一種多頻陣列天線的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例一種多頻陣列天線。多頻陣列天線包括至少一個(gè)雙極化低頻子陣列和至少一個(gè)雙極化高頻子陣列，所述雙極化低頻子陣列與所述雙極化高頻子陣列在同一天線罩中沿多頻陣列天線的軸向并行排列；其中，所述雙極化低頻子陣列包括至少兩種雙極化低頻輻射單元對，每個(gè)所述雙極化低頻輻射單元對由至少四個(gè)低頻輻射單元組成。本實(shí)施例中雙極化低頻子陣列由多個(gè)雙極化低頻輻射單元對組成，每個(gè)雙極化低頻輻射單元對又由多個(gè)低頻輻射單元組成，該結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)相比，每個(gè)雙極化低頻輻射單元對中的多個(gè)低頻輻射單元的有效工作區(qū)所包圍的面積更大，從而雙極化低頻輻射單元對的口徑利用效率更高，低頻子陣列的增益也就更高。
【專利說明】一種多頻陣列天線
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及通信【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種多頻陣列天線。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著移動(dòng)通信的發(fā)展，用戶對高速數(shù)據(jù)傳輸越來越高的要求，以及用戶需求類型的日益多樣化，現(xiàn)代移動(dòng)通信正在向著多頻多模方向發(fā)展。移動(dòng)通信設(shè)備的更新?lián)Q代速度正逐步加快，而城區(qū)可用站點(diǎn)資源的獲取卻越來越難，因此多頻多模工作成為基站天線未來的發(fā)展方向之一。多頻多?；咎炀€也為移動(dòng)通信運(yùn)營商的站點(diǎn)共用提供了更有效的解決手段，符合在網(wǎng)設(shè)備平滑升級和綠色節(jié)能要求。
[0003]多頻多?；咎炀€，也即多頻陣列天線，需要在同一個(gè)天線中包含多個(gè)可工作于相同或不同頻段的天線子陣列，而有限的安裝空間和天線子陣列的寬帶工作都為天線設(shè)計(jì)帶來了新的挑戰(zhàn)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中可以采用如圖1所示的多頻陣列天線，該天線按照高頻子陣列11-低頻子陣列12-高頻子陣列13進(jìn)行排布。雖然該多頻陣列天線尺寸緊湊，兩個(gè)高頻子陣列也具有比較一致的電性能指標(biāo)，但是，低頻子陣列增益較低。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例中提供了一種多頻陣列天線，能夠增大多頻陣列天線中低頻子陣列的增益。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型實(shí)施例公開了如下技術(shù)方案:
[0007]第一方面，提供一種多頻陣列天線，包括至少一個(gè)雙極化低頻子陣列和至少一個(gè)雙極化高頻子陣列，所述雙極化低頻子陣列與所述雙極化高頻子陣列在同一天線罩中沿多頻陣列天線的軸向并行排列；其中，所述雙極化低頻子陣列包括至少兩種雙極化低頻輻射單元對，每個(gè)所述雙極化低頻輻射單元對由至少四個(gè)低頻輻射單元組成。
[0008]結(jié)合上述第一方面，在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，每種所述雙極化低頻輻射單元對中低頻輻射單元的組合方式不同。
[0009]結(jié)合上述第一方面，和/或第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，
[0010]所述至少兩種雙極化低頻輻射單元對沿所述多頻陣列天線的軸向交替排列。
[0011]結(jié)合上述第一方面，和/或第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，和/或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述雙極化低頻輻射單元對由四個(gè)L形低頻輻射單元組成。
[0012]結(jié)合上述第一方面，和/或第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，和/或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，和/或第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述雙極化高頻子陣列的數(shù)目為2列或4列。
[0013]結(jié)合上述第一方面，和/或第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，和/或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，和/或第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式，和/或第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述雙極化高頻子陣列關(guān)于所述多頻陣列天線的軸線對稱。
[0014]結(jié)合上述第一方面，和/或第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，和/或第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，和/或第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式，和/或第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式，和/或第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述雙極化高頻子陣列的數(shù)目為3列。
[0015]本實(shí)用新型實(shí)施例中雙極化低頻子陣列由多個(gè)雙極化低頻輻射單元對組成，每個(gè)雙極化低頻輻射單元對又由多個(gè)低頻輻射單元組成，該結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)中直接由單個(gè)低頻輻射單元組成的低頻子陣列相比，每個(gè)雙極化低頻輻射單元對中的多個(gè)低頻輻射單元的有效工作區(qū)所包圍的面積更大，從而雙極化低頻輻射單元對的口徑利用效率更高，低頻子陣列的增益也就更高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一種多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4a為本實(shí)用新型實(shí)施例一種多頻陣列天線的雙極化低頻子陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4b為圖4a所示實(shí)施例中的雙極化低頻子陣列的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4c?4h為本實(shí)用新型實(shí)施例中包含圖4a所示雙極化低頻子陣列的多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5a為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的雙極化低頻子陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖5b為圖5a所示實(shí)施例中的雙極化低頻子陣列的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5c?5e為本實(shí)用新型實(shí)施例中包含圖5a所示雙極化低頻子陣列的多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6a為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的雙極化低頻子陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖6b為圖6a所示實(shí)施例中的雙極化低頻子陣列的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖6c?6e為本實(shí)用新型實(shí)施例中包含圖6a所示雙極化低頻子陣列的多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖7a為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的雙極化低頻子陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖7b為圖7a所示實(shí)施例中的雙極化低頻子陣列的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖7c?7e為本實(shí)用新型實(shí)施例中包含圖7a所示雙極化低頻子陣列的多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖8a為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的雙極化低頻子陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；[0033]圖8b為圖8a所示實(shí)施例中的雙極化低頻子陣列的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖8c?8e為本實(shí)用新型實(shí)施例中包含圖6a所示雙極化低頻子陣列的多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖9a為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的雙極化低頻子陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖9b為圖9a所示實(shí)施例中的雙極化低頻子陣列的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖9c?9e為本實(shí)用新型實(shí)施例中包含圖9a所示雙極化低頻子陣列的多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖1Oa為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的雙極化低頻子陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖1Ob為圖1Oa所示實(shí)施例中的雙極化低頻子陣列的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖1Oc?IOe為本實(shí)用新型實(shí)施例中包含圖1Oa所示雙極化低頻子陣列的多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]為了使本【技術(shù)領(lǐng)域】的人員更好地理解本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，并使本實(shí)用新型實(shí)施例的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型實(shí)施例中技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0042]參見圖2，為本實(shí)用新型實(shí)施例一種多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0043]該多頻陣列天線包括至少一個(gè)雙極化低頻子陣列21和至少一個(gè)雙極化高頻子陣列22，所述雙極化低頻子陣列21與所述雙極化高頻子陣列22在同一天線罩23中沿多頻陣列天線的軸向24并行排列。該多頻陣列天線的軸向24即多頻陣列天線的軸線所在的方向。
[0044]其中，雙極化低頻子陣列21可以包括兩種或兩種以上的雙極化低頻輻射單元對211。每個(gè)雙極化低頻輻射單元對211由兩個(gè)或兩個(gè)以上的低頻輻射單元組成，例如四個(gè)低頻福射單元。每個(gè)雙極化低頻福射單元對211中的低頻福射單元可以沿多頻陣列天線的軸向24排列，也可以垂直該軸向24排列，當(dāng)然還可以有其他排列方式。
[0045]本實(shí)用新型實(shí)施例中雙極化低頻子陣列由多個(gè)雙極化低頻福射單元對組成，每個(gè)雙極化低頻輻射單元對又由多個(gè)低頻輻射單元組成，該結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)中直接由單個(gè)低頻輻射單元組成的低頻子陣列相比，每個(gè)雙極化低頻輻射單元對中的多個(gè)低頻輻射單元的有效工作區(qū)所包圍的面積更大，從而雙極化低頻輻射單元對的口徑利用效率更高，低頻子陣列的增益也就更高。
[0046]在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，該雙極化低頻子陣列的每種雙極化低頻輻射單元對中低頻輻射單元的組合方式不同。優(yōu)選的，不同的雙極化低頻輻射單元對還可以沿該多頻陣列天線的軸向交替排列。以兩種雙極化低頻輻射單元對為例進(jìn)行說明，如圖3所示，該多頻陣列天線包含至少一個(gè)雙極化低頻子陣列31，該子陣列中包含兩種雙極化低頻輻射單元對311、312，兩雙極化低頻輻射單元對311、312中的低頻輻射單元的組合方式不同，其中，雙極化低頻輻射單元對311中的低頻輻射單元沿多頻陣列天線的軸向排列，雙極化低頻輻射單元對312中的低頻輻射單元沿垂直于多頻陣列天線的軸向方向排列，且雙極化低頻福射單元對311、312沿多頻陣列天線的軸向交替排列。
[0047]本實(shí)施例中，每個(gè)雙極化低頻輻射單元對中的多個(gè)低頻輻射單元的有效工作區(qū)所包圍的面積更大，從而雙極化低頻輻射單元對的口徑利用效率更高，低頻子陣列的增益也就更高。在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，每個(gè)雙極化低頻輻射單元對可以由至少兩個(gè)低頻輻射單元組成，例如可以由兩個(gè)T形的低頻輻射單元組成，也可以由四個(gè)L形的低頻輻射單元組成，當(dāng)然還可以由其他形狀的低頻輻射單元組成。
[0048]本實(shí)用新型實(shí)施例不對雙極化高頻子陣列進(jìn)行限定。該多頻陣列天線可以包括2列、3列或4列等雙極化高頻子陣列，每個(gè)雙極化高頻子陣列可以包括至少一個(gè)高頻輻射單元。優(yōu)選的，當(dāng)雙極化高頻子陣列的數(shù)目為偶數(shù)時(shí)，雙極化高頻子陣列關(guān)于該多頻陣列天線的軸線對稱，這樣可以使得雙極化高頻子陣列的電性能較為一致。
[0049]下面通過具體實(shí)例說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的多頻陣列天線。
[0050]參見圖4a?4c，為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0051]如圖4a、4b所示，該多頻陣列天線包括一個(gè)雙極化低頻子陣列，該雙極化低頻子陣列包括兩種雙極化低頻輻射單元對41、42，雙極化低頻輻射單元對41、42沿多頻陣列天線的軸線40交替排列。每種雙極化低頻輻射單元對包含兩個(gè)T形低頻輻射單元411，其中，雙極化低頻輻射單元對41中的兩個(gè)T形低頻輻射單元的排列方式為關(guān)于垂直于多頻陣列天線軸線40的方向?qū)ΨQ排列，雙極化低頻輻射單元對42中的兩個(gè)T形低頻輻射單元的排列方式為關(guān)于多頻陣列天線軸線40的方向?qū)ΨQ排列。
[0052]如圖4c所示,該多頻陣列天線包括兩個(gè)雙極化高頻子陣列43、44，，兩雙極化高頻子陣列43、44關(guān)于該多頻陣列天線的軸線40對稱。每個(gè)雙極化高頻子陣列均由獨(dú)立的高頻輻射單元沿多頻陣列天線的軸線40所在的方向排列形成。該兩個(gè)雙極化高頻子陣列的排列位置還可以如圖4d所示，其中，雙極化高頻子陣列45、46的間距相對于圖4c中兩個(gè)雙極化高頻子陣列43、44的間距更大。
[0053]在另一實(shí)施例中，該多頻陣列天線還可以包括3個(gè)或4個(gè)雙極化高頻子陣列，該雙極化高頻子陣列的排列方式可以如圖4e、4f、4g、4h所示。其中，當(dāng)雙極化高頻子陣列的數(shù)目為偶數(shù)時(shí)，雙極化高頻子陣列關(guān)于該多頻陣列天線的軸線對稱，這樣可以使得雙極化高頻子陣列的電性能較為一致。
[0054]參見圖5a?5c，為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0055]如圖5a、5b所示，該多頻陣列天線中也包括一個(gè)雙極化低頻子陣列，該雙極化低頻子陣列包括兩種雙極化低頻輻射單元對51、52，雙極化低頻輻射單元對51、52沿多頻陣列天線的軸線50交替排列。該雙極化低頻子陣列與前述圖4a、4b所示的雙極化低頻子陣列之間的區(qū)別在于，雙極化低頻輻射單元對52中兩個(gè)T形低頻輻射單元的排列方式與雙極化低頻輻射單元對42中兩個(gè)T形低頻輻射單元的排列方式不同，雙極化低頻輻射單元對42中兩個(gè)T形低頻輻射單元沿垂直于多頻陣列天線軸線50的方向相對排列，而雙極化低頻輻射單元對52中兩個(gè)T形低頻輻射單元背對背排列。雙極化低頻輻射單元對51與雙極化低頻輻射單元對41中低頻輻射單元的排列方式相同。
[0056]如圖5c所示,該多頻陣列天線包括兩個(gè)雙極化高頻子陣列53、54，，兩雙極化高頻子陣列53、54關(guān)于該多頻陣列天線的軸線50對稱。每個(gè)雙極化高頻子陣列均由獨(dú)立的高頻輻射單元沿多頻陣列天線的軸線50所在的方向排列形成。[0057]在另一實(shí)施例中，該多頻陣列天線還可以包括3個(gè)或4個(gè)雙極化高頻子陣列，該雙極化高頻子陣列的排列方式可以如圖5d、5e所示。其中，當(dāng)雙極化高頻子陣列的數(shù)目為偶數(shù)時(shí)，雙極化高頻子陣列關(guān)于該多頻陣列天線的軸線對稱，這樣可以使得雙極化高頻子陣列的電性能較為一致。
[0058]參見圖6a?6c，為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0059]如圖6a、6b所示,該多頻陣列天線中也包括一個(gè)雙極化低頻子陣列，該雙極化低頻子陣列包括兩種雙極化低頻輻射單元對61、62，雙極化低頻輻射單元對61、62沿多頻陣列天線的軸線60交替排列。每種雙極化低頻輻射單元對包含四個(gè)L形低頻輻射單元611，其中，雙極化低頻輻射單元對61的四個(gè)L形低頻輻射單元中兩兩組合成C形結(jié)構(gòu)，兩個(gè)C形結(jié)構(gòu)開口方向相背沿多頻陣列天線的軸線60排列，雙極化低頻輻射單元對62的四個(gè)L形低頻輻射單元中也兩兩組合成C形結(jié)構(gòu)，兩個(gè)C形結(jié)構(gòu)開口方向相對沿多頻陣列天線的軸線60排列。
[0060]如圖6c所示,該多頻陣列天線包括兩個(gè)雙極化高頻子陣列63、64，，兩雙極化高頻子陣列63、64關(guān)于該多頻陣列天線的軸線60對稱。每個(gè)雙極化高頻子陣列均由獨(dú)立的高頻輻射單元沿多頻陣列天線的軸線60所在的方向排列形成。
[0061]在另一實(shí)施例中，該多頻陣列天線還可以包括3個(gè)或4個(gè)雙極化高頻子陣列，該雙極化高頻子陣列的排列方式可以如圖6d、6e所示。其中，當(dāng)雙極化高頻子陣列的數(shù)目為偶數(shù)時(shí)，雙極化高頻子陣列關(guān)于該多頻陣列天線的軸線對稱，這樣可以使得雙極化高頻子陣列的電性能較為一致。
[0062]參見圖7a?7c，為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0063]如圖7a、7b所示，該多頻陣列天線中也包括一個(gè)雙極化低頻子陣列，該雙極化低頻子陣列包括兩種雙極化低頻輻射單元對71、72，雙極化低頻輻射單元對71、72沿多頻陣列天線的軸線70交替排列。該雙極化低頻子陣列與前述圖6a、6b所示的雙極化低頻子陣列之間的區(qū)別在于，雙極化低頻輻射單元對71中四個(gè)L形低頻輻射單元的排列方式與雙極化低頻輻射單元對61中四個(gè)L形低頻輻射單元的排列方式不同，雙極化低頻輻射單元對61中的四個(gè)L形低頻輻射單元中兩兩組合成C形結(jié)構(gòu)，兩個(gè)C形結(jié)構(gòu)開口方向相背沿多頻陣列天線的軸線60排列，而雙極化低頻輻射單元對71中四個(gè)L形低頻輻射單元排列成十字形，L的開口方向分別朝向四個(gè)方向。雙極化低頻輻射單元對72與雙極化低頻輻射單元對62中低頻輻射單元的排列方式相同。
[0064]如圖7c所示，該多頻陣列天線包括兩個(gè)雙極化高頻子陣列73、74，，兩雙極化高頻子陣列73、74關(guān)于該多頻陣列天線的軸線70對稱。每個(gè)雙極化高頻子陣列均由獨(dú)立的高頻輻射單元沿多頻陣列天線的軸線70所在的方向排列形成。
[0065]在另一實(shí)施例中，該多頻陣列天線還可以包括3個(gè)或4個(gè)雙極化高頻子陣列，該雙極化高頻子陣列的排列方式可以如圖7d、7e所示。其中，當(dāng)雙極化高頻子陣列的數(shù)目為偶數(shù)時(shí)，雙極化高頻子陣列關(guān)于該多頻陣列天線的軸線對稱，這樣可以使得雙極化高頻子陣列的電性能較為一致。
[0066]在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，如圖8a、8b所示，該多頻陣列天線中包含與圖7a、7b所示類似的雙極化低頻子陣列，其中，雙極化低頻輻射單元對81、82與雙極化低頻輻射單元對71、72的結(jié)構(gòu)類似，區(qū)別僅在于，雙極化低頻輻射單元對81中低頻輻射單元在多頻陣列天線軸線80方向上的間距變小，而雙極化低頻輻射單元對82中的低頻輻射單元在多頻陣列天線軸線80方向上的間距變大。如圖8c、8d、8e所示,該多頻陣列天線也可以包括2個(gè)、3個(gè)或4個(gè)雙極化高頻子陣列，當(dāng)雙極化高頻子陣列的數(shù)目為偶數(shù)時(shí)，雙極化高頻子陣列關(guān)于該多頻陣列天線的軸線對稱，這樣可以使得雙極化高頻子陣列的電性能較為一致。
[0067]在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，如圖9a、9b所示，該多頻陣列天線中也包含一個(gè)雙極化低頻子陣列，其中，雙極化低頻輻射單元對91與雙極化低頻輻射單元對81相同，雙極化低頻福射單元對92與雙極化低頻福射單元對61相同,兩雙極化低頻福射單元對91、91在雙極化低頻子陣列中沿多頻陣列天線的軸線90交替排列。如圖9c、9d、9e所示，該多頻陣列天線也可以包括2個(gè)、3個(gè)或4個(gè)雙極化高頻子陣列，當(dāng)雙極化高頻子陣列的數(shù)目為偶數(shù)時(shí)，雙極化高頻子陣列關(guān)于該多頻陣列天線的軸線對稱，這樣可以使得雙極化高頻子陣列的電性能較為一致。
[0068]參見圖1Oa?10c，為本實(shí)用新型實(shí)施例另一種多頻陣列天線的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0069]如圖10a、10b所示，該多頻陣列天線包括一個(gè)雙極化低頻子陣列，該雙極化低頻子陣列包括兩種雙極化低頻輻射單元對101、102，雙極化低頻輻射單元對101、102沿多頻陣列天線的軸線100交替排列。每種雙極化低頻輻射單元對包含四個(gè)L形低頻輻射單元，其中，雙極化低頻輻射單元對102中的四個(gè)L形低頻輻射單元的排列方式與雙極化低頻輻射單元對61相同，另一種雙極化低頻輻射單元對101的四個(gè)L形低頻輻射單元中兩兩組合成C形結(jié)構(gòu)，兩個(gè)C形結(jié)構(gòu)開口方向相背沿垂直于多頻陣列天線的軸線60的方向?qū)ΨQ排列。
[0070]如圖10c、IOcUlOe所示，該多頻陣列天線也可以包括2個(gè)、3個(gè)或4個(gè)雙極化高頻子陣列，當(dāng)雙極化高頻子陣列的數(shù)目為偶數(shù)時(shí)，雙極化高頻子陣列關(guān)于該多頻陣列天線的軸線對稱，這樣可以使得雙極化高頻子陣列的電性能較為一致。
[0071]當(dāng)然，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，該雙極化低頻子陣列還可以包含其他類型的雙極化低頻福射單元對，以上僅為示例。
[0072]本實(shí)用新型實(shí)施例不僅通過在雙極化低頻子陣列中包含由多個(gè)低頻輻射單元構(gòu)成的雙極化低頻輻射單元對，增大了 口徑利用效率，提高了低頻子陣列的增益，而且上述多頻陣列天線中陣列設(shè)計(jì)得更加緊湊，兩種或者兩種以上低頻輻射單元對形式多樣，排布靈活度大，因此能夠根據(jù)低頻輻射單元、高頻輻射單元對的結(jié)構(gòu)形式避讓排布，增大了輻射單元的間距，減小了低頻、高頻的互耦，并進(jìn)一步通過將雙極化高頻子陣列設(shè)置為關(guān)于多頻陣列天線的軸線對稱，使得高頻子陣列的電性能指標(biāo)也相對比較一致。
[0073]在本申請所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的系統(tǒng)、裝置，可以通過其它的方式實(shí)現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的。另一點(diǎn)，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。
[0074]所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。
[0075]另外，在本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施例中的各功能單元可以集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各個(gè)單元單獨(dú)物理存在，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中。[0076]以上所述，僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種多頻陣列天線，其特征在于，包括至少一個(gè)雙極化低頻子陣列和至少一個(gè)雙極化高頻子陣列，所述雙極化低頻子陣列與所述雙極化高頻子陣列在同一天線罩中沿多頻陣列天線的軸向并行排列；其中，所述雙極化低頻子陣列包括至少兩種雙極化低頻輻射單元對，每個(gè)所述雙極化低頻輻射單元對由至少四個(gè)低頻輻射單元組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多頻陣列天線，其特征在于，每種所述雙極化低頻輻射單元對中低頻輻射單元的組合方式不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多頻陣列天線，其特征在于，所述至少兩種雙極化低頻輻射單元對沿所述多頻陣列天線的軸向交替排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多頻陣列天線，其特征在于，所述雙極化低頻輻射單元對由四個(gè)L形低頻輻射單元組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的多頻陣列天線，其特征在于，所述雙極化高頻子陣列的數(shù)目為2列或4列。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多頻陣列天線，其特征在于，所述雙極化高頻子陣列關(guān)于所述多頻陣列天線的軸線對稱。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的多頻陣列天線，其特征在于，所述雙極化高頻子陣列的數(shù)目為3列。
【文檔編號】H01Q21/30GK203813033SQ201320854759
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年12月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月23日
【發(fā)明者】肖偉宏, 王乃彪, 謝國慶 申請人:華為技術(shù)有限公司