利用氫形成透明導(dǎo)電氧化物的方法和設(shè)備的制作方法
【專利摘要】一種通過在存在氫氣的情況下對包含鎘和錫的非晶層熱處理來形成光伏器件的晶體錫酸鎘層的方法和設(shè)備。
【專利說明】利用氫形成透明導(dǎo)電氧化物的方法和設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]公開的實(shí)施例涉及包括光伏電池和包含多個電池的光伏模塊的光伏器件的領(lǐng)域，更具體地講，涉及一種利用氫氣形成透明導(dǎo)電氧化物的方法和設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]光伏器件可以包括沉積在諸如玻璃的基底上方的半導(dǎo)體材料，例如，具有用作窗口層的半導(dǎo)體材料的第一層和用作吸收層的半導(dǎo)體材料的第二層。半導(dǎo)體窗口層與半導(dǎo)體吸收層形成結(jié)，在所述結(jié)處入射光被轉(zhuǎn)換成電。
[0003]光伏器件還可以包括透明導(dǎo)電氧化物(TCO)層以引導(dǎo)電荷。經(jīng)常使用的一種TCO材料是晶體錫酸鎘。這是因?yàn)榫w錫酸鎘的低的片電阻(sheet resistance)和高的透光率。
[0004]形成晶體TCO層的一種傳統(tǒng)的方法是將鎘和氧化錫的非晶層沉積到基底上，然后將沉積的非晶層轉(zhuǎn)變成晶體形式。這通過在高溫(例如，通常大于550°C的溫度)下在低的氧分壓環(huán)境(例如，氧不足或還原性的氣氛)中使非晶層退火足夠的退火時間(例如，至少10分鐘)來完成。
[0005]為了提供低的氧分壓環(huán)境，當(dāng)前的光伏器件制造工藝提倡在非晶TCO層進(jìn)行退火之前，在該非晶TCO層上形成可以由硫化鎘制成的半導(dǎo)體窗口層。這樣做剝奪了可以用于周圍處理氣氛中的非晶層的氧。此外，非晶TCO層上方的硫化鎘層使可以存在于非晶TCO層中的任何氧從其擴(kuò)散出。具體地，從非晶TCO層擴(kuò)散出的氧可以與硫化鎘反應(yīng)以形成可以在大約600°C和以上的溫度下蒸發(fā)的氧化鎘以及將擴(kuò)散到沉積環(huán)境中的二氧化硫。于是該反應(yīng)在非晶層中產(chǎn)生氧空位。每個氧空位用作只要非晶TCO層轉(zhuǎn)變成晶體形式就有助于導(dǎo)電性的電子施主。因此，由于窗口層創(chuàng)建了促進(jìn)TCO層中的氧空位所需要的氧不足的氣氛，因此窗口層用作還原劑。
[0006]然而，在使非晶TCO層退火之前在TCO層上形成硫化鎘窗口層與以另外的方式將需要的時間或溫度相比，需要較長的退火時間或較高的退火溫度，或者既需要較長的退火時間又需要較高的退火溫度，以將非晶層轉(zhuǎn)變成晶體形式。長時間段地利用高溫會損壞玻璃基底。例如，玻璃基底通常將在大約550°c和以上的溫度下開始軟化。因此，使玻璃基底經(jīng)受這樣高的退火溫度(即，大于550°C)這樣相對長的時間(即，10分鐘或更長)增大了損壞基底的風(fēng)險。具體地，玻璃基底會在這樣長的退火時間段所施加的高退火溫度下開始軟化并翹曲。另外，高的退火溫度具有使存在于玻璃基底中的鈉原子或分子可以隨著時間而擴(kuò)散到器件的其他層的離子化的趨勢。鈉離子在器件的某些層中的擴(kuò)散會不利地影響器件性能。此外，長的退火時間降低了生產(chǎn)率并且還使退火室經(jīng)受有助于室劣化的條件，這會需要補(bǔ)救。最后，用于使非晶層轉(zhuǎn)變成晶體的高退火溫度是器件會在被進(jìn)行處理的同時所經(jīng)受的多個高溫中的一個。例如，其他層必須在高溫下退火。因此，會使器件經(jīng)受多個高的熱循環(huán)。這些熱循環(huán)會弱化玻璃并使其受到高程度的破壞。
[0007]因此，期望緩解這些潛在問題的使非晶TCO層轉(zhuǎn)變成晶體形式的方法。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A是局部構(gòu)建的光伏器件的示意圖。
[0009]圖1B是局部構(gòu)建的光伏器件的示意圖。
[0010]圖2A是根據(jù)實(shí)施例的多區(qū)爐的示意圖。
[0011]圖2B是根據(jù)實(shí)施例的多區(qū)爐的示意圖。
[0012]圖3是根據(jù)實(shí)施例的轉(zhuǎn)變區(qū)。
[0013]圖4是根據(jù)實(shí)施例的光伏器件的示意圖。
[0014]圖5是示出氫的退火溫度效果的曲線圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]在下面的【具體實(shí)施方式】中，參照形成【具體實(shí)施方式】的一部分的附圖，并且在附圖中通過示出可以實(shí)施的具體實(shí)施例的方式來示出。足夠詳細(xì)地描述這些實(shí)施例，以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制出并利用這些實(shí)施例，并且將理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對公開的具體實(shí)施例做出結(jié)構(gòu)上的改變、邏輯上的改變或程序上的改變。
[0016]這里描述的實(shí)施例提供了一種通過對鎘和氧化錫的非晶TCO層進(jìn)行熱處理或退火來形成TCO層(例如，在氫存在的條件下使非晶TCO層至少部分地(如果不是徹底地)轉(zhuǎn)變成晶體形式)的方法。根據(jù)公開的實(shí)施例，可以在形成窗口層之前使非晶TCO層退火。這允許低得多的退火溫度?？梢栽谂c例如多區(qū)爐相同的環(huán)境中但是在半導(dǎo)體沉積工藝(例如，氣相傳輸沉積、近距離升華、蒸發(fā)、濺射或其他半導(dǎo)體沉積工藝)之前進(jìn)行在氫存在的條件下的非晶TCO層退火。
[0017]另外，正如在利用硫化鎘作為還原劑的情況下，也將氫氣用作還原劑。例如，與硫化鎘相似，氫氣防止非晶TCO層受存在于沉積環(huán)境中的任何氧的影響，并因此創(chuàng)建了氧不足的環(huán)境。此外，氫氣擴(kuò)散到非晶TCO層中，在非晶TCO層中氫氣與非晶TCO層中的氧反應(yīng)以在非晶TCO層上或內(nèi)形成水，其中，水在退火工藝期間蒸發(fā)。此外，正如在利用硫化鉻作為還原劑的情況下，已經(jīng)與氫氣反應(yīng)的氧分子將在非晶TCO層中產(chǎn)生空位。這些氧分子將用作電子施主，其中，只要非晶TCO層被變成晶體形式，這些電子施主將有助于導(dǎo)電性。
[0018]現(xiàn)在參照圖1A，描繪了部分構(gòu)造的光伏器件100。部分構(gòu)造的光伏器件100包括鄰近于基底層110的TCO堆疊件170?；讓?10可以是器件100的最外層，并且在使用中可以暴露于各種溫度和各種形式的沉淀物，例如，雨、雪、雨夾雪和冰雹。因此，在其他用途中，基底層110用作保護(hù)層?；讓?10還可以是入射光在到達(dá)器件110時遇到的第一層。因此期望選擇一種用于基底層110的既耐用又高度透明的材料。出于這些原因，基底層110可以包括例如硼硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃或浮法玻璃。
[0019]TCO堆疊件170可以鄰近于基底層110形成并且可以包括多個層。例如，TCO堆疊件170可以包括:阻擋層120，鄰近于基底層110 ;非晶TCO層130，鄰近于阻擋層120 ;緩沖層140，鄰近于非晶TCO層130，但是可以省略緩沖層140。阻擋層120用于減輕來自基底層I1的鈉或其他污染物到器件100的其他層的擴(kuò)散。這些其他層可以包括半導(dǎo)體材料180 (參見圖4)的層。阻擋層可以由包括氮化硅、二氧化硅、摻雜鋁的氧化硅、摻雜硼的氮化硅、摻雜磷的氮化硅、氮氧化硅或者它們的任意組合或合金的各種材料形成。緩沖層140用于減少可能在半導(dǎo)體材料180(參見圖4)的層的形成期間出現(xiàn)的不規(guī)則。緩沖層140可以由包括氧化錫(例如，錫(IV)氧化物)、氧化鋅錫、氧化鋅、硫氧化鋅和氧化鋅鎂在內(nèi)的各種合適的材料形成。如上面所提到的，非晶TCO層130可以由鎘和錫形成。TCO堆疊件170可以通過一系列的制造步驟形成，其中，每個接連的層鄰近于先前的層形成在器件100上。
[0020]可以利用諸如以如在2010年8月20日提交的命名為“Doped TransparentConductive Oxide (摻雜的透明導(dǎo)電氧化物)”的美國專利申請12/860，115中描述的派射為例的任何合適的技術(shù)來形成TCO堆疊件170中的層120、130和140，該美國專利申請通過引用全部包含于此。TCO堆疊件170的層還可以利用諸如以低壓化學(xué)氣相沉積、大氣壓化學(xué)氣相沉積、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、熱化學(xué)氣相沉積、旋涂沉積和噴霧熱解為例的其他沉積技術(shù)來形成。
[0021]非晶TCO層130可以具有任何合適的厚度。例如，非晶TCO層130可以具有大約1nm至大約100nm的厚度。非晶TCO層130可以包括適用于產(chǎn)生錫酸鎘的鎘與錫的任意比例。例如，鎘比錫的原子比可以為大約2:1。非晶TCO層130還可以具有任意的表面粗糙度(Ra)以及任意合適的平均光學(xué)吸收。非晶TCO層130可以在大約400nm至850nm的波長范圍內(nèi)具有小于大約20%的平均光學(xué)吸收以及小于大約Inm的表面粗糙度。
[0022]在形成TCO堆疊件170之后(圖1A)，或者可選擇地，如果省略緩沖層140或者還沒形成緩沖層140而在形成非晶TCO層之后(圖1B)，并且在形成窗口層(圖4)之前，通過在存在氫的情況下進(jìn)行熱處理來使非晶TCO層轉(zhuǎn)變成晶體錫酸鎘。熱處理可以發(fā)生在與例如多區(qū)爐相同的環(huán)境中，但是在例如氣相傳輸沉積、近距離升華、蒸發(fā)、濺射或其他半導(dǎo)體沉積工藝的半導(dǎo)體沉積工藝之前?？梢栽?00°C和650°C之間的溫度下執(zhí)行熱處理。這比傳統(tǒng)地當(dāng)利用硫化鎘窗口層作為還原劑時所需要的溫度至少低25°C。應(yīng)該注意的是，鈉鈣玻璃會在大約550°C以上的溫度開始軟化。
[0023]參照圖2A、圖2B和圖3，通過示例的方式，涂覆有非晶TCO層130的基底401在傳輸機(jī)械裝置上被傳輸通過多區(qū)爐400的轉(zhuǎn)變區(qū)403。多區(qū)爐400可以用于任何半導(dǎo)體沉積技術(shù)，例如，真空傳輸沉積、近距離升華、蒸發(fā)、濺射或其他半導(dǎo)體沉積工藝。例如，被涂覆的基底401可以被部分地構(gòu)造成具有緩沖層140的光伏器件(圖1A)或者被部分地構(gòu)造成沒有緩沖層的光伏器件105(圖1B)。在各個實(shí)施例中，傳輸機(jī)械裝置可以是滾軸、帶或其他傳輸機(jī)制。多區(qū)爐400可以具有任何合適的尺寸和/或容量。多區(qū)爐400可以包含分離的加熱區(qū)以控制其中的溫度。多區(qū)爐400可以具有入口區(qū)402、氫被引入以使非晶TCO層130轉(zhuǎn)變成結(jié)晶形式的轉(zhuǎn)變區(qū)403、用于半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體沉積區(qū)404和405以及出口區(qū)406?？蛇x擇地，如圖2B中所示，轉(zhuǎn)變區(qū)409可以是與多區(qū)爐500分離的孤立爐，多區(qū)爐500在其他方面與多區(qū)爐400相同。除了區(qū)409與多區(qū)爐500分離以外，轉(zhuǎn)變區(qū)409與區(qū)403相同。
[0024]在圖3中更具體地示出了總體上如圖2A中的403和圖2B中的409示出的轉(zhuǎn)變區(qū)。如圖3中所示，第一氣體源245通過用于引入到轉(zhuǎn)變區(qū)403中的第一輸入線路240來供應(yīng)氫氣、氫氣混合物(例如與諸如氮、氬或氦的惰性氣體組合的氫)或者能夠釋放氫的氣體(例如，硅烷(SiH4))。如果采用氫氣混合物，則可以由第二氣體源255來供應(yīng)惰性氣體并通過第二輸入線路250來引入惰性氣體。氫氣/混合物被計(jì)量供給到轉(zhuǎn)變區(qū)403，并通過擴(kuò)散器260以一定量在其中擴(kuò)散，并且在移動的涂覆基底401上方的合適的位置處，以在轉(zhuǎn)變區(qū)403內(nèi)達(dá)到氫氣的期望濃度。氫氣的期望濃度可以是0.01%至大約10%之間的任何濃度。然而，在一些特定的實(shí)施例中，可以使用1%濃度的氫氣。另外如上面所提及的，轉(zhuǎn)變區(qū)403的溫度可以是大約500°C和大約650°C之間的任意溫度或者低于大約550°C。
[0025]可以省略擴(kuò)散器260，可以通過輸入線路240、250中的一個或兩個來弓I入氫氣/混合物，并且氫氣/混合物在環(huán)境條件下在轉(zhuǎn)變區(qū)403中擴(kuò)散。涂覆基底401的傳送通過轉(zhuǎn)變區(qū)403的速率使得涂覆基底401在轉(zhuǎn)變區(qū)403中保持足夠長的時間，以發(fā)生非晶材料到晶體的轉(zhuǎn)變。
[0026]轉(zhuǎn)變區(qū)403可以包括一個或更多個加熱器230，以使溫度上升并維持期望的處理溫度(即，介于500°C至650°C之間的溫度)?？梢愿鶕?jù)使用的溫度在任何地方進(jìn)行加熱3分鐘至25分鐘。作為示例，可以對涂覆基底401在大約500°C加熱大約25分鐘，或者在大約650°C加熱大約3分鐘。通過一個或更多個加熱器230提供的加熱可以提供輻射加熱、對流加熱和/或電阻加熱。
[0027]多區(qū)爐400、500可以是控制環(huán)境爐，其中，例如設(shè)置在入口區(qū)402和出口區(qū)406中的裝載鎖/出口鎖(即，包括一個或多個門或氣體分離簾(即，惰性氣體的快速移動流)的室或區(qū))可以用于使氫氣/混合物保持在爐400、500內(nèi)部。
[0028]參照圖2A，如果涂覆基底401不包含緩沖層140 (圖1B)，并且在存在氫的情況下在轉(zhuǎn)變區(qū)403中發(fā)生加熱工藝，則可以在區(qū)404中沉積窗口層150之前并且在加熱步驟之后通過各個區(qū)403或404中的濺射設(shè)備407a或407b (在圖2A中用虛線示出)來形成緩沖層140 (圖4)?？梢蕴峁R射設(shè)備407a和濺射設(shè)備407b中的一個以沉積緩沖層140。
[0029]再次參照圖2B，如果采用轉(zhuǎn)變區(qū)409，并且涂覆的基底401不包含緩沖層140，則可以在區(qū)404中沉積窗口層150之前并且在加熱步驟之后通過相應(yīng)的區(qū)409、402或404中的濺射設(shè)備408a、408b或408c (在圖2B中用虛線示出)來形成緩沖層140 (圖4)?？梢蕴峁R射設(shè)備407a和濺射設(shè)備407b中的一個以沉積緩沖層140。
[0030]現(xiàn)在再次參照圖2A、圖2B和圖4，在使非晶TCO層退火之后，可以通過例如氣相傳輸沉積、近距離升化、蒸發(fā)、濺射或其他半導(dǎo)體沉積工藝來在多區(qū)爐400或多區(qū)爐500的區(qū)404和區(qū)405中形成半導(dǎo)體材料180的層。半導(dǎo)體材料180的層可以包括雙層。雙層可以包括在區(qū)404中的例如由硫化鎘或硫化鎘鋅形成的窗口層150以及在區(qū)405中的形成在窗口層150上的例如由碲化鎘、聯(lián)硒化銅銦、二硫化銅銦、聯(lián)硒化銅銦鋁或聯(lián)硒化銅銦鎵(CIGS)的吸收層160。窗口層150和吸收層160可以被布置成彼此接觸以產(chǎn)生電場。光子在與吸收層160接觸時可以釋放電子-空穴對，電場通過將電子發(fā)送到η側(cè)(吸收層160)并且將空穴發(fā)送到P側(cè)(窗口層150)來使電子空穴分離。造成的電子流動產(chǎn)生電流，與由電場引起的電壓結(jié)合的所述電流產(chǎn)生能量。結(jié)果是光能轉(zhuǎn)換成電能。光伏器件600中的每個層可以依次包括多于一個的層或膜。另外，每個層可以覆蓋光伏器件600的全部或一部分和/或覆蓋該層的全部或一部分或該層下方的基底的全部或一部分。例如，“層”可以包括與表面的全部或一部分接觸的任意量的任意材料。
[0031]參照圖4，在形成半導(dǎo)體材料180中的層之后，可以將背接觸金屬190沉積到吸收層160上。背接觸金屬190可以是提供低電阻歐姆接觸的一種或更多種高度導(dǎo)電的材料，例如，鑰、鋁、銅、銀、金或它們的任意組合。背支撐件192可以沉積到背接觸金屬190上。背支撐件192可以具有包括玻璃(例如，鈉鈣玻璃)的任意合適的材料。
[0032]圖5是描繪退火溫度(y軸)與進(jìn)行了退火的器件的層的位置(X軸)的曲線圖。在曲線圖上，示出了兩條線，一條具有用“ X ”指示的數(shù)據(jù)點(diǎn)，另一條具有用“ 口 ”指示的數(shù)據(jù)點(diǎn)。具有“ X ”數(shù)據(jù)點(diǎn)的線表示利用硫化鎘作為還原劑的轉(zhuǎn)化，具有“口”數(shù)據(jù)點(diǎn)的線表示利用氫氣作為還原劑的轉(zhuǎn)化。根據(jù)該曲線圖，在對TCO層進(jìn)行退火的區(qū)403中，與利用硫化鎘作為還原劑時利用使非晶TCO層轉(zhuǎn)變成晶體TCO層的650°C的溫度相比，當(dāng)利用氫氣作為還原劑時，利用625°C的溫度使非晶TCO層轉(zhuǎn)變成晶體TCO層。
[0033]對于利用氫氣的TCO轉(zhuǎn)變，將2000sccm(標(biāo)準(zhǔn)立方厘米)的用氦稀釋的2.9%氫氣流和4000sccm的純氦注入到轉(zhuǎn)變區(qū)403內(nèi)，以在轉(zhuǎn)變區(qū)403中達(dá)到0.97%氫氣濃度。因此氫氣的使用顯著降低了 TCO退火溫度。注意的是，可以通過調(diào)整轉(zhuǎn)變區(qū)中的氫濃度來改變降低的幅值。
[0034]通過示出和示例的方式提供了上面描述的實(shí)施例。應(yīng)該理解的是，上面提供的示例可以在某些方面改變，并且仍然保持在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。應(yīng)該理解的是，盡管已經(jīng)參照上面的示例實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是其他實(shí)施例在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。還應(yīng)該理解的是，附圖不必是按比例繪制的，從而呈現(xiàn)本發(fā)明的各個特征和基本構(gòu)思的稍微簡化的圖示。
【權(quán)利要求】
1.一種在基底上形成晶體錫酸鎘層的方法，包括: 在基底上沉積包含鋪和錫的非晶層； 將基底放置在包含氫氣的環(huán)境中；以及 在所述環(huán)境中對基底進(jìn)行熱處理，以使沉積在基底上的非晶層轉(zhuǎn)變成晶體層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 在熱處理之后，在所述環(huán)境中在基底上沉積半導(dǎo)體材料，其中，通過從由氣相傳輸沉積、近距離升華、蒸發(fā)和濺射組成的組中選擇的沉積技術(shù)來沉積半導(dǎo)體材料。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，通過氣相傳輸沉積來沉積半導(dǎo)體材料。
4.如權(quán)利要求1所述的方法,其中，所述環(huán)境包括其中具有大約0.01%至大約10%的氫濃度的爐。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，氫濃度為大約1%。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在大約500°C和大約650°C之間的溫度下對基底進(jìn)行熱處理。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，對基底進(jìn)行熱處理介于大約3分鐘和大約25分鐘之間的時間。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在小于大約550°C的溫度下對基底進(jìn)行熱處理。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，對基底進(jìn)行熱處理介于大約15分鐘和大約20分鐘之間的時間。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在存在包括氫氣和惰性氣體的氣體混合物的條件下對基底進(jìn)行熱處理。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，惰性氣體包括氬、氮和氦中的一種。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，惰性氣體包括氦。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括利用擴(kuò)散器使氫氣擴(kuò)散到所述環(huán)境中。
14.一種在基底上形成晶體錫酸鎘層的方法，包括: 在基底上沉積包含鋪和錫的非晶層； 在大約3分鐘至大約25分鐘的一段時間，在存在氫氣的條件下在大約500°C和大約650°C之間的溫度下對基底進(jìn)行熱處理。
15.如權(quán)利要求14所述方法，其中，在存在包括氫氣和惰性氣體的氣體混合物的條件下對基底進(jìn)行熱處理。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，還包括: 將緩沖層沉積到非晶層上。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，在對基底進(jìn)行熱處理之前沉積緩沖層。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，在對基底進(jìn)行熱處理之后沉積緩沖層。
19.一種用于形成光伏器件的晶體錫酸鎘層的設(shè)備，包括: 爐，包括用于對爐的內(nèi)部進(jìn)行加熱的至少一個加熱器； 傳輸機(jī)械裝置，用于將具有包含鎘和錫的非晶層的基底傳輸通過爐； 第一氣體源，用于將氫氣供應(yīng)至爐內(nèi)以與被傳輸?shù)幕捉佑|。
20.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中，爐被構(gòu)造成用于從由氣相傳輸沉積、近距離升華、蒸發(fā)和濺射組成的組中選擇的半導(dǎo)體沉積技術(shù)。
21.如權(quán)利要求20所述的設(shè)備，其中，爐被構(gòu)造成用于氣相傳輸沉積。
22.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，還包括布置在爐內(nèi)部用于使氫氣擴(kuò)散的擴(kuò)散器。
23.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中，第一氣體源被構(gòu)造成將包括氫氣和惰性氣體的氣體混合物供應(yīng)至爐內(nèi)以與被傳輸?shù)幕捉佑|。
24.如權(quán)利要求23所述的設(shè)備，其中，惰性氣體包括氬、氮和氦中的一種。
25.如權(quán)利要求24所述的設(shè)備，其中，惰性氣體包括氦。
26.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，還包括用于將惰性氣體供應(yīng)至爐內(nèi)的第二氣體源。
27.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中，惰性氣體包括氬、氮和氦中的一種。
28.如權(quán)利要求27所述的設(shè)備，其中，惰性氣體包括氦。
29.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中，所述至少一個加熱器被構(gòu)造成將爐加熱至大約500°C至大約650°C的溫度。
【文檔編號】H01L31/0392GK104334767SQ201380013032
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2013年3月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月5日
【發(fā)明者】邵銳, 趙志波, 馬庫斯·格洛克勒, 大衛(wèi)·黃, 本雅明·布勒 申請人:第一太陽能有限公司, 邵銳, 趙志波, 馬庫斯·格洛克勒, 大衛(wèi)·黃, 本雅明·布勒