)償區(qū)和可選緩沖區(qū)的可能性。緩沖區(qū)可以是漸變的或者也可以呈兩個(gè)或更多個(gè)臺(tái)階狀變化。這些實(shí)例并非限制性的。所述補(bǔ)償區(qū)中的電場(chǎng)被粗略地描繪為不變的，但其可以具有不同的形狀(上升的，下降的，波浪的或者這些形狀的一個(gè)或多個(gè)的組合)。并且，緩沖層中電場(chǎng)的減小可以與所示出的特性不同。
[0044]例如，所述緩沖層中的摻雜水平可以改變。如圖2左部所示，所述緩沖區(qū)的摻雜可以在靜態(tài)阻斷操作期間在所述空間電荷區(qū)部分之外朝向所述襯底增大。
[0045]又例如，所述緩沖層中的摻雜水平可以逐步改變。例如，所述緩沖層可以包括多個(gè)子層，例如，如圖2右部所示，如第一子層(緩沖層I)和第二子層(緩沖層2)，并且所述第二子層的摻雜高于所述第一子層的摻雜。
[0046]根據(jù)本實(shí)用新型，為了防止緩沖層被完全耗盡，所述緩沖層必須足夠厚。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述緩沖層具有為沉積在具有高且基本均勻?qū)щ娦缘囊r底(在此限定為外延層)之上的半導(dǎo)體材料的總厚度的至少25%或30%的厚度。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，所述緩沖層具有在所述外延層的總厚度的35%和45%之間的厚度。
[0047]根據(jù)本實(shí)用新型，為了改善在錯(cuò)誤操作下的器件魯棒性，緩沖層可以包括兩層，其中直接在補(bǔ)償結(jié)構(gòu)下面的那一層具有與補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的η柱相同且恒定的摻雜水平，而鄰近襯底的那一層具有沿著到襯底的方向增大的摻雜水平。
[0048]圖3示意性地示出根據(jù)本實(shí)用新型的具有不同緩沖區(qū)和用于雪崩箝位結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的超結(jié)晶體管結(jié)構(gòu)的兩個(gè)實(shí)例的截面圖。
[0049]例如，示出了五個(gè)補(bǔ)償區(qū)，其分別包括P區(qū)130-1，130-2, 130-3, 130-4,130-5，如圖3a所示。P區(qū)130-1和130-4具有比p區(qū)130-2，130-3和130-5的深度更深的深度，因此這些P區(qū)130-1和130-4中的擊穿電壓可以被控制。在這種情況下，具有較深深度的P區(qū)130-1和130-4通常易于“箝住”雪崩擊穿電壓，即這些P區(qū)130-1和130-4可以構(gòu)成雪崩箝位結(jié)構(gòu)。這導(dǎo)致在雪崩操作中尤其在這些P區(qū)130-1和130-4中移動(dòng)擊穿電壓的可能性。
[0050]在另外一些實(shí)施例中，為了進(jìn)一步針對(duì)雪崩事件優(yōu)化這些包括P區(qū)130-1和130-4的“雪崩晶體管單元結(jié)構(gòu)”，包括P區(qū)130-1和130-4的晶體管單元結(jié)構(gòu)可以不具有源區(qū)，即在包括P區(qū)130-1和130-4的這些晶體管單元結(jié)構(gòu)中不存在npn結(jié)構(gòu)，如圖3b中所示，因此能夠獲得較高的晶體管結(jié)構(gòu)魯棒性。
[0051]換句話說(shuō)，圖3a在具有延伸進(jìn)入晶體管結(jié)構(gòu)較深的補(bǔ)償區(qū)的晶體管單元結(jié)構(gòu)中具有源區(qū)，圖3b省略了源區(qū)，不具有寄生npn結(jié)構(gòu)，并且在具有延伸進(jìn)入晶體管結(jié)構(gòu)較深的補(bǔ)償區(qū)的晶體管單元結(jié)構(gòu)中提供了較高的魯棒性。這些實(shí)例是非限制性的并且不同的變型實(shí)施方式可以以任何方式被組合。[0052]在本實(shí)用新型中，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，具有較深補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的晶體管單元結(jié)構(gòu)均勻地分布在晶體管器件的整個(gè)有源區(qū)上。例如，沿著X和I維度(棋盤狀或者交叉指狀，圖中未示出)每隔10個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)具有一個(gè)較深的補(bǔ)償結(jié)構(gòu)。
[0053]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，具有較深補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的晶體管單元結(jié)構(gòu)隨機(jī)地分布在晶體管器件的整個(gè)有源區(qū)上。
[0054]根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例，專有地具有包括較深補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的晶體管單元結(jié)構(gòu)(例如，如圖3所示的包括P區(qū)130-1和130-4的晶體管單元結(jié)構(gòu))的特定區(qū)域例如位于晶體管器件的柵極焊盤之下或者在晶體管器件的邊緣終止機(jī)構(gòu)附近。
[0055]根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，為了優(yōu)化這些具有延伸進(jìn)入晶體管結(jié)構(gòu)較深的補(bǔ)償區(qū)的晶體管單元結(jié)構(gòu)/使其變得耐用以便針對(duì)雪崩操作來(lái)箝住雪崩電壓，這些晶體管單元結(jié)構(gòu)中的npn或pnp結(jié)構(gòu)可以被省略，僅存在二極管功能。
[0056]根據(jù)又一個(gè)實(shí)施例，如圖3所示的上面的結(jié)構(gòu)可以與較厚的不可耗盡的基層(例如，圖2中的緩沖層)組合。或者，如圖3所示的上面的結(jié)構(gòu)可以與兩臺(tái)階狀基層組合，其中兩臺(tái)階狀基層的較低部分(沿朝向襯底的方向)具有不斷增大的摻雜濃度，兩臺(tái)階狀基層的較高部分具有與補(bǔ)償結(jié)構(gòu)中的η柱相同的摻雜濃度并且摻雜水平是恒定的。
[0057]具體而言，當(dāng)如圖3所示的上面的結(jié)構(gòu)與較厚的不可耗盡的基層(例如，圖2中的緩沖層)組合時(shí)，為了防止緩沖層被完全耗盡，所述緩沖層必須足夠厚。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述緩沖層具有為沉積在具有高且基本均勻?qū)щ娦缘囊r底(在此限定為外延層)之上的半導(dǎo)體材料的總厚度的至少25%或30%的厚度。根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，所述緩沖層具有在所述外延層的總厚度的35%和45%之間的厚度。
[0058]根據(jù)本實(shí)用新型，通過(guò)在晶體管器件(例如開關(guān)器件)內(nèi)提供具有不同深度的補(bǔ)償區(qū)，可以控制這些區(qū)域中的擊穿電壓。這導(dǎo)致在雪崩操作中尤其在那些分布在有源區(qū)300上的特定區(qū)域或特定單元(參見圖3a)中移動(dòng)擊穿電壓的可能性。具有延伸進(jìn)入器件較深的補(bǔ)償區(qū)的MOSFET單元通常易于“箝住”雪崩擊穿電壓。這意味著可以針對(duì)雪崩事件優(yōu)化這些“雪崩單元”(例如，沒有npn結(jié)構(gòu)的優(yōu)化單元301，參見圖3b)，而可以關(guān)于導(dǎo)通電阻和/或開關(guān)行為優(yōu)化其他/周圍的單元。補(bǔ)償區(qū)的深度的局部增大將雪崩事件限制在一個(gè)或多個(gè)特定的芯片區(qū)上或者限制在均勻地或隨機(jī)分布的單元上。為了補(bǔ)償伴隨的抗雪崩能力，在如圖3所示的結(jié)構(gòu)中結(jié)合了較厚的不可耗盡的基層(例如，圖2中的緩沖層)?；蛘撸谌鐖D3所示的結(jié)構(gòu)中結(jié)合了具有兩層結(jié)構(gòu)的基層，其中直接在補(bǔ)償結(jié)構(gòu)下面的那一層具有與補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的η柱相同且恒定的摻雜水平，而鄰近襯底的那一層具有沿著到襯底的方向增大的摻雜水平。這種構(gòu)造在本征體二極管換向情況下的雪崩操作期間以及在短路操作期間還另外提供了關(guān)于宇宙射線事件的提高的魯棒性。
[0059]在上面關(guān)于圖1-3進(jìn)行的描述中，為了更好地突出本實(shí)用新型，因此僅對(duì)本實(shí)用新型的改進(jìn)構(gòu)造進(jìn)行了詳細(xì)描述，而僅僅概述或甚至省略了本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的一些半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。此外，本實(shí)用新型中的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形成均可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的半導(dǎo)體制造工藝來(lái)完成，這里不再贅述。
[0060]盡管上文已經(jīng)通過(guò)示例性實(shí)施例詳細(xì)描述了本實(shí)用新型及其優(yōu)點(diǎn)，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行多種替換和變型。[0061]參考標(biāo)記說(shuō)明:
[0062]110:源極/金屬
[0063]114:柵極
[0064]130:p 柱
[0065]134:n 柱
[0066]126:緩沖層
[0067]126-1:緩沖層 I
[0068]126-2:緩沖層 2
[0069]124:襯底
[0070]128:漏極/金屬
[0071]130-1和130-4:雪崩箝位結(jié)構(gòu)
[0072]300:有源區(qū)
[0073]301:沒有npn結(jié)構(gòu)的優(yōu)化單元。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底； 位于所述襯底上的緩沖層； 補(bǔ)償區(qū)，其包括位于所述緩沖層上的P區(qū)和η區(qū)；以及 位于所述補(bǔ)償區(qū)上的多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)， 其特征在于，位于所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分下面的第一P區(qū)的深度比位于所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第二部分下面的第二 P區(qū)的深度更深。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分的晶體管單元結(jié)構(gòu) 均勻地分布在所述半導(dǎo)體器件中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分的晶體管單元結(jié)構(gòu)隨機(jī)地分布在所述半導(dǎo)體器件中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分的晶體管單元結(jié)構(gòu)中的至少一部分被置于所述半導(dǎo)體器件的柵極焊盤下面或者在所述半導(dǎo)體器件的邊緣終止機(jī)構(gòu)附近。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第一部分的晶體管單元結(jié)構(gòu)中的至少一部分不具有源區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，至少所述多個(gè)晶體管單元結(jié)構(gòu)的第二部分包括源區(qū)和體區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層具有為所述晶體管單元結(jié)構(gòu)的所述緩沖層、所述補(bǔ)償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的至少25%的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層具有為所述晶體管單元結(jié)構(gòu)的所述緩沖層、所述補(bǔ)償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的至少30%的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層具有為所述晶體管單元結(jié)構(gòu)的所述緩沖層、所述補(bǔ)償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的至少1/3的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6-8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層具有在所述晶體管單元結(jié)構(gòu)的所述緩沖層、所述補(bǔ)償區(qū)以及所述源區(qū)和體區(qū)的總體厚度的35%和45%之間的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層具有朝向襯底增加的摻雜濃度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層包括所述襯底上的第一子層和第一子層上的第二子層，并且第二子層的摻雜濃度不同于第一子層的摻雜濃度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層的第二子層具有與所述補(bǔ)償區(qū)的η區(qū)相同的摻雜濃度并且是恒定的。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一子層的摻雜濃度朝向襯底增加。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層的第二子層具有與所述補(bǔ)償區(qū)的η區(qū)相同的摻雜濃度并且是恒定的，并且所述第二子層的摻雜濃度低于所述第一子層的摻雜濃度。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所 述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件是超結(jié)器件。
【文檔編號(hào)】H01L29/06GK203800051SQ201320675472
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月30日
【發(fā)明者】U.瓦爾, A.維爾梅羅特 申請(qǐng)人:英飛凌科技奧地利有限公司