具有改善的光提取效率的發(fā)光二極管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種具有改善的光提取效率的發(fā)光二極管及其制造方法。該發(fā)光二極管包括：氮化鎵基板，具有上部面和下部面；氮化鎵系半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，位于基板的下部面，且包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。其中，氮化鎵基板在上部面包含具有突出部和凹入部的主圖案，并具備形成于主圖案的突出部上的粗糙化的表面。通過在氮化鎵基板的上部面形成主圖案并形成粗糙化的表面，可提供能夠提高通過上部面的光提取效率的發(fā)光二極管。
【專利說明】具有改善的光提取效率的發(fā)光二極管及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法，尤其涉及一種具有改善的光提取效率 的發(fā)光二極管及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 通常，發(fā)光二極管是通過在藍(lán)寶石基板上生長(zhǎng)氮化鎵系半導(dǎo)體層而制作。然而由 于藍(lán)寶石基板與氮化鎵層的熱膨脹系數(shù)之差以及晶格常數(shù)之差較大，因此在生長(zhǎng)的氮化鎵 層內(nèi)大量產(chǎn)生穿透位錯(cuò)（threading dislocation)之類的結(jié)晶缺陷。這種結(jié)晶缺陷使發(fā)光 二極管的光電特性的提高變得困難。
[0003] 為了解決這種問題，有一種要將氮化鎵基板使用為生長(zhǎng)基板的嘗試。由于氮化鎵 基板與生長(zhǎng)在其上的氮化鎵半導(dǎo)體層屬于同質(zhì)，因此可以生長(zhǎng)出結(jié)晶品質(zhì)良好的氮化鎵 層。
[0004] 然而，由于氮化鎵基板的折射率比藍(lán)寶石基板更高，因此在活性層中生成的光由 于全內(nèi)反射而無法通過基板發(fā)射到外部而在基板內(nèi)部損失的問題更為突出。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 技術(shù)問題
[0006] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題為提供一種可減少在基板中發(fā)生的光損失并能夠改 善光提取效率的發(fā)光二極管及其制造方法。
[0007] 本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問題為提供一種使用氮化鎵基板并適于倒裝芯片結(jié) 構(gòu)的發(fā)光二極管及其制造方法。
[0008] 技術(shù)方案
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的一種形態(tài)的發(fā)光二極管包括：氮化鎵基板，具有上部面和下部面； 氮化鎵系半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，位于所述基板的下部面，且包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo) 電型半導(dǎo)體層、以及位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的活性 層。而且，所述氮化鎵基板在所述上部面包含具有突出部和凹入部的主圖案，并具備形成于 所述主圖案的突出部上的粗糙化的表面。
[0010] 并且，所述氮化鎵基板的側(cè)面可包括傾斜面。所述傾斜面傾斜為在從所述氮化鎵 基板的上部面?zhèn)融呄蛳虏棵鎮(zhèn)葧r(shí)氮化鎵基板的寬度增加。
[0011] 所述傾斜面可在所述氮化鎵基板的上部面連續(xù)。與此不同地，可在所述氮化鎵基 板的上部面連接垂直的側(cè)面，且所述傾斜面可從該垂直的側(cè)面連續(xù)。進(jìn)而，所述氮化鎵基板 的側(cè)面還可以包括從所述傾斜面延續(xù)的垂直面。
[0012] 在一些實(shí)施例中，所述凹入部的剖面形狀可以是底部尖銳的V形。在其他實(shí)施例 中，所述凹入部的內(nèi)壁面可相對(duì)所述基板的下部面傾斜85?90度，且所述凹入部可具有底 面。在此情況下，所述氮化鎵基板還可以具有形成于所述凹入部的粗糙化的表面。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的另一種形態(tài)的發(fā)光二極管制造方法，包括如下步驟：在氮化鎵基板 上生長(zhǎng)半導(dǎo)體層；對(duì)所述半導(dǎo)體層的相反側(cè)的所述氮化鎵基板面進(jìn)行圖案化而形成具有突 出部和凹入部的主圖案；對(duì)形成所述主圖案的氮化鎵基板的表面進(jìn)行濕式蝕刻，從而在所 述突出部上形成粗糙化的表面。
[0014] 所述半導(dǎo)體層包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、活性層以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。在此， 所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層位于比所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層更加遠(yuǎn)離所述氮化鎵基板之處， 且活性層位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間。
[0015] 所述發(fā)光二極管制造方法在形成所述粗糙化的表面的步驟之后，還可以包括部分 性地除去所述基板而在所述基板上形成傾斜面的步驟。所述傾斜面可利用刀具而形成。
[0016] 此外，所述發(fā)光二極管制造方法還可以包括在所述半導(dǎo)體層上形成反射器的步 驟。所述反射器可形成于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上。
[0017] 另外，形成所述主圖案的步驟可利用干式蝕刻或濕式蝕刻而執(zhí)行。尤其，所述濕式 蝕刻可利用硫酸與磷酸的混合溶液而執(zhí)行。進(jìn)而，形成所述粗糙化的表面的步驟可利用濕 式蝕刻而執(zhí)行，且所述濕式蝕刻可利用Κ0Η或NaOH的沸騰溶液而執(zhí)行。而且，所述濕式蝕 刻可利用脫離子水、NaOH與H 202的溶液而執(zhí)行。
[0018] 有益效果
[0019] 在氮化鎵基板的上部面形成主圖案并同時(shí)形成粗糙化的表面，從而可以提高通過 上部面的光提取效率。而且，在基板的側(cè)面形成傾斜面，從而可以減少全內(nèi)反射引起的光損 失。并且，提供倒裝芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，從而可以提供散熱特性優(yōu)良的發(fā)光二極管。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 圖1為用于說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面圖。
[0021] 圖2為用于說明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面圖。
[0022] 圖3至圖7為用于說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管制造方法的剖面 圖。
[0023] 圖8為用于說明為了制造根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管而使用的刀具 的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024] 以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。下面介紹的實(shí)施例是為了能夠?qū)⒈景l(fā) 明的思想充分地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員而作為示例提供的。因此，本發(fā)明并不局限于以下 說明的實(shí)施例而也可以被具體化為其他形態(tài)。另外在附圖中，構(gòu)成要素的寬度、長(zhǎng)度、厚度 等也可能為了方便而被夸張地表示。貫穿整個(gè)說明書，相同的附圖標(biāo)記表示相同的構(gòu)成要 素。
[0025] 圖1為用于說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面圖。
[0026] 參照?qǐng)D1，所述發(fā)光二極管包括氮化鎵基板21和半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30,且所述半 導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層23、活性層25、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層27。進(jìn) 而，所述發(fā)光二極管可包括第一電極35a和第二電極35b。所述發(fā)光二極管可通過第一粘接 凸塊45a和第二粘接凸塊（bonding bump) 45b而粘接于子基板（Sub mount) 41上的第一電 極43a和第二電極43b。
[0027] 所述氮化鎵基板21具有上部面和下部面，且半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30位于所述基板 21的下部面。所述氮化鎵基板21在所述上部面具備擁有突出部21a和凹入部21b的主圖 案，并具備形成于所述主圖案的突出部21a上的粗糙化的表面。
[0028] 在所述氮化鎵基板21的上部面形成有多個(gè)突出部21a，且各個(gè)突出部21a可具有 錐臺(tái)形狀，例如可具有圓錐臺(tái)或棱錐臺(tái)形狀。此時(shí)，凹入部21b以網(wǎng)眼（Mesh)形狀相互連 接。與此不同，也可以是所述突出部21a以網(wǎng)眼形狀形成，且多個(gè)凹入部21b通過所述突出 部21a而相互分離。另外，如圖所示，所述凹入部21a可具有底部尖銳的V形狀。通過所述 凹入部21a的形狀，可防止有可能在凹入部21a的底部發(fā)生的全內(nèi)反射。
[0029] 所述氮化鎵基板21的厚度可以在250?300um范圍內(nèi)，且所述突出部21a的平均 高度大約可以在5?20um范圍內(nèi)。而且，所述突出部21a上的粗糙化的表面21r的表面粗 糙度Ra可以在0. 1?lum范圍內(nèi)。
[0030] 進(jìn)而，所述氮化鎵基板21可在側(cè)面具有傾斜面21c。傾斜面21c傾斜為使基板21 的寬度在從基板21的上部面趨向下部面時(shí)增加。傾斜面21c可以如圖所示地在氮化鎵基 板21的上部面連續(xù)，然而并不局限于此。即，可以在氮化鎵基板21的上部面連接垂直的側(cè) 面，并在垂直的側(cè)面連續(xù)性地連接傾斜面21c。進(jìn)而，所述氮化鎵基板21的側(cè)面還可以包括 從所述基板21的下部面連續(xù)的垂直的側(cè)面，且所述傾斜面21c可連接于該垂直的側(cè)面。
[0031] 當(dāng)在活性層25中生成的光入射到基板21的上部面時(shí)，通過所述突出部21a、凹入 部21b以及粗糙化的表面211而可以減少基板21的上部面處的光的全內(nèi)反射，因此可以使 通過基板21的上部面的光提取效率提高。并且，可通過所述傾斜面21c而將在活性層25 中生成并入射到基板21的側(cè)面的光予以發(fā)射，從而可以進(jìn)一步提高光提取效率。在此，可 以使所述傾斜面21c以與所述凹入部21a的內(nèi)壁相同的傾斜度傾斜，然而并不局限于此，為 了改善側(cè)面上的光的直接發(fā)射，傾斜面21c可以傾斜為比凹入部21a的內(nèi)壁更加徐緩。
[0032] 另外，所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30位于氮化鎵基板21的下部面。即，所述半導(dǎo)體層 疊結(jié)構(gòu)體30位于形成有所述突出部21a的基板21面的相反側(cè)。所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30 包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層23、活性層25以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層27。所述第一導(dǎo)電型半 導(dǎo)體層23、活性層25以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層27可以由氮化鎵系化合物半導(dǎo)體形成，且所 述活性層25可具有單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu)。其中，所述第一導(dǎo)電型和第二導(dǎo)電型分 別可以是η型和p型，然而并不局限于此而也可以是相反情形。
[0033] 所述半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30由在氮化鎵基板21上生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層形成，因此位錯(cuò) 密度大約可以是5E6/cm 2以下。據(jù)此，可提供發(fā)光效率優(yōu)良且適于高電流驅(qū)動(dòng)的發(fā)光二極 管。
[0034] 另外，所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層27和活性層25位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層23 的一部分區(qū)域上，而第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層23的另外的區(qū)域則暴露。
[0035] 所述第一電極35a形成于暴露的所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層23上。所述第一電極 35a可以由歐姆接觸于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層23的導(dǎo)電材料形成，例如可以由Ti/Al形成。 另外，所述第二電極35b形成于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層27上而歐姆接觸于第二導(dǎo)電型半 導(dǎo)體層27。進(jìn)而，所述第二電極35b可包含Ag或A1之類的反射層而作為反射器發(fā)揮作用。 并且，所述第二電極35b還可以由利用導(dǎo)電性物質(zhì)層（ΙΤ0、FTO、GZO、ZnO、ZnS、InP、Si或者 包含Si的合金）和金屬膜（Au、Ag、Cu、Al、Pt中的一種的單一金屬或者包含其中的至少一 種的合金）的全方位反射器（omnidirectional reflector)形成。
[0036] 所述第一電極35a和第二電極35b上分別設(shè)置有第一接合凸塊45a和第二接合凸 塊45b，而這些接合凸塊45a、45b被接合于子基板41上的第一電極43a和第二電極43b。據(jù) 此，提供倒裝接合（flip bonding)于次基板41的發(fā)光二極管。
[0037] 圖2為用于說明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的剖面圖。
[0038] 參照?qǐng)D2,根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管與參照?qǐng)D1而說明的發(fā)光二極管大體上相 似，然而在凹入部21b的形狀上存在差異。即在本實(shí)施例中，所述凹入部21b的內(nèi)壁面比圖 1的實(shí)施例的凹入部的內(nèi)壁面更加急劇地傾斜，例如可相對(duì)基板21的下部面傾斜85?90 度。因此，本實(shí)施例的凹入部21b具有相對(duì)而言水平的底面，以替代尖銳的V形狀的底面。 進(jìn)而，所述凹入部21b還在底面上具有粗糙化的表面21r。
[0039] 根據(jù)本實(shí)施例，由于凹入部21b的內(nèi)壁面具有相對(duì)而言更急劇的傾斜，因此可以 減少在突出部21a內(nèi)發(fā)生的光損失。進(jìn)而，通過在凹入部21b的底面也形成粗糙化的表面 21r，從而可以防止在底面發(fā)生的全內(nèi)反射。
[0040] 圖3至圖7為用于說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管制造方法的剖面 圖。
[0041] 參照?qǐng)D3,在氮化鎵基板21上生長(zhǎng)包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層23、活性層25以及第 二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層27的氮化鎵系半導(dǎo)體層的層疊結(jié)構(gòu)體30。然后，可通過臺(tái)面蝕刻（Mesa etching)工藝而使第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層23暴露。半導(dǎo)體層23、25、27可通過M0CVD (金屬 有機(jī)化學(xué)氣相沉積法）或MBE (分子束外延法）技術(shù)而得到生長(zhǎng)。
[0042] 參照?qǐng)D4,在半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體30所在側(cè)的相反側(cè)的基板面，即基板21的上部面 上形成蝕刻掩模圖案33。所述蝕刻掩模圖案33可以是以網(wǎng)眼形狀或島嶼形狀形成，并具有 暴露基板21的下部面的開口部33a?？梢允顾鲩_口部33a排列為蜂窩形狀，或者使島狀 物排列為蜂窩形狀。然而，蝕刻掩模圖案33的形狀可多樣地變形，尤其是開口部33a的大 小并不固定而可以多樣化。
[0043] 可在基板21的下部面形成硅氧化膜之類的掩模層并利用光刻和蝕刻工藝而將掩 模層部分性地除去，從而形成所述蝕刻掩模圖案33。
[0044] 此外，半導(dǎo)體層23、25、27可用蝕刻掩模層31覆蓋。蝕刻掩模層31是為了在后述 的濕式蝕刻環(huán)境中保護(hù)半導(dǎo)體層23、25、27而形成，且例如可以由硅氧化膜形成。
[0045] 另外，在形成所述蝕刻掩模圖案33之前，可將所述基板21的上部面平整化。基板 21的上部面可通過研磨、精研（lapping)以及拋光（Polishing)工藝而實(shí)現(xiàn)平整化。然而 在本實(shí)施例中，由于氮化鎵基板21比起藍(lán)寶石基板屬于軟質(zhì)，因此可以只用借助于定盤和 鉆石研磨液（Diamond slurry)的機(jī)械拋光而輕易地實(shí)現(xiàn)平整化。平整化后的基板21的厚 度大體上可以在250?300um的范圍內(nèi)，而通過基板平整化而除去的部分的厚度大約可以 在20?50um范圍內(nèi)。此外，還可以通過執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光（CMP)工藝而將表面鏡面化。
[0046] 參照?qǐng)D5,將蝕刻掩模圖案33使用為掩模層而蝕刻基板21的上部面。據(jù)此，形成 對(duì)應(yīng)于所述開口部33a的凹入部21a，并形成相對(duì)于所述凹入部21a相對(duì)而言突出的突出部 21a。氮化鎵基板21的下部面可利用借助于感應(yīng)耦合等離子裝置的干式蝕刻或濕式蝕刻技 術(shù)而進(jìn)行蝕刻。所述濕式蝕刻可利用硫酸和磷酸的混合溶液而執(zhí)行。尤其在采用所述濕式 蝕刻時(shí)，可沿著氮化鎵基板21的結(jié)晶面而進(jìn)行蝕刻，因此可以形成V形狀的凹入部或六棱 錐臺(tái)形狀的凹入部21a。
[0047] 然后，可利用Β0Ε而除去所述蝕刻掩模圖案33和蝕刻掩模層31。
[0048] 參照?qǐng)D6,在除去蝕刻掩模圖案33之后，在突出部21a的上部面形成粗糙化的表 面21r。所述粗糙化的表面21ι可利用濕式蝕刻而形成。所述濕式蝕刻可利用Κ0Η或NaOH 的沸騰溶液而進(jìn)行。而且，所述濕式蝕刻可利用Na0H、H202與脫離子水的水溶液而執(zhí)行。據(jù) 此，在突出部21a的上部面上可以形成具有0· 1?lum的高度的微小錐（Cone)，由此可以形 成粗糙化的表面21r。
[0049] 另外，在形成所述粗糙化的表面21ι的期間內(nèi)，為了保護(hù)所述半導(dǎo)體層23、25、27 而可以殘留所述蝕刻掩模層31，或者還可以形成其他的蝕刻掩模層。
[0050] 參照?qǐng)D7,在除去所述蝕刻掩模層31之后，在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層23和第二導(dǎo)電 型半導(dǎo)體層27上分別形成第一電極35a和第二電極35b。進(jìn)而，如圖1所示的接合凸塊 45a、45b可分別形成于所述第一電極35a和第二電極35b上。所述第二電極35b包括用于 反射在活性層25中生成的光的反射層，從而還將作為反射器而發(fā)揮作用。
[0051] 然后，將所述基板21的上部面部分性地除去而在所述基板21上形成傾斜面21c。 所述傾斜面21c可通過利用了如圖8所示的刀具50的刻繪（scribing)工藝而形成。然后， 將所述基板21分割為各個(gè)單個(gè)的發(fā)光二極管，從而完成發(fā)光二極管的制造。
[0052] 參照?qǐng)D8,所述刀具50具有兩側(cè)形成有傾斜面51的頭（tip)部分和主體部。所述 頭部分具有頂角Θ和高度H，而主體部具有寬度W。圖7的傾斜面21c取決于所述刀具50 的形狀。例如，在所述刀具50的頂角Θ較大的情況下，所述傾斜面21c具有徐緩的傾斜， 而在所述刀具的頂角Θ較小的情況下，所述傾斜面21c具有急劇的傾斜。進(jìn)而，還可以調(diào) 節(jié)所述刀具的高度H，從而使基板21的上部面處連接上垂直的側(cè)面，并連接于該垂直的側(cè) 面而形成傾斜面21c。
[0053] 在利用所述刀具50的刻繪工藝過后，所述基板21可通過分?jǐn)啵˙reaking)而被分 割為各個(gè)單個(gè)的發(fā)光二極管，因此，所述基板21包括通過分?jǐn)喽纬傻膫?cè)面。
[0054] 另外在本實(shí)施例中是將凹入部21b為V形的情形作為示例進(jìn)行了說明，然而也可 以調(diào)節(jié)借助于蝕刻掩模圖案33而形成的開口部33a的大小，或者利用干式蝕刻而形成具有 相對(duì)而言水平的底面的凹入部，并由此制造出圖2的發(fā)光二極管。
[0055] 以上已對(duì)本發(fā)明的多種多樣的實(shí)施例和特征進(jìn)行了說明，然而本發(fā)明并不局限于 以上說明的實(shí)施例和特征，在不脫離本發(fā)明的思想的范圍內(nèi)可以多樣地加以變形。
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管，包括： 氮化鎵基板，具有上部面和下部面； 氮化鎵系半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)體，位于所述基板的下部面，且包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、第 二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及位于所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間的 活性層， 其中，所述氮化鎵基板在所述上部面包含具有突出部和凹入部的主圖案，并具備形成 于所述主圖案的突出部上的粗糙化的表面。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述氮化鎵基板的側(cè)面包括傾斜面，而且所 述傾斜面傾斜為在從所述氮化鎵基板的上部面?zhèn)融呄蛳虏棵鎮(zhèn)葧r(shí)使氮化鎵基板的寬度增 加。
3. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中，所述傾斜面在所述氮化鎵基板的上部面連 續(xù)。
4. 如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中，所述氮化鎵基板的側(cè)面還包括從所述傾斜 面延續(xù)的垂直面。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，還包括位于所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下部 的反射器，而且所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層位于比所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層更加遠(yuǎn)離所述基 板之處。
6. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，在所述氮化鎵基板的上部面設(shè)置有多個(gè)突 出部，且所述突出部的平均高度在5?20um范圍內(nèi)。
7. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其中，所述粗糙化的表面的表面粗糙度Ra在 0. lum至lum范圍內(nèi)。
8. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述凹入部的內(nèi)壁面相對(duì)于所述基板的下 部面傾斜85?90度。
9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其中，所述氮化鎵基板具有形成于所述凹入部的 粗糙化的表面。
10. 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其中，形成于所述凹入部的粗糙化的表面的表面 粗糙度Ra在0· lum至lum范圍內(nèi)。
11. 一種發(fā)光二極管制造方法，包括如下步驟： 在氮化鎵基板上生長(zhǎng)半導(dǎo)體層； 對(duì)所述半導(dǎo)體層的相反側(cè)的所述氮化鎵基板面進(jìn)行圖案化而形成具有突出部和凹入 部的主圖案； 對(duì)形成所述主圖案的氮化鎵基板的表面進(jìn)行濕式蝕刻，從而在所述突出部上形成粗糙 化的表面。
12. 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管制造方法，其中，在形成所述粗糙化的表面的步 驟之后，還包括部分性地除去所述基板而在所述基板上形成傾斜面的步驟。
13. 如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管制造方法，其中，所述傾斜面利用刀具而形成。
14. 如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管制造方法，其中，還包括在所述半導(dǎo)體層上形成 反射器的步驟。
15. 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管制造方法，其中，形成所述主圖案的步驟利用干 式蝕刻或濕式蝕刻而執(zhí)行。
16. 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管制造方法，其中，所述濕式蝕刻利用硫酸與磷酸 的混合溶液而執(zhí)行。
17. 如權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管制造方法，其中，在執(zhí)行所述濕式蝕刻之前，還包 括形成用于保護(hù)所述半導(dǎo)體層的蝕刻掩模層的步驟。
18. 如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管制造方法，其中，形成所述粗糙化的表面的步驟 利用濕式蝕刻而執(zhí)行。
19. 如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管制造方法，其中，所述濕式蝕刻利用KOH或NaOH 的沸騰溶液而執(zhí)行。
20. 如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管制造方法，其中，所述濕式蝕刻利用脫離子水、 NaOH與H202的溶液而執(zhí)行。
【文檔編號(hào)】H01L33/20GK104160519SQ201380013018
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月7日
【發(fā)明者】李珍雄, 金京完, 尹余鎮(zhèn), 吳尚炫, 金泰均 申請(qǐng)人:首爾偉傲世有限公司