太陽能電池用基板的制造方法及太陽能電池元件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種太陽能電池用基板的制造方法，其包括：在半導(dǎo)體基板的表面上形成含有金屬化合物的掩模層的工序，其中，所述金屬化合物含有堿土金屬或堿金屬；和在上述半導(dǎo)體基板的未形成掩模層的區(qū)域形成擴(kuò)散層的工序。
【專利說明】太陽能電池用基板的制造方法及太陽能電池元件的制造方
法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池用基板的制造方法及太陽能電池元件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]對以往的硅太陽能電池元件的制造工序進(jìn)行說明。
[0003]首先，為了促進(jìn)陷光效應(yīng)而實(shí)現(xiàn)高效率化，準(zhǔn)備形成有紋理結(jié)構(gòu)的P型硅基板，接著，在氧氯化磷(POCl3)、氮?dú)?、氧氣的混合氣體氣氛中在800°C~900°C下進(jìn)行數(shù)十分鐘的處理，均勻地形成η型擴(kuò) 散層。然后，在受光面涂布Ag等電極糊劑，在背面?zhèn)韧坎间X等電極糊劑，之后，進(jìn)行燒成，從而得到太陽能電池元件。
[0004]但是，由于太陽光沒有入射到受光面?zhèn)鹊碾姌O的正下方，因此，該部分不發(fā)電。為此開發(fā)了一種背面電極型太陽能電池，其在受光面沒有電極，在背面具有η型擴(kuò)散層和P+型擴(kuò)散層，并且在各擴(kuò)散層上具有η電極及P電極(例如參照日本特開2011-507246號公報)。
[0005]對形成這樣的背面電極型太陽能電池的方法進(jìn)行說明。在η型硅基板的受光面及背面整面形成掩模。這里，掩模具有抑制摻雜劑在硅基板內(nèi)擴(kuò)散的作用。接著，將硅基板的背面的一部分掩模除去，形成開口部。而且，若使P型摻雜劑從掩模的開口部擴(kuò)散到硅基板的背面，則會使僅與開口部對應(yīng)的區(qū)域形成P+型擴(kuò)散層。接著，將硅基板的背面的掩模全部除去，之后，再次在硅基板的背面整面形成掩模。然后，將與形成有上述P+型擴(kuò)散層的區(qū)域不同的區(qū)域的一部分掩模除去，形成開口部，使η型摻雜劑從該開口部擴(kuò)散到硅基板的背面，形成η+型擴(kuò)散層。接著，將硅基板的背面的掩模全部除去，從而在背面形成P+型擴(kuò)散層及η+型擴(kuò)散層。進(jìn)而，形成紋理結(jié)構(gòu)、防反射膜、鈍化膜、電極等，由此完成背面電極型太陽能電池。
[0006]此外，提出了利用通過熱氧化法在基板表面生成的氧化膜作為上述掩模的方法(例如參照日本特開2002-329880號公報)。另一方面，還提出了使用包含SiO2前體的掩蔽糊劑的掩模形成方法(例如參照日本特開2007-49079號公報)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的課題
[0008]但是,對于上述日本特開2002-329880號公報中記載的通過熱氧化法在基板表面生成氧化膜的方法而言，由于其生產(chǎn)率(throughput)低，因而存在制造成本變高的問題。
[0009]此外，對于日本特開2007-49079號公報中記載的使用含有SiO2前體的掩蔽糊劑的方法而言，其物理性地防止施主元素或受主元素的擴(kuò)散，并且因由SiO2形成的掩模難以形成致密的膜而容易形成針孔(pinhole)，因此，難以充分地防止摻雜劑向基板擴(kuò)散。
[0010]為此，本發(fā)明是鑒于以上的以往問題而作出的發(fā)明，其課題在于提供能夠容易且選擇性地形成摻雜區(qū)域的太陽能電池用基板的制造方法、及太陽能電池元件的制造方法。[0011]用于解決課題的手段
[0012]用于解決上述課題的手段如下所述。
[0013]<1> 一種太陽能電池用基板的制造方法，其包括:
[0014]在半導(dǎo)體基板的表面上形成含有金屬化合物的掩模層的工序，其中，所述金屬化合物含有堿土金屬或堿金屬；和
[0015]在上述半導(dǎo)體基板的未形成上述掩模層的區(qū)域形成擴(kuò)散層的工序。
[0016]<2>根據(jù)上述〈1>所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述太陽能電池用基板為在半導(dǎo)體基板的受光面及與該受光面相反的面即背面具有電極的雙面電極型太陽能電池用基板，
[0017]該太陽能電池用基板的制造方法包括:
[0018]在半導(dǎo)體基板的背面形成上述掩模層的工序；
[0019]在上述受光面形成η型擴(kuò)散層的工序；和
[0020]將上述背面的上述掩模層除去的工序。
[0021]<3>根據(jù)上述〈1>所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述太陽能電池用基板為僅在半導(dǎo)體基板的與受光面相反的面即背面具有電極的背面電極型太陽能電池用基板，
[0022]該太陽能電池用基板的制造方法包括:
[0023]在半導(dǎo)體基板的受光面的整面及背面的一部分形成第一上述掩模層的工序；
[0024]在上述背面的未形成上述第一掩模層的區(qū)域形成P型擴(kuò)散層的工序；
[0025]將上述受光面及上述背面的上述第一掩模層除去的工序；
[0026]在上述背面上的與形成上述P型擴(kuò)散層的區(qū)域不同的區(qū)域形成第二上述掩模層的工序；
[0027]在上述背面的未形成上述第二掩模層的區(qū)域形成η型擴(kuò)散層的工序；和
[0028]將上述受光面及上述背面的上述第二掩模層除去的工序。
[0029]<4>根據(jù)上述〈1>所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述太陽能電池用基板為能夠在半導(dǎo)體基板的兩面受光的雙面受光型太陽能電池用基板，
[0030]該太陽能電池用基板的制造方法包括:
[0031]在半導(dǎo)體基板的一個面即第一面的整面形成第一上述掩模層的工序；
[0032]在上述半導(dǎo)體基板的另一面即第二面形成P型擴(kuò)散層的工序；
[0033]將上述第一面的上述第一掩模層除去的工序；
[0034]在上述半導(dǎo)體基板的上述第二面的整面形成第二上述掩模層的工序；
[0035]在上述半導(dǎo)體基板的上述第一面形成η型擴(kuò)散層的工序；和
[0036]將上述第二面的上述第二掩模層除去的工序。
[0037]<5>根據(jù)上述〈2>~〈4>中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，在將上述掩模層除去的工序中，利用酸水溶液除去上述掩模層。
[0038]<6>根據(jù)上述〈1>~〈5>中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物包含選自鎂、鈣、鈉、鉀、鋰、銣、銫、鈹、鍶、鋇及鐳中的I種以上作為金屬元素。
[0039]<7>根據(jù)上述〈1>~〈6>中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，在形成上述掩模層的工序中，將含有上述含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物、分散介質(zhì)和有機(jī)粘合劑的掩模形成用組合物賦予到半導(dǎo)體基板并進(jìn)行加熱處理，形成上述掩模層。
[0040]<8>根據(jù)上述〈7>所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，在上述掩模形成用組合物的不揮發(fā)成分中，上述含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的含有率為5質(zhì)量％以上且小于100質(zhì)量％。
[0041]<9>根據(jù)上述〈7>或〈8>所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述掩模層通過將上述掩模形成用組合物利用噴墨、分注或絲網(wǎng)印刷中的任一方法賦予到半導(dǎo)體基板來形成。
[0042]〈10>根據(jù)上述〈2>~〈9>中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述η型擴(kuò)散層通過使用含有氧氯化磷的氣體來形成。
[0043]〈11>根據(jù)上述〈2>~〈9>中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述η型擴(kuò)散層通過將含有磷化合物的組合物賦予到半導(dǎo)體基板并進(jìn)行加熱處理來形成。
[0044]<12>根據(jù)上述〈11>所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述磷化合物為包含磷原子的玻璃粉末。
[0045]<13>根據(jù)上述〈3>~〈12>中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述P型擴(kuò)散層通過使用含有溴化硼的氣體來形成。
[0046]<14>根據(jù)上述 〈3>~〈12>中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述P型擴(kuò)散層通過將含有硼化合物的組合物賦予到半導(dǎo)體基板并進(jìn)行加熱處理來形成。
[0047]<15>根據(jù)上述〈14>所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，上述硼化合物為含有硼原子的玻璃粉末。
[0048]<16> 一種太陽能電池元件的制造方法，其包括以下工序:在利用上述〈1>~〈15>中任一項(xiàng)所述的制造方法得到的太陽能電池用基板的擴(kuò)散層上形成電極。
[0049]發(fā)明效果
[0050]根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠容易且選擇性地形成摻雜區(qū)域的太陽能電池用基板的制造方法、以及使用該太陽能電池用基板的太陽能電池元件的制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0051]圖1是概括表示單面受光、背面電極型太陽能電池的制造工序的一例的示意圖。
[0052]圖2是概括表示單面受光、雙面電極型太陽能電池的制造工序的一例的示意圖。
[0053]圖3是概括表示雙面受光、雙面電極型太陽能電池的制造工序的一例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0054]首先，對本發(fā)明的太陽能電池用基板的制造方法進(jìn)行說明，然后，對太陽能電池用基板的制造方法中使用的掩模形成用組合物進(jìn)行說明。
[0055]需要說明的是，本說明書中，用語“工序”不僅是獨(dú)立的工序，而且還有無法明確區(qū)別于其它工序的情況，在該情況下只要能實(shí)現(xiàn)該工序的預(yù)期作用，則也包含在本用語中。另外，本說明書中的“~”表示包含其前后記載的數(shù)值分別作為最小值及最大值的范圍。進(jìn)而，關(guān)于本說明書的組合物中的各成分的量，在組合物中存在多種相當(dāng)于各成分的物質(zhì)的情況下，只要沒有特別說明，則均是指組合物中存在的該多種物質(zhì)的總量。[0056]此外，有時將施主元素或受主元素稱為摻雜劑。
[0057]<太陽能電池用基板及太陽能電池元件的制造方法>
[0058]太陽能電池用基板是指一般的用于太陽能電池的基板，是指在半導(dǎo)體基板上形成有η型擴(kuò)散層或P型擴(kuò)散層的基板。此外，太陽能電池元件是指在太陽能電池用基板的擴(kuò)散層上具有電極的元件。
[0059]本發(fā)明的太陽能電池用基板的制造方法包括:在半導(dǎo)體基板的表面上形成含有金屬化合物(以下也稱為“特定化合物”)的掩模層的工序，其中，所述金屬化合物含有堿土金屬或堿金屬；和在上述半導(dǎo)體基板的未形成掩模層的區(qū)域形成擴(kuò)散層的工序。
[0060]此外，本發(fā)明的太陽能電池元件的制造方法包括:在利用上述制造方法得到的太陽能電池用基板的擴(kuò)散層上形成電極的工序。
[0061]通過在半導(dǎo)體基板中的不想要擴(kuò)散施主元素或受主元素的區(qū)域形成包含含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的掩模層，可以充分防止上述區(qū)域中的施主元素及受主元素的擴(kuò)散。因此，能夠在半導(dǎo)體基板內(nèi)選擇性地形成摻雜區(qū)域。關(guān)于其理由，可以考慮如下。
[0062]若對含有特定化合物的掩模層賦予作為酸性化合物的摻雜化合物，則在特定化合物與摻雜化合物之間發(fā)生反應(yīng)。認(rèn)為:與摻雜化合物和半導(dǎo)體基板的反應(yīng)相比，該反應(yīng)的反應(yīng)性更高，因此阻礙了施主元素或受主元素向半導(dǎo)體基板擴(kuò)散。
[0063]需要說明的是，通常，作為含有施主元素或受主元素的摻雜化合物，使用氧化磷、氧化硼、氧氯化磷等，這些化合物均為酸性化合物(或與水反應(yīng)而顯示出酸性的化合物)。因此，特別優(yōu)選使特定化合物為堿性化合物。堿性化合物的特定化合物與摻雜化合物之間發(fā)生酸堿反應(yīng)，該酸堿反應(yīng)的反應(yīng)性高，因此更有效地阻礙施主元素或受主元素向半導(dǎo)體基板擴(kuò)散。
[0064]此外，含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物即使在高溫(例如500°C以上)下也穩(wěn)定，因此，使施主元素或受主元素?zé)釘U(kuò)散到半導(dǎo)體基板時，能夠充分發(fā)揮本發(fā)明的效果。
[0065]此外，含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物在熔入到半導(dǎo)體基板時，在半導(dǎo)體基板中不作為載流子的再結(jié)合中心起作用，因此，能夠抑制使太陽能電池用基板的轉(zhuǎn)換效率降低這樣的不良情況。
[0066]這里，參照圖1~3對本發(fā)明的太陽能電池用基板及太陽能電池元件的制造方法進(jìn)行說明。圖1是概括表示單面受光、背面電極型的太陽能電池用基板及太陽能電池元件的制造工序的一例的示意剖視圖。在之后的附圖中，對通用的構(gòu)成元件標(biāo)記相同的符號。圖2是概括表示單面受光、雙面電極型太陽能電池用基板及太陽能電池元件的制造工序的一例的示意剖視圖。圖3是概括表示雙面受光、雙面電極型太陽能電池用基板及太陽能電池元件的制造工序的一例的示意剖視圖。
[0067](I)背面電極型的太陽能電池用基板及太陽能電池元件的制造方法
[0068]背面電極型太陽能電池用基板的制造方法具有以下的工序。
[0069](1-1)在半導(dǎo)體基板的受光面的整面及背面的一部分形成第一上述掩模層的工序、
[0070](1-2)在上述背面的未形成上述第一掩模層的區(qū)域形成P型擴(kuò)散層的工序、
[0071](1-3)將上述受光面及上述背面的上述第一掩模層除去的工序、
[0072](1-4)在上述背面上的與形成上述P型擴(kuò)散層的區(qū)域不同的區(qū)域形成第二上述掩模層的工序、
[0073](1-5)在上述受光面及上述背面的未形成上述第二掩模層的區(qū)域形成η型擴(kuò)散層的工序、以及
[0074](1-6)將上述背面的上述第二掩模層除去的工序。
[0075](1-0)準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板的工序
[0076]在圖1的(I)中,對作為η型半導(dǎo)體基板101的娃基板賦予堿溶液而將損傷層除去，接著，利用蝕刻工序等得到紋理結(jié)構(gòu)。
[0077]詳細(xì)而言，例如，將從還料切片時產(chǎn)生的娃基板表面的損傷層利用20質(zhì)量％氫氧化鈉除去。然后，利用使用了等離子體的干式蝕刻在受光面?zhèn)刃纬杉y理結(jié)構(gòu)(圖中省略了紋理結(jié)構(gòu)的記載)。對于太陽能電池元件而言，通過在受光面(表面)側(cè)形成紋理結(jié)構(gòu)，從而使陷光效應(yīng)得到促進(jìn)，可以實(shí)現(xiàn)高效率化。另外，通過使背面成為鏡面形狀，能夠抑制載流子的再結(jié)合。
[0078](1-1)形 成第一掩模層的工序
[0079]在圖1的(2)中，在η型半導(dǎo)體基板101的表面(即受光面)的整面及其相反面即背面的一部分形成第一掩模層11。未形成第一掩模層11的開口部與電極的形成預(yù)定區(qū)域?qū)?yīng)。
[0080]對于掩模層而言，只要能夠形成包含含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的掩模層，則其形成方法就沒有特別限定。作為掩模層的形成方法，例如可以列舉出將后述的包含含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的掩模形成用組合物賦予到受光面的整面及背面的一部分的方法。掩模形成用組合物的詳細(xì)內(nèi)容將在后面進(jìn)行敘述。
[0081]作為向η型半導(dǎo)體基板101賦予掩模形成用組合物的賦予方法，可以列舉出印刷法、旋涂法、刷涂法、噴霧法、刮板法、輥涂法、噴墨法、分注法等。
[0082]其中，若考慮到對背面的一部分賦予掩模形成用組合物，則從能夠容易地按照圖案形狀賦予掩模形成用組合物的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選噴墨法、分注法或絲網(wǎng)印刷法。作為這樣的賦予方法的具體例，可以列舉出使用絲網(wǎng)印刷機(jī)、膠版印刷機(jī)、凹版印刷機(jī)、柔性版印刷機(jī)、噴墨機(jī)等的方法。需要說明的是，也可以在對背面整面賦予掩模形成用組合物后，利用蝕刻等將其一部分除去，從而形成圖案狀的掩模層。
[0083]作為對受光面整面賦予掩模形成用組合物的方法，沒有特別限定，可以適當(dāng)選擇上述方法。
[0084]上述掩模形成用組合物的賦予量沒有特別限定，例如，為了充分地抑制摻雜劑的擴(kuò)散，作為熱處理后的固體成分量，優(yōu)選為0.001mg/cm2~10mg/cm2,更優(yōu)選為0.01mg/cm2 ~5mg/cm2，進(jìn)一步優(yōu)選為 0.05mg/cm2 ~lmg/cm2。
[0085]在賦予量為0.00lmg/cm2以上時，存在能夠得到充分的擴(kuò)散阻礙能力的傾向，通過使賦予量為lOmg/cm2以下，能夠減少掩模形成用組合物的使用量，并且能夠以低成本制造太陽能電池元件。
[0086]上述掩模形成用組合物的涂膜的厚度沒有特別限定，優(yōu)選為0.1 μ m~50 μ m，更優(yōu)選為I μ m~30 μ m。
[0087]接著，根據(jù)需要對賦予到η型半導(dǎo)體基板101上的掩模形成用組合物進(jìn)行干燥，能夠得到掩模層。干燥溫度可以利用掩模形成用組合物中所含的分散介質(zhì)等成分進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，但沒有特別限定。例如，優(yōu)選為50°C~800°C，更優(yōu)選為100°C~500°C。
[0088](1-2)形成P型擴(kuò)散層的工序
[0089]接著，在圖1的(3)、(4)中，在η型半導(dǎo)體基板101的背面的未賦予第一掩模層11的部分形成P+型擴(kuò)散層17。作為形成P+型擴(kuò)散層17的方法，可以使用公知的方法。例如，可以通過使用含有溴化硼的氣體來形成的方法、或賦予含有硼化合物的組合物并進(jìn)行加熱處理的方法，使作為P型摻雜劑的硼原子擴(kuò)散到η型半導(dǎo)體基板10，形成P+型擴(kuò)散層17。作為加熱處理溫度，沒有特別限制，優(yōu)選在750V~1050°C的溫度、I分鐘~300分鐘的條件下進(jìn)行熱處理。
[0090]本發(fā)明中，第一掩模層11包含含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物，因此，形成有第一掩模層11的區(qū)域可以充分阻礙P型摻雜劑的擴(kuò)散。
[0091]在使用溴化硼等含有硼的氣體來形成P+型擴(kuò)散層的方法中，邊通入溴化硼等含有硼的氣體邊進(jìn)行加熱處理(約800°C~1200°C )，在半導(dǎo)體基板上形成硼硅酸鹽玻璃層18，然后進(jìn)行熱擴(kuò)散(約800°C~1200°C )，形成p+型擴(kuò)散層17。
[0092]此外，含有硼化合物的組合物優(yōu)選為如日本特開2011-181901號公報所記載那樣硼化合物為含有硼原子的玻璃粉末的組合物。使用這樣的組合物時，能夠阻礙向外擴(kuò)散(out diffusion)(摻雜劑擴(kuò)散至不需要擴(kuò)散的部分的現(xiàn)象)，能夠更具選擇性地形成P+型擴(kuò)散層17。作為賦予組合物的方法，可以列舉出噴墨法、分注法、絲網(wǎng)印刷法等。 [0093](1-3)將第一掩模層除去的工序
[0094]接著，在圖1的(5)中，將受光面及背面的第一掩模層11除去。此時，在上述P+型擴(kuò)散層的形成工序中生成硼硅酸鹽玻璃層18等的情況下，也將硼硅酸鹽玻璃層18除去。
[0095]掩模層11的除去以及根據(jù)需要實(shí)施的硼硅酸鹽玻璃層18的除去優(yōu)選使用酸水溶液來進(jìn)行。作為酸水溶液，可以列舉出氫氟酸、硝酸、硫酸、鹽酸、乙酸的水溶液等，其中，優(yōu)選使用氫氟酸水溶液。更具體而言，優(yōu)選在使用鹽酸(例如10質(zhì)量％的HCl水溶液)之后再使用氫氟酸水溶液。上述氫氟酸水溶液中的氫氟酸的濃度優(yōu)選為0.1質(zhì)量％~40質(zhì)量％。
[0096]此外，優(yōu)選在繼該工序之后利用側(cè)蝕刻等進(jìn)行p-n結(jié)分離。
[0097](1-4)形成第二掩模層的工序
[0098]接著，在圖1的(6)中，以使在背面上的與形成有P+型擴(kuò)散層17的區(qū)域不同的區(qū)域具有開口部的方式形成第二掩模層111。形成第二掩模層111的方法可以列舉出與在背面形成第一掩模層11的上述方法同樣的方法。
[0099](1-5)形成η型擴(kuò)散層的工序
[0100]接著，在圖1的(7)、(8)中，在受光面及背面的未形成第二掩模層111的區(qū)域形成η+型擴(kuò)散層13。
[0101]作為形成η+型擴(kuò)散層13的方法，可以使用公知的方法。例如，可以通過使用含有氧氯化磷的氣體來形成的方法、或賦予含有磷化合物的組合物并進(jìn)行加熱處理的方法，使作為η型摻雜劑的磷擴(kuò)散到η型半導(dǎo)體基板10，從而形成η+型擴(kuò)散層13。
[0102]本發(fā)明中，第二掩模層111包含含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物，因此，使形成有第二掩模層111的區(qū)域充分阻礙η型摻雜劑的擴(kuò)散。
[0103]在使用含有氧氯化磷的氣體來形成η+型擴(kuò)散層13的方法中，邊通入含有氧氯化磷的氣體邊進(jìn)行加熱處理(約800°C~1000°C )，在半導(dǎo)體基板上形成磷硅酸鹽玻璃層12，然后進(jìn)行熱擴(kuò)散(約800°C~1000°C )，形成n+型擴(kuò)散層13。
[0104]另外，含有磷化合物的組合物優(yōu)選為如W02011/090216號公報所記載那樣磷化合物為含有磷原子的玻璃粉末的組合物。使用這樣的組合物時，能夠抑制向外擴(kuò)散，并且能夠更具選擇性地形成η+型擴(kuò)散層13。作為賦予組合物的方法，可以列舉出噴墨法、分注法、絲網(wǎng)印刷法等。
[0105](1-6)將第二掩模層除去的工序
[0106]接著，在圖1的(9)中，將背面的第二掩模層111除去。此時，在上述η+型擴(kuò)散層的形成工序中生成磷硅酸鹽玻璃層12等的情況下，也將磷硅酸鹽玻璃層12除去。
[0107]掩模層111的除去以及根據(jù)需要而實(shí)施的磷硅酸鹽玻璃層12的除去可以利用與上述(1-3)的將第一掩模層除去的工序同樣的方法來進(jìn)行，因此，省略對其的說明。
[0108]通過以上工序，獲得了在半導(dǎo)體基板的一個面形成有η+型擴(kuò)散層和P+型擴(kuò)散層兩個區(qū)域的背面電極型太陽能電池用基板。在之后的工序中，在擴(kuò)散層上形成電極，制作背面電極型太陽能電池元件。
[0109](1-7)形成鈍化膜的工序
[0110]在圖1的(10)中，在半導(dǎo)體基板101的受光面及背面的一部分形成鈍化膜14。鈍化膜優(yōu)選為SiN膜、SiO2膜、非晶硅膜或以Al2O3作為主成分的膜，更優(yōu)選使用SiN膜。通過使用SiN膜，能夠抑制光的反射率，并且能夠期待較高的鈍化效果。鈍化膜的膜厚沒有特別限定，優(yōu)選設(shè)為IOnm~300nm,更優(yōu)選設(shè)為30nm~150nm。
[0111]在背面的一部分形成鈍化膜14的方法沒有特別限制。例如，可以在背面的整面形成鈍化膜14之后，利用噴墨法等對想要開口的部位賦予蝕刻液(含有氫氟酸、氟化銨、磷酸等的溶液)，進(jìn)行熱處理，由此在背面的一部分形成鈍化膜14。
[0112]需要說明的是,在下述(1-8)形成電極的工序中，若使用含有玻璃粉(glass frit)的組合物作為上述電極形成用組合物，則可以省略鈍化膜14的開口工序。若將含有玻璃粉的電極形成用組合物賦予到鈍化膜14上并在600°C~900°C的范圍內(nèi)進(jìn)行數(shù)秒~數(shù)分鐘的燒成，則玻璃粉使鈍化膜14熔融，組合物中的金屬粒子(例如銀粒子)與半導(dǎo)體基板101形成接觸部并凝固。由此，使所形成的η電極15、P電極16與半導(dǎo)體基板101導(dǎo)通。這被稱為燒通(fire through)。
[0113](1-8)形成電極的工序
[0114]接著，在圖1的(11)，在背面中，在n+型擴(kuò)散層13上形成η電極15，在ρ+型擴(kuò)散層17上形成P電極16。η電極15、ρ電極16的材質(zhì)、形成方法沒有特別限定?？梢酝ㄟ^賦予含有鋁、銀、銅等金屬的電極形成用組合物并進(jìn)行干燥而形成背面電極。另外，η電極和P電極可以為相同的材質(zhì)。接著，對電極進(jìn)行燒成，制作太陽能電池。
[0115](2)雙面電極型太陽能電池用基板及太陽能電池元件的制造方法
[0116]雙面電極型太陽能電池用基板的制造方法具有以下的工序。
[0117](2-1)在半導(dǎo)體基板的背面形成掩模層的工序、
[0118](2-2)在受光面形成η型擴(kuò)散層的工序、以及
[0119](2-3)將上述背面的上述掩模層除去的工序。
[0120] (2-0)準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板的工序[0121]在圖2的(I)中，對作為P型半導(dǎo)體基板10的硅基板賦予堿溶液而將損傷層除去，接著，利用蝕刻工序等得到紋理結(jié)構(gòu)。
[0122]詳細(xì)而言，例如，將從坯料切片時產(chǎn)生的硅基板表面的損傷層利用20質(zhì)量％氫氧化鈉除去。然后，利用使用了等離子體的干式蝕刻在受光面?zhèn)刃纬杉y理結(jié)構(gòu)(圖中省略了紋理結(jié)構(gòu)的記載)。對于太陽能電池元件而言，通過在受光面(表面)側(cè)形成紋理結(jié)構(gòu)，從而使陷光效應(yīng)得到促進(jìn)，可以實(shí)現(xiàn)高效率化。另外，通過使背面成為鏡面形狀，能夠抑制載流子的再結(jié)合。
[0123](2-1)形成掩模層的工序
[0124]在圖2的(2)中，在半導(dǎo)體基板10的與受光面(表面)相反的面即背面上形成掩模層11。形成掩模層11的方法可以使用與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的上述形成第一掩模層的方法同樣的方法。
[0125](2-2) η型擴(kuò)散層的形成
[0126]接著，在圖2的(3)及(4)中，在半導(dǎo)體基板10的受光面形成η+型擴(kuò)散層13。形成η+型擴(kuò)散層13的方法可以使用與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的η型擴(kuò)散層的形成方法同樣的方法。
[0127](2-3)將掩模層除去的工序
[0128]接著，在圖2的(5)中，將背面上的掩模層11除去。在上述η型擴(kuò)散層的形成工序中生成磷硅酸鹽玻璃層12等的情況下，也將磷硅酸鹽玻璃層12除去。將掩模層11及磷硅酸鹽玻璃層12等除去的方法可以使用與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的上述將第一掩模層除去的方法同樣的方法。
[0129]通過以上的工序，可獲得在半導(dǎo)體基板的受光面(表面)形成有η+型擴(kuò)散層的雙面電極型太陽能電池用基板。而且，在形成后述的背面電極時，在半導(dǎo)體基板的背面形成P+型擴(kuò)散層。在之后的工序中，在擴(kuò)散層上形成電極，制作雙面電極型太陽能電池元件。
[0130](2-4)形成鈍化膜的工序
[0131]在圖2的(6)中，在半導(dǎo)體基板的受光面形成鈍化膜14。鈍化膜14的材質(zhì)及形成方法與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的鈍化膜中所說明的材質(zhì)及形成方法相同。
[0132](2-5)形成電極的工序
[0133]接著，在圖2的(7)、⑶中，形成η電極15及ρ電極16。在形成ρ電極16時的燒成時，還形成了 P+型擴(kuò)散層17(圖2的(8))。
[0134]形成鈍化膜及電極的方法可以使用與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的上述形成鈍化膜及電極的方法同樣的方法。需要說明的是，在圖2的(6)~(8)中，使用含有玻璃粉的組合物作為上述η電極形成用組合物，不經(jīng)由鈍化膜14的開口工序而直接利用燒通使η電極15和半導(dǎo)體基板10導(dǎo)通。
[0135](3)雙面受光型太陽能電池用基板及太陽能電池元件的制造方法
[0136]雙面受光型太陽能電池用基板的制造方法具有以下的工序。
[0137](3-1)在半導(dǎo)體基板的一個面即第一面的整面形成第一掩模層的工序、
[0138](3-2)在上述半導(dǎo)體基板的另一面即第二面形成P型擴(kuò)散層的工序、
[0139](3-3)將上述第一面的上述第一掩模層除去的工序、[0140](3-4)在上述半導(dǎo)體基板的上述第二面的整面形成第二掩模層的工序、
[0141](3-5)在上述半導(dǎo)體基板的上述第一面形成η型擴(kuò)散層的工序、以及
[0142](3-6)將上述第二面的上述第二掩模層除去的工序。
[0143](3-0)準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板的工序
[0144]在圖3的(I)中,對作為η型半導(dǎo)體基板101的η型娃基板賦予堿溶液而將損傷層除去，接著，利用蝕刻工序等得到紋理結(jié)構(gòu)。
[0145]詳細(xì)而言，例如，將從還料切片時產(chǎn)生的娃基板表面的損傷層利用20質(zhì)量％氫氧化鈉除去。接著，利用使用了 5質(zhì)量％左右的氫氧化鈉水溶液的堿蝕刻將兩面形成紋理結(jié)構(gòu)(圖中省略了紋理結(jié)構(gòu)的記載)。對于太陽能電池元件而言，通過在受光面(兩面)側(cè)形成紋理結(jié)構(gòu)，從而使陷光效應(yīng)得到促進(jìn)，可以實(shí)現(xiàn)高效率化。
[0146](3-1)形成第一掩模層的工序
[0147]在圖3的(2)中，在半導(dǎo)體基板101的一個面即第一面的整面形成第一掩模層11。形成掩模層11的方法可以使用與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的上述形成第一掩模層的方法同樣的方法。
[0148](3-2) ρ型擴(kuò)散層的形成 [0149]接著，在圖3的(3)、(4)中，在半導(dǎo)體基板101上的未形成第一掩模層11的面(第二面)形成P+型擴(kuò)散層17。形成P+型擴(kuò)散層17的方法可以使用與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的P型擴(kuò)散層的形成方法同樣的方法。
[0150](3-3)將第一掩模層除去的工序
[0151]接著，在圖3的(5)中，將第一面的第一掩模層11除去。在上述P+型擴(kuò)散層的形成工序中生成硼硅酸鹽玻璃層18等時，還將硼硅酸鹽玻璃層18除去。將掩模層11及硼硅酸鹽玻璃層18等除去的方法可以使用與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的上述將第一掩模層除去的方法同樣的方法。
[0152](3-4)形成第二掩模層的工序
[0153]接著，在圖3的(6)中，在半導(dǎo)體基板10上的形成有ρ+型擴(kuò)散層的面(第二面)的整面形成第二掩模層111。形成掩模層111的方法可以列舉出與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的上述形成第一掩模層的工序同樣的方法。
[0154](3-5)形成η型擴(kuò)散層的工序
[0155]接著，在圖3的(7)、(8)中，在半導(dǎo)體基板10上的未形成ρ+型擴(kuò)散層17的面(第一面)形成η+型擴(kuò)散層13。形成η+型擴(kuò)散層13的方法可以使用與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的η型擴(kuò)散層的形成方法同樣的方法。
[0156](3-6)將第二掩模層除去的工序
[0157]接著，在圖3的(9)中，將第二面的第二掩模層111除去。在上述η型擴(kuò)散層的形成工序中生成磷硅酸鹽玻璃層12等時，還將磷硅酸鹽玻璃層12除去。將掩模層111及磷硅酸鹽玻璃層12等除去的方法可以使用與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的上述將第一掩模層除去的方法同樣的方法。
[0158]通過以上的工序，可獲得在半導(dǎo)體基板的受光面的一個面形成有η+型擴(kuò)散層、并且在另一面形成有P+型擴(kuò)散層的雙面受光型太陽能電池用基板。在之后的工序中，在擴(kuò)散層上形成電極，制作雙面受光型太陽能電池元件。[0159](3-7)形成鈍化膜及電極的工序
[0160]接著，在圖3的(10)中，在半導(dǎo)體基板的兩面形成鈍化膜14。然后，在圖3的(11)、
(12)中，在形成有n+型擴(kuò)散層13的面?zhèn)刃纬搔请姌O15，在形成有ρ+型擴(kuò)散層17的面?zhèn)刃纬蒔電極16。需要說明的是，形成鈍化膜及電極的方法可以使用與上述背面電極型太陽能電池的制造方法中的上述形成鈍化膜及電極的方法同樣的方法。另外，在圖3的(11) (12)中，作為用于制作η電極15的η電極形成用組合物及用于制作ρ電極16的ρ電極形成用組合物，均使用含有玻璃粉的組合物，不經(jīng)由鈍化膜14的開口工序而直接利用燒通使η電極15及ρ電極16與半導(dǎo)體基板101導(dǎo)通。
[0161]〈掩模形成用組合物〉
[0162]如上所述，本發(fā)明的掩模層優(yōu)選通過賦予包含含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的掩模形成用組合物并進(jìn)行加熱處理來形成。從涂布性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使上述掩模形成用組合物進(jìn)一步含有分散介質(zhì)、有機(jī)粘合劑。
[0163](含有堿土 金屬或堿金屬的金屬化合物)
[0164]含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物在常溫(約20°C )下可以為液體也可以為固體。想要在高溫下也能保持充分的掩模性能，需要在高溫下也能夠保持穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，從此種觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使金屬化合物在發(fā)生熱擴(kuò)散的高溫(例如500°C以上)下為固體。這里，例如，作為含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物，可以列舉出含有堿土金屬或堿金屬的金屬氧化物、含有堿土金屬或堿金屬的金屬鹽。
[0165]作為含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物，沒有特別限制，優(yōu)選為能夠在使施主元素或受主元素?zé)釘U(kuò)散的700°C以上的高溫下變化成堿性化合物的材料。從表現(xiàn)出更強(qiáng)的堿性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使金屬化合物含有選自鎂、鈣、鈉、鉀、鋰、銣、銫、鈹、鍶、鋇及鐳中的I種以上作為金屬元素，更優(yōu)選含有選自鎂、鈣、鋇、鉀、鈉中的I種以上作為金屬元素，進(jìn)一步優(yōu)選含有選自鎂、鈣及鉀中的I種以上作為金屬元素，從低毒性及容易獲得的觀點(diǎn)出發(fā)，進(jìn)一步優(yōu)選含有選自鎂及鈣中的I種以上作為金屬元素。
[0166]而且，從化學(xué)穩(wěn)定性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為從含有選自這些金屬元素中的I種以上金屬兀素的金屬氧化物、金屬碳酸鹽、金屬硝酸鹽、金屬硫酸鹽及金屬氫氧化物中選擇的I種以上，更優(yōu)選為選自金屬氧化物、金屬碳酸鹽及金屬氫氧化物中的I種以上。
[0167]特別優(yōu)選使用:氧化鈉、氧化鉀、氧化鋰、氧化韓、氧化鎂、氧化銣、氧化銫、氧化鈹、氧化鍶、氧化鋇、氧化鐳等金屬氧化物及這些金屬氧化物的復(fù)合氧化物；氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、氫氧化韓、氫氧化鎂、氫氧化銣、氫氧化銫、氫氧化鈹、氫氧化銀、氫氧化鋇、氫氧化鐳等金屬氫氧化物；碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸鋰、碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸銣、碳酸銫、碳酸鈹、碳酸鍶、碳酸鋇、碳酸鐳等金屬碳酸鹽；硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鋰、硝酸鈣、硝酸鎂、硝酸銣、硝酸銫、硝酸鈹、硝酸鍶、硝酸鋇、硝酸鐳等金屬硝酸鹽；硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸鋰、硫酸鈣、硫酸鎂、硫酸銣、硫酸銫、硫酸鈹、硫酸鍶、硫酸鋇、硫酸鐳等金屬硫酸鹽等。
[0168]更優(yōu)選使用選自上述金屬氧化物、這些金屬氧化物的復(fù)合氧化物、金屬氫氧化物以及金屬碳酸鹽中的I種以上。
[0169]其中，從低毒性及容易獲得的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用選自碳酸鈉、氧化鈉、碳酸鉀、氧化鉀、碳酸鈣、氫氧化鈣、氧化鈣、碳酸鎂、氫氧化鎂、硫酸鎂、硫酸鈣、硝酸鈣及氧化鎂中的I種以上，更優(yōu)選使用選自氧化鎂、氧化鈣、碳酸鎂、碳酸鈣、硫酸鎂、硫酸鈣、硝酸鈣、氧化鉀、氫氧化鎂及氫氧化鈣中的I種以上，進(jìn)一步優(yōu)選使用選自碳酸鈣、氧化鈣、氧化鉀、氫氧化鈣、碳酸鎂及氧化鎂中的I種以上，特別優(yōu)選使用I種以上的碳酸鈣。
[0170]含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物在常溫下為固體且呈現(xiàn)粒子形狀時，其粒子的粒徑優(yōu)選為30 μ m以下，更優(yōu)選為0.01 μ m~30 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選為0.02 μ m~10 μ m，特別優(yōu)選為0.03 μ m~5 μ m。
[0171]在粒徑為30 μ m以下時，能夠使施主元素或受主元素均勻地?cái)U(kuò)散(摻雜)至半導(dǎo)體基板的所需區(qū)域。另外，在粒徑為0.01 μ m以上時，容易在掩模形成用組合物中均勻地分散含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物。另外，含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物也可以溶解于分散介質(zhì)中。
[0172]需要說明的是，粒徑表示體積平均粒徑，可以通過激光散射衍射法粒度分布測定裝置等進(jìn)行測定。體積平均粒徑可以通過檢測照射到粒子上的激光的散射光強(qiáng)度和角度的關(guān)系并基于Mie散射理論來進(jìn)行計(jì)算。測定時的分散介質(zhì)沒有特別限制，優(yōu)選使用不溶解作為測定對象的粒子的分散介質(zhì)。
[0173]作為獲得粒徑為30 μ m以下的特定化合物的粒子的方法，沒有特別限制，例如可以通過進(jìn)行粉碎處理而得到。作為粉碎方法，可以采用干式粉碎法及濕式粉碎法。作為干式粉碎法，可以使用噴射式磨機(jī)、振動磨機(jī)、球磨機(jī)等。作為濕式粉碎法，可以使用珠磨機(jī)、球磨機(jī)等。
[0174]若在粉碎處理時由粉碎裝置產(chǎn)生的雜質(zhì)混入到掩模形成用組合物中，則可能會導(dǎo)致半導(dǎo)體基板內(nèi)的載流子的壽命降低，因此，粉碎容器、珠粒、球珠等的材質(zhì)優(yōu)選選擇對半導(dǎo)體基板的影響小的材質(zhì)。作為適宜在粉碎時使用的容器等的材質(zhì)，可以列舉出氧化鋁、部分穩(wěn)定化氧化鋯等。另外，作為獲得粒徑為30 μ m以下的特定化合物的粒子的方法，除粉碎方法以外，還可以使用氣相氧化法、水解法等。
[0175]另外，特定化合物的粒子也可以為以由除含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物以外的化合物構(gòu)成的粒子(例如氧化硅粒子)作為載體、并且在該載體的表面被覆或分散擔(dān)載有含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的材料。該形態(tài)能夠使含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的有效表面積增大，可能會使阻礙施主元素或受主元素向半導(dǎo)體基板擴(kuò)散的特性提聞。
[0176]作為上述載體，優(yōu)選顯示出10m2/g以上的BET比表面積的材料，可以例示SiO2、活性炭、碳纖維、氧化鋅等無機(jī)材料的粒子。
[0177]上述粒子的形狀沒有特別限制，可以為大致球狀、扁平狀、鱗片狀、塊狀、梢球狀、板狀及棒狀中的任意形狀。上述粒子的形狀可以通過電子照片等來進(jìn)行確認(rèn)。
[0178]掩模形成用組合物中的含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的含量考慮涂布性、施主元素或受主元素的擴(kuò)散性等來決定。通常，掩模形成用組合物中的含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的含有比率在掩模形成用組合物中優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上且95質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上且80質(zhì)量％以下,進(jìn)一步優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上且50質(zhì)量％以下,特別優(yōu)選為2質(zhì)量％以上且50質(zhì)量％以下,最優(yōu)選為5質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下。
[0179]在含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的含有率為0.1質(zhì)量％以上時,能夠充分抑制施主元素或受主元素向半導(dǎo)體基板擴(kuò)散。在該金屬化合物的含有率為95質(zhì)量％以下時，掩模形成用組合物中的含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的分散性良好，對基板的涂布性提聞。
[0180]另外，掩模形成用組合物的全部不揮發(fā)成分中的含有堿土金屬及堿金屬的金屬化合物的總質(zhì)量比率優(yōu)選為5質(zhì)量％以上且小于100質(zhì)量％,更優(yōu)選為20質(zhì)量％以上且99質(zhì)量％以下。通過將該金屬化合物的總質(zhì)量設(shè)定在上述范圍內(nèi)，具有能夠得到充分的掩?？刂菩Ч膬A向。
[0181]這里，不揮發(fā)成分是指在600°C以上進(jìn)行熱處理時不揮發(fā)的成分。需要說明的是，不揮發(fā)成分可以利用熱重分析計(jì)TG來求出，不揮發(fā)成分中的含有堿土金屬及堿金屬的金屬化合物的總含有率可以利用ICP發(fā)射光譜分析/質(zhì)譜分析法(ICP-MS法)、原子吸收法來求出。
[0182](分散介質(zhì))
[0183]本發(fā)明的掩模形成用組合物含有分散介質(zhì)。分散介質(zhì)是指在組合物中用于使上述含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物分散或溶解的介質(zhì)。另外，作為分散介質(zhì)，可以列舉出溶劑及水。
[0184]作為上述溶劑，例如可以列舉出:丙酮、甲乙酮、甲基正丙基酮、甲基異丙基酮、甲基正丁基酮、甲基異丁基酮、甲基正戊基酮、甲基正己基酮、二乙基酮、二丙基酮、二異丁基酮、三甲基壬酮、環(huán)己酮、環(huán)戊酮、甲基環(huán)己酮、2，4_戊二酮、丙酮基丙酮等酮系溶劑；乙醚、甲基乙基醚、甲基正丙基醚、二異丙基醚、四氫呋喃、甲基四氫呋喃、二噁烷、二甲基二噁烷、乙二醇二甲基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇二正丙基醚、乙二醇二丁基醚、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇甲基正丙基醚、二乙二醇甲基正丁基 醚、二乙二醇二正丙基醚、二乙二醇二正丁基醚、二乙二醇甲基正己基醚、三乙二醇二甲基醚、三乙二醇二乙基醚、三乙二醇甲基乙基醚、三乙二醇甲基正丁基醚、三乙二醇二正丁基醚、三乙二醇甲基正己基醚、四乙二醇二甲基醚、四乙二醇二乙基醚、四乙二醇甲基乙基醚、四乙二醇甲基正丁基醚、二乙二醇二正丁基醚、四乙二醇甲基正己基醚、四乙二醇二正丁基醚、丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、丙二醇二正丙基醚、丙二醇二丁基醚、二丙二醇二甲基醚、二丙二醇二乙基醚、二丙二醇甲基乙基醚、二丙二醇甲基正丁基醚、二丙二醇二正丙基醚、二丙二醇二正丁基醚、二丙二醇甲基正己基醚、三丙二醇二甲基醚、三丙二醇二乙基醚、三丙二醇甲基乙基醚、三丙二醇甲基正丁基醚、三丙二醇二正丁基醚、三丙二醇甲基正己基醚、四丙二醇二甲基醚、四丙二醇二乙基醚、四丙二醇甲基乙基醚、四丙二醇甲基正丁基醚、四丙二醇二正丁基醚、四丙二醇甲基正己基醚、四丙二醇二正丁基醚等醚系溶劑；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸異丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丁酯、乙酸仲丁酯、乙酸正戊酯、乙酸仲戊酯、乙酸3-甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸2-乙基丁酯、乙酸2-乙基己酯、乙酸2- (2- 丁氧基乙氧基)乙酯、乙酸芐酯、乙酸環(huán)己酯、乙酸甲基環(huán)己酯、乙酸壬酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酸二乙二醇甲基醚酯、乙酸二乙二醇單乙基醚酯、乙酸二丙二醇甲基醚酯、乙酸二丙二醇乙基醚酯、二乙酸乙二醇酯、乙酸甲氧基三乙二醇酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸異戊酯、草酸二乙酯、草酸二正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、乙二醇甲基醚丙酸酯、乙二醇乙基醚丙酸酯、乙二醇甲基醚乙酸酯、乙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、Y-丁內(nèi)酯、Y-戊內(nèi)酯等酯系溶劑；乙腈、N-甲基吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-丙基吡咯烷酮、N- 丁基吡咯烷酮、N-己基吡咯烷酮、N-環(huán)己基吡咯烷酮、N，N- 二甲基甲酰胺、N, N-二甲基乙酰胺、二甲亞砜等非質(zhì)子性極性溶劑；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、仲丁醇、叔丁醇、正戊醇、異戊醇、2-甲基丁醇、仲戊醇、叔戊醇、3-甲氧基丁醇、正己醇、2-甲基戊醇、仲己醇、2-乙基丁醇、仲庚醇、正辛醇、2-乙基己醇、仲辛醇、正壬醇、正癸醇、仲十一烷醇、三甲基壬醇、仲十四烷醇、仲十七烷醇、苯酚、環(huán)己醇、甲基環(huán)己醇、芐醇、乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丁二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇等醇系溶劑；乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚(溶纖劑)、乙二醇單苯基醚、二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二乙二醇單正丁基醚、二乙二醇單正己基醚、乙氧基三乙二醇、四乙二醇單正丁基醚、丙二醇單甲基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚、三丙二醇單甲基醚等二醇單醚系溶劑；α-萜品烯、α-萜品醇、月桂烯、別羅勒烯、檸檬烯、二戊烯、α-菔烯、β-菔烯、松油醇(terpineol)、香療酮、羅勒烯、水療烯等職烯系溶劑。這些溶劑可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。
[0185]其中，從對半導(dǎo)體基板的涂布性的觀點(diǎn)出發(fā)，作為分散介質(zhì)，優(yōu)選水、醇系溶劑、二醇單醚系溶劑或萜烯系溶劑，更優(yōu)選水、醇、溶纖劑、α-萜品醇、二乙二醇單正丁基醚或乙酸二乙二醇單正丁基 醚，進(jìn)一步優(yōu)選水、醇、α-萜品醇或溶纖劑。
[0186]掩模形成用組合物中的分散介質(zhì)的含有率考慮涂布性及摻雜劑濃度來決定，例如，相對于掩模形成用組合物100質(zhì)量％,優(yōu)選為5質(zhì)量％以上且99質(zhì)量％以下,更優(yōu)選為20質(zhì)量％以上且95質(zhì)量％以下,進(jìn)一步優(yōu)選為40質(zhì)量％以上且90質(zhì)量％以下。
[0187](有機(jī)粘合劑)
[0188]本發(fā)明的掩模形成用組合物優(yōu)選含有有機(jī)粘合劑。通過含有有機(jī)粘合劑，在高溫下容易使含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物彼此粘結(jié)、并且容易使含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物與半導(dǎo)體基板粘結(jié)。
[0189]作為有機(jī)粘合劑，可以適宜選擇例如:聚乙烯醇；聚丙烯酰胺樹脂；聚乙烯酰胺樹脂；聚乙烯基吡咯烷酮樹脂；聚環(huán)氧乙烷樹脂；聚砜樹脂；丙烯酰胺烷基砜樹脂；纖維素醚、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、乙基纖維素等纖維素衍生物；明膠、明膠衍生物；淀粉、淀粉衍生物；海藻酸鈉類；黃原膠(xanthan);瓜爾膠、瓜爾膠衍生物；硬葡聚糖、硬葡聚糖衍生物；黃蓍膠、黃蓍膠衍生物；糊精、糊精衍生物；(甲基)丙烯酸樹脂；(甲基)丙烯酸烷基酯樹脂、(甲基)丙烯酸二甲氨基乙酯樹脂等(甲基)丙烯酸酯樹脂；丁二烯樹脂；苯乙烯樹脂；及這些物質(zhì)的共聚物。
[0190]其中，從分解性及防止絲網(wǎng)印刷時的液體流掛的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選含有丙烯酸樹脂或纖維素衍生物。這些物質(zhì)可以單獨(dú)使用或組合使用2種以上。
[0191]有機(jī)粘合劑的分子量沒有特別限制，理想的是根據(jù)作為組合物所需的粘度來適當(dāng)調(diào)整。需要說明的是，含有有機(jī)粘合劑時的含有率在掩模形成用組合物中優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以上且30質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為3質(zhì)量％以上且25質(zhì)量％以下,進(jìn)一步優(yōu)選為3質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下。
[0192]另外，含有堿土金屬及堿金屬的金屬化合物的總含量和有機(jī)粘合劑的總含量的質(zhì)量比率(堿土金屬及堿金屬的金屬化合物)/(有機(jī)粘合劑)優(yōu)選為99.9/0.1~0.1/99.9，更優(yōu)選為99/1~20/80。
[0193]需要說明的是，作為上述分散介質(zhì)及有機(jī)粘合劑，可以使用溶解有有機(jī)粘合劑的分散介質(zhì)。
[0194](其它成分)
[0195]掩模形成用組合物在含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物、分散介質(zhì)及有機(jī)粘合劑的基礎(chǔ)上，還可以根據(jù)需要含有增稠劑、潤濕劑、表面活性劑、無機(jī)粉末、含有硅原子的樹月旨、觸變劑等各種添加劑作為其它成分。
[0196]作為上述表面活性劑，可以列舉出非離子系表面活性劑、陽離子系表面活性劑、陰離子系表面活性劑等。其中，從向半導(dǎo)體裝置帶入的重金屬等雜質(zhì)少的方面出發(fā)，優(yōu)選非離子系表面活性劑或陽離子系表面活性劑。進(jìn)而，作為非離子系表面活性劑，可以例示硅系表面活性劑、氟系表面活性劑、烴系表面活性劑，從在擴(kuò)散等加熱時被迅速地?zé)傻姆矫娉霭l(fā)，優(yōu)選烴系表面活性劑。
[0197]作為烴系表面活性劑，可以例示環(huán)氧乙烷-環(huán)氧丙烷的嵌段共聚物、炔屬二醇化合物等，從進(jìn)一步降低半導(dǎo)體基板的電阻值的不均的方面出發(fā)，更優(yōu)選炔屬二醇化合物。
[0198]作為無機(jī)粉末，可以例示氧化硅、氧化鈦、氮化硅、氧化硅、碳化硅等的粉末。
[0199]掩模形成用組合物還可以包含含有固體成分的觸變劑。由此，能夠容易地控制觸變性，能夠構(gòu)成具有適合于絲網(wǎng)印刷的粘度的絲網(wǎng)印刷用掩模形成用組合物、及具有適合于噴墨印刷的粘度的噴墨用掩模形成用組合物。進(jìn)而，通過控制觸變性，能夠抑制印刷時掩模形成用組合物自印刷圖案滲出或流掛。上述的有機(jī)粘合劑可以兼具觸變劑的作用，作為這樣的材料，可以列舉出乙基纖維素。
[0200]對于本發(fā)明的掩模形成用組合物而言，從不污染半導(dǎo)體基板、即抑制半導(dǎo)體基板中的載流子的再結(jié)合的觀點(diǎn)出發(fā)，鐵、鎢、金、鎳、鉻、錳等的含有率在掩模形成用組合物中優(yōu)選為10質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為5質(zhì)量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為I質(zhì)量％以下。
[0201]掩模形成用組合物的粘度沒有特別限制。具體而言，優(yōu)選在25°C下為0.5Pa-s~400Pa *s，更優(yōu)選為IOPa *s~IOOPa.8。在掩模形成用組合物的粘度為0.5Pa.s以上時，在賦予到半導(dǎo)體基板上時不易發(fā)生液體流掛，另外，在掩模形成用組合物的粘度為400Pa.s以下時，能夠形成精細(xì)的涂膜圖案。
[0202]需要說明的是，掩模形成用組合物的粘度可以利用B型粘度計(jì)、E型粘度計(jì)、粘彈性測定裝置等并通過旋轉(zhuǎn)方式、應(yīng)力控制方式或應(yīng)變控制方式來求出。
[0203]本發(fā)明的掩模形成用組合物可以通過將含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物、分散介質(zhì)、有機(jī)粘合劑以及根據(jù)需要添加的成分使用摻合機(jī)(blender)、混合機(jī)、研缽或轉(zhuǎn)子(rotor)進(jìn)行混合而得到。另外，在混合時，可以根據(jù)需要進(jìn)行加熱。此時的加熱溫度例如可以設(shè)為30°C~100°C。
[0204]〈太陽能電池〉
[0205]太陽能電池包含I種以上的上述太陽能電池元件、并在太陽能電池元件的電極上配置布線材料而構(gòu)成。太陽能電池還可以根據(jù)需要借助布線材料連接多個太陽能電池元件、并利用密封材料進(jìn)行密封而構(gòu)成。
[0206]作為上述布線材料及密封材料，沒有特別限制，可以從本領(lǐng)域通常使用的材料中進(jìn)行適當(dāng)選擇。
[0207] 需要說明的是，對于日本申請2012-002635號的公開內(nèi)容，作為參照將其全體并入到本說明書中。[0208]本說明書中記載的全部文獻(xiàn)、專利申請以及技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，與具體且分別記載了各個文獻(xiàn)、專利申請和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的情況同程度地作為參照援引于本說明書中。
[0209]實(shí)施例
[0210]以下，對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行更具體地說明，但本發(fā)明并受這些實(shí)施例的限制。需要說明的是，在沒有特別說明的情況下，原料全部使用試劑。另外，在沒有特別說明的情況下是指“質(zhì)量％”。
[0211]另外，實(shí)施例中的含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的體積平均粒徑使用激光衍射散射法粒度粒徑分布測定裝置(Beckman Coulter, Inc.制造的LS 13 320),以分散狀態(tài)測定了粒徑。
[0212]〈實(shí)施例1>
[0213](掩模形成用組合物I的制備)
[0214]將碳酸鈣(RARE METALLIC C0.，Ltd.制造、純度99.99 %、體積平均粒徑1.8 μ m) 10g、溶解有 15 質(zhì)量％ 的乙基纖維素(The Dow Chemical Company 制造、STD200)的α -職品醇(Nippon Terpene Chemicals, Inc.制造)20g、α -職品醇25g混合，制備成掩模形成用組合物I。
[0215](雙面電極型太陽能電池的制作)
[0216]將切片(日文原文?.了 D V A ^ ) P型娃基板(Advantec制造)浸潰于20% NaOH水溶液中，在50°C下處理30分鐘，將損傷層除去。然后，浸潰于堿蝕刻液SUN-X600 (和光純藥工業(yè)制造)中，在60°C下處理30分鐘，在受光面?zhèn)刃纬杉y理結(jié)構(gòu)。
[0217]接著，利用絲網(wǎng)印刷在背面涂布掩模形成用組合物I。將其在150°C、50(TC下分別熱處理I分鐘，形成掩模層。按照0.1 lmg/cm2形成掩模層。
[0218]接著，放入管型擴(kuò)散爐中，通入含有氧氯化磷的N2-O2混合氣體，在850°C下熱處理30分鐘。然后，用10 % HNO3水溶液進(jìn)行清洗，之后，用5 % HF水溶液進(jìn)行清洗，將磷硅酸鹽玻璃及掩模層除去。
[0219]接著，利用等離子體增強(qiáng)(日文原文:7° 7 O增幅)化學(xué)蒸鍍法在受光面?zhèn)纫怨柰闅怏w、氨作為原料形成SiNx膜。SiNx膜的厚度為80nm。
[0220]接著，利用絲網(wǎng)印刷在受光面?zhèn)韧坎糀g電極用糊劑(杜邦制造)，并且利用絲網(wǎng)印刷在背面涂布Al電極用糊劑(PVGS制造)，在150°C下進(jìn)行干燥后，在800°C進(jìn)行燒成，制作成太陽能電池元件。發(fā)電特性使用太陽能電池評價系統(tǒng)(NF電路設(shè)計(jì)株式會社As-510-PV)來評價。轉(zhuǎn)換效率為16.0%。
[0221]〈實(shí)施例2>
[0222]代替實(shí)施例1記載的掩模形成用組合物I中的碳酸鈣而使用氧化鈣(高純度化學(xué)研究所制造、體積平均粒徑2.5 μ m)，除此以外，與實(shí)施例1同樣地制作太陽能電池元件。轉(zhuǎn)換效率為15.8%。
[0223]<實(shí)施例3>
[0224]制備碳酸鈣(RAREMETALLIC C0.，Ltd.、純度 99.99%、體積平均粒徑 1.8 μ m) 4g、α -萜品醇6g的溶液，用行星型球磨機(jī)進(jìn)行粉碎。將該溶液與溶解有12質(zhì)量％的乙基纖維素的α-萜品醇IOg混合，制備成掩模形成用組合物3。
[0225]除使用掩模形成用組合物3以外，與實(shí)施例1同樣地制作太陽能電池元件，并對其進(jìn)行評價。轉(zhuǎn)換效率為15.8%。
[0226]<實(shí)施例4>
[0227](背面電極型太陽能電池)
[0228]將B2O3 (高純度化學(xué)研究所制造、體積平均粒徑3.0 μ m) 2g、含有8質(zhì)量％的乙基纖維素的α -萜品醇溶液Sg在瑪瑙研缽中混合，制備成ρ型擴(kuò)散層形成用組合物。
[0229]將切片η型硅基板(Advantec制造)浸潰在20% NaOH水溶液中，在50°C下處理30分鐘，將損傷層除去。然后，僅將單面浸潰在堿蝕刻液SUN-X600 (和光純藥工業(yè)制造)中，在60°C下處理30分鐘，在受光面?zhèn)刃纬杉y理結(jié)構(gòu)。然后，僅將背面?zhèn)纫来谓⒃?0%HF,20% HN03>10% CH3COOH水溶液中，制成鏡面結(jié)構(gòu)。
[0230]接著，利用絲網(wǎng)印刷在背面的一部分和受光面涂布掩模形成用組合物I。將其在150 °C、500 °C下分別熱處理I分鐘，形成掩模層。按照0.1 lmg/cm2形成掩模層。
[0231]接著，在背面的未形成掩模層的部分絲網(wǎng)印刷ρ型擴(kuò)散層形成用組合物，在150°C下熱處理I分鐘，再在500°C下進(jìn)行I分鐘熱處理。將其放入管型擴(kuò)散爐中，邊通入N2氣邊在950°C熱處理30分鐘，形成ρ型擴(kuò)散層。接著，用10% HNOyK溶液進(jìn)行清洗，之后，用5% HF水溶液進(jìn)行清洗，將硼硅酸鹽玻璃及掩模層除去。
[0232]接著，利用絲網(wǎng)印刷在形成有ρ型擴(kuò)散層的部分涂布掩模形成用組合物1，將其在150°C、50(TC下分別熱處理I分鐘，形成掩模層。將其放入管型擴(kuò)散爐中，邊通入含有氧氯化磷氣體的O2-N2氣 體邊在850°C下熱處理30分鐘，形成η型擴(kuò)散層。接著，用10% HNO3水溶液進(jìn)行清洗，之后，用5% HF水溶液進(jìn)行清洗，將磷硅酸鹽玻璃及掩模層除去。
[0233]接著，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)蒸鍍法在受光面?zhèn)纫怨柰闅怏w、氨作為原料形成SiNx膜。SiNx膜的厚度為80nm。
[0234]接著，利用絲網(wǎng)印刷在背面的形成有ρ型擴(kuò)散層、η型擴(kuò)散層的硅基板表面涂布Ag電極用糊劑(杜邦制造)，在150°C下干燥后，在800°C下進(jìn)行燒成。最后，進(jìn)行焊料浸潰，完成太陽能電池。轉(zhuǎn)換效率為16.4%。
[0235]<實(shí)施例5>
[0236](雙面受光型太陽能電池)
[0237]將切片η型硅基板(Advantec制造)浸潰在20% NaOH水溶液中，在50°C下處理30分鐘，將損傷層除去。然后，浸潰在堿蝕刻液SUN-X600(和光純藥工業(yè)制造)中，在60°C下處理30分鐘，在受光面及背面?zhèn)刃纬杉y理結(jié)構(gòu)。
[0238]接著，利用絲網(wǎng)印刷在受光面涂布掩模形成用組合物I。將其在150°C、500°C下分別熱處理I分鐘，形成掩模層。按照0.1lmg/Cm2形成掩模層。
[0239]接著，在背面絲網(wǎng)印刷實(shí)施例4中制備出的ρ型擴(kuò)散層形成用組合物，在150°C下熱處理I分鐘，再在500°C下熱處理I分鐘。將其放入管型擴(kuò)散爐中，邊通入隊(duì)氣邊在950°C下熱處理30分鐘。接著，用10% HNO3水溶液進(jìn)行清洗，之后，用5% HF水溶液進(jìn)行清洗，將硼硅酸鹽玻璃及掩模層除去。
[0240]接著，利用絲網(wǎng)印刷在背面涂布掩模形成用組合物1，將其在150°C、50(TC下分別熱處理I分鐘，形成掩模層。將其放入管型擴(kuò)散爐中，邊通入含有氧氯化磷氣體的O2-N2氣體邊在850°C下熱處理30分鐘。接著，用10% HNO3水溶液進(jìn)行清洗，之后，用5% HF水溶液進(jìn)行清洗，將磷硅酸鹽玻璃及掩模層除去。[0241]接著，將硅基板放入管型擴(kuò)散爐，邊通入在超純水中鼓泡后的N2-O2氣體，邊在1000°C下進(jìn)行I小時熱處理，在兩面形成熱氧化膜。
[0242]接著，利用絲網(wǎng)印刷在兩面涂布Ag電極用糊劑(杜邦制造)，在150°C下干燥后，在800°C下進(jìn)行燒成。最后，利用焊料連接太陽能電池用極耳線(日立電線制造)，完成太陽能電池。轉(zhuǎn)換效率為14.4%。
[0243]<比較例1>
[0244]代替實(shí)施例1中的碳酸鈣而使用氧化硅(高純度化學(xué)制造、體積平均粒徑1.0 μ m、大致粒狀)，除此以外，與實(shí)施例1同樣地制作了太陽能電池。轉(zhuǎn)換效率為13.5%。
[0245]由以上可知，本發(fā)明能夠在半導(dǎo)體基板上容易且選擇性地形成摻雜區(qū)域，并且制得的太陽能電池元件顯示 出高轉(zhuǎn)換效率。具體而言，利用本發(fā)明的制造方法制造的實(shí)施例1~5的太陽能電池元件的轉(zhuǎn)換效率均顯示比比較例I的太陽能電池元件的轉(zhuǎn)換效率高
0.9%以上的轉(zhuǎn)換效率。
【權(quán)利要求】
1.一種太陽能電池用基板的制造方法，其包括: 在半導(dǎo)體基板的表面上形成含有金屬化合物的掩模層的工序，其中，所述金屬化合物含有堿土金屬或堿金屬；和 在所述半導(dǎo)體基板的未形成所述掩模層的區(qū)域形成擴(kuò)散層的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述太陽能電池用基板為在半導(dǎo)體基板的受光面及與該受光面相反的面即背面具有電極的雙面電極型太陽能電池用基板， 該太陽能電池用基板的制造方法包括: 在半導(dǎo)體基板的背面形成所述掩模層的工序； 在所述受光面形成η型擴(kuò)散層的工序；和 將所述背面的所述掩模層除去的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述太陽能電池用基板為僅在半導(dǎo)體基板的與受光面相反的面即背面具有電極的背面電極型太陽能電池用基板， 該太陽能電池用基板的制造方法包括: 在半導(dǎo)體基板的受光面的整面及背面的一部分形成第一所述掩模層的工序； 在所述背面的未形成所述第一掩模層的區(qū)域形成P型擴(kuò)散層的工序； 將所述受光面及所述背面的所述第一掩模層除去的工序； 在所述背面上的與形成所述P型擴(kuò)散層的區(qū)域不同的區(qū)域形成第二所述掩模層的工序; 在所述受光面及所述背面的未形成所述第二掩模層的區(qū)域形成η型擴(kuò)散層的工序；和 將所述背面的所述第二掩模層除去的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述太陽能電池用基板為能夠在半導(dǎo)體基板的兩面受光的雙面受光型太陽能電池用基板， 該太陽能電池用基板的制造方法包括: 在半導(dǎo)體基板的一個面即第一面的整面形成第一所述掩模層的工序； 在所述半導(dǎo)體基板的另一面即第二面形成P型擴(kuò)散層的工序； 將所述第一面的所述第一掩模層除去的工序； 在所述半導(dǎo)體基板的所述第二面的整面形成第二所述掩模層的工序； 在所述半導(dǎo)體基板的所述第一面形成η型擴(kuò)散層的工序；和 將所述第二面的所述第二掩模層除去的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求2~4中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，在將所述掩模層除去的工序中，利用酸水溶液除去所述掩模層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物包含選自鎂、鈣、鈉、鉀、鋰、銣、銫、鈹、鍶、鋇及鐳中的I種以上作為金屬元素。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，在形成所述掩模層的工序中，將含有所述含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物、分散介質(zhì)和有機(jī)粘合劑的掩模形成用組合物賦予到半導(dǎo)體基板并進(jìn)行加熱處理，形成所述掩模層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，在所述掩模形成用組合物的不揮發(fā)成分中，所述含有堿土金屬或堿金屬的金屬化合物的含有率為5質(zhì)量％以上且小于100質(zhì)量％。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述掩模層通過將所述掩模形成用組合物利用噴墨、分注或絲網(wǎng)印刷中的任一方法賦予到半導(dǎo)體基板來形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求2~9中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述η型擴(kuò)散層通過使用含有氧氯化磷的氣體來形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求2~9中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述η型擴(kuò)散層通過將含有磷化合物的組合物賦予到半導(dǎo)體基板并進(jìn)行加熱處理來形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述磷化合物為包含磷原子的玻璃粉末。
13.根據(jù)權(quán)利要求3~12中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述P型擴(kuò)散層通過使用含有溴化硼的氣體來形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求3~12中任一項(xiàng)所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述P型擴(kuò)散層通過將含有硼化合物的組合物賦予到半導(dǎo)體基板并進(jìn)行加熱處理來形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的太陽能電池用基板的制造方法，其中，所述硼化合物為含有硼原子的玻璃粉末。
16.一種太陽能電池元件的制造方法，其包括以下工序:在利用權(quán)利要求1~15中任一項(xiàng)所述的制造方法得到的太陽能電池用基板的擴(kuò)散層上形成電極。
【文檔編號】H01L31/18GK104025306SQ201380004639
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年1月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月10日
【發(fā)明者】織田明博, 吉田誠人, 野尻剛, 倉田靖, 巖室光則 申請人:日立化成株式會社