光傳感器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型是關(guān)于一種光傳感器，光傳感器包含一基板、一開(kāi)關(guān)元件及一光電元件。開(kāi)關(guān)元件及光電元件設(shè)于基板之上，開(kāi)關(guān)元件包含第一金屬層、一絕緣層、一歐姆接觸層及一第二金屬層。光電元件包含第二金屬層、一二極管層及一電極層。絕緣層堆棧于第一金屬層之上，歐姆接觸層堆棧于絕緣層之上，第二金屬層堆棧于歐姆接觸層之上。二極管層堆棧于第二金屬層之上，電極層堆棧于二極管層之上。其中，第二金屬層包含復(fù)數(shù)子金屬層，該些子金屬層間以階梯堆棧的方式形成于歐姆接觸層之上。
【專(zhuān)利說(shuō)明】光傳感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是有關(guān)一種光傳感器，特別是關(guān)于一種改善膜層轉(zhuǎn)折處蝕刻殘的光傳感器，其于制程中改善蝕刻殘現(xiàn)象。

【背景技術(shù)】
[0002]數(shù)字式X射線(xiàn)傳感器(digital X — ray sensor)的技術(shù)可分為直接型數(shù)字式X射線(xiàn)傳感器(direct digital x 一 ray sensor)及非直接型數(shù)字式X射線(xiàn)傳感器(indirectdigital X — ray sensor)。兩者技術(shù)差異主要是在于將X射線(xiàn)(X — ray)轉(zhuǎn)換成電子訊號(hào)的流程不同，故各有其設(shè)計(jì)上的結(jié)構(gòu)差異。其中，非直接型數(shù)字式X射線(xiàn)傳感器的結(jié)構(gòu)則主要是薄膜晶體管數(shù)組之上形成感光二極管(photo d1de)，而且，此架構(gòu)的感光二極管的膜厚須有一定的厚度，所以，當(dāng)感光二極管的膜厚到達(dá)一特定厚度時(shí)，薄膜晶體管的膜層轉(zhuǎn)折處將因感光二極管的二極管層蝕刻不完全而造成蝕刻殘現(xiàn)象。
[0003]因此，一般遇到上述蝕刻殘現(xiàn)象時(shí)，解決方式為增加蝕刻時(shí)間，但是，過(guò)長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間會(huì)造成感光二極管的組件缺陷，而產(chǎn)生漏電的情形。故，利用增加蝕刻時(shí)間的方式并無(wú)法解決薄膜晶體管的膜層轉(zhuǎn)折處的蝕刻殘現(xiàn)象。
[0004]鑒于習(xí)知傳感器的問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種光傳感器，其改善膜層轉(zhuǎn)折處的膜厚過(guò)厚所產(chǎn)生蝕刻殘的現(xiàn)象。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的主要目的之一，在于提供一種光傳感器，其膜層利用階梯堆棧的方式而改善膜層轉(zhuǎn)折處的膜厚過(guò)厚所產(chǎn)生的蝕刻殘現(xiàn)象。
[0006]本實(shí)用新型的主要目的之一，在于提供一種光傳感器，其控制膜層的厚度及線(xiàn)阻抗，以改善膜層轉(zhuǎn)折處的膜厚過(guò)厚所產(chǎn)生的蝕刻殘現(xiàn)象。
[0007]為了達(dá)到上述所指稱(chēng)的目的與功效，本實(shí)用新型提供一種光傳感器，其包含一基板、一開(kāi)關(guān)元件及一光電元件。開(kāi)關(guān)元件及光電元件設(shè)于基板之上，開(kāi)關(guān)元件包含一第一金屬層、一絕緣層、一歐姆接觸層及一第二金屬層。絕緣層堆棧于該第一金屬層之上，歐姆接觸層堆棧于該絕緣層之上，第二金屬層堆棧于該歐姆接觸層之上。光電元件包含第二金屬層、一二極管層、一電極層。二極管層堆棧于第二金屬層之上，電極層堆棧于二極管層之上。
[0008]其中，第二金屬層包含復(fù)數(shù)子金屬層，該些子金屬層間以階梯堆棧的方式形成于歐姆接觸層之上。
[0009]或者，第二金屬層小于一特定厚度，并線(xiàn)阻抗為0.3^0.5歐姆/平方。
[0010]實(shí)施本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型的光傳感器的第二金屬層以階梯堆棧的方式或控制第二金屬層的厚度及線(xiàn)阻抗，以改善膜層轉(zhuǎn)折處的膜厚過(guò)厚所產(chǎn)生的蝕刻殘現(xiàn)象。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中:
[0012]圖1:其為本實(shí)用新型的光傳感器的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；及
[0013]圖2:其為本實(shí)用新型的光傳感器的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。
[0014]【圖號(hào)對(duì)照說(shuō)明】
[0015]10光傳感器
[0016]20開(kāi)關(guān)元件
[0017]21第一金屬層
[0018]23絕緣層
[0019]25歐姆接觸層
[0020]27第二金屬層
[0021]271子金屬層
[0022]273子金屬層
[0023]275第一電極
[0024]277第二電極
[0025]279第二金屬層
[0026]29第一鈍態(tài)層
[0027]290第一孔洞
[0028]291蝕刻殘
[0029]30光電元件
[0030]31二極管層
[0031]33電極層
[0032]40第二鈍態(tài)層
[0033]41第二孔洞
[0034]43第三孔洞
[0035]60第三金屬層
[0036]61第一導(dǎo)體
[0037]63第二導(dǎo)體
[0038]70保護(hù)層
[0039]80基板。

【具體實(shí)施方式】
[0040]為使對(duì)本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，用以較佳的實(shí)施例及附圖配合詳細(xì)的說(shuō)明，說(shuō)明如下:
[0041]請(qǐng)參閱圖1，為本實(shí)用新型的光傳感器的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。如圖所示，光傳感器10包含一基板80、一開(kāi)關(guān)元件20及一光電元件30。開(kāi)關(guān)元件20及光電元件30設(shè)于基板80之上，開(kāi)關(guān)元件20包含一第一金屬層21、一絕緣層23、一歐姆接觸層25及一第二金屬層27。光電元件30包含第二金屬層27、一二極管層31及一電極層33。再者，絕緣層23堆棧于第一金屬層21之上，歐姆接觸層25堆棧于絕緣層23之上，第二金屬層27堆棧于歐姆接觸層25之上。二極管層31堆棧于第二金屬層27之上，電極層33堆棧于二極管層31之上。
[0042]再者，本實(shí)用新型的光傳感器10更包含一第一鈍態(tài)層29、一第二鈍態(tài)層40、一第一孔洞290、一第二孔洞41、一第三孔洞43、一第三金屬層60及一保護(hù)層70。第一鈍態(tài)層29堆棧于第二金屬層27之上,第二鈍態(tài)層40堆棧于第一鈍態(tài)層29及電極層33之上,而且，二極管層31同時(shí)堆棧于第二金屬層27及第一鈍態(tài)層29之上。第一孔洞290貫穿第一鈍態(tài)層29以裸露第二金屬層27的一第一電極275，第二孔洞41貫穿第二鈍態(tài)層40并與第一孔洞290裸露第一電極275，第三孔洞43貫穿第二鈍態(tài)層40以裸露電極層33。第三金屬層60堆棧于第二鈍態(tài)層40之上,保護(hù)層70堆棧于第三金屬層60及第二鈍態(tài)層40之上。
[0043]承接上述,第二金屬層27包含第一電極275及一第二電極277,而且,第一電極275及第二電極277例如為一源極及一汲極。第一電極275堆棧于歐姆接觸層25之上及歐姆接觸層25的一側(cè)，第二電極277堆棧于歐姆接觸層25之上及歐姆接觸層25的另一側(cè)，再者，光電兀件30亦包含第二電極277。第三金屬層60包含一第一導(dǎo)體61及一第二導(dǎo)體63。第一導(dǎo)體61形成于第一孔洞290及第二孔洞41內(nèi)以電性連接第一電極275,第二導(dǎo)體63形成于第三孔洞43內(nèi)以電性連接電極層33。
[0044]復(fù)參閱圖1，光傳感器10的各膜層的厚度可以依據(jù)需求進(jìn)行設(shè)計(jì)，所以，本實(shí)用新型并未限制各膜層的厚度。然，二極管層31的膜層厚度設(shè)計(jì)大于或等于一第一特定厚度(例如15000A)，及第二金屬層27的膜層厚度設(shè)計(jì)為一第二特定厚度以上(例如4000A)時(shí)，將造成第一電極275及第二電極277的膜層轉(zhuǎn)折處的膜厚過(guò)厚，而使開(kāi)關(guān)元件20于制程過(guò)程中產(chǎn)生蝕刻殘291現(xiàn)象。如此，本實(shí)施例的光傳感器10針對(duì)此蝕刻殘291現(xiàn)象的解決方式，是將第二金屬層27于不改變厚度下，使第二金屬層27呈階梯狀，而改善開(kāi)關(guān)元件20的蝕刻殘291現(xiàn)象。以下系針對(duì)改善開(kāi)關(guān)元件20的蝕刻殘291現(xiàn)象進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0045]本實(shí)用新型的光傳感器10將第二金屬層27 (圖1)以階梯堆棧的方式形成于絕緣層23及歐姆接觸層25之上，以改善開(kāi)關(guān)元件20的蝕刻殘291現(xiàn)象。即當(dāng)二極管層31的膜厚設(shè)計(jì)大于或等于第一特定厚度，及第二金屬層27的膜厚設(shè)計(jì)為第二特定厚度，如此，位于開(kāi)關(guān)元件20的第一電極275及第二電極277間的第一鈍態(tài)層29的上方會(huì)產(chǎn)生蝕刻殘291的現(xiàn)象。所以，本實(shí)用新型將第二金屬層27改以復(fù)數(shù)子金屬層271、273堆棧于絕緣層23及歐姆接觸層25之上，尤其是該些子金屬層271、273之間以階梯堆棧的方式形成于絕緣層23及歐姆接觸層25之上，而且，該些子金屬層271、273的厚度較佳分別小于2000A，并線(xiàn)阻抗為0.3^0.5歐姆/平方。如此，該些子金屬層271、273所形成的第二金屬層27的左右兩側(cè)明顯呈現(xiàn)階梯狀，而膜層轉(zhuǎn)折處的厚度也因此降低。故，本實(shí)用新型利用該些子金屬層271、273之間以階梯堆棧的方式形成于絕緣層23及歐姆接觸層25之上，而改善開(kāi)關(guān)元件20的膜層轉(zhuǎn)折處的蝕刻殘291現(xiàn)象。
[0046]承接上述，由于第二金屬層27的左右兩側(cè)需呈現(xiàn)階梯狀，所以，該些子金屬層271,273分別具有不同的蝕刻速率，而本實(shí)用新型設(shè)計(jì)每一子金屬層271、273之間的蝕刻選擇比比值介于1.5^2之間，其中，蝕刻速率較慢的子金屬層271鄰近于絕緣層23及歐姆接觸層25的一側(cè)，而蝕刻速率較快的子金屬層273鄰近于第一鈍態(tài)層29及二極管層31的一側(cè)。如此，因該些子金屬層271、273分別具有不同的蝕刻速率，而利于第二金屬層27的左右兩側(cè)明顯呈現(xiàn)階梯狀。然，上述蝕刻選擇比比值僅為一舉例，本實(shí)用新型并未限制蝕刻選擇比比值的范疇。
[0047]再者，為使該些子金屬層271、273分別具有不同蝕刻速率，該些子金屬層271、273分別為不同材質(zhì)，例如:該些子金屬層271、273的材質(zhì)為鑰/鑰鈮、鋁釹/鑰鈮、鑰/鑰鉭、鋁鈮/鑰鉭或鑰鉭/鉻。此外，該些子金屬層271、273為鑰/鑰鈮材質(zhì)時(shí)，其中鈮的原子百分比為5?10% ;該些子金屬層271、273為鋁釹/鑰鈮材質(zhì)時(shí)，其中釹的重量百分比為3%，鈮的原子百分比為5?10% ;該些子金屬層271、273為鑰/鑰鉭材質(zhì)時(shí)，其中鉭的原子百分比為5?10% ;該些子金屬層271、273為鋁鈮/鑰鉭材質(zhì)時(shí)，其中鈮的重量百分比為3%，鉭的原子百分比為10% ;該些子金屬層271、273為鑰鉭/鉻材質(zhì)時(shí)，其中鉭的原子百分比為10%。
[0048]請(qǐng)參閱圖2，其為本實(shí)用新型的光傳感器的另一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。如圖所示，本實(shí)用新型的光傳感器10的另一種解決開(kāi)關(guān)元件20的蝕刻殘291現(xiàn)象的技術(shù)。圖2的第二金屬層279比較圖1的第二金屬層27，第二金屬層279膜層的厚度小于第二金屬層27膜層的厚度，如此，第一電極275及第二電極277的膜層轉(zhuǎn)折處會(huì)降低膜厚，所以，第二金屬層279的膜厚直接降低即可以改善開(kāi)關(guān)元件20的蝕刻殘291現(xiàn)象，此外，本實(shí)用新型的第二金屬層279的膜層厚度較佳為小于2000A。然，第二金屬層279的膜厚若降低過(guò)多會(huì)造成線(xiàn)阻抗的大幅提升，而線(xiàn)阻抗的大幅提升將不利于光傳感器10的工作。故，本實(shí)用新型降低第二金屬層279膜層的厚度，并使第二金屬層279線(xiàn)阻抗為0.3^0.5歐姆/平方。
[0049]綜上所述，本實(shí)用新型系揭示一種光傳感器。光傳感器包含一基板、一開(kāi)關(guān)元件及一光電元件。開(kāi)關(guān)元件及光電元件設(shè)于基板之上，開(kāi)關(guān)元件包含第一金屬層、絕緣層、歐姆接觸層及第二金屬層。光電元件包含第二金屬層、二極管層及電極層。再者，絕緣層堆棧于第一金屬層之上，歐姆接觸層堆棧于絕緣層之上，第二金屬層堆棧于歐姆接觸層之上。二極管層堆棧于第二金屬層之上，電極層堆棧于二極管層之上。基于上述，本實(shí)用新型的光傳感器的第二金屬層以階梯堆棧的方式或控制第二金屬層的厚度及線(xiàn)阻抗，以改善膜層轉(zhuǎn)折處的膜厚過(guò)厚所產(chǎn)生的蝕刻殘現(xiàn)象。
[0050]應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種光傳感器，其特征在于，其包含: 一基板； 一開(kāi)關(guān)元件，設(shè)于該基板之上，且該開(kāi)關(guān)元件包含: 一第一金屬層; 一絕緣層，堆棧于該第一金屬層之上； 一歐姆接觸層，堆棧于該絕緣層之上； 一第二金屬層，堆棧于該歐姆接觸層之上； 一光電兀件，設(shè)于該基板之上，并包含該第二金屬層，且該光電兀件更包含: 一二極管層，堆棧于該第二金屬層之上；及 一電極層，堆棧于該二極管層之上； 其中，該第二金屬層包含復(fù)數(shù)子金屬層，該些子金屬層間以階梯堆棧的方式形成于該歐姆接觸層之上。
2.如權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，其中，當(dāng)該二極管層的一厚度大于或等于15000A、該第二金屬層的厚度不改變時(shí)，該些子金屬層間以階梯堆棧的方式形成于該歐姆接觸層之上。
3.如權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，其中，該些子金屬層的厚度小于2000A，并線(xiàn)阻抗為0.3、.5歐姆/平方。
4.如權(quán)利要求1所述的光傳感器，其特征在于，該第二金屬層包含: 一第一電極，堆棧于該歐姆接觸層之上及該歐姆接觸層的一側(cè) '及 一第二電極，堆棧于該歐姆接觸層之上及該歐姆接觸層的另一側(cè)； 其中，該光電元件包含該第二電極。
5.如權(quán)利要求4所述的光傳感器，其特征在于，其更包含: 一第一鈍態(tài)層，堆棧于該第二金屬層之上；及 一第二鈍態(tài)層，堆棧于該第一鈍態(tài)層及該電極層之上； 其中，該二極管層同時(shí)堆棧于該第二金屬層及該第一鈍態(tài)層之上。
6.如權(quán)利要求5所述的光傳感器，其特征在于，其更包含: 一第一孔洞，貫穿該第一鈍態(tài)層，以裸露該第一電極； 一第二孔洞，貫穿該第二鈍態(tài)層，并與該第一孔洞裸露該第一電極；及 一第三孔洞，貫穿該第二鈍態(tài)層，以裸露該電極層。
7.如權(quán)利要求6所述的光傳感器，其特征在于，其更包含: 一第三金屬層，堆棧于該第二鈍態(tài)層之上，并包含一第一導(dǎo)體及一第二導(dǎo)體 '及 一保護(hù)層，堆棧于該第三金屬層及該第二鈍態(tài)層之上； 其中，該第一導(dǎo)體形成于該第一孔洞及該第二孔洞內(nèi)，以電性連接該第一電極，該第二導(dǎo)體形成于該第三孔洞內(nèi)，以電性連接該電極層。
【文檔編號(hào)】H01L27/144GK204011425SQ201320777356
【公開(kāi)日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年12月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】吳瑞欽, 孫國(guó)昇 申請(qǐng)人:凌巨科技股份有限公司