包括直接管芯安裝的發(fā)光二極管（led)陣列和相關(guān)組件的制作方法
【專利摘要】一種電子設(shè)備可以包括具有封裝面的封裝襯底，并且所述封裝襯底可以包括所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)。多個(gè)發(fā)光二極管可以電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底的封裝面，所述多個(gè)發(fā)光二極管電耦接在所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間?？梢栽谒龆鄠€(gè)發(fā)光二極管上以及所述封裝襯底的封裝面上提供連續(xù)的光學(xué)涂層，從而所述多個(gè)發(fā)光二極管在所述光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間。限定由所述連續(xù)的光學(xué)涂層所覆蓋的封裝面的區(qū)域限定光學(xué)區(qū)域，并且所述多個(gè)發(fā)光二極管可以配置為產(chǎn)生至少20流明每平方毫米光學(xué)區(qū)域，同時(shí)傳遞由所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的多個(gè)發(fā)光二極管消耗的至少100流明/瓦的功率。
【專利說(shuō)明】包括直接管芯安裝的發(fā)光二極管（LED)陣列和相關(guān)組件 [0001] 相關(guān)應(yīng)用
[0002] 本申請(qǐng)作為提交于2011年2月14日的題目為"Light Emitting Diode (LED) Arrays Including Direct Die Attach And Related Assemblies" 美國(guó)申請(qǐng) No· lV〇27, 006的部分延續(xù)申請(qǐng)（CIP)要求優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)作為提交于2011年1月31日 的題目為 Horizontal Light Emitting Diodes Including Phosphor Particles· 〃的美 國(guó)申請(qǐng)No. 13/018,013的部分延續(xù)申請(qǐng)（CIP)要求優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)還要求提交于2012年 1月20日的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)No. 61/589, 173的優(yōu)先權(quán)。因此，通過(guò)引用將上面提及的所有申 請(qǐng)的公開(kāi)的完整結(jié)合在此。
【背景技術(shù)】
[0003]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件及組件和其制造方法，并且更具體地，涉及半導(dǎo)體發(fā) 光二極管（LED)和其組件。
[0004]半導(dǎo)體LED是眾所周知的在給其施加電壓之后能夠產(chǎn)生光的固態(tài)發(fā)光元件。LED 一般地包括二極管區(qū)域，該二極管區(qū)域具有第一和第二相對(duì)面，并且其中包括N型層、p型 層和PN結(jié)。陽(yáng)極觸點(diǎn)電阻地接觸所述p型層，并且陰極觸點(diǎn)電阻地接觸所述n型層。該 二極管區(qū)域可以被外延地形成在襯底上，諸如藍(lán)寶石、硅、碳化硅、砷化鎵、氮化鎵等生長(zhǎng)襯 底，但是完成的器件可能不包括襯底。該二極管區(qū)域可以由，例如，基于碳化硅、氮化鎵、磷 化鎵、氮化鋁和/或砷化鎵的材料和/或基于有機(jī)半導(dǎo)體的材料制造而成。最后， LED發(fā)射 的光可以在可見(jiàn)或者紫外（UV)區(qū)域，并且LED可以結(jié)合有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料諸如熒光體。
[0005] LED正被越來(lái)越多地用于發(fā)光/照明應(yīng)用中，其目標(biāo)是提供對(duì)普遍存在的白熾光 燈泡的取代。
[0006] LED正被越來(lái)越多地用于發(fā)光/照明應(yīng)用，其目標(biāo)是提供對(duì)普遍存在的白熾和熒 光燈的取代。為了完成以LHI照明取代傳統(tǒng)照明的目標(biāo)，LED照明的設(shè)計(jì)者面臨緊迫的空 間、能量效率和光通量輸出要求。這些要求使得LED設(shè)計(jì)者生產(chǎn)不同布置的LED陣列。典型 的LED布置涉及使用線接合。由于機(jī)械或者制造限制和例如由于線接合焊盤(pán)產(chǎn)生的光吸收 問(wèn)題，使用線接合對(duì)可被封裝在一起的單獨(dú)led芯片的密度產(chǎn)生了限制。使用單片LED芯 片陣列可以解決與線接合焊盤(pán)有關(guān)的某些問(wèn)題，但是單片LED芯片可能增加提高的成本、 受限制形狀和減少的產(chǎn)量。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]本發(fā)明的某些實(shí)施例可以提供具有用于各種應(yīng)用，諸如，更高電壓的應(yīng)用的LED 陣列的小面積LED，其中LED芯片焊接區(qū)域被更有效地用于平衡保持提供制造簡(jiǎn)易性的芯 片間隔、改進(jìn)的產(chǎn)量和/或較少的光吸收以便提供更有效的和/或改進(jìn)光輸出的實(shí)際方面。 取決于空間要求和所希望的操作電壓，封裝的LED陣列可以提供不同的串行/并行配置。 封裝的LED陣列可以使用被個(gè)別選擇和/或回流焊接到封裝襯底的無(wú)線接合 LED。在某些 實(shí)施例中，封裝襯底包括小的導(dǎo)電島，并且LED芯片可以橋接該較小的導(dǎo)電島，以便串聯(lián)地 電耦接LED芯片。封裝襯底可以包括較大的導(dǎo)電島或連續(xù)的導(dǎo)電焊盤(pán)，以便并聯(lián)地電耦接 LED芯片。在某些實(shí)施例中，可以使用不同尺寸和/或形狀的導(dǎo)電焊盤(pán)或者島，以便提供所 希望形狀的LED陣列的所希望的串聯(lián)和/或并聯(lián)配置。
[0008] 根據(jù)某些實(shí)施例，一種電子設(shè)備可以包括具有封裝面的封裝襯底，該封裝襯底包 括該封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)。多個(gè)發(fā)光二極管可以電和機(jī)械地耦接到封裝襯底的封裝 面，所述多個(gè)發(fā)光二極管被電耦接在封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間。另外，可以在所述多個(gè) 發(fā)光二極管以及封裝襯底的封裝面上上提供連續(xù)的光學(xué)涂層，因此所述多個(gè)發(fā)光二極管在 所述光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間，并且以所述連續(xù)的光學(xué)涂層所覆蓋的封裝面的面積限 定視覺(jué)面積。更具體地，所述多個(gè)發(fā)光二極管可以配置為產(chǎn)生至少2〇流明每平方毫米視覺(jué) 面積，同時(shí)傳遞所述連續(xù)光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的多個(gè)發(fā)光二極管消耗的至少100 流明/瓦的功率。更具體地，所述多個(gè)發(fā)光二極管可以配置為產(chǎn)生至少 25流明每平方毫米 視覺(jué)面積，同時(shí)傳遞消耗的至少100流明/瓦的功率，和/或權(quán)利要求1的電子設(shè)備，其中 所述視覺(jué)面積在大約20平方毫米到大約200平方毫米的范圍內(nèi)。
[0009] 所述多個(gè)發(fā)光二極管可以包括所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的至少2 個(gè)發(fā)光二極管，所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的至少 6個(gè)發(fā)光二極管，所述連 續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的至少16個(gè)發(fā)光二極管，所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述 封裝襯底之間的至少72個(gè)發(fā)光二極管，所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的至少 98個(gè)發(fā)光二極管，所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的至少192個(gè)發(fā)光二極管，或 甚至所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的至少200個(gè)發(fā)光二極管。
[0010] 所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)沒(méi)有線接合。例如，所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè) 可以包括使用物理地定位在陽(yáng)極觸點(diǎn)和封裝襯底之間的第一金屬接合（例如第一焊料接 合）電和機(jī)械地耦接到封裝襯底的陽(yáng)極觸點(diǎn)，以及使用物理地定位在陰極觸點(diǎn)和封裝襯底 之間的第二金屬接合（例如第二焊料接合）電和機(jī)械地耦接到封裝襯底的陰極觸點(diǎn)。更具 體地，所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)可以包括具有第一和第二相對(duì)面的二極管區(qū)域，其 中包括N型層、P型層電阻地接觸所述P型層，以及在所述第一面上延伸的陽(yáng)極觸點(diǎn)，電阻 地接觸所述N型層并且在所述第一面上延伸的陰極觸點(diǎn)，和所述二極管區(qū)域的第二面上的 支撐襯底，所述二極管區(qū)域在所述支撐襯底和所述陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)之間，所述支撐襯底具 有至少大約50微米的厚度。另外，對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)，所述二極管區(qū)域 可以在所述支撐襯底和所述封裝襯底之間。
[0011] 所述連續(xù)的光學(xué)涂層包括其中包括熒光體材料的透明和/或半透明材料層。另 夕卜，所述連續(xù)的光學(xué)涂層相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面的厚度可以大于所述多個(gè)發(fā)光二極 管中的每一個(gè)相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面的厚度，并且所述連續(xù)的光學(xué)涂層的與所述封 裝襯底相對(duì)的表面在包括所述多個(gè)發(fā)光二極管的區(qū)域之上可以大體為平面。
[0012] 所述封裝襯底還可以具有與所述封裝面相對(duì)的背側(cè)面。另外，所述封裝襯底還可 以包括通過(guò)所述封裝襯底中的第一導(dǎo)電通孔電耦接到正導(dǎo)電焊盤(pán)的第一背側(cè)觸點(diǎn)，以及通 過(guò)所述封裝襯底中的第二導(dǎo)電通孔電耦接到負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)的第二背側(cè)觸點(diǎn)。另外，所述封裝 襯底可以包括氮化鋁襯底和所述背側(cè)面上的金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)。所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)可以與所述 第一和第二背側(cè)觸點(diǎn)電隔離，并且所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)可以在相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面 垂直的方向上與所述多個(gè)發(fā)光二極管對(duì)齊。
[0013] 所述多個(gè)發(fā)光二極管可以包括串聯(lián)地電耦接在正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第一發(fā)光二 極管串，以及串聯(lián)地電耦接在正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第二發(fā)光二極管串。另外，第一串中的兩 個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)可以電耦接到第二串中的兩個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)，并且所述 多個(gè)發(fā)光二極管中的至少一個(gè)可以使用不多于一個(gè)線接合電耦接到所述封裝襯底。
[0014] 所述連續(xù)的光學(xué)涂層可以包括其中包括不同的第一和第二熒光體材料的透明和/ 或半透明材料層，所述第一和第二熒光體材料配置為發(fā)射不同波長(zhǎng)的光。
[0015] 所述多個(gè)發(fā)光二極管可以配置為產(chǎn)生至少20流明每平方毫米光學(xué)區(qū)域，同時(shí)傳 遞由所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的多個(gè)發(fā)光二極管消耗的至少100流明/瓦 的功率，并且同時(shí)從所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的所述多個(gè)發(fā)光二極管傳遞 至少600絕對(duì)流明、至少800流明、至少1100流明、或甚至至少1500流明。
[0016] 所述多個(gè)發(fā)光二極管可以包括所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的第一 和第二發(fā)光二極管，所述第一和第二發(fā)光二極管被以范圍為大約20微米到大約500微米的 距離間隔開(kāi)。
[0017] 根據(jù)某些其它實(shí)施例，一種電子設(shè)備可以包括具有封裝面的封裝襯底，所述封裝 襯底包括所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)。多個(gè)發(fā)光二極管可以電和機(jī)械地耦接到所述封裝 襯底的封裝面，所述多個(gè)發(fā)光二極管電耦接在所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間?？梢栽?所述多個(gè)發(fā)光二極管上以及所述封裝襯底的封裝面上提供連續(xù)的光學(xué)涂層，從而所述多個(gè) 發(fā)光二極管在所述光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間。所述連續(xù)的光學(xué)涂層相對(duì)于所述封裝 襯底的封裝面的厚度可以大于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)相對(duì)于所述封裝襯底的封 裝面的厚度，并且所述連續(xù)的光學(xué)涂層的與所述封裝襯底相對(duì)的表面在包括所述多個(gè)發(fā)光 二極管的區(qū)域之上可以大體為平面，并且所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少一個(gè)可以沒(méi)有線接 合。
[0018] 限定由所述連續(xù)的光學(xué)涂層所覆蓋的封裝面的區(qū)域限定光學(xué)區(qū)域，并且所述多個(gè) 發(fā)光二極管可以配置為產(chǎn)生至少20流明每平方毫米光學(xué)區(qū)域，同時(shí)傳遞由所述連續(xù)的光 學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的多個(gè)發(fā)光二極管消耗的至少1〇〇流明/瓦的功率。
[0019] 所述多個(gè)發(fā)光二極管可以包括至少2個(gè)發(fā)光二極管、至少6個(gè)發(fā)光二極管、至少16 個(gè)發(fā)光二極管、至少72個(gè)發(fā)光二極管、至少98個(gè)發(fā)光二極管、至少108個(gè)發(fā)光二極管、至少 192個(gè)發(fā)光二極管或甚至至少200個(gè)發(fā)光二極管。所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)可以包括 使用定位在陽(yáng)極觸點(diǎn)和封裝襯底之間的第一金屬接合電和機(jī)械地耦接到封裝襯底的陽(yáng)極 觸點(diǎn)，以及使用定位在陰極觸點(diǎn)和封裝襯底之間的第二金屬接合電和機(jī)械地耦接到封裝襯 底的陰極觸點(diǎn)。
[0020] 所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)可以包括具有第一和第二相對(duì)面的二極管區(qū)域， 其中包括N型層，P型層，電阻地接觸所述P型層并且在所述第一面上延伸的陽(yáng)極觸點(diǎn)，電 阻地接觸所述N型層并且在所述第一面上延伸的陰極觸點(diǎn)，以及所述二極管區(qū)域的第二面 上的支撐襯底。另外，所述二極管區(qū)域可以在所述支撐襯底和所述陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)之間，并 且所述支撐襯底可以具有至少大約 5〇微米的厚度。對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)， 所述二極管區(qū)域可以在所述支撐襯底和所述封裝襯底之間。所述連續(xù)的光學(xué)涂層可以包括 其中包括熒光體材料的透明和/或半透明材料層。
[0021] 所述封裝襯底可以具有與所述封裝面相對(duì)的背側(cè)面，并且所述封裝襯底還可以包 括通過(guò)第一導(dǎo)電通孔電耦接到正導(dǎo)電焊盤(pán)的第一背側(cè)觸點(diǎn)，以及通過(guò)第二導(dǎo)電通孔電耦接 到負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)的第二背側(cè)觸點(diǎn)。所述封裝襯底可以包括導(dǎo)熱并且電絕緣的材料以及所述背 側(cè)面上的金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)。所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)可以與所述第一和第二背側(cè)觸點(diǎn)電隔離，并且 所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)可以在相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面垂直的方向上與所述多個(gè)發(fā)光二 極管對(duì)齊。
[0022] 所述多個(gè)發(fā)光二極管可以包括串聯(lián)地電耦接在正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第一發(fā)光二 極管串，以及串聯(lián)地電耦接在正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第二發(fā)光二極管串。第一串中的兩個(gè)發(fā) 光二極管之間的節(jié)點(diǎn)可以電耦接到第二串中的兩個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)，并且所述多個(gè) 發(fā)光二極管中的至少一個(gè)可以沒(méi)有線接合。
[0023] 所述連續(xù)的光學(xué)涂層可以包括其中包括不同的第一和第二熒光體材料的透明和/ 或半透明材料層，所述第一和第二熒光體材料配置可以配置為發(fā)射不同波長(zhǎng)的光。另外，一 個(gè)壩狀物可以圍繞所述多個(gè)發(fā)光二極管，所述連續(xù)的光學(xué)涂層被限制在所述壩狀物內(nèi)。
[0024] 根據(jù)其它實(shí)施例，一種電子設(shè)備可以包括具有封裝面的封裝襯底，所述封裝襯底 包括所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)。多個(gè)發(fā)光二極管可以電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底 的封裝面，所述多個(gè)發(fā)光二極管電耦接在所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間。所述多個(gè)發(fā) 光二極管可以包括串聯(lián)地電耦接在正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第一發(fā)光二極管串，以及串聯(lián)地電 耦接在正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第二發(fā)光二極管串。第一串中的兩個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)可 以電耦接到第二串中的兩個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)，并且所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少一 個(gè)可以使用不多于一個(gè)線接合電耦接到所述封裝襯底。
[0025] 可以在所述多個(gè)發(fā)光二極管上以及所述封裝襯底的封裝面上提供連續(xù)的光學(xué)涂 層，從而所述多個(gè)發(fā)光二極管在所述光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間。限定由所述連續(xù)的光 學(xué)涂層所覆蓋的封裝面的區(qū)域限定光學(xué)區(qū)域，并且所述多個(gè)發(fā)光二極管可以配置為產(chǎn)生至 少20流明每平方毫米光學(xué)區(qū)域，同時(shí)傳遞由所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的 多個(gè)發(fā)光二極管消耗的至少100流明/瓦的功率。
[0026] 所述多個(gè)發(fā)光二極管可以包括至少2個(gè)發(fā)光二極管、至少6個(gè)發(fā)光二極管、至少16 個(gè)發(fā)光二極管、至少72個(gè)發(fā)光二極管、至少98個(gè)發(fā)光二極管、至少108個(gè)發(fā)光二極管、至少 192個(gè)發(fā)光二極管或甚至至少200個(gè)發(fā)光二極管。另外，所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)可以 沒(méi)有線接合。
[0027] 所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)可以包括使用物理地定位在陽(yáng)極觸點(diǎn)和封裝襯底 之間的第一金屬接合電和機(jī)械地耦接到封裝襯底的陽(yáng)極觸點(diǎn)，以及使用物理地定位在陰極 觸點(diǎn)和封裝襯底之間的第二金屬接合電和機(jī)械地耦接到封裝襯底的陰極觸點(diǎn)。
[0028] 所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)可以包括具有第一和第二相對(duì)面的二極管區(qū)域， 其中包括N型層，P型層，電阻地接觸所述P型層并且在所述第一面上延伸的陽(yáng)極觸點(diǎn)，電 阻地接觸所述N型層并且在所述第一面上延伸的陰極觸點(diǎn)，以及所述二極管區(qū)域的第二面 上的支撐襯底。更具體地，所述二極管區(qū)域可以在所述支撐襯底和所述陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)之 間，并且所述支撐襯底可以具有至少大約50微米的厚度。對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每 一個(gè)，所述二極管區(qū)域可以在所述支撐襯底和所述封裝襯底之間。
[0029] 所述連續(xù)的光學(xué)涂層可以包括其中包括熒光體材料的透明和/或半透明材料層。 所述連續(xù)的光學(xué)涂層相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面的厚度可以大于所述多個(gè)發(fā)光二極管 中的每一個(gè)相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面的厚度，并且所述連續(xù)的光學(xué)涂層的與所述封裝 襯底相對(duì)的表面在包括所述多個(gè)發(fā)光二極管的區(qū)域之上可以大體為平面。
[0030]所述封裝襯底可以具有與所述封裝面相對(duì)的背側(cè)面。所述封裝襯底還可以包括通 過(guò)所述封裝襯底中的第一導(dǎo)電通孔電耦接到正導(dǎo)電焊盤(pán)的第一背側(cè)觸點(diǎn)，以及通過(guò)所述封 裝襯底中的第二導(dǎo)電通孔電耦接到負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)的第二背側(cè)觸點(diǎn)。所述封裝襯底可以包括氮 化鋁襯底和所述背側(cè)面上的金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)將所述第一和第二背側(cè)觸點(diǎn) 電隔離開(kāi)。另外，所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)可以在相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面垂直的方向上與 多個(gè)發(fā)光二極管對(duì)齊。
[0031] 另外，所述連續(xù)的光學(xué)涂層可以包括其中包括不同的第一和第二熒光體材料的透 明和/或半透明材料的層，其中所述第一和第二熒光體材料配置為發(fā)射不同波長(zhǎng)的光。
[0032] 根據(jù)其它實(shí)施例，一種電子設(shè)備可以包括具有封裝面的封裝襯底，所述封裝襯底 包括所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)。多個(gè)發(fā)光二極管可以電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底 的封裝面，并且所述多個(gè)發(fā)光二極管可以電耦接在所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間。另 夕卜，所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)可以具有范圍為大約2. 5伏到大約3. 5伏的正向壓降， 所述多個(gè)發(fā)光二極管可以配置為提供至少大約36伏的所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的組合的正 向壓降，并且所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少一個(gè)可以沒(méi)有線接合。
[0033] 所述多個(gè)發(fā)光二極管可以包括至少2個(gè)串聯(lián)地電耦接的發(fā)光二極管，至少6個(gè)串 聯(lián)地電耦接的發(fā)光二極管，至少16個(gè)串聯(lián)地電耦接的發(fā)光二極管，至少72個(gè)串聯(lián)地電耦接 的發(fā)光二極管，至少98個(gè)串聯(lián)地電耦接的發(fā)光二極管，至少108個(gè)串聯(lián)地電耦接的發(fā)光二 極管，至少192個(gè)串聯(lián)地電耦接的發(fā)光二極管，或甚至至少200個(gè)串聯(lián)地電耦接的發(fā)光二極 管。例如，所述多個(gè)發(fā)光二極管可以包括串聯(lián)地電耦接在所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的至少70 個(gè)發(fā)光二極管，并且所述多個(gè)發(fā)光二極管可以配置為提供至少大約200伏的所述正負(fù)導(dǎo)電 焊盤(pán)之間的組合的正向壓降。另外，所述多個(gè)發(fā)光二極管可以包括串聯(lián)地電耦接在所述正 負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的至少75個(gè)發(fā)光二極管，并且所述多個(gè)發(fā)光二極管可以配置為提供至少 大約220伏的所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的組合的正向壓降。
[0034] 所述封裝襯底可以包括多個(gè)導(dǎo)電島，所述導(dǎo)電島提供所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的所 述多個(gè)發(fā)光二極管中的相應(yīng)發(fā)光二極管之間的電耦接。所述導(dǎo)電島和所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)可 以限定所述封裝襯底上的圍繞所述多個(gè)發(fā)光二極管的反射區(qū)域，并且所述導(dǎo)電島中的至少 一個(gè)可以延伸到所述反射區(qū)域的與所述正和/或負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)中的一個(gè)相鄰的邊緣，在它們 之間限定電隔離間隙。所述導(dǎo)電島中的至少一個(gè)可以包括第一導(dǎo)電島，并且所述導(dǎo)電島中 的第二個(gè)導(dǎo)電島可以延伸到所述反射區(qū)域的與所述第一導(dǎo)電島相鄰的邊緣，在第一和第二 導(dǎo)電島之間限定電隔離間隙。
[0035] 所述封裝襯底可以包括多個(gè)導(dǎo)電島，所述導(dǎo)電島提供所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的所 述多個(gè)發(fā)光二極管中的相應(yīng)發(fā)光二極管之間的電耦接。所述封裝襯底可以包括與所述多個(gè) 導(dǎo)電島中的至少一個(gè)相鄰并且與所述正和/或負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)中的至少一個(gè)相鄰的導(dǎo)電反射 器層。所述導(dǎo)電島、導(dǎo)電反射器和所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)可以限定所述封裝襯底上的圍繞所述 多個(gè)發(fā)光二極管的反射區(qū)域，并且所述導(dǎo)電反射器可以與所述正導(dǎo)電焊盤(pán)、所述負(fù)導(dǎo)電焊 盤(pán)和所述多個(gè)導(dǎo)電島中的每一個(gè)導(dǎo)電島中的每一個(gè)電隔離。
[0036] 所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少兩個(gè)發(fā)光二極管可以并聯(lián)地電耦接在所述正負(fù)導(dǎo) 電焊盤(pán)之間，和/或所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少兩個(gè)串可以并聯(lián)地電耦接在所述正負(fù)導(dǎo) 電焊盤(pán)之間。所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)可以包括使用物理地定位在陽(yáng)極觸點(diǎn)和封裝襯 底之間的第一金屬接合電和機(jī)械地耦接到封裝襯底的陽(yáng)極觸點(diǎn)，以及使用物理地定位在陰 極觸點(diǎn)和封裝襯底之間的第二金屬接合電和機(jī)械地耦接到封裝襯底的陰極觸點(diǎn)。
[0037] 所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)可以包括具有第一和第二相對(duì)面的二極管區(qū)域， 其中包括N型層，P型層，電阻地接觸所述P型層并且在所述第一面上延伸的陽(yáng)極觸點(diǎn)，電 阻地接觸所述N型層并且在所述第一面上延伸的陰極觸點(diǎn)，以及所述二極管區(qū)域的第二面 上的支撐襯底。另外，所述二極管區(qū)域可以在所述支撐襯底和所述陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)之間，并 且所述支撐襯底可以具有至少大約50微米的厚度。
[0038] 另外，可以在所述多個(gè)發(fā)光二極管上提供連續(xù)的光學(xué)涂層。所述連續(xù)的光學(xué)涂層 可以包括其中包括熒光體材料的透明和/或半透明材料層，并且所述連續(xù)的光學(xué)涂層相對(duì) 于所述封裝襯底的封裝面的厚度可以大于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)相對(duì)于所述封 裝襯底的封裝面的厚度。所述連續(xù)的光學(xué)涂層的與所述封裝襯底相對(duì)的表面可以在包括所 述多個(gè)發(fā)光二極管的區(qū)域之上大體為平面。另外，一個(gè)壩狀物可以圍繞所述多個(gè)發(fā)光二極 管，所述連續(xù)的光學(xué)涂層被限制在所述壩狀物內(nèi)。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0039] 圖1和2是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例的LED和封裝的LH)的橫截面圖。
[0040] 圖3A、3B和3C分別是根據(jù)圖1或者2的實(shí)施例的LED的俯視圖、橫截面圖和仰視 圖。
[0041] 圖4和5示出了根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例的圖1-3的襯底的幾何形狀。
[0042] 圖6A是根據(jù)圖1-4的各種實(shí)施例的其上安裝有LED的子基板的照片。
[0043] 圖6B是根據(jù)圖1-4的各種實(shí)施例的封裝的LED的照片。
[0044] 圖7A和7B是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，并聯(lián)地電耦接在子基板上的封裝的LED 管芯陣列的相應(yīng)平面圖和橫截面圖。
[0045] 圖8A和8B是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，并聯(lián)地電耦接在包括交錯(cuò)的陰極和陽(yáng) 極焊盤(pán)的子基板上的封裝的led管芯陣列的相應(yīng)平面圖和橫截面圖。
[0046] 圖9A和9B是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，并聯(lián)地電耦接在子基板上的徑向布置 的LED管芯陣列的相應(yīng)平面圖和橫截面圖。
[0047] 圖10A和10B是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，并聯(lián)地電耦接在包括交錯(cuò)的電極的 子基板上的封裝的LED管芯陣列的相應(yīng)平面圖和橫截面圖。
[0048] 圖11A是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，包括用于LED管芯陣列的陰極和陽(yáng)極焊盤(pán) 的子基板的平面圖。
[0049] 圖11B是并聯(lián)地電耦接在圖11B的子基板上的LED管芯陣列的平面圖。
[0050] 圖12A是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，包括用于LED管芯陣列的交錯(cuò)的陰極和陽(yáng) 極焊盤(pán)的子基板的平面圖。
[0051] 圖12B是并聯(lián)地電親接在圖12B的子基板上的LED管芯陣列的平面圖。
[0052] 圖12C是圖12B的陣列中的LED管芯列的橫截面圖。
[0053] 圖13A是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，包括用于LED管芯陣列的交錯(cuò)的陰極和陽(yáng) 極焊盤(pán)的子基板的平面圖。
[0054] 圖13B是并聯(lián)地電耦接在圖13A的子基板上的LED管芯陣列的平面圖。
[0055] 圖14A是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，包括用于LED管芯陣列的陰極、島和陽(yáng)極焊 盤(pán)的子基板的平面圖。
[0056] 圖14B是串聯(lián)地電耦接在圖14B的子基板上的LED管芯陣列的平面圖。
[0057] 圖14C是圖14B的陣列中的LED管芯列的橫截面圖。
[0058] 圖15A是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，包括用于LH)管芯陣列的陰極、島和陽(yáng)極焊 盤(pán)的子基板的平面圖。
[0059] 圖15B是串聯(lián)地電耦接在圖15B的子基板上的LED管芯陣列的平面圖。
[0060] 圖16A是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，包括用于LED管芯陣列的陰極、島和陽(yáng)極焊 盤(pán)的子基板的平面圖。
[0061] 圖16B是具有串聯(lián)地電耦接在圖16B的子基板上的偏移行的LH)管芯陣列的平面 圖。
[0062] 圖17A是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，包括用于LED管芯陣列的陰極、島和陽(yáng)極焊 盤(pán)的子基板的平面圖。
[0063] 圖17B是串聯(lián)地電耦接在圖17B的子基板上的具有對(duì)準(zhǔn)的行和列的LED管芯陣列 的平面圖。
[0064] 圖18是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，具有連續(xù)并且共形的熒光體層的LH)管芯陣 列的橫截面圖。
[0065] 圖19是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，具有al的LED管芯陣列的橫截面圖。
[0066]圖20是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例的LED管芯陣列的橫截面圖，所述陣列上具有 包含熒光體層的壩狀物。
[0067]圖21A是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，具有子基板上的公共封裝透鏡的包括16個(gè) LED管芯的LED組件的照片，并且圖21B是沒(méi)有封裝透鏡的圖21A的組件的照片。
[0068] 圖22A是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，包括用于串行連接的LED管芯的陣列的導(dǎo) 電焊盤(pán)的子基板的照片，并且圖22B、22C和22D是包括圖22A的子基板的LH)組件的照片。 [0069] 圖23A、23B和23C是根據(jù)此處描述的附加實(shí)施例，LED (發(fā)光二極管）封裝子基板 (具有以毫米示出的尺寸）的相應(yīng)的上側(cè)、邊緣和底側(cè)視圖。
[0070] 圖23D是圖23A、23B和23C的子基板的放大的橫截面視圖，示出了根據(jù)此處描述 的實(shí)施例的上側(cè)和底側(cè)金屬化的尺寸。
[0071] 圖23E是根據(jù)此處描述的實(shí)施例，提供圖23A-23D的材料和尺寸的圖例的表。 [0072]圖24是根據(jù)此處描述的實(shí)施例，填充有 75個(gè)串行連接的LED的圖23A-23E的子 基板的放大的俯視圖。
[0073]圖25是示出了根據(jù)圖24填充有LED的根據(jù)圖23A-2：3E的子基板陣列的照片。 [0074]圖26是示出了根據(jù)圖24填充有LED的其上具有根據(jù)圖19的透鏡（沒(méi)有熒光體 層）的子基板的照片。
[0075]圖27是示出了根據(jù)圖23A_23E的填充有根據(jù)圖 24的LED的其上具有根據(jù)圖19 的熒光體層的子基板陣列的照片。
[0076]圖28是示出了填充有根據(jù)圖Μ的LED的其上具有根據(jù)圖19的熒光體層和透鏡 的子基板的照片。
[0077]圖29A、29B和29C是根據(jù)此處描述的附加實(shí)施例，LED (發(fā)光二極管）封裝子基板 (以毫米示出尺寸）的相應(yīng)的上側(cè)、邊緣和底側(cè)視圖。
[0078]圖29D是圖29A、29B和29C的子基板的放大的橫截面視圖，示出了根據(jù)此處描述 的實(shí)施例的上側(cè)和底側(cè)金屬化的尺寸。
[0079]圖2呢是根據(jù)此處描述的實(shí)施例，提供圖29A-29D的材料和尺寸的圖例的表。 [0080] 圖3〇A是根據(jù)此處描述的實(shí)施例，圖29A-29E的子基板的放大的俯視圖。
[0081]圖3〇B示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例，填充有12個(gè)串行連接的LED的6個(gè)串的圖 29A-29E的子基板。
[0082]圖30C是根據(jù)此處描述的實(shí)施例,填充有LED的圖30A的子基板的中心部分的被 極大地放大的圖。
[0083]圖3!A、31B和31C是根據(jù)此處描述的附加實(shí)施例,LED(發(fā)光二極管）封裝子基板 (以毫米示出尺寸）的相應(yīng)的上側(cè)、邊緣和底側(cè)視圖。
[0084]圖31D是圖31A、31B和31C的子基板的放大的橫截面視圖，示出了根據(jù)此處描述 的實(shí)施例的上側(cè)和底側(cè)金屬化的尺寸。
[0085]圖31E是根據(jù)此處描述的實(shí)施例,提供圖31A-31D的材料和尺寸的圖例的表。 [0086]圖32A是根據(jù)此處描述的實(shí)施例，圖31A-31E的子基板的放大的俯視圖。
[0087]圖3?示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例,填充有72個(gè)LED的圖31A-31E的子基板。 [0088]圖32C是根據(jù)此處描述的實(shí)施例，填充有72個(gè)LED的圖32A的子基板的中心部分 的被極大地放大的圖。
[0089^圖33A、33B和33C是根據(jù)此處描述的附加實(shí)施例，LED (發(fā)光二極管）封裝子基板 (以毫米示出尺寸）的相應(yīng)的上側(cè)、邊緣和底側(cè)視圖。
[0090]圖33〇是圖33A、33B和33C的子基板的放大的橫截面視圖，示出了根據(jù)此處描述 的實(shí)施例的上側(cè)和底側(cè)金屬化的尺寸。
[0091]圖33E是根據(jù)此處描述的實(shí)施例，提供圖33A-33D的材料和尺寸的圖例的表。 [0092]圖34A是根據(jù)此處描述的實(shí)施例，圖33A-33E的子基板的放大的俯視圖。
[0093]圖34B示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例，填充有1〇8個(gè)LED的圖 33A-33E的子基板。 [0094]圖34C是根據(jù)此處描述的實(shí)施例，填充有1〇8個(gè)LED的圖 34A的子基板的中心部 分的極大地放大的圖。
[0095]圖35是示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例，圖31A_31D和 32A-32C的器件的LED U1 到La36和Lbl到Lb36的電耦接的示意圖。
[00%]圖36A是示出了根據(jù)此處描述的實(shí)施例，圖29A_29E和3〇A_ 3〇c的器件的LED ω 到 Lal2, Lbl 到 Lbl2, Lcl 到 Lcl2, Ldl 到 Ldl2, Lei 到 Lel2 和 Lfl 到 Lfl2 的電鍋接的示意 圖。
[0097]圖36B、36C和是根據(jù)此處描述的實(shí)施例，示出了圖29A_ 29E和3〇A-3〇c的LED 的替換電耦接的示意圖。
【具體實(shí)施方式】 _8]現(xiàn)在將更全醜參考酬描述本發(fā)明，在附圖中示出了各種實(shí)施例。然而，本發(fā)明 可以許多不同形式表述，并且不應(yīng)該被認(rèn)為局限于此處闡述的示例性實(shí)施例。而是，提供這 些實(shí)施例從而本公開(kāi)將是徹底和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整地傳達(dá)本發(fā)明的范 圍。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，層和區(qū)域的大小和相對(duì)大小可被夸大。在所有圖中，類似的 數(shù)字指示類似的元件。
[0099] 應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)元件諸如層、區(qū)域或者襯底被稱為在另一個(gè)元件"上"時(shí)，它可以 直接在另一個(gè)元件上，或是還可以存在中間元件。此外，此處可以使用相對(duì)術(shù)語(yǔ)諸如〃之下 〃或者〃重疊〃，以便描述一個(gè)層或者區(qū)域相對(duì)于圖中所示的襯底或者基層與另一個(gè)層或者 區(qū)域的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，除了圖中所示的定向之外，這些術(shù)語(yǔ)旨在包括器件的不同定向。最 后術(shù)語(yǔ)〃直接〃的含義是不存在中間元件。如本文中使用的，術(shù)語(yǔ)〃和/或〃包括被相關(guān) 聯(lián)列出的項(xiàng)目中的一個(gè)或多個(gè)的任意和所有組合，并且可被縮寫(xiě)為〃/〃。
[0100] 應(yīng)當(dāng)理解,雖然術(shù)語(yǔ)第一、第二等等在此處可被用于描述各種元件、組件、區(qū)域、層 和/或部分，這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)的限制。這些術(shù)語(yǔ)僅僅 用于對(duì)一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或者部分和另一個(gè)區(qū)域、層或者部分加以區(qū)分。因此，下面 討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或者部分可被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或者部分，而不 脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0101] 此處參考橫截面和/或其它圖示描述本發(fā)明的實(shí)施例，這些圖示是本發(fā)明的理想 化實(shí)施例的示意圖。因而，作為例如制造技術(shù)和/或公差的結(jié)果，可以預(yù)期圖示的形狀的改 變。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被認(rèn)為局限于此處所示的區(qū)域的特定形狀，而是包括例如 由于制造產(chǎn)生的形狀偏差。例如，由于正常的制造公差，被示出為或者描述為矩形的區(qū)域一 般地將具有圓角或曲線特征。因此，圖中所示的區(qū)域本質(zhì)上是示意的，并且它們的形狀不旨 在示出器件的區(qū)域的精確形狀，并且不旨在限制本發(fā)明的范圍，除非在本文中另外限定。 [0 102] 除非在本文中另外限定，此處使用的所有術(shù)語(yǔ)（包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)）具有與本 發(fā)明所屬的領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的相同含義。還應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語(yǔ)諸如在通常使 用的字典中定義的術(shù)語(yǔ)，應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)和本說(shuō)明書(shū)的上下文中的含 義一致的含義，并且除非在此處明確地限定，不應(yīng)被以理想化或者過(guò)度形式的意義解釋。 [0103] 如此處使用的，當(dāng)LED的碰撞在該透明層或者區(qū)域上的輻射線的至少90%穿過(guò)該 透明區(qū)域顯露時(shí)，LED的層或者區(qū)域被認(rèn)為是〃透明〃的。例如，在從基于氮化鎵的材料制 造出的藍(lán)和/或綠LED的上下文中，當(dāng)考慮藍(lán)寶石襯底上的傳輸和反射分量測(cè)量時(shí)，二氧化 硅可以提供透明的絕緣層（例如，至少 9〇%透明），而氧化銦錫（ΙΤ0)可以提供透明的導(dǎo)電 層（例如，至少9〇%透明）。另外，如此處使用的，當(dāng)LED的角平均輻射線的碰撞在所述反 射層或者區(qū)域上的至少90%被反射回LED時(shí)，LED的層或者區(qū)域被認(rèn)為是〃反射的〃。例 如，在基于氮化鎵的藍(lán)和/或綠LED的上下文中，銀（例如，至少90%反射）可被作為是反 射材料。在紫外線（UV)LED的情況下，可以選擇適當(dāng)?shù)牟牧弦员闾峁┧Ｍ?，并且在某?實(shí)施例中，高反射率，和/或所希望的，并且在某些實(shí)施例中低的吸收率。
[0104]為了便于理解此處的描述，現(xiàn)在將一般地參考基于碳化硅（SiC)的生長(zhǎng)襯底上的 基于氮化鎵（GaN)的發(fā)光二極管描述某些實(shí)施例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明 的其它實(shí)施例可以基于生長(zhǎng)襯底和外延層的各種不同組合。例如，組合可以包括 GaP生長(zhǎng) 襯底上的AlGalnP二極管；GaAs生長(zhǎng)襯底上的InGaAs二極管；GaAs生長(zhǎng)襯底上的AlGaAs 一極管；SiC或者藍(lán)寶石（A1203)生長(zhǎng)襯底上的SiC二極管和/或氮化鎵、碳化娃、氮化招、 藍(lán)寶石、氧化鋅和/或其它生長(zhǎng)襯底上的基于族III氮化物的二極管。另外,在其它實(shí)施例 中，生長(zhǎng)襯底可以不存在于成品中。例如，可以在形成發(fā)光二極管之后去除生長(zhǎng)襯底，和/ 或在去除生長(zhǎng)襯底之后，可以在發(fā)光二極管上提供焊接襯底。在某些實(shí)施例中，發(fā)光二極管 可以是由美國(guó)北卡羅來(lái)納州Durham的Cree公司制造和銷售的基于氮化鎵的LED器件。
[0105] 如 Slater, Jr.等的題目為Phosphor-Coated Light Emitting Diodes Including Tapered Sidewalls, and Fabrication Methods Therefor 的美國(guó)專利 6, 853, 010 中描 述的，已知在發(fā)光二極管的傾斜或者錐形側(cè)壁上提供共形熒光體層，該專利被轉(zhuǎn)讓給本申 請(qǐng)的受讓人，并且因此通過(guò)引用將其完整公開(kāi)結(jié)合在此，如同在此處對(duì)其進(jìn)行完全的闡 述（以下簡(jiǎn)稱"'010專利〃）。如在'010專利中描述的，所述錐形或者傾斜的側(cè)壁可以 允許發(fā)光二極管（LED)的至少某些發(fā)射面被以近乎共形的大體均勻厚度的包含熒光體的 層覆蓋。這種更共形的覆蓋可以產(chǎn)生光的希望光譜，同時(shí)還允許從覆蓋熒光體的LED發(fā) 射出更多的福射通量。在Donofrio等的題目為Horizontal Light Emitting Diodes Including Phosphor Particles 的美國(guó)申請(qǐng) No. 13/018, 013,以及在 Donofrio 等的題目為 Conformally Coated Light Emitting Devices And Methods For Providing The Same的 美國(guó)申請(qǐng)No. 13/017,845中更詳細(xì)地討論了熒光體層，這兩個(gè)申請(qǐng)都提交于2011年1月31 日，并且轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓人。因此，通過(guò)引用將上面涉及的兩個(gè)申請(qǐng)的公開(kāi)完整結(jié)合在 此，如同在此處對(duì)其進(jìn)行完整的闡述。
[0106] 此處描述的各種實(shí)施例還產(chǎn)生自這樣的認(rèn)識(shí)，即，LED的傾斜側(cè)壁上的共形的熒光 體層可以提供其它不可預(yù)見(jiàn)的優(yōu)點(diǎn)。具體地，可以在包括熒光體的共形層中使用較大顆粒 大小的熒光體顆粒。已知較大的熒光體顆粒一般在光轉(zhuǎn)換方面比小尺寸的熒光體顆粒更有 效。令人遺憾的是，由于它們的大尺寸，大熒光體顆粒還可以具有比相對(duì)小的熒光體顆粒低 的光散射效率。低的散射效率可以生產(chǎn)相關(guān)色溫（CCT)的高的角度變化，這在為了亮度提 升使用大顆粒尺寸的熒光體顆粒的白色LED中是典型的。
[0107] 與之形成鮮明的對(duì)比，通過(guò)在LED的外側(cè)面和傾斜側(cè)壁上提供包括大熒光體顆粒 的共形層，此處描述的各種實(shí)施例可以提供相對(duì)高的亮度以及相對(duì)低的角度變化。
[0108] 應(yīng)當(dāng)理解，現(xiàn)實(shí)世界的熒光體顆粒層不具有精確地均勻的尺寸。而是，與其它顆粒 材料一致，可以提供顆粒大小的范圍，并且可以使用各種度量指示對(duì)顆粒材料中的顆粒大 小的測(cè)量。一般以等效顆粒直徑測(cè)量顆粒大小，等效顆粒直徑可以考慮顆?？赡苁欠乔驙?的事實(shí)。另外，可以通過(guò)提供一個(gè)或多個(gè)等效顆粒直徑規(guī)定顆粒大小分布，通?？s寫(xiě)為〃d〃， 以便指示具有較小直徑的顆粒的質(zhì)量百分比。因此，d50,也被稱為平均等效顆粒直徑，指示 顆粒質(zhì)量的50%具有較小的直徑。另外，等效顆粒直徑dlO指顆粒質(zhì)量的10%具有較小的 直徑，而等效顆粒直徑d90指顆粒質(zhì)量的90%具有較小的直徑?？梢园凑誨50、dl0和/或 d90說(shuō)明給定的熒光體。另外，可以使用d50、dl0和d90之外的其它度量，諸如d75和d25。 還可以使用這些度量的組合。
[0109] 圖1是根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例的發(fā)光二極管（也稱為發(fā)光二極管〃管芯〃或 者〃芯片〃）和封裝的發(fā)光二極管的橫截面圖。參考圖1，這些發(fā)光二極管1〇〇包括二極管 區(qū)域110,二極管區(qū)域110分別具有第一和第二相對(duì)面ll〇a、l l〇b，并且其中包括N型層112 和P型層114?？梢蕴峁┢渌鼘踊蛘邊^(qū)域，其可以包括不必在此處描述的量子阱、緩沖層等 等。陽(yáng)極觸點(diǎn)160電阻地接觸P型層114,并且在第一面ll〇a上延伸。陽(yáng)極觸點(diǎn)1 6〇可以 直接電阻地接觸P型層114,或者可以借助于一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電通孔162和/或其它中間層電 阻地接觸P型層114。陰極觸點(diǎn)170電阻地接觸N型層112,并且也在第一面110a上延伸。 陰極觸點(diǎn)可以直接電阻地接觸N型層112,或者可以借助于一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電通孔172和/或 其它中間層電阻地接觸N型層112。如圖1所示，在第一面ll〇 a上延伸的陽(yáng)極觸點(diǎn)160和 陰極觸點(diǎn)170兩者是共面的。二極管區(qū)域11〇在此處還可以被稱為〃LED外延區(qū)域〃，因?yàn)?它一般地在襯底120上外延地形成。例如，可以在碳化硅生長(zhǎng)襯底上形成基于族ΠΙ氮化 物的LED外延110。在某些實(shí)施例中，如下面將描述的，該生長(zhǎng)襯底可以存在于成品內(nèi)。在 其它實(shí)施例中，該生長(zhǎng)襯底可被去除。在其它實(shí)施例中，可以提供不同于生長(zhǎng)襯底的另一個(gè) 襯底，并且在去除生長(zhǎng)襯底之后，該另一個(gè)襯底可被接合到LED。
[0110]同樣如圖1所示，二極管區(qū)域110的第二面ll〇b上包括透明襯底120,諸如透明碳 化硅生長(zhǎng)襯底或者透明藍(lán)寶石生長(zhǎng)襯底。透明襯底120包括側(cè)壁120a，并且還可以包括與 二極管區(qū)域110的第二面110b相鄰的內(nèi)側(cè)面120c，以及遠(yuǎn)離內(nèi)側(cè)面120c的外側(cè)面120b。 外側(cè)面120b具有比內(nèi)側(cè)面120c小的面積。在某些實(shí)施例中，側(cè)壁120a可以具有臺(tái)階、斜 面和/或刻面，以便提供面積比內(nèi)側(cè)面120c小的外側(cè)面120b。在其它實(shí)施例中，如圖1所 示，側(cè)壁是以傾斜角Θ，并且在某些實(shí)施例中，以鈍角從外側(cè)面120b向內(nèi)側(cè)面120c延伸的 傾斜側(cè)壁120a。根據(jù)某些實(shí)施例，透明襯底120可以具有至少大約50微米、至少大約100 微米、或甚至至少大約150微米的厚度。透明襯底120例如可以具有大約150微米到大約 400微米的范圍或大約175微米到大約35微米的范圍內(nèi)的厚度。因此熒光體層140可以以 透明襯底120的厚度與二極管區(qū)域110的部分分隔開(kāi)。 圖上面結(jié)合圖1所述的LED100可被稱為"水平"或者"橫向"LED，這是因?yàn)槠潢?yáng) 極和陰極觸點(diǎn)兩者被提供在該LED的單個(gè)面上。水平LED可以與垂直LED形成對(duì)比，在垂 直LED中，例如，如' 〇1〇專利所示，陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)被提供在其相對(duì)面上。
[0112] 在轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓人的Donofrio等的題目為Semiconductor Light Emitting Diodes Having Reflective Structures and Methods of Fabricating Same的 美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)2009/0283787中詳細(xì)描述了根據(jù)此處描述的任意實(shí)施例可以使用的水 平LED的各種其它配置，因此通過(guò)引用將其公開(kāi)完整結(jié)合在此，如同在此處對(duì)其進(jìn)行完整 的闡述（以下簡(jiǎn)稱〃' 787公開(kāi)〃）。
[0113] 仍然繼續(xù)圖1的描述，在外側(cè)面l2〇b以及傾斜側(cè)壁120a上提供共形層140,共形 層140包括具有至少10 μ m的平均等效顆粒直徑d50的熒光體顆粒142。在圖1的實(shí)施例 中，整個(gè)外側(cè)面120b和整個(gè)傾斜側(cè)壁120a被熒光體層140覆蓋。然而，在其它實(shí)施例中， 整個(gè)外側(cè)面120b和/或整個(gè)傾斜側(cè)壁120a不必被熒光體層140覆蓋。另外，共形熒光體 層140可以在外側(cè)面120b和傾斜側(cè)壁120a上具有均勻的厚度。在某些實(shí)施例中，該均勻 厚度在大約36 μ m和大約56 μ m之間的范圍之間，在其它實(shí)施例中，可以提供大約30 μ m和 大約75 μ m之間的范圍。在其它實(shí)施例中，可以提供大約46 μ m的厚度。
[0114] 根據(jù)此處描述的各種實(shí)施例，可以提供熒光體層140和二極管區(qū)域110的各種實(shí) 施例。例如，在某些實(shí)施例中，二極管區(qū)域110配置為發(fā)射藍(lán)光，例如，具有大約450-460nm 的主波長(zhǎng)的光，并且該共形層包括黃熒光體，諸如具有大約550nm的峰值波長(zhǎng)和至少10 μ m 的平均等效顆粒直徑d50的YAG:Ce熒光體。在其它實(shí)施例中，提供大約15 μ m的平均等效 直徑d50。在其它實(shí)施例中，提供大約15 μ m和大約17 μ m之間的平均等效直徑d50。
[0115] 在其它實(shí)施例中，如上所述，二極管區(qū)域110配置為在其激發(fā)之后發(fā)射藍(lán)光，并且 共形層140可以包括具有如上所述至少大約ΙΟμιη的平均等效顆粒直徑的熒光體，和紅熒 光體（諸如基于CASN的熒光體），具有尺寸為大約10 μ m的平均等效顆粒直徑d50的的混 合物。在其它實(shí)施例中，黃熒光體和紅熒光體的混合物可以具有黃熒光體與紅熒光體的至 少大約5:1的熒光體重量比，并且在其它實(shí)施例中，具有至少大約9:1的熒光體重量比。在 某些實(shí)施例中，因?yàn)樘峁┲辽?倍于紅熒光體的黃熒光體，可以結(jié)合具有至少大約10 μ m的 平均等效顆粒直徑d50的黃熒光體顆粒使用更寬范圍的紅熒光體顆粒大小。
[0116] 如上所述，圖1的各種實(shí)施例可以產(chǎn)生自這樣的認(rèn)識(shí)，即，LED100的傾斜側(cè)壁120a 上的共形熒光體層140還可以提供意料之外的優(yōu)點(diǎn)。具體地，可以在包括熒光體的共形層 140中使用大顆粒尺寸的熒光體顆粒142。已知較大的熒光體顆粒142 -般在光轉(zhuǎn)換方面比 小尺寸的熒光體顆粒更有效。令人遺憾的是，由于它們的大尺寸，大熒光體顆粒142還可以 具有比相對(duì)小的熒光體顆粒低的光散射效率。低的散射效率可以產(chǎn)生CCT的高角度變化， 這在為了亮度提升而使用大顆粒尺寸熒光體顆粒的白LED中是典型的。
[0117] 作為鮮明的對(duì)比，通過(guò)在LED的外側(cè)面120b和傾斜側(cè)壁120a上提供包括大熒光 體顆粒142的共形層140,此處描述的各種實(shí)施例可以提供相對(duì)高的亮度以及低的角度變 化。
[0118] 另外，此處描述的各種實(shí)施例可以提供其它出乎意料的優(yōu)點(diǎn)。具體地，因?yàn)榕c具 有非傾斜側(cè)壁的LED相比，CCT變化可以被減小，可以需要使用較少的紅熒光體。例如，采 用非傾斜壁，黃熒光體和紅熒光體的比值可以為大約2:1，而如上所述，可以使用至少大約 5:1或者至少大約9:1的比值。因?yàn)榧t熒光體通常比黃熒光體更貴，可以獲得較低成本的 LED。另外，因?yàn)榭梢允褂命S熒光體與紅熒光體的更高的比值，因?yàn)辄S熒光體的顆粒尺寸占 主要部分，紅熒光體的顆粒尺寸可以在寬的范圍上改變。
[0119] 繼續(xù)圖1的描述，LED100可以與封裝襯底組合諸如子基板180和透鏡190以便提 供封裝的LED200。子基板180可以包括主體182,主體182可以包括氮化鋁（A1N)。在其它 實(shí)施例中，金屬核心襯底、印刷電路板、引線框架和/或其它常規(guī)的封裝襯底可被用于以倒 裝芯片配置安裝LED100。子基板180包括子基板面182a，以及其上的陽(yáng)極焊盤(pán)184和陰極 焊盤(pán)186。陽(yáng)極和陰極焊盤(pán)可以包括鍍銀銅和/或其它導(dǎo)電材料。如圖1所示，LED100安 裝在子基板180上，使得第一面110a與子基板面182a相鄰，外側(cè)面110b遠(yuǎn)離子基板180， 陽(yáng)極觸點(diǎn)184與陽(yáng)極焊盤(pán)160相鄰，并且陰極觸點(diǎn)186與陰極焊盤(pán)170相鄰。在某些實(shí)施 例中，使用焊接層（諸如共晶金/焊料接合料層188)將陽(yáng)極觸點(diǎn)160熱和機(jī)械地連接到陽(yáng) 極焊盤(pán)184,并且將陰極觸點(diǎn)170熱和機(jī)械地連接到陰極焊盤(pán)186。在其它實(shí)施例中，可以 例如使用熱壓接合和/或其它技術(shù)提供陽(yáng)極觸點(diǎn)160到陽(yáng)極焊盤(pán)184的直接附接，以及陰 極觸點(diǎn)170到陰極焊盤(pán)186的直接附接。
[0120] 可以在子基板主體182的第二面182b上提供封裝器件陽(yáng)極192和封裝器件陰極 194,并且封裝器件陽(yáng)極192和封裝器件陰極194可分別使用內(nèi)部通孔和/或在子基板主體 182上延伸和/或圍繞子基板主體182的導(dǎo)電層連接到陽(yáng)極焊盤(pán)184和陰極焊盤(pán)186。
[0121] 上面引用的' 787公開(kāi)中描述了此處描述的實(shí)施例可以使用子基板180的各種實(shí) 施例。在轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓人的Keller等的題目為L(zhǎng)ight Emitting Diode Package and Method for Fabricating Same的美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)2009/0108281中描述了子基板 180的各種其它實(shí)施例，因此通過(guò)引用將其公開(kāi)完整結(jié)合在此，如同在此處對(duì)其進(jìn)行完整闡 述（以下簡(jiǎn)稱〃' 281公開(kāi)〃）。應(yīng)當(dāng)理解，圖1的實(shí)施例中可以使用這些子基板的任意和所 有實(shí)施例。然而，可以修改子基板上的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，以便用于圖1的水平LED100,而不是'281 公開(kāi)中描述的垂直LED。
[0122] 最后，封裝的LED200還可以包括從子基板面180a延伸以便圍繞LED100的透鏡 190。如' 281公開(kāi)中詳細(xì)描述的，透鏡190可以是模制塑料透鏡，并且可以根據(jù)' 281公開(kāi) 中描述的技術(shù)和/或其它技術(shù)，在子基板上制造。在某些實(shí)施例中，該透鏡的直徑可以大約 為 3. 06mm。
[0123] 圖2是根據(jù)各種其它實(shí)施例的LED和封裝的LED的橫截面圖。與圖1的實(shí)施例相 比，熒光體層140'延伸跨越二極管區(qū)域110和/或在子基板主體182的第一面182上延伸。 熒光體層可被制造為如' 281公開(kāi)中描述的在子基板上延伸。另外，如圖2所示，子基板180 可以包括其第一面182a上的層194。層194可以是陽(yáng)極焊盤(pán)184和陰極焊盤(pán)186的擴(kuò)展， 或者可以與它們不同。在某些實(shí)施例中，層194是在子基板面182a和包括在子基板面182a 上延伸的熒光體的共形層140'之間延伸的反射層。反射層194可以將穿過(guò)子基板面182a 上的熒光體層的光向后反射回透鏡190,和因此可以提高LED的效率。
[0124] 例如，如可以在 cree. com/products/xlamp_xpe. asp 獲得的日期為 2010 年 12 月 6 日的:Cref?liLainpe XP-E High-Efficiency White LED Data Sheet, Publication No. CLD-DS34, Rev. 0中所描述的，上面結(jié)合圖1和2描述的封裝的LED可被具體化為 C:ree# XLaap?: XP-E高效率白（hew)led，因此通過(guò)引用將其完整公開(kāi)結(jié)合在此，如同 在此處對(duì)其進(jìn)行完整的闡述。
[0125] 圖3A、3B和3C分別是圖1或者2的LED100的俯視圖、橫截面和仰視圖。熒光體 層140/140'未被示出。
[0126] 在圖1和2中，外側(cè)面120b是平面。然而，在圖3A的實(shí)施例中，外側(cè)面120b'包 括至少一個(gè)槽，諸如其中的X形槽310。還可以提供多個(gè)X形槽和/或其它形狀的槽。另 夕卜，如圖3C所示，在某些實(shí)施例中，陽(yáng)極觸點(diǎn)160和陰極觸點(diǎn)170可以共同占據(jù)有效二極管 區(qū)域面積的至少大約90%。
[0127] 具體地，圖3A-3C示出了一個(gè)實(shí)施例，其中襯底120的內(nèi)側(cè)面120c是具有大約 1，000 μ m長(zhǎng)的側(cè)邊的方形內(nèi)側(cè)面120c，外側(cè)面120b'是具有大約642 μ m長(zhǎng)的側(cè)邊的方形 外側(cè)面，并且方形內(nèi)和外側(cè)面之間的厚度或者距離U也被稱為〃高度〃）大約為335 μ m，以 便限定外側(cè)面120b和內(nèi)側(cè)面120c之間的大約為0· 41的面積比。二極管區(qū)域11〇還可以 是具有大約1，〇〇〇 μ m長(zhǎng)的側(cè)邊的方形。提供大約75 μ m(微米）的小間隙320。有效附接 面積的計(jì)算可以如下進(jìn)行：
[0128] 二極管區(qū)域的總有效面積=751，275 μ m2(陰極）+70,875 μ m2(間 隙）+70,875 μ m2 (陽(yáng)極）= 893, 025 μ m2。
[0129] 總有效附接面積=751，275 μ m2 (陰極）+70, 875 μ m2 (陽(yáng)極）=822, 150 μ m2。
[0130] 因此，有效附接面積為有效二極管區(qū)域面積的至少大約90%。
[0131] 根據(jù)某些實(shí)施例，總附接面積（即，陽(yáng)極觸點(diǎn)160和陰極觸點(diǎn)170的組合表面面 積）可以大于LED的面ll〇a的總表面面積的70%，大于面110a的總表面面積的80%，或 甚至大于面110a的總表面面積的90%。如圖3A到3C所示,例如，LED的面ll〇a可以具有 ΙχΙΟ6 μ m2的表面面積，陽(yáng)極觸點(diǎn)160可以具有70, 875 μ m2的接觸表面面積，并且陰極觸點(diǎn) 170可以具有751，275 μ m2的接觸表面面積。因此，陽(yáng)極觸點(diǎn)160和陰極觸點(diǎn)170可以共同 占據(jù)LED的面110a的表面面積的大約82%。
[0132] 陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)160和170的表面面積可以是非對(duì)稱的，陰極170占組合接觸面 積的至少7〇%，組合接觸面積的至少80%，或甚至組合接觸面積的至少90%。如圖3A到 3C所示，例如，陰極觸點(diǎn)170可以占據(jù)整個(gè)接觸面積的大約91 % (即，100% χ751，275 μ m2/ (751，275μπι2+70, 875 μηι2))，或者 LED 的面 110a 的表面面積的大約 75 % (即，100 % x751，275 μ mV (ΙχΙΟ6 μ m2))。還如圖3A到3C所示，例如，陽(yáng)極觸點(diǎn)160可以占據(jù)整個(gè)接觸 面積的大約9%(即，1〇〇%17〇,875以!11 2八751，27501112+7〇,87541112))，或者1^的面11〇￡1 的表面面積的大約7%(即，100%\70,875以111 2/11106 4 1112)。因此如圖1和2所示，1^100 可以不對(duì)稱地橋接子基板180的陽(yáng)極和陰極焊盤(pán)184和186。
[0133] 還如圖3A到3C所示，陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)160和170的寬度可以為L(zhǎng)ED的面ll〇a的 寬度的至少60%，LED的面110a的寬度的至少70%，或甚至LED的面ll〇a的寬度的至少 90%。例如，陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)160和170中的每一個(gè)可以具有大約945 μ m的寬度，并且面 110A可以具有1，〇〇〇 μ m的寬度（在與陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)16〇和17〇的寬度相同的方向上取 得的）。因此，圖3C的陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)160和170中的每一個(gè)可以具有LED面110a的寬度 的大約95%的寬度。
[0134] 表1示出了根據(jù)各種其它實(shí)施例，可以提供的襯底120的各種配置幾何形狀。應(yīng) 當(dāng)理解，此處使用的〃面積比〃基于面的側(cè)邊的尺寸，并且不包括由于紋理、槽和/或其它 光提取特征產(chǎn)生的任何附加的表面面積。
[0135] 表 1
[0136]
【權(quán)利要求】
1. 一種電子器件，包括： 具有封裝面的封裝襯底，所述封裝襯底包括所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)； 電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底的封裝面的多個(gè)發(fā)光二極管，其中所述多個(gè)發(fā)光二極 管電耦接在所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間；和 所述多個(gè)發(fā)光二極管和所述封裝襯底的封裝面上的連續(xù)的光學(xué)涂層，從而所述多個(gè)發(fā) 光二極管在所述光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間，其中以所述封裝面被所述連續(xù)的光學(xué)涂層 覆蓋的區(qū)域限定光學(xué)區(qū)域，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極管配置為在所述光學(xué)區(qū)域的每平方 毫米產(chǎn)生至少20流明，同時(shí)傳遞所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的所述多個(gè)發(fā) 光二極管所消耗的至少100流明/瓦的功率。
2. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管配置為在所述光學(xué)區(qū)域的 每平方毫米產(chǎn)生至少25流明，同時(shí)傳遞至少100流明/瓦的消耗功率。
3. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括所述連續(xù)的光學(xué)涂層 和所述封裝襯底之間的至少16個(gè)發(fā)光二極管。
4. 如權(quán)利要求3所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括至少72個(gè)發(fā)光二極 管。
5. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)沒(méi)有線接合。
6. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)包括陽(yáng)極觸點(diǎn)， 使用物理地定位在陽(yáng)極觸點(diǎn)和所述封裝襯底之間的第一金屬接合電和機(jī)械地耦接到所述 封裝襯底，以及陰極觸點(diǎn)，使用物理地定位在陰極觸點(diǎn)和所述封裝襯底之間的第二金屬接 合電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底。
7. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)包括， 具有其中包括N型層和P型層的第一和第二相對(duì)面的二極管區(qū)域， 電阻地接觸所述P型層并且在所述第一面上延伸的陽(yáng)極觸點(diǎn)， 電阻地接觸所述N型層并且在所述第一面上延伸的陰極觸點(diǎn)，和 所述二極管區(qū)域的第二面上的支撐襯底，其中所述二極管區(qū)域在所述支撐襯底和所述 陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)之間，并且其中所述支撐襯底具有至少大約50微米的厚度。
8. 如權(quán)利要求7所述的電子器件，其中對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)，所述二 極管區(qū)域在所述支撐襯底和所述封裝襯底之間，所述支撐襯底上涂覆有熒光體層，并且所 述封裝襯底沒(méi)有電耦接在所述封裝襯底和所述發(fā)光二極管之間的線接合。
9. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層包括其中包括熒光體材料 的透明和/或半透明材料層。
10. 如權(quán)利要求9所述的電子器件，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層相對(duì)于所述封裝襯底的 封裝面的厚度大于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面的厚度， 并且其中與所述封裝襯底相對(duì)的所述連續(xù)的光學(xué)涂層的表面在包括所述多個(gè)發(fā)光二極管 的區(qū)域上大體為平面。
11. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述光學(xué)區(qū)域在大約20平方毫米到大約2〇〇 平方毫米的范圍內(nèi)。
12. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述封裝襯底具有與所述封裝面相對(duì)的背側(cè) 面，所述封裝襯底還包括通過(guò)穿過(guò)所述封裝襯底的第一導(dǎo)電通孔電耦接到所述正導(dǎo)電焊盤(pán) 的第一背側(cè)觸點(diǎn)，以及通過(guò)穿過(guò)所述封裝襯底的第二導(dǎo)電通孔電耦接到所述負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)的 第二背側(cè)觸點(diǎn)。
13. 如權(quán)利要求12所述的電子器件，其中所述封裝襯底包括氮化鋁襯底，和所述背側(cè) 面上的金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，其中所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)與所述第一和第二背側(cè)觸點(diǎn)電隔離，并且其 中所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)在相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面垂直的方向上與所述多個(gè)發(fā)光二極 管對(duì)齊。
14. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括串聯(lián)地電耦接在所 述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第一發(fā)光二極管串，和串聯(lián)地電耦接在所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第 二發(fā)光二極管串，其中所述第一串的兩個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)電耦接到所述第二串的兩 個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少一個(gè)使用不多于一個(gè)線 接合電耦接到所述封裝襯底。
15. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層包括其中包括多種不同 熒光體材料的透明和/或半透明材料層，其中所述不同熒光體材料中的每一個(gè)配置為響應(yīng) 于由所述多個(gè)發(fā)光二極管產(chǎn)生的光，發(fā)射相應(yīng)的不同波長(zhǎng)的光。
16. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管配置為在所述光學(xué)區(qū)域 的每平方毫米產(chǎn)生至少20流明，同時(shí)傳遞所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的所 述多個(gè)發(fā)光二極管所消耗的至少100流明/瓦的功率，并且同時(shí)從所述連續(xù)的光學(xué)涂層和 所述封裝襯底之間的所述多個(gè)發(fā)光二極管傳遞至少600絕對(duì)流明。
17. 如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括所述連續(xù)的光學(xué)涂 層和所述封裝襯底之間的第一和第二發(fā)光二極管，其中所述第一和第二發(fā)光二極管以大約 20微米到大約500微米范圍內(nèi)的距離間隔開(kāi)。
18. -種電子器件，包括： 具有封裝面的封裝襯底，所述封裝襯底包括所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)； 電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底的封裝面的多個(gè)發(fā)光二極管，其中所述多個(gè)發(fā)光二極 管電耦接在所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間；和 所述多個(gè)發(fā)光二極管和所述封裝襯底的封裝面上的連續(xù)的光學(xué)涂層，從而所述多個(gè)發(fā) 光二極管在所述光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層相對(duì)于所述封裝 襯底的封裝面的厚度大于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面 的厚度，其中與所述封裝襯底相對(duì)的所述連續(xù)的光學(xué)涂層的表面在包括所述多個(gè)發(fā)光二極 管的區(qū)域上大體為平面，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少一個(gè)沒(méi)有線接合。
19. 如權(quán)利要求18所述的電子器件，其中以所述封裝面的被所述連續(xù)的光學(xué)涂層覆蓋 的區(qū)域限定光學(xué)區(qū)域，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極管配置為在所述光學(xué)區(qū)域的每平方毫米 產(chǎn)生至少20流明，同時(shí)傳遞所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的所述多個(gè)發(fā)光二 極管所消耗的至少100流明/瓦的功率。
20. 如權(quán)利要求18所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括所述連續(xù)的光學(xué)涂 層和所述封裝襯底之間的至少16個(gè)發(fā)光二極管。
21. 如權(quán)利要求20所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括至少72個(gè)發(fā)光二極 管。
22. 如權(quán)利要求18所述的電子器件，其中所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)包括陽(yáng)極觸 點(diǎn)，使用定位在陽(yáng)極觸點(diǎn)和所述封裝襯底之間的第一金屬接合電和機(jī)械地耦接到所述封裝 襯底，以及陰極觸點(diǎn)，使用定位在陰極觸點(diǎn)和所述封裝襯底之間的第二金屬接合電和機(jī)械 地耦接到所述封裝襯底。
23. 如權(quán)利要求18所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)包括， 具有其中包括N型層和P型層的第一和第二相對(duì)面的二極管區(qū)域， 電阻地接觸所述P型層并且在所述第一面上延伸的陽(yáng)極觸點(diǎn)， 電阻地接觸所述N型層并且在所述第一面上延伸的陰極觸點(diǎn)，和 所述二極管區(qū)域的第二面上的支撐襯底，其中所述二極管區(qū)域在所述支撐襯底和所述 陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)之間，并且其中所述支撐襯底具有至少大約50微米的厚度。
24. 如權(quán)利要求23所述的電子器件，其中對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)，所述 二極管區(qū)域在所述支撐襯底和所述封裝襯底之間，所述支撐襯底上涂覆有熒光體層，并且 所述封裝襯底沒(méi)有電耦接在所述封裝襯底和所述發(fā)光二極管之間的線接合。
25. 如權(quán)利要求18所述的電子器件，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層包括其中包括熒光體材 料的透明和/或半透明材料層。
26. 如權(quán)利要求18所述的電子器件，其中所述封裝襯底具有與所述封裝面相對(duì)的背側(cè) 面，所述封裝襯底還包括通過(guò)第一導(dǎo)電通孔電耦接到所述正導(dǎo)電焊盤(pán)的第一背側(cè)觸點(diǎn)，以 及通過(guò)第二導(dǎo)電通孔電耦接到所述負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)的第二背側(cè)觸點(diǎn)。
27. 如權(quán)利要求26所述的電子器件，其中所述封裝襯底包括導(dǎo)熱并且電絕緣的材料， 和所述背側(cè)面上的金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，其中所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)與所述第一和第二背側(cè)觸點(diǎn)電隔 離，并且其中所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)在相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面垂直的方向上與所述多個(gè) 發(fā)光二極管對(duì)齊。
28. 如權(quán)利要求18所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括串聯(lián)地電耦接在所 述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第一發(fā)光二極管串，和串聯(lián)地電耦接在所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第 二發(fā)光二極管串，其中所述第一串的兩個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)電耦接到所述第二串的兩 個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少一個(gè)沒(méi)有線接合。
29. 如權(quán)利要求18所述的電子器件，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層包括其中包括多種不同 熒光體材料的透明和/或半透明材料層，其中所述不同熒光體材料中的每一個(gè)配置為響應(yīng) 于由所述多個(gè)發(fā)光二極管產(chǎn)生的光，發(fā)射相應(yīng)的不同波長(zhǎng)的光。
30. 如權(quán)利要求18所述的電子器件，還包括： 圍繞所述多個(gè)發(fā)光二極管的壩狀物，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層被限制在所述壩狀物 內(nèi)。
31. -種電子器件，包括： 具有封裝面的封裝襯底，所述封裝襯底包括所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)；和 電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底的封裝面的多個(gè)發(fā)光二極管，其中所述多個(gè)發(fā)光二極 管電耦接在所述封裝面上的所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括串聯(lián)地 電耦接在所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的第一發(fā)光二極管串，和串聯(lián)地電耦接在所述正負(fù)導(dǎo)電焊 盤(pán)之間的第二發(fā)光二極管串，其中所述第一串的兩個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)電耦接到所述 第二串的兩個(gè)發(fā)光二極管之間的節(jié)點(diǎn)，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少一個(gè)使用不 多于一個(gè)線接合電耦接到所述封裝襯底。
32. 如權(quán)利要求31所述的電子器件，還包括： 所述多個(gè)發(fā)光二極管和所述封裝襯底的封裝面上的連續(xù)的光學(xué)涂層，從而所述多個(gè)發(fā) 光二極管在所述光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間，其中以所述封裝面的被所述連續(xù)的光學(xué)涂 層覆蓋的區(qū)域限定光學(xué)區(qū)域，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極管配置為在所述光學(xué)區(qū)域的每平 方毫米產(chǎn)生至少20流明，同時(shí)傳遞所述連續(xù)的光學(xué)涂層和所述封裝襯底之間的所述多個(gè) 發(fā)光二極管所消耗的至少100流明/瓦的功率。
33. 如權(quán)利要求31所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括所述連續(xù)的光學(xué)涂 層和所述封裝襯底之間的至少16個(gè)發(fā)光二極管。
34. 如權(quán)利要求33所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括至少72個(gè)發(fā)光二極 管。
35. 如權(quán)利要求31所述的電子器件，其中所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)沒(méi)有線接合。
36. 如權(quán)利要求31所述的電子器件，其中所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)包括陽(yáng)極觸 點(diǎn)，使用物理地定位在陽(yáng)極觸點(diǎn)和所述封裝襯底之間的第一金屬接合電和機(jī)械地耦接到所 述封裝襯底，以及陰極觸點(diǎn)，使用物理地定位在陰極觸點(diǎn)和所述封裝襯底之間的第二金屬 接合電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底。
37. 如權(quán)利要求31所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)包括， 具有其中包括N型層和P型層的第一和第二相對(duì)面的二極管區(qū)域， 電阻地接觸所述P型層并且在所述第一面上延伸的陽(yáng)極觸點(diǎn)， 電阻地接觸所述N型層并且在所述第一面上延伸的陰極觸點(diǎn)，和 所述二極管區(qū)域的第二面上的支撐襯底，其中所述二極管區(qū)域在所述支撐襯底和所述 陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)之間，并且其中所述支撐襯底具有至少大約50微米的厚度。
38. 如權(quán)利要求37所述的電子器件，其中對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)，所述 二極管區(qū)域在所述支撐襯底和所述封裝襯底之間，所述支撐襯底上涂覆有熒光體層，并且 所述封裝襯底沒(méi)有電耦接在所述封裝襯底和所述發(fā)光二極管之間的線接合。
39. 如權(quán)利要求31所述的電子器件，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層包括其中包括熒光體材 料的透明和/或半透明材料層。
40. 如權(quán)利要求39所述的電子器件，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層相對(duì)于所述封裝襯底的 封裝面的厚度大于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面的厚度， 并且其中與所述封裝襯底相對(duì)的所述連續(xù)的光學(xué)涂層的表面在包括所述多個(gè)發(fā)光二極管 的區(qū)域上大體為平面。
41. 如權(quán)利要求31所述的電子器件，其中所述封裝襯底具有與所述封裝面相對(duì)的背側(cè) 面，所述封裝襯底還包括通過(guò)穿過(guò)所述封裝襯底的第一導(dǎo)電通孔電耦接到所述正導(dǎo)電焊盤(pán) 的第一背側(cè)觸點(diǎn)，以及通過(guò)穿過(guò)所述封裝襯底的第二導(dǎo)電通孔電耦接到所述負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)的 第二背側(cè)觸點(diǎn)。
42. 如權(quán)利要求41所述的電子器件，其中所述封裝襯底包括氮化鋁襯底，和所述背側(cè) 面上的金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，其中所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)與所述第一和第二背側(cè)觸點(diǎn)電隔離，并且其 中所述金屬導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)在相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面垂直的方向上與所述多個(gè)發(fā)光二極 管對(duì)齊。
43. 如權(quán)利要求32所述的電子器件，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層包括其中包括多種不同 熒光體材料的透明和/或半透明材料層，其中所述不同熒光體材料中的每一個(gè)配置為響應(yīng) 于由所述多個(gè)發(fā)光二極管產(chǎn)生的光，發(fā)射相應(yīng)的不同波長(zhǎng)的光。
44. 一種電子器件，包括： 具有封裝面的封裝襯底，所述封裝襯底包括所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)；和 電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底的封裝面的多個(gè)發(fā)光二極管，其中所述多個(gè)發(fā)光二極 管電耦接在所述封裝面上的所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè) 具有大約2. 5伏到大約3. 5伏范圍內(nèi)的正向壓降，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極管配置為提 供所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的至少大約36伏的組合正向壓降，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極 管中的至少一個(gè)沒(méi)有線接合。
45. 如權(quán)利要求44所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括串聯(lián)地電耦接在所 述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的至少70個(gè)發(fā)光二極管，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極管配置為提供 所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的至少大約200伏的組合正向壓降。
46. 如權(quán)利要求45所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管包括串聯(lián)地電耦接在所 述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的至少75個(gè)發(fā)光二極管，并且其中所述多個(gè)發(fā)光二極管配置為提供 所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的至少大約220伏的組合正向壓降。
47. 如權(quán)利要求46所述的電子器件，其中所述封裝襯底包括在所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間 提供所述多個(gè)發(fā)光二極管中的相應(yīng)發(fā)光二極管之間的電耦接的多個(gè)導(dǎo)電島，其中所述導(dǎo)電 島和所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)限定所述封裝襯底上的圍繞所述多個(gè)發(fā)光二極管的反射區(qū)域，其中 所述導(dǎo)電島中的至少一個(gè)延伸到所述反射區(qū)域的與所述正和/或負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)中的一個(gè)相 鄰的邊緣，在它們之間限定電絕緣間隙。
48. 如權(quán)利要求47所述的電子器件，其中所述導(dǎo)電島中的至少一個(gè)包括第一導(dǎo)電島， 并且其中所述導(dǎo)電島中的第二導(dǎo)電島延伸到所述反射區(qū)域的與所述第一導(dǎo)電島相鄰的邊 緣，在第一和第二導(dǎo)電島之間限定電絕緣間隙。
49. 如權(quán)利要求45所述的電子器件，其中所述封裝襯底包括在所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間 提供所述多個(gè)發(fā)光二極管中的相應(yīng)發(fā)光二極管之間的電耦接的多個(gè)導(dǎo)電島，其中所述封裝 襯底包括與所述多個(gè)導(dǎo)電島中的至少一個(gè)相鄰并且與所述正和/或負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)中的至少 一個(gè)相鄰的導(dǎo)電反射器層，并且所述導(dǎo)電島、所述導(dǎo)電反射器以及所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)限定 所述封裝襯底上的圍繞所述多個(gè)發(fā)光二極管的反射區(qū)域，并且其中所述導(dǎo)電反射器與所述 正導(dǎo)電焊盤(pán)、負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)中的每一個(gè)以及多個(gè)導(dǎo)電島中的每一個(gè)電隔離。
50. 如權(quán)利要求44所述的電子器件,其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少兩個(gè)發(fā)光二極 管并聯(lián)地電耦接在所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間，和/或其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的至少兩個(gè) 串并聯(lián)地電耦接在所述正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間。
51. 如權(quán)利要求44所述的電子器件，其中所述發(fā)光二極管中的至少一個(gè)包括陽(yáng)極觸 點(diǎn)，使用物理地定位在陽(yáng)極觸點(diǎn)和所述封裝襯底之間的第一金屬接合電和機(jī)械地耦接到所 述封裝襯底，以及陰極觸點(diǎn)，使用物理地定位在陰極觸點(diǎn)和所述封裝襯底之間的第二金屬 接合電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底。
52. 如權(quán)利要求44所述的電子器件，其中所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)包括， 具有其中包括N型層和P型層的第一和第二相對(duì)面的二極管區(qū)域， 電阻地接觸所述P型層并且在所述第一面上延伸的陽(yáng)極觸點(diǎn)， 電阻地接觸所述N型層并且在所述第一面上延伸的陰極觸點(diǎn)，和 所述二極管區(qū)域的第二面上的支撐襯底，其中所述二極管區(qū)域在所述支撐襯底和所述 陽(yáng)極和陰極觸點(diǎn)之間，并且其中所述支撐襯底具有至少大約50微米的厚度。
53. 如權(quán)利要求52所述的電子器件，其中對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)，所述 二極管區(qū)域在所述支撐襯底和所述封裝襯底之間，所述支撐襯底上涂覆有熒光體層，并且 所述封裝襯底沒(méi)有電耦接在所述封裝襯底和所述發(fā)光二極管之間的線接合。
54. 如權(quán)利要求44所述的電子器件，還包括： 所述多個(gè)發(fā)光二極管上的連續(xù)的光學(xué)涂層，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層包括其中包括熒 光體材料的透明和/或半透明材料層，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層相對(duì)于所述封裝襯底的封 裝面的厚度大于所述多個(gè)發(fā)光二極管中的每一個(gè)相對(duì)于所述封裝襯底的封裝面的厚度，并 且其中與所述封裝襯底相對(duì)的所述連續(xù)的光學(xué)涂層的表面在包括所述多個(gè)發(fā)光二極管的 區(qū)域上大體為平面。
55. 如權(quán)利要求54所述的電子器件，還包括： 圍繞所述多個(gè)發(fā)光二極管的壩狀物，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層被限制在所述壩狀物 內(nèi)。
56. 如權(quán)利要求54所述的電子器件，其中所述連續(xù)的光學(xué)涂層包括其中包括多種不同 熒光體材料的透明和/或半透明材料層，其中所述不同熒光體材料中的每一個(gè)配置為響應(yīng) 于由所述多個(gè)發(fā)光二極管產(chǎn)生的光，發(fā)射相應(yīng)的不同波長(zhǎng)的光。
57. -種電子器件，包括： 具有封裝面的封裝襯底，所述封裝襯底包括所述封裝面上的正負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)；和 電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底的封裝面的多個(gè)第一和第二發(fā)光二極管，其中多個(gè)所 述第一發(fā)光二極管并聯(lián)地電耦接在所述封裝面上的所述正導(dǎo)電焊盤(pán)和互連結(jié)構(gòu)之間，其中 多個(gè)所述第二發(fā)光二極管并聯(lián)地電耦接在所述互連結(jié)構(gòu)和所述負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間，并且其中 所述封裝襯底沒(méi)有電耦接在所述封裝襯底和多個(gè)所述第一和第二發(fā)光二極管中的任意一 個(gè)之間的線接合。
58. 如權(quán)利要求57所述的電子器件，其中多個(gè)所述第一發(fā)光二極管包括多個(gè)第一串行 耦接的發(fā)光二極管串，多個(gè)所述第一串行耦接的發(fā)光二極管串中的每一個(gè)包括串聯(lián)地電耦 接在所述正導(dǎo)電焊盤(pán)和所述互連結(jié)構(gòu)之間的相應(yīng)的發(fā)光二極管，和其中多個(gè)所述第二發(fā)光 二極管包括多個(gè)第二串行耦接的發(fā)光二極管串，多個(gè)第二串行耦接的發(fā)光二極管串中的每 一個(gè)包括串聯(lián)地電耦接在所述互連結(jié)構(gòu)和所述負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間的相應(yīng)的發(fā)光二極管。
59. 如權(quán)利要求57所述的電子器件，其中所述互連結(jié)構(gòu)包括第一互連結(jié)構(gòu)，并且其中 多個(gè)所述第二發(fā)光二極管并聯(lián)地電耦接在所述第一互連結(jié)構(gòu)和第二互連結(jié)構(gòu)之間，所述電 子器件還包括： 電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底的封裝面的多個(gè)第三發(fā)光二極管，其中多個(gè)所述第三 發(fā)光二極管并聯(lián)地電耦接在所述第二互連結(jié)構(gòu)和所述負(fù)導(dǎo)電焊盤(pán)之間。
60. 如權(quán)利要求57所述的電子器件，其中多個(gè)所述第一和第二發(fā)光二極管中的每一個(gè) 包括陽(yáng)極觸點(diǎn)，使用物理地定位在陽(yáng)極觸點(diǎn)和所述封裝襯底之間的第一金屬接合電和機(jī)械 地耦接到所述封裝襯底，以及陰極觸點(diǎn)，使用物理地定位在陰極觸點(diǎn)和所述封裝襯底之間 的第二金屬接合電和機(jī)械地耦接到所述封裝襯底。
【文檔編號(hào)】H01L31/12GK104221125SQ201380005900
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月20日
【發(fā)明者】M·多諾弗里歐, C·P·胡塞爾, J·A·埃德蒙 申請(qǐng)人:克里公司