邊緣可拼接的光罩的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型是一種邊緣可拼接的光罩，包括上邊（1）、下邊（2）、短邊Ⅰ（3）、短邊Ⅱ（4）、短邊Ⅲ（5）和模殼（6），光罩為一體成型，上邊至短邊Ⅰ距離為12μm至16μm，短邊Ⅰ至短邊Ⅱ距離為10μm至14μm，短邊Ⅱ至短邊Ⅲ距離為12μm至16μm，短邊Ⅲ至下邊的距離為11μm至15μm，模殼的直徑為11.5μm，模殼之間的間距為3.5μm；保證圖形和圖形的邊緣的重疊結(jié)合部位形成的圖形不容易發(fā)成偏移，實(shí)現(xiàn)單位面積上的圖形完整性。
【專利說明】邊緣可拼接的光罩
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種光罩，具體是一種邊緣可拼接的光罩。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著化石燃料枯竭，環(huán)境污染加劇，環(huán)保節(jié)能的LED廣受關(guān)注和好評。LED的結(jié)構(gòu)是PN結(jié)二極管狀態(tài)下，在氮化鎵中加入鎂和硫，形成P層和N層，進(jìn)而在P層和N層之中形成多量子阱層，連接電源使其發(fā)光，LED發(fā)光的方向不是單一的，而是所有方向都能發(fā)光，并通過LED制造工藝中的封裝技術(shù)進(jìn)行強(qiáng)化，在藍(lán)寶石襯底表面制作圖形模式下實(shí)現(xiàn)放射光源的反射。因此，藍(lán)寶石襯底的質(zhì)量會(huì)影響到LED發(fā)光的效率，特別是在藍(lán)寶石襯底上制造圖形模式的技術(shù)就特別重要。圖形模式完整的方法是通過調(diào)節(jié)邊緣的空間，保持光罩的邊緣的圖形模式的完整性，從而提高藍(lán)寶石襯底的品質(zhì)，但是現(xiàn)有的光罩(說明書附圖中圖一)的圖形和圖形的邊緣的重疊結(jié)合部位形成的圖形容易發(fā)成偏移，無法保證單位面積上的圖形完整。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型提供一種邊緣可拼接的光罩，保證圖形和圖形的邊緣的重疊結(jié)合部位形成的圖形不容易發(fā)成偏移，實(shí)現(xiàn)單位面積上的圖形完整性。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種邊緣可拼接的光罩，包括上邊、下邊、短邊1、短邊I1、短邊III和模殼，光罩為一體成型，上邊至短邊I距離為12 μ m至16 μ m，短邊I至短邊II距離為10 μ m至14 μ m，短邊II至短邊III距離為12 μ m至16 μ m，短邊III至下邊的距離為114 111至154111，模殼的直徑為11.5 μ m，模殼之間的間距為
3.5 μ m0
[0005]所述的上邊至短邊I距離為14.5 μ m。
[0006]所述的短邊I至短邊II距離為12.5 μ m。
[0007]所述的短邊II至短邊III距離為14.5 μ m。
[0008]所述的短邊III至下邊的距離為13.5 μ m。。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是:調(diào)節(jié)了邊緣的空間，以保證在進(jìn)行多次曝光時(shí)，使得間的邊緣能呈現(xiàn)完整的圖形而進(jìn)行的改造，對于模殼方面的要求是保證單位面積上的模殼完整和正常，在曝光時(shí)，模殼和模殼的邊緣的重疊結(jié)合部位形成的模殼不會(huì)發(fā)生偏移，邊緣結(jié)構(gòu)和之間交合所形成的模殼不會(huì)被切分，通過調(diào)整邊緣空間在進(jìn)行多次曝光時(shí)，不會(huì)再對圖形造成損壞，從而提高工藝區(qū)間的管控范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是現(xiàn)有光罩的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖2是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。[0012]圖中:1、上邊，2、下邊，3、短邊I，4、短邊11，5、短邊111，6、模殼。
【具體實(shí)施方式】
[0013]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
[0014]如圖2所示，本邊緣可拼接的光罩，包括上邊1、下邊2、短邊I 3、短邊II 4、短邊III 5和模殼6，光罩為一體成型，上邊I至短邊I 3距離為12 μ m至16 μ m，在生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)當(dāng)上邊I至短邊I 3距離為14.5 μ m時(shí)，生產(chǎn)成本最低，可以最大限度的提高工藝區(qū)間的管控范圍，最大程度的保證模殼6的完整性；短邊I 3至短邊II 4距離為ΙΟμπι至14μπι，在生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)當(dāng)短邊I 3至短邊II 4距離為12.5μπι，生產(chǎn)成本最低，可以最大限度的提高工藝區(qū)間的管控范圍，最大程度的保證模殼6的完整性；短邊II 4至短邊III 5距離為12μπι至16μπι，在生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)當(dāng)短邊II 4至短邊III 5距離為14.5 μ m，生產(chǎn)成本最低，可以最大限度的提高工藝區(qū)間的管控范圍，最大程度的保證模殼6的完整性；短邊III5至下邊2的距離為11 μ m至15 μ m，在生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)當(dāng)短邊III 5至下邊2的距離為13.5 μ m，生產(chǎn)成本最低，可以最大限度的提高工藝區(qū)間的管控范圍，最大程度的保證模殼6的完整性；模殼6的直徑為11.5 μ m,模殼6之間的間距為3.5 μ m。
【權(quán)利要求】
1.一種邊緣可拼接的光罩，包括上邊(I)、下邊(2)、短邊I (3)、短邊II (4)、短邊III(5)和模殼(6)，其特征在于，光罩為一體成型，上邊(I)至短邊I (3)距離為12μπι至16 μ m，短邊I (3)至短邊II (4)距離為10 μ m至14 μ m，短邊II (4)至短邊111(5)距離為12 μ m至16 μ m,短邊III (5)至下邊(2)的距離為11 μ mM 15 μ m,模殼(6)的直徑為11.5 μ m,模殼(6)之間的間距為3.5μπι。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣可拼接的光罩，其特征在于，所述的上邊(I)至短邊I(3)距離為14.5 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣可拼接的光罩，其特征在于，所述的短邊I(3)至短邊II(4)距離為12.5 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣可拼接的光罩，其特征在于，所述的短邊II(4)至短邊III(5)距離為14.5 μ m。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的邊緣可拼接的光罩，其特征在于，所述的短邊III(5)至下邊(2)的距離為13.5 μ m。
【文檔編號(hào)】H01L33/58GK203644820SQ201320879744
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】崔相玉 申請人:徐州同鑫光電科技有限公司