太陽能電池的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種太陽能電池，它包括硅片（1），其特征在于所述硅片（1）的正面設(shè)置有多根豎向布置的正面主柵以及橫向布置的多根細柵線，正面主柵處的硅片（1）處設(shè)置有正反方向的多個打孔（2），多個打孔（2）呈陣列布置，所述硅片（1）的背面設(shè)置有多個陣列布置的背電極（3），所述打孔（2）與背電極（3）錯位布置，所述主柵處的導電銀漿經(jīng)過打孔（2）滲透至硅片（1）的背面，硅片（1）背面的打孔（2）處表面設(shè)置有多條豎向布置的絕緣掩膜（4）。該太陽能電池具有增大太陽能電池正面受光面積，提高封裝組件的輸出功率的優(yōu)點，且便于自動化批量生產(chǎn)。
【專利說明】 太陽能電池
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種太陽能電池，屬于太陽能電池制造領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池是將太陽能轉(zhuǎn)換成電能的半導體器件。電池電極是電池的重要組成部分，它負責把電池體內(nèi)的光生電流引起電池外部；同時在將電池做成組件時和焊帶起傳導電流的作用。
[0003]太陽能電池電極分為正電極、背電極。目前業(yè)內(nèi)大部分使用的是正面、背面均印刷電極，通過焊接焊帶的方式將正電極、背電極串接起來形成封裝組件。
[0004]現(xiàn)有太陽能電池正面需要印刷較粗的主柵線進行焊接，影響太陽能電池正面受光面積，降低封裝組件的輸出功率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種增大太陽能電池正面受光面積，提高封裝組件的輸出功率的太陽能電池。
[0006]本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的:
[0007]一種太陽能電池，它包括硅片，所述硅片的正面設(shè)置有多根豎向布置的正面主柵以及橫向布置的多根細柵線，正面主柵處的硅片處設(shè)置有正反方向的多個打孔，多個打孔呈陣列布置，所述硅片的背面設(shè)置有多個陣列布置的背電極，所述打孔與背電極錯位布置，所述主柵處的導電銀漿經(jīng)過打孔滲透至硅片的背面，硅片背面的打孔處表面設(shè)置有多條豎向布置的絕緣掩膜。
[0008]作為一種優(yōu)選，所述硅片的正面設(shè)置有90根細柵線以及4根主柵線，每根主柵線均勻分布4個打孔引到背面，多個打孔優(yōu)選為4*4陣列布置，多個背電極優(yōu)選為3*5陣列布置，絕緣掩膜優(yōu)選為4條。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是:
[0010]本實用新型與常規(guī)電池相比，組件端正面不需要焊接焊帶，組件正面受光面積增大，組件功損明顯降低。在組件封裝時不需要焊接主柵線，電極互聯(lián)全部集中在電池背面，提高了自動化焊接的生產(chǎn)效率。因此該太陽能電池具有增大太陽能電池正面受光面積，提高封裝組件的輸出功率的優(yōu)點，且便于自動化批量生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型太陽能電池的背面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0012]參見圖1，本實用新型涉及的一種太陽能電池，它包括硅片1，所述硅片I的正面通過正面電極印刷形成多根豎向布置的正面主柵以及橫向布置的多根細柵線，正面主柵處的硅片I處設(shè)置有正反方向的多個打孔2，多個打孔2呈陣列布置，所述硅片I的背面通過背面電極印刷形成多個陣列布置的背電極3，所述打孔2與背電極3錯位布置，所述主柵處的導電銀漿經(jīng)過打孔2滲透至硅片I的背面，硅片I背面的打孔2處表面設(shè)置有多條豎向布置的絕緣掩膜4。
[0013]實施例1、
[0014]設(shè)計正面為90根細柵線、4根主柵線，每根主柵線均勻分布4個激光打孔引到背面，即主柵優(yōu)選為4根，多個打孔2優(yōu)選為4*4陣列布置，背電極為3列，每列均勻分布為五段圓點，即多個背電極3優(yōu)選為3*5陣列布置，絕緣掩膜4優(yōu)選為4條。
[0015]制作過程:
[0016]1、使用激光打孔機對硅片特定位置進行打孔，將硅片進行制絨、擴散、刻蝕、鍍膜。
[0017]2、使用正面電極網(wǎng)版進行正面電極印刷，在正面印刷的過程中，漿料也會滲透至孔洞中。
[0018]3、使用背面電極網(wǎng)版進行背面電極印刷，使用背面電場網(wǎng)版進行背面電場印刷。
[0019]4、經(jīng)過高溫燒結(jié)后，使用特定網(wǎng)版印刷絕緣掩膜，將正、負電極絕緣隔離。
【權(quán)利要求】
1.一種太陽能電池，它包括硅片(1)，其特征在于所述硅片(I)的正面設(shè)置有多根豎向布置的正面主柵以及橫向布置的多根細柵線，正面主柵處的硅片(I)處設(shè)置有正反方向的多個打孔(2)，多個打孔(2)呈陣列布置，所述硅片(I)的背面設(shè)置有多個陣列布置的背電極(3)，所述打孔(2)與背電極(3)錯位布置，所述主柵處的導電銀漿經(jīng)過打孔(2)滲透至硅片(I)的背面，硅片(I)背面的打孔(2)處表面設(shè)置有多條豎向布置的絕緣掩膜(4)。
【文檔編號】H01L31/0224GK203674219SQ201320754828
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月27日
【發(fā)明者】胡冰峰, 羅茂盛, 俞少華 申請人:江陰鑫輝太陽能有限公司