加熱器組件的制作方法
【專利摘要】一種晶圓處理裝置及用于此類處理裝置的加熱組件。具體地，所述晶圓處理裝置中包括具有多個加熱絲和所述加熱絲的機械支撐件的加熱元件，所述加熱元件安裝與所述處理裝置中以對安裝于晶圓承載器上的晶圓進行加熱并且使得輻射熱元件可進行不受限制的熱膨脹。加熱元件為大致平面形狀。加熱元件的尺寸設為直徑約為675mm±5%。加熱絲為彎曲性并且大致處于同一平面。各加熱絲的結構設置為，所述加熱絲跟隨其相鄰加熱絲的結構但不與其相鄰加熱絲發(fā)生接觸。
【專利說明】加熱器組件【技術領域】
[0001]本實用新型涉及，晶圓處理裝置及用于此類裝置的加熱組件。本實用新型尤其涉及晶圓處理裝置中的加熱元件和加熱元件絲的機械支撐件，其中加熱元件安裝在處理裝置中以對安裝于晶圓承載盒上的晶圓進行加熱的。
【背景技術】
[0002]許多的半導體器件系通過所謂的化學氣相沉積(CVD)工藝對基板上的半導體材料進行外延生長而形成。基地一般為盤形的晶體材料，通常稱為“晶圓”。這一工藝中，當使得晶圓處于高溫的同時使得晶圓暴露至一或多個化學前體。前體氣體在基板表面上發(fā)生反應及/或分解以產生所需的沉積物。CVD工藝所用的常見前體包括金屬，金屬的氫化物、鹵化物及鹵代氫化物，以及金屬有機化合物。一般地，前體與并不參與反應的載流氣體(例如，氮氣)混合。通過流經反應室的氣體去除載流氣體和任何不需要的副產品。
[0003]例如，通常使用金屬有機化學氣相沉積(“M0CVD”)生長連續(xù)的化合物半導體層而形成II1-V族半導體之類的化合物半導體。II1-V族半導體的例子包括發(fā)光二極管(LEDs)，以及激光二極管，光檢測器，及場效應管之類的其他高性能器件?？赏ㄟ^使得有機金屬-鎵與氨氣在具有合適晶格間距的基底(例如，藍寶石晶圓或硅晶圓)上進行反應而形成此類器件。一般地，在氮化鎵及相關化合物的沉積過程中，晶圓的溫度保持在500-1200°C的級數。處理過程中，加熱元件通常會被加熱至1000-2200°C以使得晶圓達到其處理溫度。同樣控制壓力和氣體流速之類的多個其他處理參數以達成所需的晶體生長。在形成所有的半導體層之后，并且通常在形成 適當的電觸點后，將晶圓切為單個的器件。
[0004]一般地，MOCVD反應器包括反應室(裝有可將基底傳遞及放置入反應室中的裝置)，基底架，及帶有溫度控制的加熱系統(tǒng)。
[0005]為了促進外延生長的均勻性，將其上要生長多層薄膜的半導體晶圓放置在快速旋轉的，稱為晶圓承載器。旋轉速度為500-l，500RPM的級數。這一快速旋轉使得晶片表面更均勻地暴露至用于沉積半導體材料的處理室中的大氣環(huán)境。晶圓承載器一般由石墨之類的高導熱材料加工而成，并且通常涂有碳化硅之類材料的保護層。各晶圓承載器的頂面具有一組凹槽或凹口，以供單個晶圓放置于其中。
[0006]晶圓承載器被支撐在處理室中的轉軸上，以使得晶圓承載器的具有晶片暴露表面的頂面向外朝向氣體分布裝置。在轉軸旋轉的同時，氣體直接向下導線至晶圓承載器的頂面并且朝向晶圓承載器的周部流經頂面。所使用的氣體通過晶圓承載器下方的口排出反應室。
[0007]通過加熱元件將晶圓承載器保持在升高的溫度，一般為設于晶圓承載器的底面下方的電阻加熱元件。這些加熱元件的溫度保持為高于晶圓表面所需溫度，而氣體分布裝置的溫度一般保持為低于所述所需溫度以防止前體過早發(fā)生反應。因此，熱從加熱元件傳遞至晶圓承載器的底面，并且經由晶圓承載器向上流動至單個的晶圓。向上傳遞經過晶圓承載器的熱也從晶圓承載器的頂面輻射。從晶圓承載器輻射出的輻射熱傳遞的度為晶圓承載器的多個表面和周圍組件(例如，保護層，晶圓，及沉積膜)的輻射率的函數。
[0008]加熱元件一般由鎢，鑰，鈮，鉭，錸及其合金制成，以耐受這樣的高溫(1000-2200°C)ο現(xiàn)有加熱元件的一個問題是加熱元件的熱誘導變形。隨著加熱元件的尺寸增大以適應更大規(guī)模的M0CVD，這一問題更加嚴重。此外，為了確保加熱元件的位置設置正確，提出了不同種類的機械支撐結構。一般地，使用端子對加熱元件進行這樣支撐的，即，即使在加熱元件發(fā)生膨脹的過程中，所述端子仍然將其保持在預定位置。加熱處理過程中，加熱元件會趨于延伸其尺寸并因此在加熱元件材料的內部生成熱誘導應力。
[0009]業(yè)界需要這樣的具有較大直徑加熱組件的MOCVD系統(tǒng)，其加熱元件能夠因熱增加而膨脹同時減小加熱元件的應力并且保持均勻的加熱。
實用新型內容
[0010]本公開的一個方面提供了一種用于MOCVD反應器的平面加熱器的加熱元件，其易于制造并且制造成本相對較低并且限制的存在于較大加熱元件中的誘導應力同時保持均勻的加熱。
[0011]本實用新型的用于晶圓上的外延層生長的裝置，其包括腔室、安裝在所述腔室內用以在其上安裝至少一個晶圓的晶圓承載器及安裝在所述腔室內用以將所述晶圓加熱至預定溫度以在所述晶圓上生長所述外延層的加熱元件，所述加熱元件包括多個加熱絲，其中所述加熱絲處于同一平面，并被設置為與所述晶圓承載器在空間上平行且沿圓周方向對齊。
[0012]如本實用新型實施例的裝置，其中所述加熱元件為圓形。
[0013]如本實用新型實施例的裝置，其中所述加熱元件具有縱向軸線。
[0014]如本實用新型實施例的裝置，其中所述多個加熱絲包括內部加熱絲、第一中間加熱絲、第二中間加熱絲、第一外部加熱絲及第二外部加熱絲，其中所述多個加熱絲相互配合地處于同一平面并且所述多個加熱絲相互不接觸。
[0015]如本實用新型實施例的裝置，其中所述內部加熱絲相對于所述縱向軸線對稱，所述第一中間加熱絲設于所述縱向軸線的一側而所述第二中間加熱絲設于所述縱向軸線的另一側且與所述第一中間加熱絲對齊，并且所述第一外部加熱絲設于所述縱向軸線的一側而所述第二外部加熱絲設于所述縱向軸線的另一側且與所述第一外部加熱絲對齊。
[0016]如本實用新型實施例的裝置，其中所述多個加熱絲具有彎曲結構以使得所述多個加熱絲各構成所述圓形加熱元件的一部分。
[0017]如本實用新型實施例的裝置，其中所述加熱元件的圓周尺寸設置為大致等于或小于所述晶圓承載器的圓周方向。
[0018]如本實用新型實施例的裝置，其中所述加熱元件的圓周尺寸設為直徑為675mm±5%0
[0019]如本實用新型實施例的裝置，其中所述多個加熱絲各具有兩個連接器端，所述連接器端用于剛性連接至電極從而向所述多個加熱絲供電。
[0020]如本實用新型實施例的裝置，其中所述加熱絲可承受被加熱到至少2000°C的溫度。
[0021]如本實用新型實施例的裝置，其中所述多個加熱絲各自由鎢或其合金組成。[0022]如本實用新型實施例的裝置，其中所述外部加熱絲由錸或其合金組成，并且所述內部加熱絲和所述中間加熱絲各由鎢或其合金組成。
[0023]如本實用新型實施例的裝置，其中所述多個加熱絲各由多孔燒結涂層完全或部分覆蓋。
[0024]如本實用新型實施例的裝置，其中所述加熱元件由端子機械支撐，所述端子安裝于熱防護件上以使得所述端子設于所述加熱元件和所述熱防護件之間，所述端子允許所述加熱元件的徑向熱位移。
[0025]如本實用新型實施例的裝置，其中所述加熱元件配置為提供2?6個加熱區(qū)域，較佳為4個加熱區(qū)域。
[0026]本實用新型至少具有如下優(yōu)點。
[0027]由于本實用新型的裝置的結構和裝配使得加熱元件可進行不受限的熱膨脹，并且可避免加熱絲因增加的熱膨脹而可能發(fā)生任何的彎折或扭曲。由此，這些絲的高熱應力不會產生與熱膨脹相關的這些條件下會預期產生的問題。
[0028]端子使得加熱元件可在其熱膨脹過程中發(fā)生位移。端子僅限制絲沿垂直方向移動，從而所述熱誘導變形導致加熱元件沿彎曲的加熱元件的徑向移動。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]結合附圖，參考下文對本實用新型多個實施例的詳細描述，可最佳地理解本實用新型，其中:
[0030]圖1為根據本實用新型一實施例的晶圓承載器和電動機組件的立體圖；
[0031]圖2為根據本實用新型一實施例的圖1所示裝置使用的晶圓承載器的立體圖；
[0032]圖3為根據本實用新型一實施例的安裝于熱防護件上的加熱器組件的俯視圖；
[0033]圖4a為根據本實用新型一實施例的加熱器組件的內絲的俯視圖；
[0034]圖4b為根據本實用新型一實施例的加熱器組件的內絲的側視圖；
[0035]圖5a為根據本實用新型一實施例的加熱器組件的中間絲的俯視圖；
[0036]圖5b為根據本實用新型一實施例的加熱器組件的中間絲的側視圖；
[0037]圖6a為根據本實用新型一實施例的加熱器組件的外絲的俯視圖；
[0038]圖6b為根據本實用新型一實施例的加熱器組件的外絲的側視圖；
[0039]圖7為根據本實用新型一實施例的加熱器組件的立體圖；
[0040]圖8為根據本實用新型一實施例的類似于圖7的視圖的分散圖；
[0041]圖9a_9e示出了根據本實用新型多個實施例的軸加熱器及/或軸絲；
[0042]圖1Oa-1Od示出了根據本實用新型多個實施例的端子和端子位置；
[0043]圖1la-1ld示出了根據本實用新型多個實施例的鉤狀部和鉤狀部位置；
[0044]圖12為根據本實用新型實施例的加熱器組件底部的立體圖，詳細示出了安裝于加熱器底板上的電極密封件和連接器板。
[0045]盡管本實用新型可有多種和代替方式，附圖中已經通過示例的方式給出具體細節(jié)并且下文將詳述。然而，應理解，本實用新型并不限于所述的具體實施例。相反，本實用新型涵蓋所有的落入由權利要求界定的本實用新型的精深和范圍內的修改，等同方式，及代替方式。【具體實施方式】
[0046]圖1示出了可結合為化學氣相沉積裝置一部分的晶圓承載組件10和電動機組件
12。圖2詳細示出了包括加熱元件14的晶圓承載組件10。晶圓承載器16安裝于旋轉軸18上。晶圓承載器16的結構為，包括:本體，其采用中心軸線垂直于頂面和底面延伸的圓盤的形式。晶圓承載器16的本體具有第一主表面(“頂面20”)，和第二主表面(“底面22”)。晶圓承載器16的頂面20朝向氣體分布元件，而底面22向下朝向加熱元件14并遠離氣體分布元件。加熱元件14的外圓周大致與晶圓承載器16的外圓周對齊。僅作為實例，晶圓承載器16的本體的直徑為約695mm，頂面20與底面22之間的厚度約為15.9mm。加熱元件14的尺寸大致與晶圓承載器16的圓周尺寸一致。
[0047]加熱元件14放置為與晶圓承載器16的底面22大致平行并且與之在空間上隔有距離。相對于晶圓承載器16安裝加熱元件14使得輻射加熱元件可有不受限制的熱膨脹。加熱元件14為大致的板狀，或具有大致平的尺寸，S卩，所謂“平面的”，意指大致平面的以使得發(fā)熱元件14的延伸不會錯位出一個平面超過10%。加熱元件14進一步設置為,加熱元件14安裝至多個防護支撐件或端子24并由其進行支撐。位于底端26的端子24通過螺釘或任何其他類型的機械固定裝置或通暗榫和孔形結構固定在加熱防護件28上。
[0048]圖3示出了本文所述的加熱元件14。加熱元件14提供用于反應室的循環(huán)熱和對流熱。一實施例中，加熱元件14的直徑為約675mm，±5%。裝配好的加熱元件14的形狀為大致的平面圓形。加熱元件14包括多個位于平面內的絲。圓形平面的加熱元件14對于預期應用(即，用于M0CVD)是有利的，因為晶圓承載器16為旋轉的圓形板并且在加熱元件14的形狀與晶圓承載器16的形狀一致時加熱覆蓋得以優(yōu)化?？裳剌S線將加熱元件14分為第一半片36和第二半片38。各半片36，38包括中間絲32和外絲34。第一半片36和第二半片38共享對稱地設置在兩個半片36，38之間的內絲34。各絲30，32，34具有這樣的曲線形狀，S卩，各絲30，32，34包括加熱元件14的圓形幾何形狀的一部分。
[0049]各絲30，32，34為平面形并且其長度大于其寬度。各絲30，32，34出曲線形狀并且大致在一個平面內延伸。各絲30，32，34的結構配置為絲30，32，34跟隨其相鄰的絲30，32，34，但不與相鄰的絲30，32，34接觸。由此，絲30，32，34大致嵌在所述平面上以提供由多根絲30，32，34形成的復雜結構。絲30，32，34的形式要求各絲30，32，34的側邊或邊緣不與任何其他絲30，32，34的側邊或邊緣接觸，并且除各絲30，32，34的曲度小于90的點之外，各絲30，32，34之間的間距大致均勻。
[0050]內絲30，中間絲32，及外絲34各自設有至少兩個連接器端40，43，44，46，48，50，所述連接器端配置為用于對加熱元件14進行機械支撐和供電并且分別位于絲30，32，34的兩端。連接器端40，43，44，46，48，50連接至連接器板74的延伸部(圖12a)，內絲30，中間絲32，及外絲34由此間接連接至電極電線以進行供電。除了通過連接器端40，43，44，46，48，50與連接器板74的延伸部進行限制性連接，絲30，32，34沒有與可能阻止絲30，32，34熱膨脹的不可移動的表面進行任何的剛性連接。
[0051]絲30，32，34必須由耐受高工作溫度(通常為1000?2000°C )的材料制成。一實施例中，外絲34可包括錸或其錸合金,而中部絲32和內絲30可包括鶴或其合金。另一實施例中，外絲34，中部絲32，及內絲30可包括鎢或其合金。另一實施例中，外絲34，中部絲32，及內絲30可包括超合金材料，難熔金屬，石墨，鑰，鈮，鉭，鎢，錸，或其組合或合金。超合金材料可選自由鎳基超合金組合物或鐵基超合金組合物的組群。
[0052]實施例中，可利用多孔燒結材料至少部分地覆蓋對絲30，32，34。其他實施例中，可利用多孔燒結材料至少部分地覆蓋絲30，32，34的頂面和底面。其他實施例中，可利用多孔燒結材料至少部分地覆蓋絲30，32，34的除連接器端40，43，44，46，48，50之外的頂面和底面。其他實施例中，可利用多孔燒結材料完整地覆蓋絲30，32，34。應理解，可利用本領域技術人員公知的方式制造具有大致平的尺寸的絲30，32，34。例如，一實施例中，可從板或板狀元件切出絲30，32，34。
[0053]如圖4a和4b所詳細示出，內絲30包括單長度的材料，其沿單個的平面內的曲折路徑彎曲并且其外圓周為大致的圓形。內絲30配置為繞軸線X對稱。內絲30具有設為連接至電極的第一連接器端40和第二連接器端34。連接器端40，42分隔距離A，一實施例中，距離A為0.6英寸，但不限于此。由于內絲30的形狀和設置，不會抑制熱膨脹并且可保持絲30的邊緣的分隔。
[0054]如圖5a和5b所詳細示出，中間絲32包括單長度的材料，其在單個的平面內彎曲以形成大致半圓形的螺旋狀結構。各加熱單元14設有兩個中間絲32，由此，當裝配在一起時，軸線X的各側形成有一個中間絲32從而形成具有兩個獨立的螺旋狀區(qū)域的大致圓形的結構。中間絲32具有設為連接至電極的第一連接器端44和第二連接器端46。連接器端44，46隔距離B，一實施例中，距離B為0.5?0.6英寸，但不限于此。由于中間絲32的形狀和設置，不會抑制熱膨脹并且可保持絲32的邊緣的分離。沿軸線X的半圓的直徑形成為，使得絲材料形成其中心在軸線I的半圓形容納部47，容納部47的直徑約為中間絲32的沿軸線X的總直徑的1/3。容納部47的尺寸設置為內絲32保持在容納部47的內部從而使得內絲30的外邊緣靠近但不與中間絲32的容納部47的外邊緣48接觸。由于中間絲32的形狀和設置，不會抑制熱膨脹并且可保持中間絲32的邊緣的分隔。
[0055]如圖6a和6b所詳細示出，外絲34包括單長度的材料，其在單個平面內彎曲以形成大致半圓形的結構。各加熱單元14設有兩個外絲34，由此，當裝配在一起時，外絲32位于軸線X的各側從而形成大致圓形的結構。外絲34具有設為連接至電極的第一連接器端48和第二連接器端50。連接器端48，50隔距離C，一實施例中，距離C為24?26英寸，但不限于此。由于外絲34的形狀和設置，不會抑制熱膨脹。沿軸線X的半圓的直徑形成為，使得絲材料形成其中心在軸線I的半圓形容納部52，容納部52的直徑稍小于外絲34的沿軸線X的總直徑。容納部52的尺寸設置為內絲32保持在容納部52的內部從而使得中間絲32的外邊緣靠近但不與外絲34的容納部52的外邊緣54接觸。由于外絲34的形狀和設置，不會抑制熱膨脹并且可保持外絲34的邊緣與中間絲32的邊緣45之間的分隔。
[0056]如本文所述，靠近晶圓承載器16的加熱絲30，32，34的結構和裝配使得加熱元件14可進行不受限的熱膨脹，并且可避免加熱絲30，32，34因增加的熱膨脹而可能發(fā)生任何的彎折或扭曲。由此，這些絲30，32，34的高熱應力不會產生與熱膨脹相關的這些條件下會預期產生的問題。
[0057]圖7示出了通過端子24安裝于至少一個熱防護件28上的加熱元件14。熱防護件28設于加熱器底板29上。熱防護件28安裝于加熱元件14的下方以將所生成的熱容納于其中，從而使得以朝向晶圓承載器16的向上方向提供熱以對晶圓承載器16上的晶圓進行加熱。一實施例中，加熱元件14可包括四區(qū)域加熱系統(tǒng)。其他實施例中，加熱元件14可包括少于或多于四區(qū)域的加熱系統(tǒng)。由于所述結構和分區(qū)加熱，可為晶圓設置均勻的溫度以使得晶圓具有均勻的溫度，晶圓溫度必須控制在約±1°C之內。端子24為加熱元件14提供機械支撐并且設于加熱元件14與最頂熱防護件28之間。端子24可具有多種結構，例如，如圖1Oa-1Od所示，并且可通過多種方式進行附接或安裝?？赏ㄟ^緊固件進行安裝或者可安裝在熱防護件28的孔中。本領域技術人員應清楚，所示的實現(xiàn)方式并未涵蓋所有的方式，并且可設置端子24之外的其他類型，例如，片彈簧，彈簧，柱等。一實施例中，端子24可包括陶瓷。另一實施例中，端子可包括非導熱材料。
[0058]端子24使得加熱元件24可在其熱膨脹過程中發(fā)生位移。當對加熱元件14進行加熱(可為1000-2200°C的級數)時，加熱元件14會發(fā)生熱誘導變形。端子24僅限制絲30，32，34沿垂直方向移動，從而所述熱誘導變形導致加熱元件14沿彎曲的加熱元件14的徑向移動。
[0059]如圖1la-1ld所示，實施例中可設置鉤狀部70。設置鉤狀部70以穩(wěn)定加熱絲30，32，34，同時仍允許加熱絲30，32，34在其熱誘導變形過程中移動。
[0060]圖8示出了加熱器組件10的分散圖。一實施例中，還提供了加熱器軸60和軸絲62，如圖9a-9e所示，從而形成旋轉軸18的通路。一實施例中，軸絲62可包括錸。另一實施例中，軸絲62可包括鎢。軸絲60通過連接器板64固定連接至加熱器軸60。加熱器軸通過腿部68連接至軸加熱器加熱防護件66，所述腿部68具有容納緊固件69的孔。
[0061]本領域的技術人員應理解，可為各內絲30，兩個中間絲32，兩個外絲34，及軸絲62設有四個獨立的電源。由此本實施例中提供四區(qū)加熱系統(tǒng)。另一實施例中，所有的絲30，32，34，62設有單個電源，以提供單獨區(qū)域加熱系統(tǒng)。其他實施例中，絲30，32，34，62的多個組合可連接至多個獨立的電源，以提供雙區(qū)，三區(qū)，五區(qū)，或六區(qū)加熱系統(tǒng)。為各區(qū)域設置獨立的控制，從而可對從晶圓承載器14到較冷的反應室壁的熱流動進行補償，由此保持必要的均勻晶圓溫度。
[0062]圖12a_12d為加熱器組件10的底板的等距圖，詳細示出了多個安裝在加熱器底板29上的電極密封件72。電極密封件72為電極布線(未示)提供通路以連接至連接板74，所述連接板連接至連接器端40，42，44，46，48，50。盡管示出了具體的結構，但本領域技術人員應清楚，有多種結構可用以滿足所需的功能。
[0063]本實用新型的另一個目的系提供MOCVD反應器，其包括:腔室，其上安裝有一或多個晶圓的晶圓承載器16，及包括上述加熱元件14的加熱組件10。
[0064]上述實施例用于描述而非限制。權利要求范圍包括其他實施例。此外，盡管業(yè)已參考具體實施例描述了本實用新型的各個方面，但本領域技術人員應認識到，可在不脫離由權利要求所限定的本實用新型范圍內對形式和細節(jié)作出改變。
[0065]相關領域的技術人員應認識到，本實用新型的特征可少于包括任意一個上述單獨實施例所述的特征。本文所述的實施例并非本實用新型多種特征的組合方式的窮盡表達。因此，如領域技術人員所應認識到的，本實用新型的實施例并非通常排他的特征組合，而是本實用新型可包括從不同的單獨實施例選出的單個不同特征的組合。
【權利要求】
1.一種用于晶圓上的外延層生長的裝置，其特征在于，所述裝置包括腔室、安裝在所述腔室內用以在其上安裝至少一個晶圓的晶圓承載器及安裝在所述腔室內用以將所述晶圓加熱至預定溫度以在所述晶圓上生長所述外延層的加熱元件，所述加熱元件包括多個加熱絲，其中所述加熱絲處于同一平面，并被設置為與所述晶圓承載器在空間上平行且沿圓周方向對齊。
2.如權利要求1所述的裝置，其中所述加熱元件為圓形。
3.如權利要求2所述的裝置，其中所述加熱元件具有縱向軸線。
4.如權利要求3所述的裝置，其中所述多個加熱絲包括內部加熱絲、第一中間加熱絲、第二中間加熱絲、第一外部加熱絲及第二外部加熱絲，其中所述多個加熱絲相互配合地處于同一平面并且所述多個加熱絲相互不接觸。
5.如權利要求4所述的裝置，其中所述內部加熱絲相對于所述縱向軸線對稱，所述第一中間加熱絲設于所述縱向軸線的一側而所述第二中間加熱絲設于所述縱向軸線的另一側且與所述第一中間加熱絲對齊，并且所述第一外部加熱絲設于所述縱向軸線的一側而所述第二外部加熱絲設于所述縱向軸線的另一側且與所述第一外部加熱絲對齊。
6.如權利要求5所述的裝置，其中所述多個加熱絲具有彎曲結構以使得所述多個加熱絲各構成所述圓形加熱元件的一部分。
7.如權利要求6所述的裝置，其中所述加熱元件的圓周尺寸設置為大致等于或小于所述晶圓承載器的圓周方向。
8.如權利要求7所述的裝置，其中所述加熱元件的圓周尺寸設為直徑為675mm+5%。
9.如權利要求8所述的裝置，其中所述多個加熱絲各具有兩個連接器端，所述連接器端用于剛性連接至電極從而向所述多個加熱絲供電。
10.如權利要求9所述的裝置，其中所述加熱絲可承受被加熱到至少2000°C的溫度。
11.如權利要求10所述的裝置，其中所述多個加熱絲各自由鎢或其合金組成。
12.如權利要求4或5所述的裝置，其中所述外部加熱絲由錸或其合金組成，并且所述內部加熱絲和所述中間加熱絲各由鎢或其合金組成。
13.如權利要求12所述的裝置，其中所述多個加熱絲各由多孔燒結涂層完全或部分覆至JHL ο
14.如權利要求13所述的裝置，其中所述加熱元件由端子機械支撐，所述端子安裝于熱防護件上以使得所述端子設于所述加熱元件和所述熱防護件之間，所述端子允許所述加熱元件的徑向熱位移。
15.如權利要求14所述的裝置，其中所述加熱元件配置為提供2?6個加熱區(qū)域。
16.如權利要求15所述的裝置，其中所述加熱元件配置為提供4個加熱區(qū)域。
【文檔編號】H01L21/67GK203721688SQ201320690283
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年11月4日 優(yōu)先權日:2013年11月4日
【發(fā)明者】亞歷山大·I·古雷利, 瓦丁·博古斯拉法斯基 申請人:維易科儀器有限公司