拋光組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的拋光組合物為拋光在絕緣層上形成的含鎢金屬層的拋光組合物，其包括磨粒、從由碘酸、亞碘酸和次碘酸組成的組中選擇的一種以上的鹵素酸、強(qiáng)酸、氫離子供給劑和水。
【專利說明】拋光組合物
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的相互參照
[0002]本申請(qǐng)主張日本國特開2012-081653號(hào)的優(yōu)先權(quán)，通過引用納入本申請(qǐng)說明書的
記載中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及拋光在絕緣層上形成的含鎢金屬層的拋光組合物。
【背景技術(shù)】
[0004]在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，使用化學(xué)機(jī)械拋光法(CMP法:Chemical MechanicalPolishing)進(jìn)行配線結(jié)構(gòu)的制造。
[0005]使用這種CMP法的配線結(jié)構(gòu)的制造方法例如為如下方法:在包含SiO或四乙氧基硅烷(TEOS)等的絕緣層上形成的凹部內(nèi)及凹部周圍的絕緣層上表面，形成勢壘層及導(dǎo)電層等金屬層，將凹部以外的絕緣層表面上形成的剩余的金屬層用包含磨粒的拋光組合物拋光除去，直至所述絕緣層表面露出為止，形成埋入所述凹部內(nèi)的配線。
[0006]所述導(dǎo)體層使用鎢等金屬，所述勢壘層使用鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭等金屬。因此，CMP法中所用的拋光組 合物要求對(duì)包括所述導(dǎo)體層及勢壘層等的金屬層有高的拋光性。
[0007]另一方面，若使用對(duì)所述金屬層腐蝕性高的拋光組合物，則所述凹部上的金屬層會(huì)過分地除去，從而出現(xiàn)在配線上表面產(chǎn)生凹坑的凹曲。
[0008]此外，若使用對(duì)所述金屬層腐蝕性高并且對(duì)絕緣層拋光速度高的拋光組合物，則會(huì)出現(xiàn)在微細(xì)的配線用的凹部中在配線上表面以及直至絕緣層為止被浸蝕的腐蝕。
[0009]由于發(fā)生這種凹曲或侵蝕，拋光面的平滑性低下。
[0010]因此，CMP法使用的拋光組成物中，要求對(duì)金屬層有高的拋光性的同時(shí)，抑制凹曲或侵蝕的發(fā)生。
[0011]但是，在使用拋光含鎢等比較硬的金屬的金屬層的拋光組合物的情況下，難以在抑制凹曲或侵蝕的同時(shí)對(duì)金屬層選擇性地提高拋光速度。
[0012]這種在CMP法中用于拋光含鎢金屬層的拋光組合物可以列舉，例如，專利文獻(xiàn)I至7中記載的那些。
[0013]專利文獻(xiàn)I及2記載了包含以膠體二氧化硅作為磨粒、以過氧化氫作為氧化劑的拋光組合物。
[0014]專利文獻(xiàn)3及4記載了包含磨粒、過碘酸的拋光組合物。
[0015]這些拋光組合物通過過氧化氫或過碘酸等氧化劑，在鎢上形成脆弱的氧化膜，并對(duì)這種氧化膜用膠體二氧化硅進(jìn)行機(jī)械拋光。
[0016]但是，這些拋光組合物存在對(duì)鎢等金屬層的拋光速度緩慢，拋光效率差的問題。
[0017]專利文獻(xiàn)5至7記載了包含作為磨粒的膠體二氧化硅或氣相法二氧化硅、過碘酸和硫酸銨的拋光組合物。
[0018]在該情況下，由于與過碘酸一起包含有硝酸銨，因此借助硝酸銨的作用，對(duì)金屬層的拋光速度略有提高，但由于過碘酸對(duì)鎢等金屬腐蝕作用強(qiáng)，故難以抑制凹曲或侵蝕，還有可能腐蝕裝置而生銹。
[0019]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn):
[0020]專利文獻(xiàn)
[0021]專利文獻(xiàn)1:日本國特開2008-135453號(hào)公報(bào)
[0022]專利文獻(xiàn)2:日本國特開2008-135452號(hào)公報(bào)
[0023]專利文獻(xiàn)3:日本國專利第4083528號(hào)公報(bào)
[0024]專利文獻(xiàn)4:日本國特開2003-59877號(hào)公報(bào)
[0025]專利文獻(xiàn)5:日本國專利第4083528號(hào)公報(bào) [0026]專利文獻(xiàn)6:日本國特開2004-123880號(hào)公報(bào)
[0027]專利文獻(xiàn)7:日本國特開2004-123879號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0028]發(fā)明要解決的課題
[0029]因此，本發(fā)明鑒于如上所述的現(xiàn)有技術(shù)的問題，課題在于提供一種拋光組合物，所述拋光組合物可以對(duì)絕緣層上形成的含鎢金屬層在抑制凹曲或侵蝕等的同時(shí)選擇性地以高拋光速度進(jìn)行拋光。
[0030]解決課題的方法
[0031]本發(fā)明的拋光組合物為拋光在絕緣層上形成的含鎢金屬層的拋光組合物，其包括
[0032]磨粒、
[0033]從由碘酸、亞碘酸和次碘酸組成的組中選擇的一種以上的鹵素酸、
[0034]強(qiáng)酸、
[0035]氫離子供給劑和
[0036]水。
[0037]本發(fā)明中，所述氫離子供給劑可為從由強(qiáng)酸與弱堿組成的鹽和弱酸組成的組中選擇的一種以上。
[0038]本發(fā)明中，所述強(qiáng)酸可為從由硝酸、鹽酸和硫酸組成的組中選擇的一種以上。
[0039]本發(fā)明中，所述磨?？蔀闅庀喾ǘ趸?。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0040][圖1]是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的拋光組合物的拋光速度的圖表。
[0041][圖2]是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的拋光組合物的拋光速度和配合比率的圖表。
[0042][圖3]是示出使用拋光組合物拋光時(shí)凹曲狀態(tài)的圖表。
[0043][圖4]是示出使用拋光組合物拋光時(shí)腐蝕狀態(tài)的圖表。
[0044][圖5]是示出硝酸銨濃度與鎢、TESO膜拋光速度的關(guān)系的圖表。
[0045][圖6]是示出氫離子供給劑的種類與鎢、TESO膜拋光速度的關(guān)系的圖表。
[0046][圖7]是示出強(qiáng)酸種類與鎢、TESO膜拋光速度的關(guān)系的圖表。
[0047][圖8]是示出磨粒種類與鎢、TESO膜拋光速度的關(guān)系的圖表。【具體實(shí)施方式】
[0048]以下，就本發(fā)明中所述拋光組合物進(jìn)行說明。
[0049]本實(shí)施方案的拋光組合物是拋光在絕緣層上形成的含鎢金屬層的拋光組合物，含有下述A-D成分及水:
[0050]⑷磨粒
[0051](B)鹵素酸
[0052](C)強(qiáng)酸
[0053](D)氫離子供給劑。
[0054]⑷磨粒
[0055]本實(shí)施方案的拋光組合物包含磨粒。所述磨粒只要作為CMP法用的拋光組合物中的磨粒使用，則沒有特別限定，例如，可以列舉膠體二氧化硅、氣相法二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰、氮化硅、氧化鋯等，它們可以單獨(dú)使用或兩種以上混合使用。
[0056]其中，優(yōu)選氣相法二氧化硅。以氣相法二氧化硅為磨粒使用時(shí)，可以抑制對(duì)絕緣層的拋光速度，提高對(duì)鎢的拋光速度，因而是優(yōu)選的。
[0057](B)鹵素酸
[0058]本實(shí)施方案的拋光組合物包括從由碘酸、亞碘酸和次碘酸組成的組中選擇的一種以上的鹵素酸。所述各鹵素酸可以單獨(dú)使用或兩種以上混合使用。
[0059]所述鹵素酸作為氧化金屬層中含有的鎢的氧化劑而起作用。
[0060]所述從由碘酸、亞碘酸和次碘酸組成的組中選擇的一種以上的鹵素酸適合作為拋光組合物的氧化劑，以便不腐蝕鎢并且對(duì)鎢氧化的反應(yīng)速度快。
[0061]其中，特別是碘酸在不腐蝕鎢的程度下的氧化力高，并且對(duì)鎢的氧化反應(yīng)的速度快，因而是優(yōu)選的。
[0062](C)強(qiáng)酸
[0063]本實(shí)施方案的拋光組合物包含強(qiáng)酸。
[0064]所述強(qiáng)酸通過在拋光組合物中電離，供給所述鹵素酸在將鎢氧化的氧化反應(yīng)中所需的氫離子。
[0065]所述強(qiáng)酸沒有特別的限定，例如，可以列舉硝酸、鹽酸、硫酸等，它們可以單獨(dú)使用或是兩種以上混合使用。
[0066]其中，硝酸不易產(chǎn)生腐蝕性氣體，腐蝕拋光裝置等的風(fēng)險(xiǎn)低，因此優(yōu)選使用。
[0067]此外，本實(shí)施方案中所說的強(qiáng)酸是指第I離解常數(shù)pKal小于I的酸，弱酸是指第I離解常數(shù)PKal為I以上的酸。
[0068](D)氫離子供給劑
[0069]本實(shí)施方案的拋光組合物包含氫離子供給劑。 [0070]所述氫離子供給劑通過如下所述的反應(yīng)，與所述強(qiáng)酸一起，供給所述鹵素酸在將鎢氧化的氧化反應(yīng)中所需的氫離子，同時(shí)維持氧化反應(yīng)必要的氫離子濃度。
[0071]所述氫離子供給劑優(yōu)選地為從由強(qiáng)酸與弱堿組成的鹽和弱酸組成的組中選擇的一種以上。
[0072]所述強(qiáng)酸與弱堿組成的鹽，可以列舉硝酸銨、硫酸銨、氯化銨等。[0073]所述弱酸優(yōu)選酸性域中有離解域的弱酸，其中優(yōu)選磷酸、乳酸、馬來酸、草酸等。
[0074]強(qiáng)酸與弱堿組成的鹽和弱酸均可在氫離子減少時(shí)穩(wěn)定地供給氫離子，因而作為本實(shí)施方案的氫離子供給劑是合適的。
[0075]特別是，所述強(qiáng)酸與弱堿組成的鹽可通過其緩沖液效果穩(wěn)定地供給氫離子，因而優(yōu)選作為所述氫離子供給劑。尤其是，從氫離子供給效率的觀點(diǎn)來看，特別優(yōu)選使用硝酸銨。
[0076]所述強(qiáng)酸與弱堿組成的鹽和弱酸可以單獨(dú)使用或是兩種以上混合使用。
[0077]本實(shí)施方案的拋光組合物的所述A-D成分溶解于水中。
[0078]為抑制對(duì)所述成分A-D的各種作用的妨害，所述水優(yōu)選使用離子交換水等雜質(zhì)盡量少的水。
[0079]本實(shí)施方案的拋光組合物除所述A-D成分及水之外，還可包含防腐劑、抑制細(xì)菌或細(xì)菌產(chǎn)生的物質(zhì)等其他成分。
[0080]本實(shí)施方案的拋光組合物中配合的所述鹵素酸、強(qiáng)酸、氫離子供給劑的各成分的配合量優(yōu)選以滿足如下關(guān)系的方式?jīng)Q定。
[0081]即，當(dāng)所述鹵素酸氧化所述鎢所必要的氫離子濃度為X摩爾/升時(shí)，如果由所述強(qiáng)酸及所述氫離子供給劑供給的氫離子濃度合計(jì)為Y摩爾/升，則所述鹵素酸、強(qiáng)酸及氫離子供給劑優(yōu)選以所述氫離 子濃度X滿足以下關(guān)系式的方式配合:
[0082]1.2XY + X > 1...(I)
[0083]例如，當(dāng)鹵素酸氧化鎢的氧化反應(yīng)使用碘酸作為鹵素酸時(shí)，酸性溶液中進(jìn)行如下的碘酸的電離及還原反應(yīng)。
[0084]碘酸的電離=HIO3= H++ICV
[0085]碘酸的還原:I(V+6H++5(= 1/2I2+3H20
[0086]即，在碘酸將鎢氧化的反應(yīng)中，碘酸通過X摩爾氫離子被還原了 1/6X摩爾。
[0087]另一方面，當(dāng)?shù)馑崛芙庠谒嵝匀芤褐袝r(shí)，與前述同樣地發(fā)生如下的電離。
[0088]HIO3 = IO3IH+
[0089]也就是，當(dāng)將用X摩爾氫離子還原的量的碘酸、即1/6X摩爾的碘酸配合在拋光組合物中時(shí)，生成1/6X摩爾的氫離子，當(dāng)僅以此氫離子氧化鎢時(shí)，不能補(bǔ)充必要的氫離子。
[0090]此處，配合強(qiáng)酸從而供給鎢的氧化所必要的氫離子。
[0091 ] 當(dāng)使用硝酸作為強(qiáng)酸時(shí)，硝酸在拋光組合物中發(fā)生如下的電離。
[0092]硝酸的電離:HN03= NO3^H+
[0093]也就是，當(dāng)將a摩爾硝酸配合到拋光組合物中時(shí)，生成a摩爾氫離子。如果由所述碘酸和硝酸供給鎢的氧化必要的氫離子，則為了以X摩爾所述氫離子進(jìn)行反應(yīng)，當(dāng)在一定量的拋光組合物中配合1/6X摩爾碘酸，且配合假設(shè)a摩爾硝酸的情況下，
[0094]只要滿足l/6X+a > X
[0095]則理論上可進(jìn)行鎢的氧化反應(yīng)。
[0096]但是，在實(shí)際的拋光組合物中，僅通過強(qiáng)酸供給氫離子不能充分提高鎢的氧化反應(yīng)速度。
[0097]此原因尚不清楚，但認(rèn)為可能是因?yàn)閮H由強(qiáng)酸供給氫離子時(shí)，即使拋光組合物全部的氫離子可達(dá)到必要的量，也難以調(diào)整發(fā)生氧化反應(yīng)的時(shí)間和調(diào)整發(fā)生氧化反應(yīng)的金屬層表面附近的氫離子到充分的量。
[0098]本實(shí)施方案中，通過將所述氫離子供給劑配合到拋光組合物中，穩(wěn)定且充足地對(duì)拋光組合物供給有助于拋光組合物的氧化反應(yīng)的氫離子，因此可以提高鎢的氧化反應(yīng)速度。
[0099]使用硝酸銨作為所述氫離子供給劑時(shí)，硝酸銨在溶液中發(fā)生如下的電離.[0100]硝酸銨的電離=NH4NO3= NH4++N03_
[0101]此外，通過所述硝酸銨的電離生成的銨離子通過還原反應(yīng)生成氫離子。
[0102]銨離子的還原反應(yīng):NH4+ = NH3+H+
[0103]也就是，將b摩爾硝酸銨配合到一定量的拋光組合物中時(shí)，生成b摩爾氫離子。
[0104]本實(shí)施方案的拋光組合物中，作為可有效地提高對(duì)鎢的拋光速度的碘酸、硝酸及硝酸銨的配合量，當(dāng)?shù)馑釣?/6X摩爾(用X摩爾氫離子反應(yīng)的量)、硝酸為a摩爾(生成a摩爾氫離子的量)、且硝酸銨為b摩爾(生成b摩爾氫離子的量)時(shí)，滿足下述關(guān)系。
[0105]l/6X+a+b > X，即，1.2 X (a+b) +X > I
[0106]此處，如果a+b等于Y時(shí)，則得到前述式(I)。
[0107]本實(shí)施方案中的 拋光組合物通過包含滿足該式(I)的碘酸、硝酸及硝酸銨，可以獲得對(duì)鎢高的拋光速度。
[0108]此外，由所述式(I)也可得下式(2)
[0109]1.Ti > X— (2)
[0110]也就是，通過使Y相對(duì)于鎢的氧化所必要的氫離子量X的比例Y/X為1.2以上，提高對(duì)鎢的拋光速度。
[0111]但是，為了滿足前式(I)，由此提高拋光速度，所述鹵素酸優(yōu)選以鎢的氧化所必要的氫離子濃度為0.01摩爾/升以上，優(yōu)選0.1摩爾/升以上1.0摩爾/升以下的量配合。如果在所述范圍內(nèi)，則包含作為將鎢氧化的氧化劑的必要量的鹵素酸，沒有氧化反應(yīng)被抑制的風(fēng)險(xiǎn)。
[0112]本實(shí)施方案的拋光用組合物的所述各成分(A)-(D)的具體的配合量例如為如下的范圍。此外，所述各成分(A)-(D)及根據(jù)需要配合的其他成分的剩余部分是水。
[0113]⑷磨粒的配合量
[0114]本實(shí)施方案的拋光組合物中配合的所述磨粒的量，例如，為0.1質(zhì)量％ -20質(zhì)量％，優(yōu)選I質(zhì)量％ -10質(zhì)量％,特別優(yōu)選2質(zhì)量％ -5質(zhì)量％。
[0115]如果在所述范圍內(nèi)，則對(duì)金屬層的拋光速度可在優(yōu)選的范圍，同時(shí)可抑制侵蝕或凹曲等的發(fā)生。
[0116](B)鹵素酸
[0117]本實(shí)施方案的拋光組合物中配合的所述鹵素酸的量，例如，為0.01質(zhì)量％ -10質(zhì)量％，優(yōu)選0.1質(zhì)量％ -3質(zhì)量％,特別優(yōu)選0.2質(zhì)量％ -1質(zhì)量％。
[0118]如果在所述范圍內(nèi)，則對(duì)所述金屬層的拋光速度可在優(yōu)選的速度范圍。
[0119]使用碘酸作為所述鹵素酸時(shí)，其配合量例如為0.01質(zhì)量％-5質(zhì)量％，優(yōu)選0.1質(zhì)量％ -2質(zhì)量％,特別優(yōu)選0.2質(zhì)量％ -1質(zhì)量％。
[0120](C)強(qiáng)酸
[0121]本實(shí)施方案的拋光組合物中配合的所述強(qiáng)酸的量，例如，為0.001質(zhì)量％ -5質(zhì)量％，優(yōu)選0.005質(zhì)量％ -1質(zhì)量％，特別優(yōu)選0.001質(zhì)量％ -0.2質(zhì)量％。
[0122]如果在所述范圍內(nèi)，則對(duì)所述金屬層的拋光速度可在優(yōu)選的速度范圍。
[0123]使用硝酸作為所述強(qiáng)酸時(shí)，其配合量例如為0.001質(zhì)量％ -2質(zhì)量％，優(yōu)選0.01質(zhì)量％ -0.5質(zhì)量％，特別優(yōu)選0.02質(zhì)量％ -0.1質(zhì)量％。
[0124](D)氫離子供給劑
[0125]本實(shí)施方案的拋光組合物中配合的所述氫離子供給劑的量，例如，為0.01質(zhì)量％ -10質(zhì)量％,優(yōu)選0.1質(zhì)量％ -6質(zhì)量％,特別優(yōu)選0.3質(zhì)量％ -3質(zhì)量％。
[0126]如果在所述范圍內(nèi)，則對(duì)所述金屬層的拋光速度可在優(yōu)選的速度范圍。
[0127]此外，所述氫離子供給劑和所述強(qiáng)酸優(yōu)選以各自電離的氫離子的摩爾濃度比為強(qiáng)酸:氫離子供給劑=I: 1-1: 50，優(yōu)選1: 2-1: 12的比例配合。
[0128]通過以該比例配合，對(duì)所述金屬層的拋光速度可以在更優(yōu)選的速度范圍。
[0129]使用硝酸銨作為所述氫離子供給劑時(shí)，其配合量例如為0.01質(zhì)量％ -10質(zhì)量％，優(yōu)選0.1質(zhì)量％ -5質(zhì)量％,特別優(yōu)選0.3質(zhì)量％ -2質(zhì)量％。
[0130]包含所述其他的成分時(shí)，其配合量例如為2質(zhì)量％以下，優(yōu)選0.01質(zhì)量％ -2質(zhì)量％。
[0131]此外，雖然本實(shí)施方案涉及的拋光組合物如上所述，但應(yīng)當(dāng)理解的是，本次公開的實(shí)施方案在全部的點(diǎn)上都是示例而不是限制性的。本發(fā)明的范圍不是根據(jù)前述說明，而是根據(jù)專利權(quán)利要求的范圍來表示，意在包括與專利權(quán)利要求的范圍等同的含義及范圍內(nèi)的全部改變。
[0132]根據(jù)本發(fā)明，可抑制絕緣層上形成的含鎢金屬層的凹曲或侵蝕等，且可選擇性地以高的拋光速度拋光。
[0133]即，絕緣層上形成的含鎢金屬層可以以高的拋光速度拋光，同時(shí)可以抑制對(duì)絕緣層的拋光速度，因此可以選擇性地拋光金屬層。此外，由于對(duì)金屬層的腐蝕性低，因此可以抑制凹曲或侵蝕等。
[0134]本發(fā)明中，所述氫離子供給劑可為從由強(qiáng)酸與弱堿組成的鹽和弱酸組成的組中選擇的一種以上。該情況下，所述氫離子供給劑與強(qiáng)酸一起供給所述鹵素酸在金屬層拋光時(shí)所必要的氫離子，通過使用強(qiáng)酸與弱堿組成的鹽和/或弱酸作為氫離子供給劑，可以使拋光組合物中穩(wěn)定地含有鎢的氧化所必要的氫離子，從而進(jìn)一步提高金屬層的拋光速度。
[0135]此外，本發(fā)明使用從由硝酸、鹽酸及硫酸組成的組中選擇的一種以上作為所述強(qiáng)酸時(shí)，可以充分地供給所述鹵素酸在拋光金屬層時(shí)所必要的氫離子，從而進(jìn)一步提高金屬層的拋光速度。
[0136]此外，本發(fā)明使用氣相法二氧化硅作為磨粒時(shí)，可以進(jìn)一步抑制對(duì)絕緣層的拋光速度，并且提高對(duì)金屬層的拋光速度。
[0137]實(shí)施例
[0138]以下就本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明，但本發(fā)明不限于此。
[0139](拋光組合物)
[0140]制作下表1中示出的配合量的各拋光組合物。
[0141]此外，使用的材料如下。
[0142]⑷磨粒:氣相法二氧化硅(比表面積85m2/g)[0143](B)碘酸:50% (表中的質(zhì)量％為作為HIO3的質(zhì)量％ )。
[0144](C)硝酸:61% (表中的質(zhì)量％為作為HNO3的質(zhì)量％ )
[0145](D)硝酸銨:純度99% (表中的質(zhì)量％為作為NH4NO3的質(zhì)量％ )
[0146]將所述(A)-(D)的各成分及離子交換水放入容器中混合，調(diào)制實(shí)施例1-4及比較例I的拋光組合物。
[0147]此外，在比較例2和3中，代替C成分的強(qiáng)酸使用氨水，并改變作為D成分的硝酸銨，按以下物質(zhì)各自在表1中所示的量進(jìn)行配合。
[0148]磷酸:85% (表中的質(zhì)量％為作為H3PO4的質(zhì)量％ )
[0149]馬來酸:99% (表中的質(zhì)量％為作為C4H4O4的質(zhì)量％ )
[0150]氨水:29% (表中的質(zhì)量％為作為NH3的質(zhì)量％ )
[0151]將各拋光組合物中碘酸進(jìn)行氧化反應(yīng)所必要的氫離子的摩爾濃度設(shè)為X，將硝酸向拋光組合物供給的氫離子(a)及硝酸銨供給的氫離子(b)的總計(jì)(a+b)的摩爾濃度設(shè)為Y時(shí)的1.2父￥及1.2￥ +父的值分別在表中示出。
[0152]此外，對(duì)于比較例I設(shè)為b = O即Y = C，對(duì)于比較例2將由氨水和磷酸供給的氫離子的總計(jì)的濃度設(shè)為Y，對(duì)于比較例3將由氨水和馬來酸供給的氫離子的總計(jì)的濃度設(shè)為Y，算出各自的值。
[0153][表 I]
[0154]
【權(quán)利要求】
1.拋光組合物，其為拋光在絕緣層上形成的含鎢金屬層的拋光組合物，其包括 磨粒、 從由碘酸、亞碘酸和次碘酸組成的組中選擇的一種以上的鹵素酸、 強(qiáng)酸、 氫離子供給劑和 水。
2.權(quán)利要求1所述的拋光組合物，其中所述氫離子供給劑為從由強(qiáng)酸與弱堿組成的鹽和弱酸組成的組中選擇的一種以上。
3.權(quán)利要求1或2所述的拋光組合物，其中所述強(qiáng)酸為從由硝酸、鹽酸和硫酸組成的組中選擇的一種以上。
4.權(quán)利要 求1-3中任一項(xiàng)所述的拋光組合物，其中所述磨粒為氣相法二氧化硅。
【文檔編號(hào)】H01L21/321GK104011155SQ201380003983
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月30日
【發(fā)明者】細(xì)川公一郎, 太田慶治, 吉田昭一郎 申請(qǐng)人:霓達(dá)哈斯股份有限公司