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泡沫絕緣導(dǎo)體的制作方法

文檔序號(hào):7036488閱讀:275來源:國(guó)知局
泡沫絕緣導(dǎo)體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電纜,所述電纜包括導(dǎo)體和圍繞所述導(dǎo)體的發(fā)泡絕緣體。所述發(fā)泡絕緣體具有均勻的空隙尺寸以及對(duì)所述導(dǎo)體的改善的粘附性。本發(fā)明還公開了導(dǎo)體厚度小于0.5588mm(22密耳)的電纜。
【專利說明】泡沬絕緣導(dǎo)體

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及泡沫絕緣導(dǎo)體更具體地,本發(fā)明涉及泡沫絕緣微電纜,諸如微同軸電 纜,以及其它小型電纜。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電子設(shè)備日益變小,對(duì)用于這些小型化設(shè)備的電纜的需要不斷增加。蜂窩電 話、超輕膝上型計(jì)算機(jī)、以及其它便攜式設(shè)備(GPS導(dǎo)航系統(tǒng)、平板電腦、便攜式游戲設(shè)備 等)被不斷設(shè)計(jì)成更小、更輕且更便于攜帶的。隨著向更小設(shè)備的持續(xù)趨勢(shì),必須開發(fā)新的 電導(dǎo)體以保持同步。
[0003] 較小電纜也可用于需要更大數(shù)據(jù)輸出的設(shè)備。例如,因?yàn)閭鞲衅骰驒z測(cè)器的分辨 率增加,所以確實(shí)需要傳送增加的數(shù)據(jù)量的容量。使用較小的電纜減少了所需的材料量并 且還允許將多根電纜捆綁以形成單電纜。在一些應(yīng)用中,可將數(shù)百根單獨(dú)的電纜捆綁成一 個(gè)柔性電纜。
[0004] 由于導(dǎo)體變得更小,所以圍繞所述導(dǎo)體的絕緣體對(duì)電纜的電特性具有更顯著的影 響,諸如信號(hào)衰減和電纜回波損耗。較小的導(dǎo)體通常需要更薄壁的絕緣體。因此,與較大導(dǎo) 體所要求的相比,可能需要使所述導(dǎo)體更精確地在絕緣體內(nèi)居中。
[0005] 就發(fā)泡絕緣體而言,空隙尺寸的大幅變化可顯著改變電纜在其長(zhǎng)度上的介電特 性。在具有大空隙的絕緣體中的區(qū)域可表現(xiàn)出比具有多個(gè)較小空隙的區(qū)域更低的局部介電 常數(shù)。此類差異可使得電纜不適用于期望的應(yīng)用。
[0006] 隨著電纜變得更小,還可能產(chǎn)生導(dǎo)體和絕緣體之間的粘附性的問題。導(dǎo)體和絕緣 體之間的小接觸區(qū)域可加劇低粘附性。
[0007] 因此期望具有絕緣電纜,所述絕緣電纜具有小導(dǎo)體。還期望提供用于電纜的發(fā)泡 絕緣體,其具有較小壁厚,所述發(fā)泡絕緣體為具有小導(dǎo)體的電纜提供合適的電特性。還期望 提供此類小導(dǎo)體和發(fā)泡絕緣體之間的良好粘附性。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 簡(jiǎn)而言之,并根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種電纜,所述電纜包括:
[0009] 導(dǎo)體;和
[0010] 圍繞所述導(dǎo)體的發(fā)泡絕緣體,
[0011] 其中所述導(dǎo)體具有不超過約22密耳的厚度。
[0012] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供用于電纜的發(fā)泡絕緣體,其中所述發(fā)泡絕緣體包含 具有多個(gè)空隙的發(fā)泡含氟聚合物,其中所述發(fā)泡絕緣體具有在約1密耳至約15密耳范圍內(nèi) 的厚度,其中所述空隙具有在約〇. 1密耳至約1密耳范圍內(nèi)的平均尺寸。
[0013] 本發(fā)明的發(fā)泡絕緣體可包含發(fā)泡含氟聚合物。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014] 本發(fā)明將結(jié)合附圖由以下詳細(xì)說明更充分地理解,其中:
[0015] 圖1是示出包含發(fā)泡全氟烷氧基共聚物的發(fā)泡絕緣體的橫截面的放大圖。
[0016] 圖2是包含氟化乙烯丙烯共聚物的發(fā)泡絕緣體的放大圖。
[0017] 盡管將結(jié)合其優(yōu)選實(shí)施例描述本發(fā)明,但應(yīng)當(dāng)理解其并不旨在將本發(fā)明限于該實(shí) 施例。相反,其旨在涵蓋可能包括在所附權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)的所有 替代方案、修改形式和等同物。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 在提出下述實(shí)施例詳情之前,先定義或闡明以下術(shù)語。
[0019] 本文所用的術(shù)語"全氟烷氧基共聚物"、"PFA共聚物"以及"PFA"是指四氟乙烯 ("TFE")和全氟(烷基乙烯基醚)("PAVE")的共聚物。PFA共聚物可符合ASTM D3307-10 標(biāo)準(zhǔn)。PFA共聚物可包含全氟(甲基乙烯基醚)("PMVE")、全氟(乙基乙烯基醚)("PEVE")、 全氟(丙基乙烯基醚)("PPVE")、全氟(丁基乙烯基醚)("PBVE")或它們的組合。
[0020] 本文所用的術(shù)語"氟化乙烯丙烯"、"FEP共聚物"、以及"FEP"是指六氟丙烯 ("HFP")以及TFE的共聚物。FEP共聚物的例子包括屬于ASTM D2116-07規(guī)格內(nèi)的那些。
[0021] 術(shù)語"熔體流動(dòng)速率"或"MFR"是根據(jù)ASTM D-1238,使用5kg砝碼在熔融聚合物 或共聚物上并在372°C的溫度下測(cè)量的聚合物或共聚物的熔體流動(dòng)速率,對(duì)于PFA共聚物 而言如ASTM D-3307-93所示,并且對(duì)于FEP共聚物而言如ASTM D-2116-91a所示。
[0022] 如本文所用,術(shù)語"空隙尺寸"及其變型形式是指空隙的最大尺寸。例如,球形空隙 的空隙尺寸將為空隙的直徑,而橢球形的空隙尺寸將為長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度。術(shù)語"平均空隙尺寸" 是每個(gè)空隙的空隙尺寸的算術(shù)平均值。
[0023] 另外,使用"一個(gè)"或"一種"來描述本文所描述的要素和組分。這樣做僅是為了 方便并且對(duì)本發(fā)明的范圍給出一般含義。該描述應(yīng)被理解為包括一個(gè)或至少一個(gè),并且除 非明顯地另有所指,單數(shù)還包括復(fù)數(shù)。
[0024] 除非另外定義,本文所用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語具有的意義與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的 普通技術(shù)人員通常所理解的一樣。盡管與本文所述的那些方法和材料的類似者或等同者均 可用于本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)踐或檢驗(yàn),但合適的方法和材料是如下文所述的那些。除非引用 具體段落,本文提及的所有出版物、專利申請(qǐng)、專利以及其它參考文獻(xiàn)全文均以引用方式并 入本文。如發(fā)生矛盾,以本說明書及其包括的定義為準(zhǔn)。此外,材料、方法和例子僅是例證 性的,并且不旨在進(jìn)行限制。
[0025] 根據(jù)本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例,電纜包括導(dǎo)體和圍繞所述導(dǎo)體的發(fā)泡絕緣體。導(dǎo) 體可包含本領(lǐng)域已知的任何導(dǎo)電材料,諸如例如銅和銅合金、鋼和鍍層鋼(例如銅覆蓋的 碳鋼)、鋁和鋁合金、銀等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解導(dǎo)電材料可基于期望的電纜電特性、期望 的電纜機(jī)械性能、電纜將被使用的應(yīng)用和位置、以及確定合適的導(dǎo)電材料時(shí)必要的其它考 慮因素來選擇。
[0026] 在至少一個(gè)實(shí)施例中,導(dǎo)體為24AWG或更?。s22密耳或更?。?。在另一個(gè)實(shí)施 例中,導(dǎo)體為32AWG或更?。s8密耳或更?。?。在另一個(gè)實(shí)施例中,導(dǎo)體為36AWG或更小 (約5密耳或更?。?。在至少另一個(gè)實(shí)施例中,導(dǎo)體為38AWG或更?。s4密耳或更小)。 在其它實(shí)施例中,導(dǎo)體為40AWG或更?。s3密耳或更?。?、42AWG或更?。s2. 5密耳或 更?。?、44AWG或更小(約2密耳或更?。?6AWG或更?。s1· 5密耳或更小)、或者48AWG 或更?。s1. 2密耳或更小)。
[0027] 在至少一個(gè)實(shí)施例中,導(dǎo)體具有在約38AWG至約48AWG范圍內(nèi)的厚度。在其它實(shí) 施例中,導(dǎo)體可具有在約40AWG至約46AWG范圍內(nèi)的厚度。
[0028] 術(shù)語"厚度"是指導(dǎo)體的最大寬度。根據(jù)本公開使用的導(dǎo)體可具有圓形橫截面、正 方形橫截面、橢圓橫截面、三角形橫截面或任何其它多邊形橫截面幾何形狀。本領(lǐng)域的普通 技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到導(dǎo)體的幾何形狀可基于期望的電纜應(yīng)用或期望的電纜電特性來選擇。
[0029] 在至少一個(gè)實(shí)施例中,發(fā)泡絕緣體可包含含氟聚合物。例如,含氟聚合物可包含 PFA共聚物。在另一個(gè)實(shí)施例中,發(fā)泡絕緣體基本上由PFA共聚物組成。根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施 例,PFA共聚物的PAVE組分選自PMVE、PEVE、PPVE和PBVE共聚物。在至少一個(gè)實(shí)施例中, PFA共聚物包含PPVE。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例,PFA共聚物具有至少約35g/10min的熔體流動(dòng)速 率("MFR")。在其它實(shí)施例中,PFA共聚物具有至少約40g/10min的MFR。在另一個(gè)實(shí)施 例中,PFA共聚物具有約42g/10min的MFR。
[0031] 在一些實(shí)施例中,PFA共聚物的MFR可在約35g/10min至約50g/10min,諸如約 38g/10min 至約 47g/10min、或約 40g/10min 至約 44g/10min 的范圍內(nèi)。
[0032] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)泡絕緣體可包含空隙,所述空隙具有在約0. 1密耳至約1 密耳范圍內(nèi)的平均尺寸。在其它實(shí)施例中,所述空隙可具有在約0. 25密耳至約0. 5密耳范 圍內(nèi)的平均尺寸。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,絕緣體是閉孔泡沫。
[0033] 發(fā)泡絕緣體中的空隙可表現(xiàn)出窄范圍的尺寸。例如,發(fā)泡絕緣體中至少約90%的 空隙可具有在約〇. 25密耳至約0. 5密耳范圍內(nèi)的尺寸。在其它實(shí)施例中,至少95%的空隙 具有在約〇. 25密耳至約0. 5密耳范圍內(nèi)的尺寸。換句話講,一些實(shí)施例可具有小于5%或 小于10%的在0. 25密耳至約0. 5密耳范圍之外的空隙。
[0034] 空隙尺寸的一致性還可描述為與平均尺寸的偏差。例如,發(fā)泡絕緣體可基本上不 具有與空隙的平均尺寸的差別超過2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差的空隙。在其它實(shí)施例中,基本上所有空 隙與空隙的平均尺寸的差別均小于1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差。如本文所用,"基本上所有空隙"是指空 隙占總體積,或者在絕緣體的橫截面中,空隙占總面積的至少98%。
[0035] 所謂的發(fā)泡絕緣體是指泡沫具有在約10%至約55%范圍內(nèi)的空隙率。在其它實(shí) 施例中,空隙率可以在約20 %至約40 %或約40 %至約50 %的范圍內(nèi)。
[0036] 圍繞導(dǎo)體的發(fā)泡絕緣體可具有在約1密耳至約15密耳范圍內(nèi)的壁厚。在至少一 個(gè)實(shí)施例中,壁厚的范圍為約2密耳至約10密耳。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到發(fā)泡絕 緣體的壁厚可基于期望的電纜電特性(例如,期望的阻抗)、絕緣材料的介電常數(shù)、導(dǎo)體的 半徑和/或當(dāng)存在時(shí)外部導(dǎo)體的半徑等來確定。
[0037] 本公開的電纜還可包含在發(fā)泡絕緣體的外表面上的聚合物層。在至少一個(gè)實(shí)施例 中,所述聚合物層包含固體(即,未發(fā)泡)層。
[0038] 電纜可呈同軸電纜的形式,其中所述導(dǎo)體和發(fā)泡絕緣體還被屏蔽層和外護(hù)套包 圍。
[0039] 電纜還可呈雙絞線的形式,其中所述電纜包括兩個(gè)導(dǎo)體,所述導(dǎo)體中每一個(gè)被發(fā) 泡絕緣體包圍,然后兩個(gè)絕緣導(dǎo)體彼此絞合纏繞。
[0040] 本公開的電纜還可用于束式電纜。所述束式電纜可包含多個(gè)泡沫絕緣導(dǎo)體、多個(gè) 雙絞線、或多個(gè)同軸電纜。
[0041] 在至少一個(gè)實(shí)施例中,發(fā)泡絕緣體可呈管的形式。所述管的內(nèi)徑可為約22密耳或 更小。上文已描述了許多方面和實(shí)施例,并僅為示例性而非限制性的。在閱讀完本說明書 后,技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到,在不脫離本發(fā)明范圍的情況下,其他方面和實(shí)施例也是可能的。 [0042] 根據(jù)以下【具體實(shí)施方式】和權(quán)利要求,任何一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的其它特征和有益效 果將顯而易見。
[0043]
[0044] 本文所描述的概念將在以下實(shí)例中進(jìn)一步描述,所述實(shí)例不限制權(quán)利要求中描述 的本發(fā)明的范圍。
[0045] 實(shí)例 1
[0046] 在實(shí)例1中,電纜使用實(shí)心,單股24AWG銅導(dǎo)體制成。所述導(dǎo)體用發(fā)泡絕緣體包 圍,所述發(fā)泡絕緣體包含MFR為42g/10min的PFA共聚物。PFA共聚物包含TFE和約4. 5重 量 % PPVE (DuPont? Teflon? PFA416HP 含氟聚合物樹脂,購(gòu)自 DuPont Company)。
[0047] 絕緣線如下形成。使用包含氮化硼(91. 1±0. 5重量% )、四硼酸鈣(2. 5+0. 2重 量% )以及Zonyl? BAS(6. 4±0. 2重量% )的泡沫成核組合。將該泡沫成核組合配混到 Teflon PFA416 含氟聚合物(由 Ε· I. duPont de Nemours&Co. , Wilmington, Del.制造), 熔體流動(dòng)速率(MFR)為42g/10min的全氟聚合物中,以形成氮化硼含量為所得組合物的大 約4重量%的母料。
[0048] 經(jīng)由在Kombi-plast擠出機(jī)上執(zhí)行的配混操作來形成粒料,所述Kombi-plast 擠出機(jī)由28mm雙螺桿擠出機(jī)和38mm單螺桿擠出機(jī)組成。將母料粒料和基料含氟聚合 物(Teflon? PFA416)的粒料以約9. 5 : 0. 5的比率干混以形成可發(fā)泡的熱塑性組合 物,隨后將所述組合物進(jìn)料到Nokia-Mai 1 lefer45mm擠出線材生產(chǎn)線以將絕緣體擠出到 24AWG(. 57mm)實(shí)心銅導(dǎo)體上。擠出機(jī)具有30 : 1的長(zhǎng)度/直徑比率,并配備有螺旋混合 器,以提供均勻的溫度并使氮?dú)夥稚⒌饺垠w中。
[0049] 以300ft/min(91m/min)的速度將發(fā)泡的熱塑性組合物材料擠出到線材上,以制 備厚度為.36mm的絕緣體,所述絕緣體具有30 %的空隙率。利用模具和導(dǎo)向器末端組合,所 述組合產(chǎn)生16 : 1的拉伸比率(模具區(qū)域的橫截面積/成品擠出物的橫截面積)。
[0050] 如圖1所示在高倍放大下觀察發(fā)泡絕緣體??梢钥闯?,實(shí)例1的發(fā)泡絕緣體包含 設(shè)定成均勻尺寸的空隙。
[0051] 測(cè)試實(shí)例1的電纜的25個(gè)樣品以測(cè)定峰值載荷。對(duì)實(shí)例1進(jìn)行觀察,根據(jù)ASTM D-3032-10測(cè)量,平均峰值載荷或剝離力為1. 491bf,其中標(biāo)準(zhǔn)偏差為0. 131bf??梢钥闯?, 實(shí)例1的電纜還展示出導(dǎo)體和發(fā)泡絕緣體之間的優(yōu)異的粘附性。
[0052] 比較例1
[0053] 在比較例1中,使用實(shí)心的單股銅導(dǎo)體制備電纜,所述銅導(dǎo)體被發(fā)泡絕緣體包圍。 導(dǎo)體和絕緣體的尺寸與實(shí)例1的那些基本上相同。使用購(gòu)自DuPont的Teflon? FFR770含 氟聚合物樹脂制備比較例1的發(fā)泡絕緣體。使用實(shí)例1中所用的相同成核組合以制備用于 該比較例1的發(fā)泡絕緣體。Tefi〇nK FFR770是MFR為30g/10min的FEP含氟聚合物。
[0054] 在圖2所示的放大倍數(shù)下觀察比較例1的發(fā)泡絕緣體。可以看出,比較例1的發(fā) 泡絕緣體具有比實(shí)例1中的空隙偏差更大的空隙尺寸,并包括大得多的空隙。
[0055] 測(cè)試比較例1的電纜的25個(gè)樣品來測(cè)定峰值載荷。觀察比較例1,平均峰值載荷 為1. 171bf,其中標(biāo)準(zhǔn)偏差為0. 211bf。
[0056] 因此,實(shí)例1的電纜表現(xiàn)出比比較例1顯著更高的峰值應(yīng)力和峰值載荷,同時(shí)還表 現(xiàn)出更低的標(biāo)準(zhǔn)偏差。
【權(quán)利要求】
1. 電纜,包括: 導(dǎo)體;和 圍繞所述導(dǎo)體的發(fā)泡絕緣體, 其中所述導(dǎo)體具有不超過約22密耳的厚度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電纜,其中所述導(dǎo)體具有不超過約8密耳的厚度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電纜,其中所述導(dǎo)體具有不超過約5密耳的厚度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電纜,其中所述導(dǎo)體具有不超過約4密耳的厚度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電纜,其中所述發(fā)泡絕緣體包含含氟聚合物。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電纜,其中所述含氟聚合物包含全氟烷氧基共聚物。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電纜,其中所述全氟烷氧基共聚物具有至少約35g/10min的 熔體流動(dòng)速率。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電纜,其中所述全氟烷氧基共聚物具有至少約40g/10min的 熔體流動(dòng)速率。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電纜,其中所述全氟烷氧基共聚物具有在約35g/10min至約 50g/10min范圍內(nèi)的熔體流動(dòng)速率。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電纜,其中所述全氟烷氧基共聚物具有在約38g/10min至約 47g/10min范圍內(nèi)的熔體流動(dòng)速率。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電纜,其中所述全氟烷氧基共聚物具有在約40g/10min至 約44g/10min范圍內(nèi)的熔體流動(dòng)速率。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電纜,其中所述發(fā)泡絕緣體包含多個(gè)空隙,其中所述空隙具 有在約0. 1密耳至約1密耳范圍內(nèi)的平均尺寸。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電纜,其中所述空隙具有在約0. 25密耳至約0. 5密耳范圍 內(nèi)的平均尺寸。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的電纜,其中至少90%的所述空隙具有在約0. 25密耳至約 0.5密耳范圍內(nèi)的尺寸。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電纜,其中至少95 %的所述空隙具有在約0. 25密耳至約 0.5密耳范圍內(nèi)的尺寸。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電纜,其中所述空隙具有變化不超過2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差的尺寸。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的電纜,其中所述空隙具有變化不超過1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差的尺寸。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電纜,其中所述發(fā)泡絕緣體具有在約1密耳至約15密耳范 圍內(nèi)的壁厚。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電纜,其中所述發(fā)泡絕緣體具有在約2密耳至約10密耳范 圍內(nèi)的壁厚。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電纜,其中所述發(fā)泡絕緣體具有在約25%至約75%范圍內(nèi) 的空隙密度。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的電纜,其中所述發(fā)泡絕緣體具有在約35%至約55%范圍內(nèi) 的空隙密度。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的電纜,其中所述發(fā)泡絕緣體具有在約40%至約50%范圍內(nèi) 的空隙密度。
23. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電纜,還包含在所述發(fā)泡絕緣體的外表面上的固體聚合物 層。
24. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電纜,其中所述電纜為同軸電纜。
25. 用于電纜的發(fā)泡絕緣體,其中所述發(fā)泡絕緣體包含具有多個(gè)空隙的發(fā)泡含氟聚合 物,其中所述發(fā)泡絕緣體具有在約1密耳至約15密耳范圍內(nèi)的厚度,其中所述空隙具有在 約0. 1密耳至約1密耳范圍內(nèi)的平均尺寸。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的絕緣體,其中所述空隙具有變化不超過2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差的尺 寸。
27. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的絕緣體,其中所述發(fā)泡絕緣體具有在約25%至約75%范圍 內(nèi)的空隙密度。
28. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的絕緣體,其中所述含氟聚合物包含全氟烷氧基共聚物。
29. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的絕緣體,其中所述全氟烷氧基共聚物具有在約35g/10min 至約50g/10min范圍內(nèi)的熔體流動(dòng)速率。
30. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的絕緣體,其中所述絕緣體呈管的形式。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的絕緣體,其中所述絕緣體的內(nèi)徑不大于約22密耳。
【文檔編號(hào)】H01B3/44GK104094363SQ201380006176
【公開日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月27日
【發(fā)明者】G.圖奧特 申請(qǐng)人:納幕爾杜邦公司
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