Cd標(biāo)準(zhǔn)片和cdsem設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提出了一種CD標(biāo)準(zhǔn)片和CDSEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)，CD標(biāo)準(zhǔn)片用于監(jiān)測CDSEM設(shè)備的性能，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)包括具有預(yù)定線寬的待測摻雜條和重?fù)诫s層，所述待測摻雜條形成于所述重?fù)诫s層之上。將重?fù)诫s層和待測摻雜條均重?fù)诫sP元素，使待測摻雜條以及重?fù)诫s層均能夠?qū)щ?，從而使殘留在所述待測重?fù)诫s條的電荷轉(zhuǎn)移至別處，減少對(duì)空氣中顆粒的吸附，避免碳積效應(yīng)，提高所述CD標(biāo)準(zhǔn)片的使用壽命，減少更換CD標(biāo)準(zhǔn)片的頻率，降低生產(chǎn)成本。
【專利說明】CD標(biāo)準(zhǔn)片和CDSEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種CD標(biāo)準(zhǔn)片和CDSEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體特征尺寸(Critical Dimension,⑶)的持續(xù)縮小，特征尺寸對(duì)半導(dǎo)體芯片的性能影響越來越大，因此工藝對(duì)特征尺寸的精準(zhǔn)度要求也越來越高。通常情況下，半導(dǎo)體行業(yè)均采用特征尺寸電子掃描設(shè)備(Critical Dimension Scanning ElectronMicroscope,⑶SEM)來檢測特征尺寸是否符合要求。為了監(jiān)測⑶SEM設(shè)備的性能，半導(dǎo)體業(yè)界通常使用⑶標(biāo)準(zhǔn)片對(duì)⑶SEM做定期的校準(zhǔn)，以監(jiān)測⑶SEM設(shè)備的檢測狀態(tài)，防止⑶SEM出現(xiàn)偏移狀況。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，CD標(biāo)準(zhǔn)片是在裸硅的晶圓表面形成具有預(yù)定線寬的多晶硅條(Polysilicon line)，對(duì)⑶SEM設(shè)備進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)，⑶SEM設(shè)備通過量測多晶硅條的線寬是否與預(yù)定線寬相符合，來判斷CDSEM設(shè)備用于測量CD的對(duì)焦以及電子束是否處于正常狀態(tài)。
[0004]然而，由于⑶SEM使用X光(X-Ray)作為電子束，多次多⑶標(biāo)準(zhǔn)片的多晶硅條進(jìn)行轟擊測量之后，會(huì)在晶圓的表面產(chǎn)生電荷，使所述多晶硅條帶有一定電荷，隨著電荷的積累，會(huì)對(duì)空氣中的漂浮顆粒進(jìn)行吸附，致使大量的漂浮顆粒吸附在所述多晶硅條的表面，產(chǎn)生碳積效應(yīng)，直接影響多晶硅條的線寬，使預(yù)定線寬變大，導(dǎo)致CD標(biāo)準(zhǔn)片在長期使用之后多晶硅條線寬發(fā)生較大的變化，不適宜作為⑶標(biāo)準(zhǔn)片。因此，需要定期更換新的⑶標(biāo)準(zhǔn)片，這就造成了生產(chǎn)費(fèi)用的增加。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種CD標(biāo)準(zhǔn)片和CDSEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)，能夠消除電荷的產(chǎn)生，提高CD標(biāo)準(zhǔn)片的使用壽命，減少更換CD標(biāo)準(zhǔn)片的頻率，降低生產(chǎn)成本。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提出了一種⑶標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)，用于監(jiān)測⑶SEM設(shè)備的性能，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)包括具有預(yù)定線寬的待測摻雜條和重?fù)诫s層，所述待測摻雜條形成于所述重?fù)诫s層之上。
[0007]進(jìn)一步的，在所述的CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)中，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)還包括單晶硅，所述單晶硅位于所述重?fù)诫s層之上，并與所述待測摻雜條具有一定距離。
[0008]進(jìn)一步的，在所述的CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)中，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)還包括隔離層，所述隔離層形成于所述重?fù)诫s層的表面，并位于所述待測摻雜條與所述單晶硅之間。
[0009]進(jìn)一步的，在所述的⑶標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)中，所述預(yù)定線寬范圍是IOnm?100nm。
[0010]進(jìn)一步的，本實(shí)用新型還提出了一種CDSEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括電子卡盤以及如上文所述的CD標(biāo)準(zhǔn)片，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片的重?fù)诫s層位于所述電子卡盤的表面。
[0011 ] 進(jìn)一步的，在所述的⑶SEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)中，所述⑶標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)還包括單晶硅，所述單晶硅位于所述重?fù)诫s層之上，并與所述待測摻雜條具有一定距離。[0012]進(jìn)一步的，在所述的⑶SEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)中，所述⑶標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)還包括隔離層，所述隔離層形成于所述重?fù)诫s層的表面，并位于所述待測摻雜條與所述單晶硅之間。
[0013]進(jìn)一步的，在所述的⑶SEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)中，所述預(yù)定線寬范圍是IOnm?lOOnm。
[0014]進(jìn)一步的，在所述的⑶SEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)中，所述電子卡盤接地。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果主要體現(xiàn)在:將重?fù)诫s層和待測摻雜條均重?fù)诫sP元素，使待測摻雜條以及重?fù)诫s層均能夠?qū)щ姡瑥亩箽埩粼谒龃郎y重?fù)诫s條的電荷轉(zhuǎn)移至別處，減少對(duì)空氣中顆粒的吸附，避免碳積效應(yīng)，提高所述CD標(biāo)準(zhǔn)片的使用壽命，減少更換CD標(biāo)準(zhǔn)片的頻率，降低生產(chǎn)成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例中CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例中⑶SEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本實(shí)用新型的CD標(biāo)準(zhǔn)片和CDSEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限制。
[0019]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本實(shí)用新型由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0020]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0021]請(qǐng)參考圖1，在本實(shí)施例中，提出了一種⑶標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)，用于監(jiān)測⑶SEM設(shè)備的性能，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)包括具有預(yù)定線寬的待測摻雜條11和重?fù)诫s層10，所述待測摻雜條11形成于所述重?fù)诫s層10之上，其中，所述待測摻雜條11和重?fù)诫s層10的材質(zhì)為多晶硅，兩者均采用重?fù)诫s方式摻入P元素，使所述待測摻雜條11和重?fù)诫s層10均導(dǎo)電，便于排除聚集在所述待測摻雜條11表面的電荷。
[0022]在本實(shí)施例中，所述⑶標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)還包括單晶硅20，所述單晶硅20位于所述重?fù)诫s層10之上，并與所述待測摻雜條11具有一定距離，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)還包括隔離層30，所述隔離層30形成于所述重?fù)诫s層10的表面，并位于所述待測摻雜條11與所述單晶硅20之間。所述待測摻雜條11的預(yù)定線寬范圍是IOnm?lOOnm，例如是70nm。
[0023]請(qǐng)參考圖2，在本實(shí)施例中，還提出了一種⑶SEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)，包括電子卡盤40以及如上文所述的CD標(biāo)準(zhǔn)片，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片的重?fù)诫s層10位于所述電子卡盤40的表面。
[0024]其中，所述電子卡盤40接地，由本實(shí)施例提出的結(jié)構(gòu)可見，當(dāng)所述待測摻雜條11表面聚集大量電荷50時(shí)，由于所述待測摻雜條11和重?fù)诫s層10均采用了重?fù)诫s摻入大量的P元素，因此，兩者均能夠?qū)щ?，進(jìn)而能夠?qū)⑺鲭姾?0傳導(dǎo)至所述電子卡盤40上，消除所述電荷50，保證了所述待測摻雜條11不具有大量電荷，不會(huì)吸附空氣中的懸浮顆粒。
[0025]綜上，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的CD標(biāo)準(zhǔn)片和CDSEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)中，將重?fù)诫s層和待測摻雜條均重?fù)诫sP元素，使待測摻雜條以及重?fù)诫s層均能夠?qū)щ姡瑥亩箽埩粼谒龃郎y重?fù)诫s條的電荷轉(zhuǎn)移至別處，減少對(duì)空氣中顆粒的吸附，避免碳積效應(yīng)，提高所述CD標(biāo)準(zhǔn)片的使用壽命，減少更換CD標(biāo)準(zhǔn)片的頻率，降低生產(chǎn)成本。
[0026]上述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本實(shí)用新型起到任何限制作用。任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本實(shí)用新型揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本實(shí)用新型的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)，用于監(jiān)測CDSEM設(shè)備的性能，其特征在于，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)包括具有預(yù)定線寬的待測摻雜條和重?fù)诫s層，所述待測摻雜條形成于所述重?fù)诫s層之上。
2.如權(quán)利要求1所述的CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)還包括單晶硅，所述單晶硅位于所述重?fù)诫s層之上，并與所述待測摻雜條具有一定距離。
3.如權(quán)利要求2所述的CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)還包括隔離層，所述隔離層形成于所述重?fù)诫s層的表面，并位于所述待測摻雜條與所述單晶硅之間。
4.如權(quán)利要求1所述的CD標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述預(yù)定線寬范圍是IOnm?IOOnm0
5.一種⑶SEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)包括電子卡盤以及如權(quán)利要求1所述的CD標(biāo)準(zhǔn)片，所述CD標(biāo)準(zhǔn)片的重?fù)诫s層位于所述電子卡盤的表面。
6.如權(quán)利要求5所述的⑶SEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述⑶標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)還包括單晶硅，所述單晶硅位于所述重?fù)诫s層之上，并與所述待測摻雜條具有一定距離。
7.如權(quán)利要求6所述的⑶SEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述⑶標(biāo)準(zhǔn)片結(jié)構(gòu)還包括隔離層，所述隔離層形成于所述重?fù)诫s層的表面，并位于所述待測摻雜條與所述單晶硅之間。
8.如權(quán)利要求5所述的CDSEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述預(yù)定線寬范圍是IOnm ?IOOnm0
9.如權(quán)利要求5所述的⑶SEM設(shè)備監(jiān)測結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子卡盤接地。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK203719640SQ201320879170
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月27日
【發(fā)明者】劉媛娜 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司