使用各向異性導(dǎo)電材料的連接方法及各向異性導(dǎo)電接合體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種各向異性導(dǎo)電接合體，其為經(jīng)由各向異性導(dǎo)電材料將第一電子零件的端子和第二電子零件的端子連接的各向異性導(dǎo)電接合體，其中，所述第一電子零件的端子具有硬金屬部及比所述硬金屬部更柔軟的軟金屬部，所述各向異性導(dǎo)電材料具有導(dǎo)電性粒子，所述軟金屬部與所述導(dǎo)電性粒子連接，所述硬金屬部與所述第一電子零件的配線連接，所述硬金屬部的硬度為Hv100～650，所述軟金屬部的硬度為Hv10～100，所述導(dǎo)電性粒子的硬度為5,880N/mm2～26,460N/mm2。
【專利說明】使用各向異性導(dǎo)電材料的連接方法及各向異性導(dǎo)電接合體

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及使用各向異性導(dǎo)電材料的連接方法及各向異性導(dǎo)電接合體。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前，作為將電子零件與基板連接的手段，使用將分散有導(dǎo)電性粒子的熱固化 性樹脂涂布于剝離膜上的帶狀的連接材料（例如，各向異性導(dǎo)電膜（ACF:Anisotropic Conductive Film)等各向異性導(dǎo)電材料）。
[0003] 例如，該各向異性導(dǎo)電材料以將撓性印刷基板（FPC)或1C芯片的端子與形成于 IXD面板的玻璃基板上的（IT0(Indium Tin Oxide)電極連接的情況為主，被用于與將各種 端子彼此粘接并同時電連接的情況。
[0004] 近年來，電子零件正持續(xù)更小型化、集成化。因此，上述電子零件具有的電極，其彼 此相鄰的電極間的間距正持續(xù)變得更?。ㄎ⒓?xì)間距）。作為微細(xì)間距的配線，為了對應(yīng)高電 壓及高電流，使用具有高硬度的配線（例如，Al、Cu、非結(jié)晶ΙΤ0、ΙΖ0等）。但是，在使用高硬 度的配線的情況下，需要在上述各向異性導(dǎo)電材料中使用高硬度的導(dǎo)電性粒子。于是，在如 目前那樣各種端子僅由Au形成的情況下，因為Au為軟金屬，所以上述導(dǎo)電性粒子會被埋沒 于上述端子中，不能充分進(jìn)行上述導(dǎo)電性粒子的崩塌，從各向異性導(dǎo)電連接的初期開始連 接電阻值就變高，存在連接可靠性降低這樣的問題。另一方面，如果提高上述端子的硬度， 則上述導(dǎo)電性粒子的崩塌變得過剩，因此，各向異性導(dǎo)電連接的期間的粒子排斥變大，存在 連接可靠性降低這樣的問題。
[0005] 作為防止各種端子埋沒的技術(shù)，公開有一種將形成于第一基板的第一金制突起狀 電極和形成于第二基板的第二金制突起狀電極粘著的電子器件，與上述第二金制突起狀電 極的硬度相比，上述第一金制突起狀電極的硬度為形成較高值者（參照專利文獻(xiàn)1)。另外， 作為上述第一金制突起狀電極，公開有在硬度比金高的金屬的接合面?zhèn)然蛉砻嫔媳桓步?的電極。
[0006] 但是，該情況下，因直接粘著上述第一金制突起狀電極和上述第二金制突起狀電 極，所以不能預(yù)見使用上述各向異性導(dǎo)電材料，依然殘留導(dǎo)電性粒子會埋沒于端子，導(dǎo)電性 粒子的崩塌不能充分進(jìn)行，從各向異性導(dǎo)電連接的初期連接電阻值就變高，連接可靠性會 降低的問題，及粒子排斥變大，各向異性導(dǎo)電連接的期間的連接可靠性會降低的問題。
[0007] 因此，在微細(xì)間距的各向異性導(dǎo)電連接中，目前正尋求提供使用導(dǎo)電性粒子的崩 塌會良好地進(jìn)行、從各向異性導(dǎo)電連接的初期連接電阻值就低、且各向異性導(dǎo)電連接的期 間的導(dǎo)電性粒子的粒子排斥變小、連接可靠性提高的各向異性導(dǎo)電材料的連接方法及各向 異性導(dǎo)電接合體。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)
[0010] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利公開第2004-193161號公報


【發(fā)明內(nèi)容】
toon] 發(fā)明所要解決的課題
[0012] 本發(fā)明以解決現(xiàn)有的所述諸多問題，實現(xiàn)以下目的為課題。即，本發(fā)明的目的在 于，提供使用各向異性導(dǎo)電材料的連接方法及各向異性導(dǎo)電接合體，在微細(xì)間距的各向異 性導(dǎo)電連接中，導(dǎo)電性粒子的崩塌會良好地進(jìn)行，從各向異性導(dǎo)電連接的初期連接電阻值 就低，且各向異性導(dǎo)電連接的期間的導(dǎo)電性粒子的粒子排斥變小，連接可靠性提高。
[0013] 作為用于解決上述課題的手段，如下。即：
[0014] 〈1> 一種各向異性導(dǎo)電接合體，其為經(jīng)由各向異性導(dǎo)電材料將第一電子零件的端 子和第二電子零件的端子連接的各向異性導(dǎo)電接合體，其特征在于，
[0015] 所述第一電子零件的端子具有硬金屬部及比所述硬金屬部柔軟的軟金屬部，
[0016] 所述各向異性導(dǎo)電材料具有導(dǎo)電性粒子，
[0017] 所述軟金屬部與所述導(dǎo)電性粒子連接，
[0018] 所述硬金屬部與所述第一電子零件的配線連接，
[0019] 所述硬金屬部的硬度為HvlOO?Hv650，
[0020] 所述軟金屬部的硬度為HvlO?HvlOO，
[0021] 所述導(dǎo)電性粒子的硬度為5, 880N/mm2?26, 460N/mm2。
[0022] 〈2>根據(jù)所述〈1>所述的各向異性導(dǎo)電接合體，其中，
[0023] 硬金屬部為平板狀，且連接前的所述硬金屬部的平均厚度為3. 0 μ m?12. 0 μ m，
[0024] 軟金屬部為平板狀，且連接前的所述軟金屬部的平均厚度為0. 1 μ m?9. 0 μ m。
[0025] 〈3>根據(jù)所述〈1>或〈2>所述的各向異性導(dǎo)電接合體，其中，
[0026] 連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑為3. 0 μ m?10. 0 μ m。
[0027] 〈4>根據(jù)所述〈2>或〈3>所述的各向異性導(dǎo)電接合體，其中，
[0028] 連接前的平板狀的軟金屬部的平均厚度[Α(μπι)]和連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù) 平均粒徑[D ( μ m)]之比（A/D)為0· 02?1. 00。
[0029] 〈5>根據(jù)所述〈1>?〈4>中任一項所述的各向異性導(dǎo)電接合體，其中，
[0030] 硬金屬部的硬度（H)和軟金屬部的硬度（S)之差（Η-s)為Hv40以上。
[0031] 〈6>根據(jù)所述〈2>?〈5>中任一項所述的各向異性導(dǎo)電接合體，其中，
[0032] 連接前的平板狀的軟金屬部的平均厚度[Α(μπι)]和連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù) 平均粒徑[D ( μ m)]之比（A/D)為0· 07?0· 70，
[0033] 硬金屬部的硬度（H)和軟金屬部的硬度（S)之差（Η-S)為Hv50?Hv350。
[0034] 〈7>-種連接方法，將第一電子零件的端子和第二電子零件的端子進(jìn)行各向異性 導(dǎo)電連接，其特征在于，
[0035] 所述第一電子零件的端子具有硬金屬部及比所述硬金屬部柔軟的軟金屬部，
[0036] 所述硬金屬部與所述第一電子零件的配線連接，
[0037] 該方法包含：
[0038] 配置工序，在所述第一電子零件的端子及所述第二電子零件的端子的任一方上配 置含有導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電材料；
[0039] 載置工序，在所述各向異性導(dǎo)電材料上載置另一所述電子零件：
[0040] 加熱擠壓工序，以所述軟金屬部和所述導(dǎo)電性粒子連接的方式對所述第一電子零 件及所述第二電子零件的任一方進(jìn)行加熱及擠壓，
[0041] 所述硬金屬部的硬度為HvlOO?Hv650，
[0042] 所述軟金屬部的硬度為HvlO?HvlOO，
[0043] 所述導(dǎo)電性粒子的硬度為5, 880N/mm2?26, 460N/mm2。
[0044] 〈8>根據(jù)所述〈7>所述的連接方法，其中，
[0045] 硬金屬部為平板狀，且連接前的所述硬金屬部的平均厚度為3. 0 μ m?12. 0 μ m，
[0046] 軟金屬部為平板狀，且連接前的所述軟金屬部的平均厚度為0. 1 μ m?9. 0 μ m。
[0047] 〈9>根據(jù)所述〈7>或〈8>所述的連接方法，其中，
[0048] 連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑為3. 0 μ m?10. 0 μ m。
[0049] 〈10>根據(jù)所述〈8>或〈9>所述的連接方法，其中，
[0050] 連接前的平板狀的軟金屬部的平均厚度[Α(μπι)]和連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù) 平均粒徑[D ( μ m)]之比（A/D)為0· 02?1. 00。
[0051] 〈11>根據(jù)所述〈7>?〈10>中任一項所述的連接方法，其中，
[0052] 硬金屬部的硬度（H)和軟金屬部的硬度（S)之差（Η-S)為Hv40以上。
[0053] 〈12>根據(jù)所述〈8>?〈11>中任一項所述的連接方法，其中，
[0054] 連接前的平板狀的軟金屬部的平均厚度[Α(μπι)]和連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù) 平均粒徑[D ( μ m)]之比（A/D)為0· 07?0· 70，
[0055] 硬金屬部的硬度（H)和軟金屬部的硬度（S)之差（Η-S)為Hv50?Hv350。
[0056] <13> 一種各向異性導(dǎo)電接合體，其特征在于，通過所述〈7>?〈12>中任一項所述 的連接方法制造。
[0057] 發(fā)明效果
[0058] 根據(jù)本發(fā)明，可提供一種各向異性導(dǎo)電材料的連接方法及各向異性導(dǎo)電接合體， 其可解決現(xiàn)有的所述諸多問題，實現(xiàn)所述目的，在微細(xì)間距的各向異性導(dǎo)電連接中，導(dǎo)電性 粒子的崩塌會良好地進(jìn)行，從各向異性導(dǎo)電連接的初期連接電阻值就低，且各向異性導(dǎo)電 連接的期間的導(dǎo)電性粒子的粒子排斥變小，連接可靠性提高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0059] 圖1是用于說明用于本發(fā)明的第一電子零件的一個實例的概略剖面圖。
[0060] 圖2A是用于說明本發(fā)明的連接方法的一個實例的概略剖面圖。
[0061] 圖2B是用于說明本發(fā)明的連接方法的一個實例的概略剖面圖。
[0062] 圖2C是用于說明本發(fā)明的連接方法的一個實例的概略剖面圖。

【具體實施方式】
[0063] (各向異性導(dǎo)電接合體）
[0064] 本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電接合體至少具有第一電子零件、第二電子零件、各向異性 導(dǎo)電材料，進(jìn)而根據(jù)需要具有其它部件。
[0065] 上述各向異性導(dǎo)電接合體是經(jīng)由上述各向異性導(dǎo)電材料將上述第一電子零件的 端子和上述第二電子零件的端子連接的接合體。
[0066]〈第一電子零件〉
[0067] 作為上述第一電子零件，只要是具有端子，且成為使用上述各向異性導(dǎo)電材料的 各向異性導(dǎo)電連接的對象的電子零件，則就沒有特別限制，可以根據(jù)目的適宜選擇，例如可 舉出1C芯片、TAB帶、液晶面板等。作為上述1C芯片，例如可舉出平板顯示器（FPD)中的 液晶畫面控制用1C芯片等。
[0068]-第一電子零件的端子_
[0069] 作為上述第一電子零件的端子，是成為使用上述各向異性導(dǎo)電材料的各向異性導(dǎo) 電連接的對象的電子零件的端子，只要具有硬金屬部及比上述硬金屬部更柔軟的軟金屬 部，就沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇。
[0070] -硬金屬部一
[0071] 作為上述硬金屬部，只要與上述第一電子零件的配線連接，且硬度為HvlOO? Hv650,就沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇。
[0072] 作為上述硬金屬部的材質(zhì)，例如可舉出附、？(1、(：11、11、？6、0、鋁六1、111等。它們 可以單獨使用一種，也可以并用兩種以上。
[0073] 作為上述硬金屬部的硬度，優(yōu)選為HvlOO?Hv450。
[0074] -硬度（Hv) -
[0075] 上述硬度是維氏硬度。作為上述維氏硬度的測定方法，可舉例JISZ2244所記載的 方法等。
[0076] 硬金屬部的形狀等
[0077] 作為上述硬金屬部的形狀，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出平板 狀、凹板狀、凸板狀、凹凸板狀、波板狀等。其中優(yōu)選平板狀。
[0078] 作為上述硬金屬部的結(jié)構(gòu)，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出由一 種單獨的部件形成的結(jié)構(gòu)、由兩種以上的部件形成的結(jié)構(gòu)等。
[0079] 作為上述硬金屬部的平均厚度，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，但從上 述各向異性導(dǎo)電接合體的耐久性及各向異性導(dǎo)電連接時的導(dǎo)電性的觀點來看，優(yōu)選為 3.(^111?12.(^111，更優(yōu)選為5.(^111?11.(^111，特另1」優(yōu)選為10.(^111?11.(^111。另夕卜， 上述硬金屬部的平均厚度是上述第一電子零件的端子和上述第二電子零件的端子連接之 前所測定的平均厚度。
[0080] 上述硬金屬部的平均厚度例如可通過從上述硬金屬部選擇任意十點，測定各個點 的厚度，并算出測定結(jié)果的厚度平均值而求得。
[0081] -軟金屬部一
[0082] 作為上述軟金屬部，只要與導(dǎo)電性粒子連接，且硬度為HvlO?HvlOO,就沒有特別 限制，可根據(jù)目的適宜選擇。
[0083] 作為上述軟金屬部的材質(zhì)，例如可舉出An、Ag、焊料等。它們可以單獨使用一種， 也可以并用兩種以上。
[0084] 作為上述硬金屬部的硬度（H)和上述軟金屬部的硬度（S)之差（H-S)，優(yōu)選為 Hv40以上，更優(yōu)選為Hv50?Hv350。
[0085] -軟金屬部的形狀等一
[0086] 作為上述軟金屬部的形狀，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出平板 狀、凹板狀、凸板狀、凹凸板狀、波板狀等。其中優(yōu)選平板狀。
[0087] 作為上述軟金屬部的結(jié)構(gòu)，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出由一 種單獨的部件形成的結(jié)構(gòu)、由兩種以上的部件形成的結(jié)構(gòu)等。
[0088] 作為上述軟金屬部的平均厚度，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，但從上 述各向異性導(dǎo)電接合體的耐久性及各向異性導(dǎo)電連接時的導(dǎo)電性的觀點來看，優(yōu)選為 0· 1 μ m?9. 0 μ m，更優(yōu)選為0· 2 μ m?7. 0 μ m，特別優(yōu)選為1. 0 μ m?2. 0 μ m。此夕卜，上述 軟金屬部的平均厚度是在上述第一電子零件的端子和上述第二電子零件的端子連接之前 所測定的平均厚度。
[0089] 作為上述軟金屬部的平均厚度的測定方法，例如可通過從上述軟金屬部選擇任意 十點，測定各個點的厚度，并算出測定結(jié)果的厚度的平均值而求得。
[0090] 〈第二電子零件〉
[0091] 作為上述第二電子零件，只要是具有端子，且成為使用上述各向異性導(dǎo)電材料的 各向異性導(dǎo)電連接的對象的電子零件，就沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出 與上述第一電子零件同樣的電子零件、ΙΤ0玻璃基板、非結(jié)晶ΙΤ0玻璃基板、ΙΖ0玻璃基板、 其它玻璃圖案基板等。其中優(yōu)選非結(jié)晶ΙΤ0玻璃基板、ΙΖ0玻璃基板。
[0092] -第二電子零件的端子-
[0093] 作為上述第二電子零件的端子，只要是成為使用上述各向異性導(dǎo)電材料的各向異 性導(dǎo)電連接的對象的電子零件的端子，就沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出 與上述第一電子零件的端子同樣的端子等。
[0094] 〈各向異性導(dǎo)電材料〉
[0095] 上述各向異性導(dǎo)電材料至少含有導(dǎo)電性粒子，進(jìn)而根據(jù)需要還含有其它成分。
[0096] 作為上述各向異性導(dǎo)電材料的形態(tài)，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可 舉出膜狀、液體狀等。
[0097] -導(dǎo)電性粒子-
[0098] 作為上述導(dǎo)電性粒子，只要硬度為5, 880N/mm2?26, 460N/mm2(600kgf/mm2? 2, 700kgf/mm2)，就沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇。
[0099] 作為上述導(dǎo)電性粒子，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出金屬粒子 (Ni、Fe、Cu、Al、Sn、Pb、Cr、Co等）、樹脂核鍍金屬粒子等。作為上述樹脂核鍍金屬粒子中 的樹脂核的材質(zhì)，例如可舉出二乙烯基苯聚合物、聚苯乙烯樹脂、環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、丙烯 酸樹脂、丙烯腈·苯乙烯（AS)樹脂、苯胍胺樹脂等。它們可以單獨使用一種，也可以并用兩 種以上。
[0100] 上述導(dǎo)電性粒子的硬度是作為20% K值（壓縮彈性變形特性K2(l)求得的硬度，例 如可通過以下方法來測定。
[0101] 上述硬度是上述導(dǎo)電性粒子的粒子直徑位移20%時的壓縮彈性變形特性Κ2(ι，使 用微小壓縮試驗機(jī)（MCT-W201，株式會社島津制作所制），以直徑50 μ m的金剛石制圓柱的 平滑端面，壓縮速度0. 225g/秒，測定壓縮獲得的粒子時的荷重值、壓縮位移等，由下述式 求得的值。即，20% K值通過測定粒子的20%位移所需的荷重及壓縮變形量而求得。
[0102] K20 = (3/ V 2) X (S2CT3/2) X 〇T1/2) XF20
[0103] F2Q :粒子的20%位移所需的荷重（N)
[0104] S2(l :粒子的20 %位移下的壓縮變形量（mm)
[0105] R :粒子的半徑（mm)
[0106] 另外，上述K2(l值是普遍且定量地表示粒子的硬度的值。
[0107] --導(dǎo)電性粒子的形狀等一
[0108] 作為上述導(dǎo)電性粒子的形狀，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇。
[0109] 作為上述導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，但從 上述各向異性導(dǎo)電接合體的耐久性及各向異性導(dǎo)電連接時的導(dǎo)電性的觀點來看，優(yōu)選為 3· 0 μ m ?12. 0 μ m〇
[oho] 另外，上述導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑為各向異性導(dǎo)電連接前所測定的個數(shù)平均 粒徑。
[0111] 上述導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑例如可以由使用激光衍射測得的粒度分布來測 定。
[0112] 作為上述軟金屬部的平均厚度[Α(μπι)]和上述導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑 〇)(μπι)]之比（A/D)，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，但優(yōu)選為0.02?1.00,更優(yōu)選 為0. 07?0. 70。如果上述比在上述更優(yōu)選的范圍內(nèi)，則從連接可靠性更優(yōu)異的觀點來看， 是有利的。
[0113] -其它成分-
[0114] 作為上述其它成分，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出膜形成樹 月旨、熱固化性樹脂、固化劑、硅烷偶聯(lián)劑等。
[0115] -膜形成樹脂一
[0116] 作為上述膜形成樹脂，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出苯氧基樹 月旨、不飽和聚酯樹脂、飽和聚酯樹脂、氨基甲酸酯樹脂、丁二烯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺 樹脂、聚烯烴樹脂等。上述膜形成樹脂系可以單獨使用一種，也可以并用兩種以上。其中， 從制膜性、加工性、連接可靠性的觀點來看，優(yōu)選苯氧基樹脂。
[0117] 上述苯氧基樹脂是指由雙酚Α和表氯醇合成的樹脂，可以使用適宜合成的物質(zhì)， 也可以使用市售品。
[0118] 作為上述各向異性導(dǎo)電材料中的膜形成樹脂的含量，沒有特別限制，可根據(jù)目的 適宜選擇。
[0119] -熱固化性樹脂一
[0120] 作為上述熱固化性樹脂，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出環(huán)氧樹 月旨、丙烯酸樹脂等。
[0121] 環(huán)氧樹脂
[0122] 作為上述環(huán)氧樹脂，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出雙酚A型環(huán) 氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、它們的改性環(huán)氧樹脂等 的熱固化性環(huán)氧樹脂等。它們可以單獨使用一種，也可以并用兩種以上。
[0123] 作為上述各向異性導(dǎo)電材料中的上述環(huán)氧樹脂的含量，沒有特別限制，可根據(jù)目 的適宜選擇。
[0124] 丙烯酸樹脂
[0125] 作為上述丙烯酸樹脂，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出（甲基） 丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、含磷酸 基的（甲基）丙烯酸酯、乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲 基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、二羥甲基三環(huán)癸烷二（甲基）丙烯酸酯、四亞甲基二醇四（甲 基）丙烯酸酯、2-羥基-1，3-二（甲基）丙烯酰氧基丙烷、2, 2-雙[4-((甲基）丙烯酰氧 基甲氧基）苯基]丙烷、2, 2-雙[4-((甲基）丙烯酰氧基乙氧基）苯基]丙烷、（甲基）丙 烯酸二環(huán)戊烯酯、（甲基）丙烯酸三環(huán)癸酯、三（（甲基）丙烯酰氧乙基）異氰脲酸酯、氨基 甲酸酯（甲基）丙烯酸酯、環(huán)氧（甲基）丙烯酸酯等。它們可以單獨使用一種，也可以并用 兩種以上。
[0126] 作為上述各向異性導(dǎo)電材料中的丙烯酸樹脂的含量，沒有特別限制，可根據(jù)目的 適宜選擇。
[0127] -固化劑一
[0128] 作為上述固化劑，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出陽離子類固化 齊IJ、自由基類固化劑等。
[0129] 陽離子類固化劑
[0130] 作為上述陽離子類固化劑，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出锍 鹽、鏃鹽、三乙基胺等烷基胺、卩比陡、咪唑等。
[0131] 上述陽離子類固化劑優(yōu)選與作為上述熱固化性樹脂的環(huán)氧樹脂并用。
[0132] 作為上述各向異性導(dǎo)電材料中的陽離子類固化劑的含量，沒有特別限制，可根據(jù) 目的適宜選擇。
[0133] 自由基類固化劑
[0134] 作為上述自由基類固化劑，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出有機(jī) 過氧化物等。
[0135] 作為上述有機(jī)過氧化物，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出月桂酰 基過氧化物、丁基過氧化物、芐基過氧化物等。
[0136] 上述自由基類固化劑優(yōu)選與作為上述熱固化性樹脂的丙烯酸樹脂并用。
[0137] 作為上述各向異性導(dǎo)電材料中的自由基類固化劑的含量，沒有特別限制，可根據(jù) 目的適宜選擇。
[0138] -娃燒偶聯(lián)劑一
[0139] 作為上述硅烷偶聯(lián)劑，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出環(huán)氧基類 硅烷偶聯(lián)劑、丙烯酸類硅烷偶聯(lián)劑、硫醇類硅烷偶聯(lián)劑、胺類硅烷偶聯(lián)劑等。
[0140] 作為上述各向異性導(dǎo)電材料中的硅烷偶聯(lián)劑的含量，沒有特別限制，可根據(jù)目的 適宜選擇。
[0141] 本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電接合體中，上述第一電子零件的端子具有上述硬金屬部及 上述軟金屬部，且由于上述硬金屬部的硬度、上述軟金屬部的硬度及上述導(dǎo)電性粒子的硬 度在特定范圍內(nèi)，所以通過將上述導(dǎo)電性粒子適度埋沒于上述軟金屬部等，可適度崩塌上 述各向異性導(dǎo)電材料中所含的導(dǎo)電性粒子，可以抑制崩塌不足及崩塌過剩。由此，可解決 現(xiàn)有的問題，即在將以上述軟金屬部和上述各向異性導(dǎo)電材料連接的方式載置的上述第一 電子零件的端子壓入上述各向異性導(dǎo)電材料時，由于上述導(dǎo)電性粒子埋沒于上述第一電子 零件的端子，從而不能充分獲得上述導(dǎo)電性粒子的崩塌，會成為高電阻的問題；及由于上述 導(dǎo)電性粒子過度崩塌，從而上述導(dǎo)電性粒子的排斥變大，連接可靠性會惡化的問題。其結(jié) 果，在微細(xì)間距的各向異性導(dǎo)電連接中，導(dǎo)電性粒子的崩塌可以良好地進(jìn)行，從各向異性導(dǎo) 電連接的初期連接電阻值就降低，且各向異性導(dǎo)電連接的期間的導(dǎo)電性粒子的粒子排斥變 小，可使連接可靠性提升。
[0142] (使用各向異性導(dǎo)電材料的連接方法）
[0143] 使用本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電材料的連接方法至少包含配置工序、載置工序及加熱 擠壓工序，進(jìn)而根據(jù)需要還含有其它工序。
[0144] 上述連接方法是將第一電子零件的端子和第二電子零件的端子進(jìn)行各向異性導(dǎo) 電連接的連接方法，經(jīng)由各向異性導(dǎo)電材料將上述第一電子零件的端子和上述第二電子零 件的端子連接的方法。
[0145] 上述連接方法可適當(dāng)用于本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電接合體的制造。
[0146] 〈配置工序〉
[0147] 作為上述配置工序，只要是在上述第一電子零件的端子及上述第二電子零件的端 子的任一方上配置含有導(dǎo)電性粒子的上述各向異性導(dǎo)電材料的工序，就沒有特別限制，可 根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出貼附、涂布等。
[0148] -第一電子零件_
[0149] 作為上述第一電子零件，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出與本發(fā) 明的各向異性導(dǎo)電接合體的說明中所記載的上述第一電子零件相同的零件等。
[0150] 即，上述第一電子零件具有端子。上述端子具有硬金屬部及比上述硬金屬部柔 軟的軟金屬部。上述硬金屬部與上述第一電子零件的配線連接。上述硬金屬部的硬度為 HvlOO?Hv650。上述軟金屬部的硬度為HvlO?HvlOO。
[0151] -第二電子零件_
[0152] 作為上述第二電子零件，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出與本發(fā) 明的各向異性導(dǎo)電接合體的說明中所記載的第二電子零件相同的零件等。
[0153] -各向異性導(dǎo)電材料_
[0154] 作為上述各向異性導(dǎo)電材料，只要是具有導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電材料，就沒 有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出與本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電接合體的說明中 所記載的各向異性導(dǎo)電材料相同的材料等。
[0155] 上述導(dǎo)電性粒子的硬度為5, 880N/mm2?26, 460N/mm2。
[0156] 在上述配置工序中，在上述第一電子零件的端子上配置含有上述導(dǎo)電性粒子的上 述各向異性導(dǎo)電材料的情況下，以將上述軟金屬部和上述各向異性導(dǎo)電材料連接的方式進(jìn) 行配置。
[0157] 〈載置工序〉
[0158] 作為上述載置工序，只要是將在上述配置工序中未配置的電子零件（另一電子零 件）載置于上述各向異性導(dǎo)電材料上的工序，就沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇。
[0159] 在上述載置工序中，在使用上述第一電子零件作為另一電子零件的情況下，上述 第一電子零件以上述軟金屬部和上述各向異性導(dǎo)電材料連接的方式進(jìn)行載置。
[0160] 此時，上述導(dǎo)電性粒子未被加熱及擠壓，上述導(dǎo)電性粒子未崩塌，因此，未進(jìn)行各 向異性導(dǎo)電連接。
[0161] 〈加熱擠壓工序〉
[0162] 作為上述加熱擠壓工序，只要是以上述軟金屬部和上述導(dǎo)電性粒子連接的方式對 上述第一電子零件及上述第二電子零件的任一方進(jìn)行加熱及擠壓的工序，就沒有特別限 制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如，可通過加熱擠壓部件進(jìn)行加熱及擠壓。
[0163] 作為上述加熱擠壓部件，例如可舉出具有加熱機(jī)構(gòu)的擠壓部件等。作為具有上述 加熱機(jī)構(gòu)的擠壓部件，例如可舉出加熱工具等。
[0164] 作為上述加熱的溫度，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，但優(yōu)選為140°C? 200。。。
[0165] 作為上述擠壓的壓力，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，但優(yōu)選為0. IMPa? 80MPa〇
[0166] 作為上述加熱及擠壓的時間，沒有特別限制，可根據(jù)目的適宜選擇，例如可舉出 0· 5秒?120秒。
[0167] 參照附圖對將第一電子零件的端子和第二電子零件的端子經(jīng)由各向異性導(dǎo)電材 料連接的本發(fā)明連接方法的一個實例進(jìn)行說明。
[0168] 圖2A?圖2C是用于說明通過本發(fā)明的連接方法（各向異性導(dǎo)電接合體的制造方 法）制造本發(fā)明的各向異性導(dǎo)電接合體的一個實例的概略剖面圖。首先，在第二電子零件1 的端子2上配置含有導(dǎo)電性粒子3的各向異性導(dǎo)電材料4(圖2A)。接著，在各向異性導(dǎo)電 材料4上，以具有硬金屬部6及軟金屬部5的第一電子零件7的端子的軟金屬部5與各向 異性導(dǎo)電材料4連接的方式載置第一電子零件7。在該時刻，第二電子零件1的端子2和第 一電子零件7的端子因?qū)щ娦粤Ｗ?未被加熱及擠壓，導(dǎo)電性粒子3未崩塌，所以尚未進(jìn)行 各向異性導(dǎo)電連接（圖2B)。而且，通過從第一電子零件7上利用加熱擠壓部件（未圖示） 進(jìn)行加熱及擠壓，第一電子零件7的軟金屬部5和各向異性導(dǎo)電材料4所含的導(dǎo)電性粒子3 會接觸，第二電子零件1和第一電子零件7經(jīng)由各向異性導(dǎo)電材料4被各向異性導(dǎo)電連接， 制造各向異性導(dǎo)電接合體8 (圖2C)。
[0169] [實施例]
[0170] 下面，說明本發(fā)明的實施例，但本發(fā)明并不受這些實施例任何限定。
[0171] [硬度（Hv)]
[0172] 第一電子零件的端子中的硬金屬部及軟金屬部的硬度使用維氏硬度計（商品名： VMT-X，Matsuzawa 社制）來測定。
[0173] 具體而言，使用無電解鍍敷法來制作測定樣品，選擇測定對象的任意十點，依據(jù) JIS Z2244記載的測定方法，使用上述維氏硬度計來測定硬度。通過算出上述十點中的維氏 硬度的平均值，求得上述硬度。
[0174] [硬度（N/mm2 (kgf/mm2))]
[0175] 各向異性導(dǎo)電材料中所含的導(dǎo)電性粒子的硬度（20% K值）通過以下的方法測定。
[0176] 上述硬度是上述導(dǎo)電性粒子的粒子直徑位移20 %時的壓縮彈性變形特性Κ2(ι，使 用微小壓縮試驗機(jī)（商品名：MCT-W201、株式會社島津制作所制），用直徑50 μ m的金剛石 制圓柱的平滑端面，以壓縮速度〇. 225g/秒，測定壓縮得到的粒子時的荷重值、壓縮位移 等，并由下述式求得。即，20% K值通過測定粒子的20%位移所需的荷重及壓縮變形量而求 得。
[0177] K20 = (3/ V 2) X (S2CT3/2) X 〇Γ1/2) XF20
[0178] F2Q :粒子的20%位移所需的荷重（N)
[0179] S2Q :粒子的20 %位移下的壓縮變形量（mm)
[0180] R :粒子的半徑（mm)
[0181] [平均厚度]
[0182] 各向異性導(dǎo)電連接前的第一電子零件的端子中的軟金屬部的厚度及硬金屬部的 厚度使用金屬顯微鏡（商品名：MX51，奧林巴斯株式會社制）觀察第一電子零件的剖面而測 得。選擇任意的十點，測定各點的厚度，算出測定結(jié)果的厚度的平均值，求得平均厚度。
[0183] [導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑（D)]
[0184] 導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑由使用激光衍射測定的粒度分布來測定。
[0185] [硬金屬部及軟金屬部的硬度（Hv)的調(diào)整方法]
[0186] 如日本專利公開第2009-71093號公報的第[0030]段所記載，進(jìn)行熱處理，適宜調(diào) 整凸塊硬度。另外，關(guān)于軟金屬部，使用將硬度調(diào)整為HvlO?100的金（Au)。關(guān)于硬金屬 部，使用將硬度調(diào)整為HvlOO?650的鈀（Pd)。
[0187] (導(dǎo)電性粒子1的制造例）
[0188] 〈樹脂核粒子1的制作〉
[0189] 在調(diào)整了二乙烯苯、苯乙烯及甲基丙烯酸丁酯的混合比的溶液中，投入作為聚合 引發(fā)劑的過氧化苯甲酰基，一邊均勻攪拌一邊進(jìn)行加熱，通過進(jìn)行聚合反應(yīng)而獲得微粒子 分散液。將上述微粒子分散液進(jìn)行過濾并減壓干燥，由此獲得作為微粒子的凝集體的嵌 段（Π 7體。另外，通過粉碎上述嵌段體，制作作為樹脂核粒子1的個數(shù)平均粒徑 3. 0 μ m的二乙烯苯類樹脂粒子。
[0190] 〈樹脂核鍍鎳粒子（導(dǎo)電性粒子1)的制作〉
[0191] 通過浸漬法使鈀催化劑負(fù)載于個數(shù)平均粒徑3. Ομπι的二乙烯苯類樹脂粒子 (5. 0g)。其次，使用由硫酸鎳六水合物、次亞磷酸鈉、檸檬酸鈉、三乙醇胺及硝酸鉈調(diào)制的 無電解鍍鎳液（PH12,電鍍液溫50°C )對該樹脂粒子進(jìn)行無電解鍍鎳，制作表面形成有各 種磷含量的鍍鎳層（金屬層）的導(dǎo)電性粒子1。所獲得的導(dǎo)電性粒子1的個數(shù)平均粒徑為 3. 0 μ m，硬度為 7, 840N/mm2。
[0192] (導(dǎo)電性粒子2?3的制造例）
[0193] 除適宜變更樹脂核粒子1的制作中的均勻攪拌的旋轉(zhuǎn)數(shù)以外，與導(dǎo)電性粒子1的 制造例同樣地制作個數(shù)平均粒徑為5. 0 μ m及硬度為7, 840N/mm2的導(dǎo)電性粒子2。
[0194] 除適宜變更樹脂核粒子1的制作中的均勻攪拌的旋轉(zhuǎn)數(shù)以外，與導(dǎo)電性粒子1的 制造例同樣地制作個數(shù)平均粒徑為10. 〇 μ m及硬度為7, 840N/mm2的導(dǎo)電性粒子3。
[0195] (導(dǎo)電性粒子4?10的制造例）
[0196] 除適宜變更二乙烯苯、苯乙烯及甲基丙烯酸丁酯的混合比以外，與導(dǎo)電性粒子1 的制造例同樣地制作個數(shù)平均粒徑為3. 0 μ m及硬度為3, 920N/mm2的導(dǎo)電性粒子4。
[0197] 除適宜變更二乙烯苯、苯乙烯及甲基丙烯酸丁酯的混合比以外，與導(dǎo)電性粒子1 的制造例同樣地制作個數(shù)平均粒徑為3. 0 μ m及硬度為5, 880N/mm2的導(dǎo)電性粒子5。
[0198] 除適宜變更二乙烯苯、苯乙烯及甲基丙烯酸丁酯的混合比以外，與導(dǎo)電性粒子1 的制造例同樣地制作個數(shù)平均粒徑為3. 0 μ m及硬度為13, 720N/mm2的導(dǎo)電性粒子6。
[0199] 除適宜變更二乙烯苯、苯乙烯及甲基丙烯酸丁酯的混合比以外，與導(dǎo)電性粒子1 的制造例同樣地制作個數(shù)平均粒徑為3. Ο μ m及硬度為19, 600N/mm2的導(dǎo)電性粒子7。
[0200] 除適宜變更二乙烯苯、苯乙烯及甲基丙烯酸丁酯的混合比以外，與導(dǎo)電性粒子1 的制造例同樣地制作個數(shù)平均粒徑為3. Ο μ m及硬度為24, 500N/mm2的導(dǎo)電性粒子8。
[0201] 除適宜變更二乙烯苯、苯乙烯及甲基丙烯酸丁酯的混合比以外，與導(dǎo)電性粒子1 的制造例同樣地制作個數(shù)平均粒徑為3. Ο μ m及硬度為26, 460N/mm2的導(dǎo)電性粒子9。
[0202] 除適宜變更二乙烯苯、苯乙烯及甲基丙烯酸丁酯的混合比以外，與導(dǎo)電性粒子1 的制造例同樣地制作個數(shù)平均粒徑為3. Ο μ m及硬度為29, 400N/mm2的導(dǎo)電性粒子10。
[0203] (實施例1)
[0204] 〈各向異性導(dǎo)電材料的制作〉
[0205] 在由作為上述膜形成樹脂的苯氧基樹脂（商品名：PKHH，7 夂社制）30質(zhì)量份、作為上述熱固化性樹脂的萘型環(huán)氧樹脂（商品名：HP4032DD，DIC株式 會社制）30質(zhì)量份、作為上述固化劑的咪唑固化劑（商品名"7 3941HP，旭化成4 一 7U 7 X株式會社制）30質(zhì)量份及硅烷偶聯(lián)劑（商品名：Α-187, ? ^ ·八 7才一·^ y 社制^質(zhì)量份構(gòu)成的粘接劑中，分散35質(zhì)量份的上述導(dǎo)電 性粒子1，獲得不揮發(fā)分量50質(zhì)量％的乙酸乙酯-甲苯混合溶液。
[0206] 接著，將該混合溶液涂布于厚度50 μ m的PET膜上之后，在80°C的烘箱中干燥5分 鐘，制作平均厚度20 μ m的各向異性導(dǎo)電膜（各向異性導(dǎo)電材料）。
[0207] 〈第一電子零件的端子的制作〉
[0208] 作為半導(dǎo)體兀件，使用1C芯片（外形1. 8mmX20. Omm、厚度0· 5mm、凸塊高度 12. Ο μ m、凸塊外形85. Ο μ mX 30. Ο μ m)。通過絲網(wǎng)印刷在上述半導(dǎo)體元件的凸塊上，以平均 厚度成為9. Ο μ m的方式鍍敷硬度為Hv250的鈀（Pd)作為硬金屬部。接著，在上述硬金屬 部上，以平均厚度成為3. Ο μ m的方式鍍敷硬度為HvlOO的金（Au)作為軟金屬部，制作具有 高度24. 0 μ m、外形97. 0 μ mX 42. 0 μ m的端子的第一電子零件。
[0209] 此外，圖1表示制作的第一電子零件的概略剖面圖。在圖1中，第一電子零件7為 在基板9上依次層疊平板狀的硬金屬部6及平板狀的軟金屬部5的結(jié)構(gòu)。
[0210] 〈各向異性導(dǎo)電接合體的制造〉
[0211] 在通過溉鍍而于厚度0. 7mm的玻璃基板（商品名：1737F，Corning社制）上使非 結(jié)晶ΙΤ0制膜的ΙΤ0涂層玻璃基板（第二電子零件）上，配置實施例1中制作的各向異性 導(dǎo)電材料，將實施例1中制作的第一電子零件載置于上述各向異性導(dǎo)電材料上，以壓裝條 件200°C、60MPa、5秒進(jìn)行各向異性導(dǎo)電連接，制造各向異性導(dǎo)電接合體。
[0212] 具體而言，在上述ΙΤ0涂層玻璃基板上配置各向異性導(dǎo)電材料之后，進(jìn)一步在上 述各向異性導(dǎo)電材料上暫時固定上述第一電子零件，以加熱工具25mm寬度，使用緩沖材料 (厚度50μπι的特氟龍（注冊商標(biāo)））從上述第一電子零件上以壓裝條件200°C、60MPa、5秒 (工具速度30mm/ sec、平臺溫度40°C )進(jìn)行各向異性導(dǎo)電連接，制造各向異性導(dǎo)電接合體。 另外，上述工具速度是從上述第一電子零件上通過上述加熱工具進(jìn)行擠壓時的擠壓速度。
[0213] 〈評價〉
[0214] 對制作的各向異性導(dǎo)電材料進(jìn)行以下的評價。結(jié)果示于表1-1。
[0215] [導(dǎo)電性粒子的崩塌程度]
[0216] 使用金屬顯微鏡（商品名：MX51，奧林巴斯株式會社制）對各向異性導(dǎo)電材料中所 含的導(dǎo)電性粒子測定各向異性導(dǎo)電連接前的導(dǎo)電性粒子的直徑，接著，在各向異性導(dǎo)電連 接后，在初期、85°C、85%RH下經(jīng)過500小時后，測定上述導(dǎo)電性粒子的寬度方向的長度，由 下述式（1)求得初期、85°C、85%RH下經(jīng)過500小時后的導(dǎo)電性粒子的崩塌程度。
[0217] 導(dǎo)電性粒子的崩塌程度（％) =(各向異性導(dǎo)電連接后的導(dǎo)電性粒子的寬度方向 的長度/各向異性導(dǎo)電連接前的導(dǎo)電性粒子的直徑）X100……式（1)
[0218] 另外，各向異性導(dǎo)電連接后的導(dǎo)電性粒子的寬度方向的長度為與各向異性導(dǎo)電連 接時的第一電子零件和ΙΤ0涂層玻璃基板正交方向的上述導(dǎo)電性粒子的長度。
[0219] 基于上述評價結(jié)果，上述導(dǎo)電性粒子的崩塌程度以下列五階段進(jìn)行評價。
[0220] 強(qiáng)：導(dǎo)電性粒子的崩塌程度（％)為50%以上
[0221] 稍強(qiáng)：導(dǎo)電性粒子的崩塌程度（％)為40%以上且低于50%
[0222] 良好：導(dǎo)電性粒子的崩塌程度（％)為30%以上且低于40%
[0223] 稍弱：導(dǎo)電性粒子的崩塌程度（％)為20%以上且低于30%
[0224] 弱：導(dǎo)電性粒子的崩塌程度（％)低于10%
[0225] [導(dǎo)通電阻值]
[0226] 使用數(shù)字萬用表（商品名：數(shù)字萬用表7555,橫河電機(jī)株式會社制）對實施例1中 制造的各向異性導(dǎo)電接合體測定16ch的端子間的電阻值（導(dǎo)通電阻值，Ω)。具體而言，以 四端子法流通電流1mA時，測定初期、85°C、85% RH下經(jīng)過500小時后的電阻值（導(dǎo)通電阻 值，Ω)。
[0227] (實施例2?6)
[0228] 除了將實施例1的第一電子零件的端子的硬金屬部的平均厚度及軟金屬部的平 均厚度設(shè)為表1-1所記載的平均厚度以外，與實施例1同樣地制作各向異性導(dǎo)電接合體，并 實施評價。結(jié)果示于表1-1。
[0229] (比較例1)
[0230] 除了未制作實施例1的第一電子零件的端子的硬金屬部并將軟金屬部的平均厚 度設(shè)為12. Ομπι以外，與實施例1同樣地制作各向異性導(dǎo)電接合體，實施評價。結(jié)果示于表 1_1 〇
[0231] (比較例2)
[0232] 除了將實施例1的第一電子零件的端子的硬金屬部的平均厚度設(shè)為12. Ομπι且未 制作軟金屬部以外，與實施例1同樣地制作各向異性導(dǎo)電接合體，并實施評價。結(jié)果示于表 1_1 〇
[0233] [表 1-1]
[0234]

【權(quán)利要求】
1. 一種各向異性導(dǎo)電接合體，其為經(jīng)由各向異性導(dǎo)電材料將第一電子零件的端子和第 二電子零件的端子連接的各向異性導(dǎo)電接合體，其特征在于， 所述第一電子零件的端子具有硬金屬部及比所述硬金屬部柔軟的軟金屬部， 所述各向異性導(dǎo)電材料具有導(dǎo)電性粒子， 所述軟金屬部與所述導(dǎo)電性粒子連接， 所述硬金屬部與所述第一電子零件的配線連接， 所述硬金屬部的硬度為HvlOO?Hv650， 所述軟金屬部的硬度為HvlO?HvlOO， 所述導(dǎo)電性粒子的硬度為5, 880N/mm2?26, 460N/mm2。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的各向異性導(dǎo)電接合體，其中， 硬金屬部為平板狀，且連接前的所述硬金屬部的平均厚度為3. 0 μ m?12. 0 μ m, 軟金屬部為平板狀，且連接前的所述軟金屬部的平均厚度為〇. 1 μ m?9. 0 μ m。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的各向異性導(dǎo)電接合體，其中， 連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑為3. 0 μ m?10. 0 μ m。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的各向異性導(dǎo)電接合體，其中， 連接前的平板狀的軟金屬部的平均厚度[Α( μ m)]和連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均 粒徑[D( μ m)]之比（A/D)為 0· 02 ?1. 00。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的各向異性導(dǎo)電接合體，其中， 硬金屬部的硬度（H)和軟金屬部的硬度（S)之差（Η-S)為Hv40以上。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2?5中任一項所述的各向異性導(dǎo)電接合體，其中， 連接前的平板狀的軟金屬部的平均厚度[A(ym)]和連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均 粒徑[D ( μ m)]之比（A/D)為 0· 07 ?0· 70， 硬金屬部的硬度（H)和軟金屬部的硬度（S)之差（Η-S)為Hv50?Hv350。
7. -種連接方法，其為將第一電子零件的端子和第二電子零件的端子進(jìn)行各向異性導(dǎo) 電連接的連接方法，其特征在于， 所述第一電子零件的端子具有硬金屬部及比所述硬金屬部柔軟的軟金屬部， 所述硬金屬部與所述第一電子零件的配線連接， 該方法包含： 配置工序，在所述第一電子零件的端子及所述第二電子零件的端子的任一方上配置含 有導(dǎo)電性粒子的各向異性導(dǎo)電材料； 載置工序，在所述各向異性導(dǎo)電材料上載置另一所述電子零件： 加熱擠壓工序，以所述軟金屬部和所述導(dǎo)電性粒子連接的方式對所述第一電子零件及 所述第二電子零件的任一方進(jìn)行加熱及擠壓， 所述硬金屬部的硬度為HvlOO?Hv650， 所述軟金屬部的硬度為HvlO?HvlOO， 所述導(dǎo)電性粒子的硬度為5, 880N/mm2?26, 460N/mm2。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的連接方法，其中， 硬金屬部為平板狀，且連接前的所述硬金屬部的平均厚度為3. 0 μ m?12. 0 μ m, 軟金屬部為平板狀，且連接前的所述軟金屬部的平均厚度為〇. 1 μ m?9. 0 μ m。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的連接方法，其中， 連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑為3. Ο μ m?10. Ο μ m。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的連接方法，其中， 連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均粒徑[D(ym)]和連接前的平板狀的軟金屬部的平均 厚度[Α( μ m)]之比（A/D)為 0· 02 ?1. 00。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7?10中任一項所述的連接方法，其中， 硬金屬部的硬度（H)和軟金屬部的硬度（S)之差（Η-S)為Hv40以上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求8?11中任一項所述的連接方法，其中， 連接前的平板狀的軟金屬部的平均厚度[A(ym)]和連接前的導(dǎo)電性粒子的個數(shù)平均 粒徑[D ( μ m)]之比（A/D)為 0· 07 ?0· 70， 硬金屬部的硬度（H)和軟金屬部的硬度（S)之差（Η-S)為Hv50?Hv350。
13. -種各向異性導(dǎo)電接合體，其特征在于，通過權(quán)利要求7?12中任一項所述的連接 方法制造。
【文檔編號】H01L21/60GK104145329SQ201380012602
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月5日
【發(fā)明者】工藤克哉 申請人:迪睿合電子材料有限公司