用于基板核心層的方法和裝置制造方法
【專利摘要】一種基板核心層的結(jié)構(gòu)和一種制作基板核心層的方法被揭示。該核心層包括封裝一個(gè)芯片(104)或多個(gè)芯片(104)的塑封料(105)、該塑封料(105)上的介電層(106)以及該介電層(106)之上的導(dǎo)電層(107)。穿過所述介電層(106)和塑封料(105)形成一個(gè)通孔(108)，該通孔(108)可用金屬板(1081,1082)填充。類似地，可形成一激光孔(109)?？稍诤诵膶痈浇M裝增層(212)以形成基板(100)，其可用于封裝芯片(104)。
【專利說明】用于基板核心層的方法和裝置
[0001]相關(guān)申請(qǐng)案交叉申請(qǐng)
[0002]本發(fā)明要求2012年I月20日由于飛等人遞交的發(fā)明名稱為“用于基板核心層的方法和裝置”的第13/355128號(hào)美國專利申請(qǐng)案的在先申請(qǐng)優(yōu)先權(quán)，該在先申請(qǐng)的內(nèi)容以引入的方式并入本文本中，如全文再現(xiàn)一般。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及通信網(wǎng)絡(luò)，尤其涉及用于基板核心層的方法和裝置。

【背景技術(shù)】
[0004]自從集成電路(IC)發(fā)明以來，由于各種電子組件的集成密度的不斷提高，半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了快速的發(fā)展。在很大程度上，這種集成密度的提高是由于最小特征尺寸的不斷減小，使得更多的組件可集成在一個(gè)特定區(qū)域中。隨著對(duì)更小尺寸電子設(shè)備需求的增長，對(duì)更小尺寸以及更有創(chuàng)造性的半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)的需求也隨之增長。
[0005]兩種類型的封裝技術(shù)可用于組裝芯片。引線鍵合是較舊且成熟的技術(shù)，其中芯片是向后焊接且線纜從芯片的頂部(表面)連接到基板上。倒裝芯片倒裝芯片(FC)焊接是較新的技術(shù)，其中芯片面朝下焊接在基板上并且通過一個(gè)小焊球或凸塊完成互連。
[0006]組裝和封裝是半導(dǎo)體產(chǎn)品的一個(gè)重要的組成部分，在半導(dǎo)體行業(yè)里，這種意識(shí)得到了提高。由于封裝技術(shù)會(huì)影響到半導(dǎo)體產(chǎn)品的工作頻率、功率、可靠性以及成本，所以封裝技術(shù)在許多市場板塊已經(jīng)成了一種關(guān)鍵的競爭因素。作為技術(shù)和應(yīng)用迅速興起的結(jié)果，半導(dǎo)體、封裝技術(shù)、以及系統(tǒng)技術(shù)之間沒有了清晰的界限；在系統(tǒng)級(jí)方法中必須同時(shí)考慮到它們，才可以優(yōu)化基板的設(shè)計(jì)和封裝的技術(shù)。
[0007]基板已成為電子封裝中最昂貴的元件且其同時(shí)限制封裝性能。陶瓷多層基板一直非常昂貴，但是其設(shè)計(jì)自由度非常大，例如，無源器件整合。相比于印刷電路板(PCB)，所述陶瓷多層基板的缺點(diǎn)在于其具有高介電常數(shù)以及非常低的熱膨脹系數(shù)，但是與硅芯片非常相配。另一方面，有機(jī)基板具有與PCB相配的CTE，但這個(gè)CTE明顯大于硅芯片的CTE。引入有機(jī)基板的初衷是為了利用低成本的PCB制造技術(shù)、材料及規(guī)模來大大降低封裝的成本。有機(jī)基板還可進(jìn)一步細(xì)分為用于塑料焊球陣列的層壓基板或通常用于倒裝芯片芯片(FCBGA)的增層基板等等。順序增層(SBU)層壓基板技術(shù)現(xiàn)為實(shí)現(xiàn)高密度和高性能硅封裝的選擇技術(shù)。例如，Intel公司選擇SBU技術(shù)用于倒裝芯片封裝。
[0008]PBGA基板存在一些簡單的配置:由鍍覆通孔(PTH)互連的兩層(2L)、四層(4L)或六層^L)電路。SBU層壓基板由3種不同的技術(shù)元素組成:用于焊接和粘貼的拋光表面、包含大多數(shù)接線的增層以及一個(gè)提供機(jī)械強(qiáng)度的核心層。問題在于如何優(yōu)化基板的核心層設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)高效封裝。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明公開了各種封裝技術(shù)中用于基板制造的結(jié)構(gòu)和方法。一個(gè)或多個(gè)芯片塑在塑封料中充當(dāng)一個(gè)核心層，所述核心層可替換由芯片封裝中使用的基板的介電層組成的正常核心層。該技術(shù)降低了所述核心層的高度并縮短了芯片之間的互連，以實(shí)現(xiàn)低成本的高密度，以及實(shí)現(xiàn)更好的熱管理。
[0010]根據(jù)一項(xiàng)實(shí)施例，本發(fā)明公開了一種基板核心層的結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括帶有芯片焊盤的第一芯片以及塑封料，所述塑封料封裝所述第一芯片的同時(shí)使芯片焊盤的外表面不被塑封料所覆蓋。在塑封料的一表面上形成第一介電層并在模塑料的另一表面上形成第二介電層。然后，在第一介電層之上形成第一導(dǎo)電層并在第二介電層之上形成第二導(dǎo)電層。穿過第一介電層、第二介電層以及塑封料形成一個(gè)孔。所述孔可用一個(gè)金屬板填充?？纱┻^第一介電層形成一個(gè)激光孔而且所述激光孔連接到芯片焊盤。激光孔可經(jīng)由第一導(dǎo)電層連接到金屬板。
[0011]根據(jù)一項(xiàng)實(shí)施例，本發(fā)明公開了一種基板核心層的結(jié)構(gòu)?？稍谒龊诵膶咏Y(jié)構(gòu)的一側(cè)上形成一個(gè)增層，以形成一個(gè)基板。在基板核心層的另一側(cè)上形成另一增層，以形成基板。一個(gè)附加芯片可以經(jīng)由一個(gè)連接設(shè)備連接到核心層結(jié)構(gòu)的激光孔。一個(gè)附加芯片可以經(jīng)由一個(gè)連接設(shè)備連接到金屬板。
[0012]根據(jù)一項(xiàng)實(shí)施例，所述基板核心層的結(jié)構(gòu)還可包括第一芯片的多個(gè)芯片焊盤，以及穿過第一導(dǎo)電層和第一介電層連接到多個(gè)芯片焊盤的多個(gè)激光孔。所述基板核心層的結(jié)構(gòu)還可包括穿過第一介電層、第二介電層以及塑封料的多個(gè)孔，所述多個(gè)孔用多個(gè)金屬板填充。
[0013]根據(jù)一項(xiàng)實(shí)施例，所述基板核心層的結(jié)構(gòu)還可包括具有芯片焊盤的第二芯片，其中塑封料封裝與第一芯片隔開的第二芯片。穿過第一導(dǎo)電層和第一介電層的第二激光孔連接到第二芯片的芯片焊盤。
[0014]根據(jù)一項(xiàng)實(shí)施例,所述基板核心層的結(jié)構(gòu)可具有由Ajinomoto增層有機(jī)膜(ABF)、苯并環(huán)丁烯(BCB)，或其他類似材料組成的第一介電層。具有第一介電層的第一導(dǎo)電層以及具有第二介電層的第二導(dǎo)電層可由涂樹脂銅箔材料(RCC)或其他類似材料組成。第一導(dǎo)電層可包括多個(gè)導(dǎo)電子層且第二導(dǎo)電層可包括多個(gè)導(dǎo)電子層。第一導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電子層和第二導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電子層可在不同的時(shí)間形成。
[0015]根據(jù)一項(xiàng)實(shí)施例，本發(fā)明公開了一種制作基板核心層的方法。所述方法在一個(gè)可剝離膠帶之上放置具有一個(gè)芯片焊盤的第一芯片，可剝離膠帶覆蓋一個(gè)基底同時(shí)芯片焊盤與膠帶保持接觸?？墒褂妙愃频姆绞椒胖镁哂行酒副P的第二芯片。所述方法隨后使用塑封料封裝第一芯片和芯片焊盤，之后移除基底和可剝離膠帶。可使用類似的方式封裝第二芯片。所述方法隨后在塑封料的一表面上構(gòu)成第一介電層并在塑封料的另一表面上構(gòu)成第二介電層，以及在第一介電層之上構(gòu)成第一導(dǎo)電層并在第二介電層之上構(gòu)成第二導(dǎo)電層。所述方法還構(gòu)成一個(gè)穿過第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第一介電層、第二介電層以及塑封料的孔。類似地，可穿過第一導(dǎo)電層和第一介電層構(gòu)成一個(gè)連接到封裝芯片的芯片焊盤的激光孔。所述方法隨后使用金屬板電鍍孔和激光孔。所述方法還粘貼第一光刻抗蝕膜，第一光刻抗蝕膜覆蓋金屬板、激光孔以及第一導(dǎo)電層，以及粘貼第二光刻抗蝕膜，第二光刻抗蝕膜膜覆蓋金屬板和第二導(dǎo)電層。通過在沒有被第一抗蝕膜保護(hù)的地方蝕刻第一導(dǎo)電層以及在沒有被第二抗蝕膜保護(hù)的地方蝕刻第二導(dǎo)電層形成一個(gè)圖案。最后，移除第一抗蝕膜和第二抗蝕膜。
[0016]根據(jù)一項(xiàng)實(shí)施例，本發(fā)明公開了一種制作基板核心層的方法?？山M裝一個(gè)增層以覆蓋核心層的金屬板、第一導(dǎo)電層以及激光孔?？山M裝另一增層以覆蓋金屬板和第二導(dǎo)電層。
[0017]根據(jù)一項(xiàng)實(shí)施例，本發(fā)明公開了一種制作基板核心層的方法。所述方法包括將第一芯片放置在可剝離膠帶之上，所述可剝離膠帶覆蓋一個(gè)基底同時(shí)所述芯片焊盤與膠帶保持接觸；在可剝離膠帶和第一芯片之上形成塑封料，所述塑封料封裝第一芯片；移除基底和可剝離膠帶；在塑封料的一表面上形成第一介電層并在塑封料的另一表面上形成第二介電層；形成一個(gè)穿過第一介電層、第二介電層以及塑封料的通孔；鉆取一個(gè)穿過第一介電層的孔，連接到第一芯片的芯片焊盤；化學(xué)電鍍?cè)诘谝唤殡妼?、第二介電層、通孔以及孔之上的第一?dǎo)電層；粘貼一抗蝕膜，覆蓋所述化學(xué)電鍍的第一導(dǎo)電層；將抗蝕膜圖案化并暴露在外以形成一個(gè)圖案；根據(jù)抗蝕膜的圖案，電鍍?cè)谕?、孔以及第一?dǎo)電層之上的第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層處于第一介電層和第二介電層之上；移除抗蝕膜；蝕刻第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層以移除僅電鍍第一導(dǎo)電層的地方的第一導(dǎo)電層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]為了更完整地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在參考下文結(jié)合附圖進(jìn)行的描述，其中:
[0019]圖1(a)至1(c)圖示了各種封裝結(jié)構(gòu)，其包括一種基板，該基板具有一個(gè)或多個(gè)嵌入在基板核心層中的芯片。
[0020]圖2 (a)至2 (I)所示為一種制造基板的方法，所述基板具有一個(gè)或多個(gè)嵌入在核心層的芯片。
[0021]圖3(a)至3(1)所示為另一種制造基板的方法，所述基板具有一個(gè)或多個(gè)嵌入在核心層的芯片。
[0022]除非另有指示，否則不同圖中的對(duì)應(yīng)標(biāo)號(hào)和符號(hào)通常指代對(duì)應(yīng)部分。繪制各圖是為了清楚地說明各個(gè)實(shí)施例的相關(guān)方面，因此未必是按比例繪制的。

【具體實(shí)施方式】
[0023]下文將詳細(xì)論述本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施和使用。但應(yīng)了解，本發(fā)明提供的許多適用發(fā)明概念可在多種具體環(huán)境中實(shí)施。所論述的具體實(shí)施例僅僅說明用以制作和使用本發(fā)明的具體方式，而不限制本發(fā)明的范圍。
[0024]正如以下將會(huì)詳細(xì)說明的那樣，本發(fā)明將公開各種封裝技術(shù)中用于基板制造的結(jié)構(gòu)和方法。一個(gè)或多個(gè)芯片塑在塑封料中充當(dāng)一個(gè)核心層，所述核心層可替換由芯片封裝中使用的基板的介電層組成的正常核心層。該技術(shù)降低了核心層的高度并縮短了芯片之間的互連，以實(shí)現(xiàn)低成本的高密度，以及實(shí)現(xiàn)更好的熱管理。
[0025]圖1 (a)所示為一個(gè)基板核心層的結(jié)構(gòu)100。該結(jié)構(gòu)包括具有芯片焊盤103的芯片104，并且塑封料105封裝第一芯片104的同時(shí)使芯片焊盤103的一個(gè)外表面不被塑封料覆蓋，而與其他連接設(shè)備比如孔109保持接觸。所述結(jié)構(gòu)還包括位于塑封料表面上的第一介電層106，以及位于塑封料另一表面上的第二介電層106。第一導(dǎo)電層107位于第一介電層106的上方并且第二導(dǎo)電層107位于第二介電層106的上方，位于塑封料105的兩側(cè)。穿過第一介電層106、第二介電層106以及塑封料105的孔108鍍有或填充有如圖1(a)所示的金屬1081或如圖1(b)所示的金屬板1082，其中圖1(b)中的其他部分與圖1(a)所示的相同。以下的說明適用于填充金屬填料1081或鍍有金屬板1082的孔108。金屬填料1081或金屬板1082可適用于下面的說明，通常兩種情況均適用。
[0026]形成穿過第一介電層106的激光孔109并連接到芯片焊盤103。在結(jié)構(gòu)100上可形成一個(gè)以上的孔109。金屬填料1081、第一導(dǎo)電層107以及激光孔109使結(jié)構(gòu)100有一個(gè)水平的外表面。附加芯片211通過多個(gè)焊球123連接到激光孔109。所述結(jié)構(gòu)100可通過圖1(a)中的金屬填料1081或圖1(b)中的金屬板，借助于如焊球123等連接設(shè)備連接到芯片211。附加焊球123可用于將結(jié)構(gòu)100連接到位于芯片211相反側(cè)的印刷電路板(未示出)。
[0027]此外，結(jié)構(gòu)100充當(dāng)基板的核心層，還可以連接到如圖1(c)所示的增層212，其中圖1(c)中所有其他部分與圖1(b)所示的相同。圖1(c)僅示出了位于結(jié)構(gòu)一側(cè)的增層以形成基板?？稍诮Y(jié)構(gòu)的另一側(cè)形成另一增層以形成基板(未示出)。
[0028]圖1(a)至1(c)所示的基板核心層的結(jié)構(gòu)100僅僅是出于說明的目的，而并非限制性的。可存在各種其他配置以執(zhí)行與圖1(a)至1(c)所示的相同的功能。在下面的描述中結(jié)構(gòu)100可簡單的稱為基板的核心層或核心層。
[0029]可在所述塑封料105的兩側(cè)形成第一導(dǎo)電層107和第二導(dǎo)電層107。它們可包括同一層上的多個(gè)導(dǎo)電片，其中導(dǎo)電片之間彼此斷連。第一導(dǎo)電層107可包括多個(gè)導(dǎo)電子層且第二導(dǎo)電層包括多個(gè)導(dǎo)電子層。第一導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電子層和第二導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電子層可在不同的時(shí)間形成。
[0030]導(dǎo)電層107的材料不作限制。優(yōu)選地，導(dǎo)電層的材料從以下項(xiàng)中選擇:銅、錫、鎳、鉻、鈦、銅/鉻合金以及錫/鉛合金。形成導(dǎo)電層107的工藝不作限制。優(yōu)選地，可為濺射或化學(xué)電鍍工藝。
[0031]形成介電層106的孔109的工藝不作限制。優(yōu)選地，可以是雷射消融或曝光并顯影工藝。激光孔109可經(jīng)由第一導(dǎo)電層107連接到金屬填料1081。
[0032]第一芯片104可具有一個(gè)以上的芯片焊盤103，以及一個(gè)以上穿過第一介電層106連接到多個(gè)芯片焊盤103的激光孔109。金屬填料1081的外表面、第一導(dǎo)電層107的外表面以及多個(gè)激光孔109的外表面使得結(jié)構(gòu)100有一個(gè)平整的外表面。
[0033]可能存在一個(gè)以上穿過第一介電層106、第二介電層106以及塑封料105的孔108，孔108用多個(gè)金屬填料1081填充，其中多個(gè)金屬填料1081的外表面和第一導(dǎo)電層107的外表面使的結(jié)構(gòu)100具有一個(gè)平整的外表面。
[0034]可有一個(gè)以上的芯片104，每個(gè)芯片具有一個(gè)芯片焊盤103，其中塑封料105封裝與第一芯片分離的第二芯片，同時(shí)使第二芯片的芯片焊盤的外表面不被塑封料覆蓋，如圖1 (a)所示。可穿過第一介電層106形成第二激光孔109并連接到第二芯片104的芯片焊盤103。
[0035]第一介電層106可由非感光有機(jī)樹脂、感光有機(jī)樹脂以及環(huán)氧樹脂和玻璃纖維的混合物組成，所述感光有機(jī)樹脂包括Ajinomoto公司的增層有機(jī)膜(ABF)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、液晶聚合物(LCP)、聚酰亞胺(PI)、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、聚芳基酰胺或其他類似的材料。
[0036]第一導(dǎo)電層107與第一介電層106 —起,都可以是涂樹脂銅箔材料(RCC)或其他類似的材料。第二導(dǎo)電層107和第二介電層106也可以是RCC或其他類似的材料。
[0037]圖1(c)所示的增層212可以是一個(gè)PBGA基板的增層。PBGA基板存在一些簡單的配置:由鍍覆通孔(PTH)互連的兩層(2L)、四層(4L)或六層^L)電路。近來，盲孔或孔也用作互連以形成具有2L、l+2+l、2+2+2和1+4+1層的基板。
[0038]充當(dāng)一個(gè)核心層的結(jié)構(gòu)100和圖1 (C)所示的增層212可用于SBU層壓基板。SBU層壓基板可由3種不同的技術(shù)元素組成:用于焊接和粘貼的拋光表面、包含大多數(shù)連線的增層，以及一個(gè)提供機(jī)械強(qiáng)度的核心。增層的特征在于銅引線規(guī)格比如寬度、厚度以及間隔。SBU中幾乎所有的的信號(hào)配線都在增層上。
[0039]圖2(a)至2(1)所示為制造基板核心層的結(jié)構(gòu)100的示例方法，核心層中嵌入了一個(gè)或多個(gè)芯片104。
[0040]所述方法從如圖2(a)所示的第一步開始，其中在基底101之上放置可剝離膠帶201，其覆蓋基底101。在圖2(b)中，在可剝離膠帶102之上放置具有芯片焊盤103的第一芯片104，同時(shí)芯片焊盤103與膠帶102保持接觸。在所述可剝離膠帶102之上同樣可以放置具有芯片焊盤的第二芯片，同時(shí)第二芯片的芯片焊盤與膠帶102保持接觸。所述數(shù)目僅用于說明的目的并且在可剝離膠帶102之上可放置一個(gè)或兩個(gè)以上的芯片。
[0041]在圖2(c)中，在可剝離膠帶102和第一芯片104之上形成塑封料105，其封裝第一芯片104，同時(shí)使芯片焊盤103與可剝離膠帶102直接接觸。如果存在兩個(gè)如圖2(c)所示的芯片，則第一芯片和第二芯片都可封裝在塑封料105之內(nèi)，同時(shí)塑封料105將第一芯片與第二芯片隔開。
[0042]以下說明適用于示例芯片104，該芯片嵌入塑封料105中。然而，可對(duì)多個(gè)嵌入塑封料105中的芯片實(shí)施該過程。
[0043]在圖2(d)中，移除了可剝離膠帶102和基底101，使得塑封料105的表面和芯片焊盤103的表面形成了一個(gè)平面，該平面連接到膠帶表面。在圖2(e)中，在塑封料105的表面上形成第一介電層106并在塑封料105的另一表面上形成第二介電層106。在第一介電層106之上形成第一導(dǎo)電層107并在第二介電層106之上形成第二金屬層107。第一導(dǎo)電層107和第一介電層106可以是涂樹脂銅箔材料(RCC)或其他類似的材料。具有第二介電層106的第二導(dǎo)電層107也可以是涂樹脂銅箔材料(RCC)或其他類似的材料。
[0044]所述方法進(jìn)一步行進(jìn)到如圖2(f)所示的下一步，其中鉆取一個(gè)穿過第一介電層106、塑封料105以及第二介電層106的孔或通孔108。同樣可以鉆取多個(gè)孔。如果第一導(dǎo)電層107和第一介電層106由RCC材料一起形成,這時(shí)該孔同樣可以穿過第一導(dǎo)電層。
[0045]接著，所鉆取的通孔108和激光孔的表面可電鍍上導(dǎo)電層，或先將導(dǎo)電層電鍍?cè)谒@取通孔的表面然后插入如樹脂等的填充材料，或電鍍上導(dǎo)電銅直接填充該鉆取的通孔，以形成一個(gè)導(dǎo)電金屬板1082。同樣地,可穿過第一介電層形成一個(gè)或多個(gè)激光孔109,連接到第一芯片104的芯片焊盤。如果存在多個(gè)嵌入到塑封料105中的芯片，可形成一個(gè)穿過第一介電層連接到每個(gè)芯片的芯片焊盤的激光孔，其中金屬板1082的外表面、第一導(dǎo)電層107的外表面以及激光孔109的外表面形成了一個(gè)如圖2(f)所示的平面。
[0046]如圖2(g)所示，將第一光刻抗蝕膜110粘貼在結(jié)構(gòu)100上以覆蓋金屬板1082、激光孔109以及第一導(dǎo)電層107。同樣地,覆蓋金屬板1082和第二導(dǎo)電層107的第二光刻抗蝕膜也粘貼在結(jié)構(gòu)100上。如圖2(h)所示，模仿并暴露抗蝕膜110以在沒有第一抗蝕膜110的區(qū)域蝕刻第一導(dǎo)電層107，從而形成圖2(i)所示的結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電層上沒有第二抗蝕膜的地方同樣進(jìn)行了蝕刻。圖2(j)所示為移除所述第一抗蝕膜和第二抗蝕膜。
[0047]如圖2(k)所示，所述方法接著倒裝所述結(jié)構(gòu)讓有孔的一側(cè)朝上，以便可以組裝其他芯片。如圖2(1)所示，附加芯片211經(jīng)由一個(gè)連接設(shè)備連接到激光孔109，該連接設(shè)備可以是凸塊或焊球123?？纱嬖诙鄠€(gè)凸塊123連接孔109到芯片211。焊球等附加連接設(shè)備可用于將金屬板連接到其他芯片或其他結(jié)構(gòu)，比如PCB，未示出。圖中未示出，可以組裝附加結(jié)構(gòu)，比如增層。例如，增層可覆蓋金屬板1082、第一導(dǎo)電層107以及激光孔109，或者組裝另一增層來覆蓋結(jié)構(gòu)的另一側(cè)以及金屬填料和第二導(dǎo)電層。
[0048]圖3(a)至3(1)所示為另一個(gè)制造基板核心層的示例方法，所述基板核心層中嵌入了一個(gè)或多個(gè)芯片。
[0049]所述方法從如圖3(a)所示的第一步開始，其中在基底101之上放置覆蓋基底101的可剝離膠帶102，如前面圖2(a)所示。在所述可剝離膠帶之上可放置具有芯片焊盤103的第一芯片104，同時(shí)芯片焊盤103與膠帶102保持接觸。在所述可剝離膠帶102之上同樣可以放置具有芯片焊盤的第二芯片，同時(shí)第二芯片的芯片焊盤與膠帶102保持接觸。所述數(shù)目僅用于說明的目的并且在可剝離膠帶102之上可放置一個(gè)或兩個(gè)以上的芯片。在可剝離膠帶102和第一芯片104之上形成塑封料105，其封裝第一芯片104，同時(shí)使芯片焊盤103與可剝離膠帶102直接接觸。如果存在兩個(gè)如圖3(a)所示的芯片，則第一芯片和第二芯片都可封裝在塑封料105之內(nèi)，同時(shí)塑封料105將第一芯片與第二芯片隔開。
[0050]以下說明適用于示例芯片104，該芯片嵌入塑封料105中。然而，可對(duì)多個(gè)嵌入塑封料105中的芯片實(shí)施該過程。
[0051]在圖3(b)中，移除了可剝離膠帶102和基底101。因此塑封料105的表面和芯片焊盤103的表面形成了一個(gè)平面，該平面連接到基底表面。
[0052]在圖3(c)中，在塑封料105的兩側(cè)形成第一介電層106。第一介電層106可由非感光有機(jī)樹脂、感光有機(jī)樹脂以及環(huán)氧樹脂和玻璃纖維的混合物組成，所述感光有機(jī)樹脂包括Ajinomoto公司的增層有機(jī)膜(ABF)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、液晶聚合物(LCP)、聚酰亞胺(PD、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、聚芳基酰胺或其他類似的材料。
[0053]在圖3(d)中，鉆取穿過第一介電層106和塑封料105的通孔108 (其可稱為孔)。同樣地，可形成一個(gè)或多個(gè)穿過第一介電層的激光孔109，連接到第一芯片104的芯片焊盤103。如果存在多個(gè)嵌入到塑封料105中的芯片，可形成一個(gè)穿過所述第一介電層連接到每個(gè)芯片的芯片焊盤的激光孔。
[0054]在圖3(e)中，第一導(dǎo)電層107化學(xué)電鍍?cè)诘谝唤殡妼?06和激光孔109之上，以及通孔108的表面上，以形成金屬填料1081。沒有明確標(biāo)明圖3(e)至圖(f)中所示的與圖3(d)所示相同的組件。然而，根據(jù)圖3(d)很容易識(shí)別那些組件。
[0055]如圖3(f)所示，第一光刻抗蝕膜110附著在結(jié)構(gòu)100上，以在結(jié)構(gòu)的兩側(cè)覆蓋通孔108、激光孔109以及第一導(dǎo)電層107的表面。
[0056]如圖3(g)所示，將抗蝕膜110在特定區(qū)域圖案化并暴露在外。如圖3(h)所示，在第一導(dǎo)電層上可進(jìn)行第二導(dǎo)電電鍍111，但不能在抗蝕膜110覆蓋的地方進(jìn)行。
[0057]如圖3(i)所示，在進(jìn)行第二導(dǎo)電電鍍層111之后移除圖案化的抗蝕膜110。
[0058]如圖3(j)所示，當(dāng)?shù)诙?dǎo)電層111遮蓋住第一導(dǎo)電層107的時(shí)候，在第一導(dǎo)電層107和第二導(dǎo)電層111上快速進(jìn)行蝕刻，以在僅電鍍了第一金屬層107的區(qū)域移除此第一金屬層107。
[0059]如圖3(k)所示，在基板的任何一側(cè)都可以組裝其他芯片和封裝組件。通過撞擊、金線焊接等可以將附加芯片組裝到基板的一側(cè)。也可以將其他封裝的組件(比如BGA、LGA、電容器、電阻等等)組裝到基板的任何一側(cè)。另外，為了連接到其他基板或PCB，可以將焊球添加到基板的一側(cè)。
[0060]如圖3 (I)所示，附加芯片211經(jīng)由連接設(shè)備(其可為凸塊123)連接到激光孔109?？纱嬖诙鄠€(gè)凸塊123連接孔109到芯片211。焊球123等附加連接設(shè)備可用于將金屬填料連接到其他芯片或其他結(jié)構(gòu)，比如PCB。圖中未示出，可以組裝附加結(jié)構(gòu)，比如增層。例如，增層可覆蓋金屬填料板1081、第一導(dǎo)電層107以及激光孔109，或者組裝另一增層來覆蓋結(jié)構(gòu)的另一側(cè)以及金屬填料和第二導(dǎo)電層。
[0061]盡管已詳細(xì)描述本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但應(yīng)理解，在不脫離所附權(quán)利要求書界定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在本文中進(jìn)行各種改變、替代和更改。此外，本發(fā)明的范圍不應(yīng)限于說明書中描述的過程、機(jī)器、制造、物質(zhì)成分、構(gòu)件、方法和步驟的特定實(shí)施例。所屬領(lǐng)域的一般技術(shù)人員將從本發(fā)明中容易了解到，可根據(jù)本發(fā)明利用執(zhí)行與本文本所述對(duì)應(yīng)實(shí)施例大致相同的功能或?qū)崿F(xiàn)與本文本所述對(duì)應(yīng)實(shí)施例大致相同的效果的過程、機(jī)器、制造工藝、物質(zhì)成分、構(gòu)件、方法或步驟，包括目前存在的或以后將開發(fā)的。相應(yīng)地，所附權(quán)利要求書既定在其范圍內(nèi)包括此類過程、機(jī)器、制造工藝、物質(zhì)成分、構(gòu)件、方法或步驟。此夕卜，每個(gè)權(quán)利要求包括一項(xiàng)單獨(dú)的實(shí)施例，且各種權(quán)利要求和實(shí)施例的組合均在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基板核心層的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 具有芯片焊盤的第一芯片； 塑封料，所述塑封料封裝所述第一芯片，同時(shí)使所述芯片焊盤的外表面不被所述塑封料覆蓋； 位于所述模塑料的表面上的第一介電層和位于所述模塑料的另一表面上的第二介電層； 位于第一介電層之上的第一導(dǎo)電層和位于第二介電層之上的第二導(dǎo)電層； 穿過所述第一介電層、第二介電層，以及塑封料的孔，所述孔用金屬板填充；以及 穿過所述第一介電層形成并連接到所述芯片焊盤的激光孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述激光孔經(jīng)由所述第一導(dǎo)電層連接到所述金屬板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括所述第一芯片的多個(gè)芯片焊盤，以及穿過所述第一導(dǎo)電層和第一介電層連接到多個(gè)芯片焊盤的多個(gè)激光孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括穿過所述第一介電層、第二介電層以及塑封料的多個(gè)孔，所述多個(gè)孔用多個(gè)金屬板填充。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 具有芯片焊盤的第二芯片，其中所述塑封料封裝所述與第一芯片隔開的第二芯片，同時(shí)使所述第二芯片的芯片焊盤的外表面不被所述塑封料覆蓋；以及 穿過所述第一導(dǎo)電層和所述第一介電層連接到所述第二芯片的芯片焊盤的第二激光孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介電層由Ajinomoto公司的增層有機(jī)膜(ABF)、苯并環(huán)丁烯(BCB)，或其他類似材料組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和所述第一介電層以及所述第二導(dǎo)電層和所述第二介電層由涂樹脂銅箔材料(RCC)或其他類似材料組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層包括多個(gè)導(dǎo)電子層且所述第二導(dǎo)電層包括多個(gè)導(dǎo)電子層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電子層和所述第二導(dǎo)電層的多個(gè)導(dǎo)電子層可在不同的時(shí)間形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述結(jié)構(gòu)一側(cè)的增層以形成所述基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括位于所述結(jié)構(gòu)另一側(cè)的另一增層以形成所述基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括經(jīng)由連接設(shè)備連接到所述激光孔的附加芯片。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括經(jīng)由連接設(shè)備連接到所述金屬板的附加芯片。
14.一種制造基板核心層的方法，其特征在于，包括: 在一個(gè)可剝離膠帶之上放置一個(gè)具有芯片焊盤的第一芯片，所述可剝離膠帶覆蓋一個(gè)基底，同時(shí)所述芯片焊盤與所述膠保持接觸； 使用一個(gè)塑封料封裝所述第一芯片和所述芯片焊盤； 移除所述基底和所述可剝離膠帶； 在所述模塑料的表面上形成第一介電層并在所述模塑料的另一表面上形成第二介電層； 在所述第一介電層之上放置第一導(dǎo)電層并在所述第二介電層之上放置第二導(dǎo)電層； 形成一個(gè)穿過所述第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、第一介電層、第二介電層以及塑封料的孔； 形成一個(gè)穿過所述第一導(dǎo)電層和所述第一介電層的激光孔，所述激光孔連接到所述第一芯片的芯片焊盤； 使用金屬板電鍍所述孔和激光孔。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，還包括: 粘貼第一光刻抗蝕膜，所述第一光刻抗蝕膜覆蓋所述金屬板、激光孔以及第一導(dǎo)電層； 粘貼第二光刻抗蝕膜，所述第二光刻抗蝕膜覆蓋所述金屬板和第二導(dǎo)電層； 蝕刻所述第一導(dǎo)電層上沒有被所述第一抗蝕膜保護(hù)的地方； 蝕刻所述第二導(dǎo)電層上沒有被所述第二抗蝕膜保護(hù)的地方；以及 移除所述第一抗蝕膜和第二抗蝕膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，還包括: 組裝增層，所述增層覆蓋所述金屬板、第一導(dǎo)電層以及激光孔，或組裝增層，所述增層覆蓋所述金屬板和第二導(dǎo)電層。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，還包括: 在一個(gè)可剝離膠帶之上放置具有芯片焊盤的第二芯片，所述可剝離膠帶覆蓋一個(gè)基底同時(shí)所述第二芯片的芯片焊盤與所述膠帶保持接觸； 在所述可剝離膠帶、第一芯片以及第二芯片之上形成塑封料，所述塑封料封裝第一芯片和第二芯片，同時(shí)將第一芯片和第二芯片隔開；以及 形成穿過所述第一導(dǎo)電層和第一介電層的第二激光孔，所述激光孔連接到所述第二芯片的芯片焊盤。
18.—種制造基板核心層的方法，包括: 在一個(gè)可剝離膠帶之上放置具有芯片焊盤的第二芯片，所述可剝離膠帶覆蓋一個(gè)基底，同時(shí)所述芯片焊盤與所述膠帶保持接觸； 在所述可剝離膠帶之上和所述第一芯片之上形成塑封料，所述塑封料封裝所述第一芯片; 移除所述基底和所述可剝離膠帶； 在所述模塑料的一表面上形成第一介電層和在所述模塑料的另一表面上形成第二介電層； 形成一個(gè)穿過所述第一介電層、所述第二介電層以及所述塑封料的通孔，鉆取一個(gè)穿過所述第一介電層的孔，連接到所述第一芯片的芯片焊盤； 在所述第一介電層、第二介電層、通孔以及孔之上化學(xué)電鍍第一導(dǎo)電層； 粘貼抗蝕膜，覆蓋所述化學(xué)電鍍的第一導(dǎo)電層； 圖案化所述抗蝕膜并將其暴露在外以形成一個(gè)圖形； 根據(jù)所述抗蝕膜的圖案，在所述通孔、孔以及第一導(dǎo)電層之上電鍍第二導(dǎo)電層，所述通孔、孔以及第一導(dǎo)電層處于所述第一介電層和所述第二介電層之上； 移除所述抗蝕膜；以及 蝕刻所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層以在僅電鍍了所述第一導(dǎo)電層的區(qū)域移除此第一導(dǎo)電層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，還包括組裝增層，覆蓋所述第二導(dǎo)電層。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述第一介電層為ABF或BCB或其他類似材料。
【文檔編號(hào)】H01L21/50GK104428892SQ201380006004
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年1月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月20日
【發(fā)明者】于飛, 安瓦爾·穆罕默德, 牛瑞 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司