復(fù)合晶片及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】復(fù)合晶片（10）是使支承基板（12）和半導(dǎo)體基板（14）通過(guò)直接鍵合來(lái)貼合而成的復(fù)合晶片。支承基板（12）是氧化鋁純度在99%以上的透光性氧化鋁基板。該支承基板（12）的可見(jiàn)光區(qū)域的直線透過(guò)率在40%以下。又，支承基板（12）在波長(zhǎng)200～250nm下的前方全光線透過(guò)率在60%以上。支承基板（12）的平均結(jié)晶顆粒直徑為10μm～35μm。半導(dǎo)體基板（14）為單結(jié)晶硅基板。這樣的復(fù)合晶片(10）具有與SOS晶片同等的絕緣性及熱傳導(dǎo)性，能夠以低成本進(jìn)行制作，并能夠較容易地制得大直徑晶片。
【專(zhuān)利說(shuō)明】復(fù)合晶片及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種復(fù)合晶片及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于移動(dòng)電話所使用的天線切換用開(kāi)關(guān)來(lái)說(shuō)，應(yīng)當(dāng)對(duì)應(yīng)多模多帶化，從線性化、失真抑制的觀點(diǎn)來(lái)看，迄今為止，通常采用使用GaAs的pHEMT開(kāi)關(guān)。但是，在GaAs平臺(tái)的情況下，由于流向基板的電流泄漏等，具有不能降低耗電量的缺點(diǎn)。又，開(kāi)關(guān)裝置中，因?yàn)樵谕獠苛硇枰猄i制的解碼電路，所以在使用GaAs平臺(tái)的情況下，不能將上述電路集成化。因此，小型化/低成本化存在限制。
[0003]近年來(lái),作為解決該技術(shù)問(wèn)題的技術(shù),存在SOI (Silicon on Insulator)技術(shù)(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。已知在Si層上部形成SiO2層，并在其上將其他的Si層作為功能層鍵合而作為SOI晶片。又，已知將氧化鋁基板與硅基板鍵合而作為SOI晶片(例如專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0006]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利特開(kāi)2011-29594號(hào)公報(bào)
[0007]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本專(zhuān)利特開(kāi)2010-278342號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0009]但是，專(zhuān)利文獻(xiàn)I的SOI晶片中，由于SiO2層的厚度為?I μ m左右，所以作為全體SOI晶片的絕緣性存在某種界限。又，由于SiO2熱傳導(dǎo)率只有1.5ff/mK左右，所以具有在CMOS電路層(Si層)產(chǎn)生的熱難以揮散的性質(zhì)。由此，專(zhuān)利文獻(xiàn)I的SOI晶片存在晶片絕緣性及熱傳導(dǎo)性不佳的問(wèn)題。
[0010]又，對(duì)于專(zhuān)利文獻(xiàn)2的SOI晶片，考慮尋求低失真及低損耗的高頻裝置中的應(yīng)用的話，則一般的氧化鋁基板中介電損耗正切(tan δ )過(guò)大而不適合。與此相對(duì)應(yīng)，多結(jié)晶的透光性氧化鋁基板由于tan δ較小，因而適合高頻裝置。但是，介隔掩膜對(duì)硅上的光阻膜照射激光時(shí)，由于激光從透光性氧化鋁基板和硅基板的鍵合界面、透光性氧化鋁基板內(nèi)部等處反射到光阻膜的背面，所以存在圖案形成精度下降的問(wèn)題。
[0011]本發(fā)明的目的在于，解決上述技術(shù)問(wèn)題，在復(fù)合晶片中，保證良好絕緣性及熱傳導(dǎo)性，適合于高頻裝置，并提高光刻的圖案形成精度。
[0012]解決技術(shù)問(wèn)題的手段
[0013]本發(fā)明的復(fù)合晶片是使支承基板和半導(dǎo)體基板通過(guò)直接鍵合來(lái)貼合而成的復(fù)合晶片，其特征在于，所述支承基板的材料為多結(jié)晶透光性陶瓷，所述半導(dǎo)體基板的材料為娃，所述支承基板在波長(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率高于在波長(zhǎng)555nm下的前方全光線透過(guò)率。[0014]該復(fù)合晶片中，因?yàn)槭褂枚嘟Y(jié)晶的透光性陶瓷作為支承基板，所以能夠確保良好的絕緣性(例如〉IO14 ΩπΟ和熱傳導(dǎo)性(例如〉30W/mK)。又，因?yàn)槭褂猛腹庑蕴沾芍频闹С谢?，所以tanS較小，適合于高頻裝置。進(jìn)一步地，其提高基于光刻的圖案形成精度。即是說(shuō)，在半導(dǎo)體基板的表面上形成光阻膜后，波長(zhǎng)200?250nm的UV (例如使用波長(zhǎng)248nm的KrF激光)進(jìn)行光阻膜的曝光時(shí)能夠進(jìn)行高精度的圖案形成。波長(zhǎng)200?250nm的UV通過(guò)半導(dǎo)體基板。因?yàn)橹С谢逶诓ㄩL(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率比在波長(zhǎng)555nm下的前方全光線透過(guò)率更高，所以從支承基板和半導(dǎo)體基板的界面及支承基板內(nèi)部朝后方即半導(dǎo)體基板側(cè)的光的散射、反射較少，幾乎不存在支承基板上的光阻膜從背面被曝光的情況。因此，能夠進(jìn)行高精度的圖案形成。另外，因?yàn)槠毓庋b置的分辨率被定義為kX λ/NA(k:系數(shù)，λ:光源的波長(zhǎng)，NA:投影透鏡的開(kāi)口數(shù))，所以通過(guò)用短波長(zhǎng)來(lái)進(jìn)行曝光，能夠形成細(xì)微的圖案。
[0015]此外，優(yōu)選99%以上的高純度品來(lái)作為多結(jié)晶的透光性陶瓷。從而防止由于雜質(zhì)而導(dǎo)致熱傳導(dǎo)性/絕緣性變差。
[0016]本發(fā)明的復(fù)合晶片中，所述支承基板在波長(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率優(yōu)選為80%以上。這樣的話，就更加提高上述的基于光刻的圖案形成精度。
[0017]本發(fā)明的復(fù)合晶片中，所述支承基板在波長(zhǎng)200?750nm的直線透過(guò)率優(yōu)選為20%以下。這樣的話，因?yàn)橹С谢宓那胺饺饩€透過(guò)率較高而直線透過(guò)率較低，所以在支承基板內(nèi)部光的散射變多，降低由放置復(fù)合晶片的工作臺(tái)面處的反射而導(dǎo)致的影響。又，在半導(dǎo)體制造工序中，自動(dòng)搬運(yùn)復(fù)合晶片，并在那時(shí)進(jìn)行基于可見(jiàn)光的圖像識(shí)別。為了對(duì)晶片進(jìn)行圖像識(shí)別，希望其有可見(jiàn)光不可透過(guò)性。如果支承基板在波長(zhǎng)200?750nm下的直線透過(guò)率在20%以下，就能夠可靠地進(jìn)行復(fù)合晶片的圖像識(shí)別。
[0018]本發(fā)明的復(fù)合晶片中，所述支承基板的平均結(jié)晶顆粒直徑優(yōu)選為10 μ m?50 μ m。這樣的話，因?yàn)槠骄Y(jié)晶顆粒直徑較小，所以在光刻技術(shù)的曝光工序中，光容易散射。如果平均結(jié)晶顆粒直徑比IOym更小，那么在材料內(nèi)部或晶界中不均勻的缺陷會(huì)增加，因而不推薦。另一方面，平均結(jié)晶顆粒直徑比50μπι更大的話，由于內(nèi)部應(yīng)力，容易在基板上出現(xiàn)破裂，因而不推薦。
[0019]本發(fā)明的復(fù)合晶片中，所述支承基板也可以具備空腔。因?yàn)橥ㄟ^(guò)將透光性陶瓷原料成形燒結(jié)可以得到支承基板，所以制作具備空腔的支承基板時(shí)，使用能夠得到具備空腔成形體的金屬模具就可以了。因此，不需要掩膜、蝕刻工序。例如，不使用透光性陶瓷基板而使用硅基板作為支承基板的情況下，要在該硅基板上制作空腔，就需要首先將硅基板的一面(與鍵合半導(dǎo)體基板的面相反的面)用掩膜覆蓋，然后將該掩膜曝光/顯影，之后對(duì)沒(méi)有被掩膜的部分進(jìn)行蝕刻的一系列工序。不對(duì)空腔的形狀進(jìn)行特別地限定，即可為矩形也可為非線形，使用與其相對(duì)應(yīng)的金屬模具就可以了。
[0020]本發(fā)明的復(fù)合晶片中，所述支承基板的材料優(yōu)選為多結(jié)晶的透光性氧化鋁。如果為多結(jié)晶的透光性氧化鋁的話，那么tan δ較小，進(jìn)而，在波長(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率容易滿(mǎn)足上述數(shù)值范圍，直線透過(guò)率也容易滿(mǎn)足上述數(shù)值范圍。
[0021]本發(fā)明的復(fù)合晶片的制造方法，其特征在于，包括:
[0022](I)貼合工序，其使由多結(jié)晶的透光性陶瓷構(gòu)成的支承基板和由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板通過(guò)直接鍵合來(lái)貼合，所述支承基板在波長(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率高于在波長(zhǎng)555nm下的前方全光線透過(guò)率；
[0023](2)薄板化工序，其通過(guò)離子注入法或者研磨將所述半導(dǎo)體基板的表面薄板化。
[0024]根據(jù)該制造方法，可以容易地得到上述的本發(fā)明的復(fù)合晶片。
[0025]本發(fā)明的復(fù)合晶片的制造方法中，工序(I)中，使用多結(jié)晶的透光性陶瓷，將例如包含陶瓷粉末、凝膠化劑及凝膠化催化劑的糊狀物放入成型金屬模具使其硬化成為成形體后，將該成形體從成型金屬模具中取出，通過(guò)在氫氣氛圍中燒結(jié)而能夠得到這樣的透光性陶瓷。燒結(jié)溫度為1700?1800°C就可以了。由此，平均結(jié)晶顆粒直徑在10 μ m以上，能夠使透光性陶瓷在波長(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率比在波長(zhǎng)555nm下的前方全光線透過(guò)率更高。進(jìn)一步地，在不想讓前方全光線透過(guò)率變高的情況下，可以擴(kuò)大結(jié)晶顆粒直徑。在得到大結(jié)晶顆粒直徑的情況下，可以使燒結(jié)溫度變高，也可以用相同溫度進(jìn)行反復(fù)燒結(jié)。如果使用這樣的透光性陶瓷，因?yàn)槟軌虼_保良好的絕緣性(例如> 1014Ωπι)和熱傳導(dǎo)性(例如> 30W/mK)，且tanS較小，所以適合于高頻裝置。又，其提高基于光刻的圖案形成精度。
[0026]本發(fā)明的復(fù)合晶片的制造方法中，在工序(I)中使支承基板與半導(dǎo)體基板通過(guò)直接鍵合來(lái)鍵合。對(duì)于直接鍵合技術(shù)，例如可以采用對(duì)表面進(jìn)行等離子處理而進(jìn)行活性化，從而實(shí)現(xiàn)常溫下鍵合的表面活性化鍵合技術(shù)。
[0027]本發(fā)明的復(fù)合晶片的制造方法中，在工序(2)中鍵合支承基板和半導(dǎo)體基板后，通過(guò)離子注入法和研磨來(lái)對(duì)半導(dǎo)體基板進(jìn)行薄板化。由此，能夠當(dāng)作含有具備良好絕緣性的半導(dǎo)體基板的復(fù)合晶片。通過(guò)離子注入法進(jìn)行薄板化的情況下，預(yù)先將離子注入半導(dǎo)體基板(例如塊狀硅基板)，并將該基板與支承基板鍵合后，將半導(dǎo)體基板一部分進(jìn)行機(jī)械或熱剝離。進(jìn)行半導(dǎo)體基板的薄板化時(shí)，在想要減小對(duì)半導(dǎo)體基板的損傷情況下，優(yōu)選進(jìn)行研磨而非使用離子注入法。采用研磨的話，與采用離子注入法的情況相比，Si的結(jié)晶性較好。想要得到IOOnm以下的極薄的半導(dǎo)體基板的情況下，優(yōu)選使用離子注入法而非進(jìn)行研磨。雖然并未特別限定半導(dǎo)體基板的厚度，但是，例如想要得到完全空乏型CMOS結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選為100?300nm左右，想要得到部分空乏型CMOS結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選為?I μ m左右。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]圖1是示出復(fù)合晶片10的大致結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0029]圖2是圖1的A-A截面圖。
[0030]圖3是示出復(fù)合晶片10制造工序的立體圖。
[0031]圖4是實(shí)施例及比較例中使用的透光性氧化鋁陶瓷的前方全光線透過(guò)率光譜的圖表。
[0032]圖5是測(cè)定裝置40的說(shuō)明圖。
[0033]圖6是另一實(shí)施方式的復(fù)合晶片的截面圖。
[0034]圖7是另一實(shí)施方式的復(fù)合晶片的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]然后，對(duì)用于實(shí)施本發(fā)明的方式用圖進(jìn)行說(shuō)明。圖1是示出作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式的復(fù)合晶片10的大致結(jié)構(gòu)的立體圖、圖2是圖1的A-A截面圖。[0036]如圖1所示，復(fù)合晶片10是使支承基板12和半導(dǎo)體基板14通過(guò)直接鍵合來(lái)貼合而成的物體。將該復(fù)合晶片10形成為其中一處平坦的圓形。該平板的部分被稱(chēng)為定向平面(0F)，例如，在半導(dǎo)體裝置的制造工序中進(jìn)行各種操作時(shí)等，在進(jìn)行晶片位置和方向的檢測(cè)等時(shí)被使用。
[0037]支承基板12是氧化鋁純度99%以上的透光性氧化鋁基板。該支承基板12在波長(zhǎng)200?700nm下的直線透過(guò)率為20%以下。又，支承基板12在波長(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率為70%以上，優(yōu)選為80%以上，比在波長(zhǎng)555nm下的前方全光線透過(guò)率更高。支承基板12的平均結(jié)晶顆粒直徑為10 μ m?50 μ m。支承基板12的兩面的算術(shù)表面粗糙度Ra為0.5?20nm。該支承基板12半透明，厚度為50?800 μ m。
[0038]半導(dǎo)體基板14是單結(jié)晶硅基板。該半導(dǎo)體基板14透明，厚度為0.05?0.5 μ m。
[0039]關(guān)于這種復(fù)合晶片10的制造方法的一個(gè)實(shí)例，下面用圖3進(jìn)行說(shuō)明。圖3是示出復(fù)合晶片10制造工序的立體圖。首先，準(zhǔn)備具有OF的規(guī)定直徑及厚度的支承基板12。又，準(zhǔn)備與支承基板12相同直徑的半導(dǎo)體基板24 (參照?qǐng)D3 (a))。該半導(dǎo)體基板24比復(fù)合晶片10的半導(dǎo)體基板14更厚。支承基板12例如由凝膠注模法制作。凝膠注模法中，首先，將包含α -氧化鋁粉末、異氰酸酯系的凝膠化劑及聚氨酯反應(yīng)促進(jìn)用的催化劑的糊狀物放入成型金屬模具使其硬化成為成形體后，將該成形體從成型金屬模具中取出，通過(guò)在氫氣氛圍中燒結(jié)做成多結(jié)晶的透光性氧化鋁，通過(guò)對(duì)其進(jìn)行研磨得到支承基板12。如果在凝膠注模法中將使用的金屬模具換為大型模具的話，可以較容易地將該支承基板12大型化(例如直徑Φ 12英寸左右)。此外，要擴(kuò)大平均結(jié)晶顆粒直徑，也可以將氫氣中的燒結(jié)溫度設(shè)高些，或者也可以在較低燒結(jié)溫度下反復(fù)進(jìn)行燒結(jié)。
[0040]然后，使支承基板12和半導(dǎo)體基板24通過(guò)直接鍵合來(lái)貼合(參照?qǐng)D3(b))。作為直接鍵合技術(shù)，例如可以采用對(duì)表面進(jìn)行等離子處理而進(jìn)行活性化，從而實(shí)現(xiàn)常溫下鍵合的表面活性化鍵合技術(shù)。
[0041]此后，通過(guò)離子注入法和研磨，將半導(dǎo)體基板24磨薄為規(guī)定厚度，得到復(fù)合晶片10，作為得到半導(dǎo)體基板14，(參照?qǐng)D3 (C))。通過(guò)離子注入法進(jìn)行薄板化的情況下，預(yù)先將離子注入半導(dǎo)體基板24，并將該基板與支承基板12鍵合后，將半導(dǎo)體基板24 —部分進(jìn)行機(jī)械或熱剝離。進(jìn)行半導(dǎo)體基板24的薄板化時(shí)，在想要減小對(duì)半導(dǎo)體基板24的損傷情況下，優(yōu)選進(jìn)行研磨而非使用離子注入法。
[0042]對(duì)這樣制得的復(fù)合晶片10在這之后使用一般性的光刻技術(shù)進(jìn)行圖案形成。具體來(lái)說(shuō)，在半導(dǎo)體基板14的表面，涂布/干燥光阻劑，通過(guò)光掩膜對(duì)光阻劑使光照射(掩膜曝光)。然后，浸入顯影液，去除不需要的光阻劑。在光阻劑為負(fù)抗蝕劑的情況下，光阻劑中光照到的部分殘留在半導(dǎo)體基板14上。另一方面，在光阻劑為正抗蝕劑的情況下，光阻劑中光未照到的部分殘留在半導(dǎo)體基板14上。然后，通過(guò)蝕刻法，去除半導(dǎo)體基板14的表面中沒(méi)有被光阻劑覆蓋的地方。
[0043]在此，掩膜曝光時(shí)，雖然已照射的光透過(guò)半導(dǎo)體基板14，但是由于支承基板12的前方全光線透過(guò)率較高，從半導(dǎo)體基板14與支承基板12的鍵合界面及支承12內(nèi)部到后方(即半導(dǎo)體基板一邊)的反射被抑制。進(jìn)一步地，由于支承基板12的直線透過(guò)率較小，增加支承基板12內(nèi)的光的散射，不存在曝光機(jī)的工作臺(tái)面上反射而對(duì)掩膜的背面的抗蝕劑進(jìn)行曝光的情況。與此相對(duì)應(yīng)，支承基板12為硅的情況下，因?yàn)楣铻閱谓Y(jié)晶所以不存在晶界，存在已照射的光在曝光機(jī)的工作臺(tái)面上反射而對(duì)掩膜背面的抗蝕劑進(jìn)行曝光的情況，不能高精度地形成圖案。又，為了形成高精度的圖案，必須使曝光光源短波長(zhǎng)化。因而，通過(guò)支承基板12，使短波長(zhǎng)的光散射，特別地，優(yōu)選200nm附近的短波長(zhǎng)紫外線區(qū)域的光(例如KrF激光(248nm))。在本實(shí)施方式的支承基板12上使用的透光性氧化鋁，具有在上述短波長(zhǎng)紫外線區(qū)域提高前方全光線透過(guò)率并降低直線透過(guò)率的特性。在上述透光性氧化鋁制支承基板12上入射光的話，該光在位于支承基板12的內(nèi)部的晶界處折射，朝所有方向出射。透光性氧化鋁中，由于光的波長(zhǎng)越短該傾向越明顯，直線透過(guò)率降低全光線透過(guò)率提高，即是說(shuō)，波長(zhǎng)越短散射光越多。因此，特別在用短波長(zhǎng)實(shí)施曝光及圖案形成時(shí)，適宜使用透光性氧化鋁。
[0044]另一方面，晶片工序中，復(fù)合晶片10被自動(dòng)搬運(yùn)，此時(shí)，通過(guò)可見(jiàn)光進(jìn)行圖像識(shí)另O。因此，為了對(duì)復(fù)合晶片10進(jìn)行圖像識(shí)別，要求使可見(jiàn)光非透過(guò)的特性。本實(shí)施方式的復(fù)合晶片10因?yàn)榫哂杏刹ㄩL(zhǎng)200?700nm的區(qū)域中直線透過(guò)率20%以下的透光性氧化鋁構(gòu)成的支承基板12,所以適合于圖像識(shí)別。與此相對(duì)應(yīng),例如SOS (S1-on-Sapphire,藍(lán)寶石上硅)晶片因?yàn)榫哂杏煽梢?jiàn)光區(qū)域中透明的藍(lán)寶石構(gòu)成的支承基板，所以不適合于圖像識(shí)別。
[0045]根據(jù)如上詳述的本實(shí)施方式的復(fù)合晶片10，因?yàn)槭褂眉兌?9%以上的多結(jié)晶透光性氧化鋁作為支承基板12，所以能夠確保良好的絕緣性(例如大于1014Ωπι)，熱傳導(dǎo)性(例如大于30W/mK)。又，因?yàn)橥腹庑匝趸Xtan δ較小，所以適合于高頻裝置。進(jìn)一步地，通過(guò)光刻而得到的圖案形成的精度提高。
[0046]又，因?yàn)橹С谢?2的平均結(jié)晶顆粒直徑小至10 μ m?50 μ m，所以在光刻技術(shù)的
曝光工序中容易使光散射。
[0047]進(jìn)一步地，因?yàn)橹С谢?2在波長(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率為70%以上(優(yōu)選80%以上)，所以在光刻技術(shù)的曝光工程中使用波長(zhǎng)200?250nm的UV時(shí)，高精度的圖案形成是可能的。即是說(shuō)，雖然波長(zhǎng)200?250nm的UV通過(guò)半導(dǎo)體基板，但是因?yàn)橹С谢迩胺饺饩€透過(guò)率高至70%以上，所以朝后方即半導(dǎo)體基板側(cè)的散射、反射較少，幾乎不存在從支承基板上光阻劑背面被曝光的情況。結(jié)果，高精度的圖案形成是可能的。附帶提一下，因?yàn)橛胟X λ/NA定義曝光裝置的分辨率(k:系數(shù)，λ:光源的波長(zhǎng)，NA:投影透鏡的開(kāi)口數(shù))，所以通過(guò)用短波長(zhǎng)曝光，能夠形成微細(xì)圖案。
[0048]進(jìn)一步地，因?yàn)橹С谢?2的波長(zhǎng)200?750nm的直線透過(guò)率為20%以下，所以能夠抑制由曝光機(jī)的工作臺(tái)面上的反射而產(chǎn)生的影響，在半導(dǎo)體制造工序中自動(dòng)搬運(yùn)該復(fù)合晶片10時(shí)，基于可見(jiàn)光的圖像識(shí)別是可能的。
[0049]此外，本發(fā)明不對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行任何限定，可在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)實(shí)施各種形式的實(shí)施方式。
[0050]例如，上述實(shí)施方式中，支承基板12也可以具備如圖6、圖7所示的空腔。上述復(fù)合晶片可以應(yīng)用于S1-MEMS。因?yàn)橥ㄟ^(guò)將透光性氧化鋁原料成形燒結(jié)可以得到支承基板12，所以制作具備空腔的支承基板12時(shí)，使用能夠得到具備空腔成形體的金屬模具就可以了。因此，不需要掩膜、蝕刻工序。例如，不使用透光性氧化鋁基板而使用硅基板作為支承基板12的情況下，要在該硅基板上制作空腔，就需要首先將硅基板的一面(與鍵合半導(dǎo)體基板的面相反的面)用掩膜覆蓋，然后將該掩膜曝光/顯影，之后對(duì)沒(méi)有被掩膜的部分進(jìn)行蝕刻的一系列工序。對(duì)空腔的形狀不進(jìn)行特別地限定，既可為矩形也可為非線形，使用與其相對(duì)應(yīng)的金屬模具就可以了。
[0051](實(shí)施例)
[0052](實(shí)施例1)
[0053]首先，按下面的制造方法準(zhǔn)備作為支承基板使用的透光性氧化鋁基板。最初，調(diào)制混合了表1成分的糊狀物。此外，α -氧化鋁粉末使用純度99.99%、比表面積3.5~4.5m2/g、平均一次粒徑0.35~0.45 μ m的。
[0054]表1
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)合晶片，使支承基板和半導(dǎo)體基板通過(guò)直接鍵合來(lái)貼合而成，其特征在于， 所述支承基板的材料為多結(jié)晶透光性陶瓷， 所述半導(dǎo)體基板的材料為硅， 所述支承基板的在波長(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率高于在波長(zhǎng)555nm下的前方全光線透過(guò)率。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合晶片，其特征在于，所述支承基板在波長(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率在80%以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述復(fù)合晶片，其特征在于，所述支承基板在波長(zhǎng)200?750nm下的直線透過(guò)率在20%以下。
4.如權(quán)利要求1?3的任一項(xiàng)所述的復(fù)合晶片，其特征在于，所述支承基板的平均結(jié)晶顆粒直徑為10 μ m?50 μ m。
5.如權(quán)利要求1?4的任一項(xiàng)所述的復(fù)合晶片，其特征在于，所述支承基板具備空腔。
6.如權(quán)利要求1?5的任一項(xiàng)所述的復(fù)合晶片，其特征在于，所述支承基板的材料為多結(jié)晶的透光性氧化鋁。
7.如權(quán)利要求1?6的任一項(xiàng)所述的復(fù)合晶片，其特征在于，所述半導(dǎo)體板的材料為單結(jié)晶娃。
8.一種復(fù)合晶片的制造方法，其特征在于，包括: (1)貼合工序，其使由多結(jié)晶的透光性陶瓷構(gòu)成的支承基板和由硅構(gòu)成的半導(dǎo)體基板通過(guò)直接鍵合來(lái)貼合，所述支承基板在波長(zhǎng)200?250nm下的前方全光線透過(guò)率高于在波長(zhǎng)555nm下的前方全光線透過(guò)率； (2)薄板化工序，其通過(guò)離子注入法或者研磨將所述半導(dǎo)體基板的表面薄板化。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK103703542SQ201380002366
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年7月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月18日
【發(fā)明者】巖崎康范, 井出晃啟, 堀裕二, 多井知義, 宮澤杉夫 申請(qǐng)人:日本礙子株式會(huì)社