陶瓷電子部件的制作方法
【專利摘要】在陶瓷坯體(1)的兩端部覆蓋形成有外部電極(3b)，在該外部電極(3b)的表面，形成以Ni為主成分的第1覆膜(4b)以及由Sn或焊錫等構(gòu)成的第2覆膜(5b)。外部電極(3b)具有端面部(6b)和側(cè)面折返部(8b)。外部電極(3b)在側(cè)面折返部(8b)的從覆蓋端部(7b)向端面部(6b)方向的直線距離(L)至少為5μm內(nèi)的區(qū)域，以與陶瓷坯體(1)連接的方式形成至少含有Si的玻璃層(9)。該玻璃層(9)的平均厚度(t)為3～10μm，玻璃層(9)中的Si成分的含量為11重量％以上(優(yōu)選40重量％以下)。由此，即使對外部電極實(shí)施鍍敷處理，也能夠抑制陶瓷坯體的溶出，實(shí)現(xiàn)具有良好的機(jī)械強(qiáng)度的陶瓷電子部件。
【專利說明】陶瓷電子部件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及陶瓷電子部件，更詳細(xì)來講，涉及在陶瓷坯體的兩端部形成有外部電 極的層疊陶瓷電容器等陶瓷電子部件。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著近年來的電子工學(xué)技術(shù)的發(fā)展，層疊陶瓷電容器等電子部件的小型化/大容 量化正在急速進(jìn)行。
[0003] 這種電子部件，例如層疊陶瓷電容器通常在埋設(shè)有內(nèi)部電極的部件坯體的兩端部 涂敷了外部電極用導(dǎo)電性糊膏之后，進(jìn)行燒結(jié)處理來形成外部電極，進(jìn)一步地，為了實(shí)現(xiàn)該 外部電極的耐熱性和焊錫沾附性的提高，在外部電極的兩端部形成Ni、Sn等鍍敷膜，并通 過該鍍敷膜來覆蓋外部電極。
[0004] 并且，在專利文獻(xiàn)1中提出了一種電子部件的外部電極，具有：第1層，其與由陶瓷 燒結(jié)體構(gòu)成的裸芯片的表面連接；和第2層，其在該第1層層疊形成，所述第1層由使金屬 樹脂酸鹽分散在有機(jī)粘合劑以及有機(jī)溶劑中而成的導(dǎo)電性糊膏形成，所述第2層由使金屬 粉末分散在熱固化性樹脂以及有機(jī)溶劑中而成的導(dǎo)電性糊膏形成。
[0005] 在該專利文獻(xiàn)1中，通過第1層來使陶瓷燒結(jié)體（裸芯片）與外部電極之間的導(dǎo) 通接觸性提高，并通過金屬微粒子（金屬樹脂酸鹽）的燒結(jié)來形成致密的金屬層，從而防止 濕式鍍敷時的電解液的侵入。并且，由于由上述的導(dǎo)電性糊膏構(gòu)成的第2層對于機(jī)械應(yīng)力 具有良好的吸收分散效果，因此耐鍍敷液性良好，得到電特性、可靠性、機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)良的電 子部件。
[0006] 此外，在專利文獻(xiàn)2中提出了一種芯片型電子部件的外部電極，其與由陶瓷燒結(jié) 體構(gòu)成的裸芯片的表面連接，該外部電極由使金屬樹脂酸鹽分散在有機(jī)粘合劑以及有機(jī)溶 劑中而成的導(dǎo)電性糊膏形成。
[0007] 在該專利文獻(xiàn)2中，使金屬樹脂酸鹽的分解生成物，即金屬超微粒子燒結(jié)來形成 致密的電極層，由此，防止?jié)袷藉兎髸r的電解液的侵入。并且，由于通過使用上述的導(dǎo)電性 糊膏，能夠較薄地形成外部電極，因此外部電極對于裸芯片的應(yīng)力變小，所以在安裝后也不 容易產(chǎn)生裂紋（crack)，由此，與專利文獻(xiàn)1同樣地，得到電特性、可靠性、機(jī)械強(qiáng)度優(yōu)良的 芯片型電子部件。
[0008] 在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)
[0010] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開平9-190950號公報(bào)（權(quán)利要求1、第【0010】?【0012】段 等）
[0011] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開平9-266129號公報(bào)（權(quán)利要求1、第【0010】?【0012】段 等）


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012] -發(fā)明要解決的課題-
[0013] 但足，在上述專利文獻(xiàn)1以及2中，雖然通過使形成外部電極的金屬層的致密性提 高，從而即使在外部電極形成后進(jìn)行鍍敷處理，也能夠防止鍍敷液向外部電極的浸入，但是 存在由于該鍍敷處理而導(dǎo)致形成陶瓷坯體的陶瓷材料向鍍敷液溶出的問題。特別地，若將 形成有外部電極的陶瓷坯體浸漬在Ni鍍敷浴中，并進(jìn)行Ni鍍敷，則陶瓷材料容易從外部電 極的側(cè)面折返部溶出到Ni鍍敷液中。并且，這樣，若陶瓷材料溶出到Ni鍍敷液中，則有可 能機(jī)械強(qiáng)度的降低顯著，產(chǎn)生裂紋等結(jié)構(gòu)缺陷，并導(dǎo)致特性惡化等。
[0014] 本發(fā)明鑒于這種情況而作出，其目的在于，提供一種即使對外部電極實(shí)施鍍敷處 理也能夠抑制陶瓷坯體的溶出，并具有良好的機(jī)械強(qiáng)度的陶瓷電子部件。
[0015] -解決課題的手段-
[0016] 本
【發(fā)明者】為了實(shí)現(xiàn)上述目的，經(jīng)過專心研究，發(fā)現(xiàn)通過在外部電極的從覆蓋端部 向端面部方向的直線距離至少為5 μ m內(nèi)的區(qū)域形成與陶瓷坯體連接的玻璃層，使該玻璃 層的平均厚度為3?10 μ m，并且使玻璃層中的Si含量為11重量％以上，從而即使在外部 電極的形成后進(jìn)行Ni鍍敷等鍍敷處理，也能夠抑制陶瓷材料向鍍敷液中的溶出，能夠確保 良好的機(jī)械強(qiáng)度。
[0017] 本發(fā)明是基于此知識而作出的，本發(fā)明所涉及的陶瓷電子部件的特征在于，具有 端面部和側(cè)面折返部的外部電極覆蓋形成在陶瓷坯體的兩端部，所述外部電極在所述側(cè)面 折返部的從覆蓋端部向所述端面部方向的直線距離至少為5μπι內(nèi)的區(qū)域，以與所述陶瓷 坯體相接的方式形成至少含有Si的玻璃層，所述玻璃層的平均厚度為3?10 μ m，并且，所 述玻璃層中的所述Si成分的含量為11重量％以上。
[0018] 由此，即使在外部電極的形成后進(jìn)行鍍敷處理，形成了鍍敷膜的情況下，由于外部 電極具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，因此能夠抑制陶瓷材料溶出到鍍敷液中。
[0019] 此外，本發(fā)明的陶瓷電子部件優(yōu)選所述Si成分的含量為40重量％以下。
[0020] 此外，本發(fā)明的陶瓷電子部件優(yōu)選在所述外部電極的表面，形成至少一層以上包 含以Ni為主成分的Ni系覆膜的鍍敷膜。
[0021] 由此，由于外部電極具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，因此即使將Ni系覆膜鍍敷形成在外部 電極的兩端部，也能夠抑制形成陶瓷坯體的陶瓷材料溶出到鍍敷液中。
[0022] 此外，本發(fā)明的陶瓷電子部件優(yōu)選在所述陶瓷坯體埋設(shè)有內(nèi)部電極。
[0023] 由此，能夠獲得具有良好的機(jī)械強(qiáng)度的小型且大容量的層疊陶瓷電容器等層疊陶 瓷電子部件。
[0024] -發(fā)明效果-
[0025] 根據(jù)本發(fā)明的陶瓷電子部件，由于是一種陶瓷電子部件，具有端面部和側(cè)面折返 部的外部電極覆蓋形成在陶瓷坯體的兩端部，所述外部電極在所述側(cè)面折返部的從覆蓋端 部向所述端面部方向的直線距離至少為5μπι內(nèi)的區(qū)域，以與所述陶瓷坯體連接的方式形 成至少含有Si的玻璃層，所述玻璃層的平均厚度為3?10 μ m，并且，所述玻璃層中的所述 Si成分的含量為11重量％以上，因此即使在外部電極的形成后進(jìn)行鍍敷處理，形成了鍍敷 膜的情況下，由于外部電極具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，因此能夠抑制形成陶瓷坯體的陶瓷材料 溶出到鍍敷液中。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0026] 圖1是示意性地表示作為本發(fā)明所涉及的陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器的一 個實(shí)施方式的剖視圖。
[0027] 圖2是圖1的A部放大剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028] 接下來，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0029] 圖1是示意性地表示作為本發(fā)明所涉及的陶瓷電子部件的層疊陶瓷電容器的一 個實(shí)施方式的剖視圖。
[0030] 該層疊陶瓷電容器在由以BaTi03等為主成分的電介質(zhì)材料構(gòu)成的陶瓷坯體1埋 設(shè)內(nèi)部電極2a?21，并在該陶瓷坯體1的兩端部形成外部電極3a、3b，進(jìn)一步地，在該外部 電極3a、3b的表面形成第1鍍敷膜4a、4b以及第2鍍敷膜5a、5b。
[0031] 這里，第1鍍敷膜4a、4b從耐熱性提高的觀點(diǎn)出發(fā)，由以Ni為主成分的Ni系覆膜 形成。此外，第2鍍敷膜5a、5b從焊錫沾附性提高的觀點(diǎn)出發(fā)，由Sn系覆膜等形成。
[0032] 外部電極3a、3b至少含有導(dǎo)電性材料和玻璃材，由端面部6a、6b和側(cè)面折返部8a、 8b形成，其中，該端面部6a、6b形成在陶瓷坯體1的兩端面，該側(cè)面折返部8a、8b具有形成 為與所述端面部6a、6b大致平行直線狀的覆蓋端部7a、7b。并且，該外部電極3a、3b通過端 面部6a、6b以及側(cè)面折返部8a、8b，按照覆蓋陶瓷坯體1的端面以及四個側(cè)面的方式而形 成。
[0033] 此外，各內(nèi)部電極2a?21在層疊方向上被并排設(shè)置，并且在這些內(nèi)部電極2a? 21中，內(nèi)部電極2a、2c、2e、2g、2i、2k與外部電極3a電連接，內(nèi)部電極2b、2d、2f、2h、2j、21 與外部電極3b電連接。并且，在內(nèi)部電極2 &、2(3、26、28、2丨、21^與內(nèi)部電極213、2(1、2€、211、 2j、21的對置面之間形成靜電電容。
[0034] 圖2是圖1的A部放大剖視圖，在本實(shí)施方式中，圖示了外部電極3b的側(cè)面折返 部8b附近，而外部電極3a與側(cè)面折返部8a附近也具有同樣的結(jié)構(gòu)。
[0035] 外部電極3b形成為側(cè)面折返部8b從覆蓋端部7b向端面部6b方向外形為傾斜 狀。此外，在本實(shí)施方式中，在側(cè)面折返部8b的從覆蓋端部7b向端面部6b方向的直線距 離L至少為5 μ m內(nèi)的區(qū)域，以與陶瓷坯體1連接的方式來形成玻璃層9。
[0036] 并且，該玻璃層9的平均厚度t為3?10 μ m，并且Si含量為11重量％以上，由 此，即使對形成有外部電極3b的陶瓷坯體1實(shí)施Ni鍍敷等鍍敷處理，也抑制了陶瓷材料溶 出到鍍敷液中。
[0037] 接下來，對將玻璃層9的平均厚度t以及玻璃層9中的Si成分的含量設(shè)為上述的 范圍的理由進(jìn)行詳細(xì)敘述。
[0038] (1)玻璃層9的平均厚度t
[0039] 通過以與陶瓷坯體1連接的方式來在側(cè)面折返部8a、8b形成玻璃層9,從而即使進(jìn) 行鍍敷處理，也能夠抑制陶瓷材料向鍍敷液中的溶出。
[0040] 但是，若玻璃層9的平均厚度t小于3 μ m，則由于該平均厚度t過薄，因此難以充 分抑制陶瓷材料向鍍敷液中的溶出。
[0041] 另一方面，若玻璃層9的平均厚度t超過10 μ m，則作為非導(dǎo)電性材料的玻璃材可 能上浮到外部電極3a、3b的表層面，特別地，可能妨礙鍍敷膜向側(cè)面折返部8a、8b的覆蓋。
[0042] 因此，在本實(shí)施方式中，將上述的玻璃層9的平均厚度t設(shè)為3?10 μ m。
[0043] (2)玻璃層9中的Si成分的含量
[0044] 如上所述，通過將平均厚度t為3?10 μ m的玻璃層9以與陶瓷坯體1連接的方 式形成在側(cè)面折返部8a、8b，從而能夠抑制陶瓷材料向鍍敷液中的溶出。
[0045] 但是，若玻璃層9中的Si成分的含有摩爾量降低到小于11重量％，則由于Si成 分的含量過低，因此不能充分確保玻璃層9的平均厚度t，陶瓷材料向鍍敷液的溶出抑制變 得不充分，難以確保所希望的良好的機(jī)械強(qiáng)度。
[0046] 另外，雖然不特別限定玻璃層9中的Si成分的含量的上限，但由于若玻璃層9中 的Si成分的含量過多，則可能產(chǎn)生向外部電極表面的玻璃上浮，因此優(yōu)選40重量％以下。
[0047] 作為形成這樣的玻璃層9的玻璃材，雖然只要含有Si成分就不特別限定，但通常 優(yōu)選使用以Si0 2以及B203為主成分的Si-B系玻璃材。并且，能夠適當(dāng)?shù)厥褂孟蜻@些Si0 2 以及B203添加了 Li20、Na20、K20等堿金屬氧化物的Si-B-A(A :堿金屬）系玻璃材、向Si02以 及B203添加了 Bi203的Si-B-Bi系玻璃材、向Si02以及B20 3添加了 Ζη02的Si-B-Zn系玻璃 材、向Si02以及B20 3添加了 Zr02或者Ti02的Si-B-Zr-Ti系玻璃材。
[0048] 此外，作為導(dǎo)電性材料，雖然只要是具有優(yōu)良導(dǎo)電性的材料就不特別限定，但在本 實(shí)施方式中，考慮到價(jià)格性，使用Cu、Ni、Cu-Ni合金等卑金屬材料。
[0049] 該層疊陶瓷電容器可以如以下那樣來制作。
[0050] 首先，準(zhǔn)備Ba化合物、Ti化合物等陶瓷原材料，將這些陶瓷原材料稱量出規(guī)定 量。然后，將這些稱量物與PSZ(Partially Stabilized Zirconia:部分穩(wěn)定氧化锫）球等 粉碎介質(zhì)以及純水一起投入球磨機(jī)，充分地以濕式進(jìn)行混合粉碎，并使其干燥后，以900? 1200°C的溫度進(jìn)行規(guī)定時間的預(yù)燒，由此，制作出由鈦酸鋇系化合物等構(gòu)成的預(yù)燒粉末。
[0051] 接下來，將該預(yù)燒粉末與有機(jī)粘合劑、有機(jī)溶劑和粉碎介質(zhì)一起再次投入球磨機(jī) 并進(jìn)行濕式混合，制作出陶瓷漿料，并通過刮刀法等對陶瓷漿料進(jìn)行成形加工，制作出規(guī)定 厚度的陶瓷生片。
[0052] 接下來，使Ni粉末等導(dǎo)電性材料在有機(jī)賦形劑（Vehicle)中分散，以三輥研磨機(jī) 等進(jìn)行混煉，由此，制作出內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊膏。
[0053] 這里，有機(jī)賦形劑是將粘合劑樹脂溶解在有機(jī)溶劑中，按照粘合劑樹脂與有機(jī)溶 齊[J的混合比率為例如體積比1?3 : 7?9的方式來調(diào)制而成。
[0054] 此外，作為上述粘合劑樹脂，并不特別限定，能夠使用例如乙基纖維素 （Ethyl Cellulose)樹脂、硝化纖維素 （Nitro Cellulose)樹脂、丙烯酸系（Acrylic)樹脂、醇 酸（Alkyd)樹脂或者這些的組合。此外，也不特別限定有機(jī)溶劑，能夠?qū)ⅵ?松油醇 (Terpineol)、二甲苯（Xylene)、甲苯（Toluene)、二甘醇-甲醚（Diethylene Glycol Monomethyl Ether)、二乙二醇丁醚乙酸酯（Diethylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)、二乙二醇單乙醚（Diethylene Glycol Ethyl Ether)、乙二醇乙醚乙酸酯 (Diethylene Glycol Monoethyl Ether Acetate)等單獨(dú)或者將其組合來使用。
[0055] 此外，優(yōu)選根據(jù)需要向內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊膏添加分散劑或者可塑劑等。
[0056] 然后，使用該內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊膏來在陶瓷生片上實(shí)施絲網(wǎng)印刷，在所述陶瓷 生片的表面形成規(guī)定圖案的導(dǎo)電膜。
[0057] 接下來，在將形成有導(dǎo)電膜的陶瓷生片在規(guī)定方向上層疊多片后，通過未形成導(dǎo) 電膜的陶瓷生片來對此夾持并進(jìn)行壓接，切割為規(guī)定尺寸從而制作出陶瓷層疊體。之后，以 溫度300?500°C來進(jìn)行脫粘合劑處理，進(jìn)一步地，在由氧分壓被控制為10_ 9?lO^Mpa的 Η2-Ν2-Η20氣體構(gòu)成的還原性環(huán)境下，以溫度1100?1300°C進(jìn)行大約2小時的燒成處理。由 此，導(dǎo)電膜與陶瓷生片共同被燒結(jié)，制作出埋設(shè)有內(nèi)部電極2a?21的陶瓷坯體1。
[0058] 接下來，制作外部電極用導(dǎo)電性糊膏。
[0059] 也就是說，通過將導(dǎo)電性材料、至少含有Si成分的玻璃材以及有機(jī)賦形劑按照規(guī) 定的混合比例進(jìn)行稱量混合，并使用三根研磨機(jī)等來進(jìn)行分散/混煉，能夠容易地制作。
[0060] 這里，雖然不特別限定玻璃材的含量，但通常按照成為3?10重量％左右的方式 而被調(diào)制。
[0061] 此外，玻璃材中的Si成分的含量按照燒結(jié)后的玻璃層9中的Si含量為11重量％ 以上，例如,換算為Si0 2，為20?60重量％的方式而被調(diào)制。
[0062] 另外，有機(jī)賦形劑能夠使用與內(nèi)部電極用導(dǎo)電性材料同樣的材料。
[0063] 接下來，使用上述的外部電極用導(dǎo)電性糊膏，涂敷到陶瓷坯體1的兩端部，在 N2-空氣-H20或者Ν2-Η2-Η20的還原環(huán)境下，進(jìn)行燒結(jié)處理，形成外部電極3a、3b。
[0064] 而且，最后實(shí)施鍍敷來在外部電極3a、3b的表面形成以Ni為主成分的第1鍍敷膜 4a、4b，在該第1鍍敷膜4a、4b的表面形成由Sn等構(gòu)成的第2鍍敷膜5a、5b，由此，層疊陶瓷 電容器被制作。
[0065] 這樣，上述層疊陶瓷電容器是具有端面部6a、6b和側(cè)面折返部8a、8b的外部電極 3a、3b被覆形成在陶瓷述體1的兩端部，并且外部電極3a、3b在側(cè)面折返部8a、8b的從覆蓋 端部7a、7b向端面部6a、6b方向的直線距離L至少為5 μ m內(nèi)的區(qū)域，以與陶瓷坯體1連接 的方式來形成至少含有Si的玻璃層9,由于該玻璃層9的平均厚度t為3?10 μ m，并且， 所述玻璃層9中的所述Si成分的含量為11重量％以上，因此即使在外部電極的形成后進(jìn) 行鍍敷處理，形成Ni系覆膜等鍍敷膜的情況下，外部電極3a、3b的機(jī)械強(qiáng)度也會提高，因此 能夠抑制形成陶瓷坯體1的陶瓷材料溶出到鍍敷液中。
[0066] 另外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。例如，對于玻璃層9的形成區(qū)域，可以從 覆蓋端部7a、7b向端面部6a、6b方向的直線距離L至少為5 μ m，因此也可以從側(cè)面折返部 8a、8b向端面部6a、6b方向的直線距離L為5 μ m，在這種情況下，玻璃層9也按照平均厚度 t為3?10 μ m，Si含量為11重量％以上的方式而被調(diào)整。此外，玻璃層9在不影響特性 的范圍內(nèi)，也可以形成在端面6a、6b。
[0067] 此外，在上述實(shí)施方式中，以層疊陶瓷電容器為例進(jìn)行了說明，但當(dāng)然也可以廣泛 應(yīng)用于按照覆蓋陶瓷坯體的端面以及四個側(cè)面的方式而形成有外部電極的陶瓷電子部件， 例如，可以同樣應(yīng)用于單板型的陶瓷電容器、壓電部件、電阻體等。
[0068] 此外，雖然在上述實(shí)施方式中，將鍍敷膜設(shè)為二層結(jié)構(gòu)，但只要至少一層以上就可 以，單層或者三層以上也是同樣的。
[0069] 接下來，對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行具體說明。
[0070] 實(shí)施例
[0071] 〔試料的制作〕
[0072] 首先，作為陶瓷素原材料，準(zhǔn)備BaC03、Ti02，將這些陶瓷素原材料稱量出規(guī)定量。然 后，將這些稱量物與PSZ球以及純水一起投入球磨機(jī)，充分以濕式來進(jìn)行混合粉碎，并使其 干燥后，以900?1200°C的溫度預(yù)燒規(guī)定時間，由此，制作出由鈦酸鋇系化合物等構(gòu)成的預(yù) 燒粉末。
[0073] 接下來，將該預(yù)燒粉末與有機(jī)粘合劑、有機(jī)溶劑、可塑劑、分散劑和PSZ球一起再 次投入球磨機(jī)并進(jìn)行濕式混合，制作出陶瓷漿料，通過刮刀法來對陶瓷漿料進(jìn)行成形加工， 按照干燥后的厚度為4. 0μ m的方式來制作出陶瓷生片。
[0074] 接下來，通過以下的方法來制作內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊膏。
[0075] 也就是說，按照平均顆粒直徑0. 3 μ m的Ni粉末50重量％，有機(jī)賦形劑45重量％ 以及剩余部分為分散劑以及增粘劑的方式，將這些混合并分散到有機(jī)賦形劑中，以三輥研 磨機(jī)等進(jìn)行混煉，由此，制作出內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊膏。
[0076] 這里，作為有機(jī)賦形劑，使用按照乙基纖維素樹脂（有機(jī)粘合劑）為10重量％的 方式溶解在二甘醇-丁醚（有機(jī)溶劑）中的賦形劑。
[0077] 接下來，使用該內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊膏來在陶瓷生片上實(shí)施絲網(wǎng)印刷，按照干燥 后的膜厚為2. 0 μ m的方式來在所述陶瓷生片的表面形成規(guī)定圖案的導(dǎo)電膜。
[0078] 接下來，在形成有導(dǎo)電膜的陶瓷生片在規(guī)定方向上層疊了 350片后，通過未形成 導(dǎo)電膜的陶瓷生片來對此夾持并進(jìn)行壓接，切割為規(guī)定尺寸來制作出陶瓷層疊體。之后， 以溫度400°C來進(jìn)行10個小時的脫粘合劑處理，進(jìn)一步地，在由氧分壓被控制為ΚΓ 9? lO^Mpa的Η2-Ν2-Η20氣體構(gòu)成的還原性環(huán)境下，以溫度1200°C來進(jìn)行大約2個小時的燒結(jié) 處理。并且，由此，導(dǎo)電膜與陶瓷生片共同被燒結(jié)，制作出埋設(shè)有內(nèi)部電極的陶瓷坯體。
[0079] 接下來，通過下面的方法來制作出外部電極用導(dǎo)電性糊膏。
[0080] 也就是說，按照平均顆粒直徑為0. 3 μ m的Cu粉末：70重量％，Si02的含量為10? 60重量％的硼硅酸鋅系玻璃粉：3?20重量％，有機(jī)賦形劑：10?27重量％的方式，對這 些進(jìn)行稱量并混合，使Cu粉末以及硼硅酸鋅系玻璃粉分散在有機(jī)賦形劑中，以三輥研磨機(jī) 等進(jìn)行混煉，由此，制作出外部電極用導(dǎo)電性糊膏。
[0081] 這里，作為有機(jī)賦形劑，使用按照乙基纖維素樹脂為20重量％的方式而溶解在二 甘醇-丁醚中的賦形劑。
[0082] 接下來，使用浸漬法，按照端面?zhèn)戎醒敫浇哪ず裨诟稍锖鬄?0 μ m的方式，將所 述外部電極用導(dǎo)電性糊膏涂敷在陶瓷坯體的兩端部，并使其干燥。之后，在n2-h2-h 2o氣體 的還原環(huán)境下，將最高溫度設(shè)為900°C，在電動勢（氧電動勢）相當(dāng)于240?950mV的氧分 壓下進(jìn)行燒結(jié)處理，按照覆蓋陶瓷坯體的兩端面以及四個側(cè)面的方式來制作出外部電極。
[0083] 接下來，對外部電極實(shí)施鍍敷，在外部電極上依次形成Ni覆膜（第1鍍敷膜）以 及Sn覆膜（第2鍍敷膜），由此，制作出試料編號1?6的試料（層疊陶瓷電容器）。
[0084] 另外，這樣制作出的各試料的外形尺寸均為長度3. 2_，寬度1. 6_，厚度1. 6_。
[0085] (試料的評價(jià)〕
[0086](玻璃層的平均厚度t)
[0087] 對相當(dāng)于試料編號1?6的各試料的側(cè)面折返部的剖面部分，照射聚焦離子束 (Focused Ion Beam ;FIB)并對試料表面進(jìn)行研磨。然后，通過掃描離子顯微鏡（Scanning Ion Microscopy ;SIM)來照射試料，對此時飛出的次級電子進(jìn)行測量，觀察試料表面。然后， 根據(jù)SIM像，對在從覆蓋端部向端面部方向的直線距離為5μπι內(nèi)的區(qū)域形成的玻璃層的面 積A進(jìn)行計(jì)算，根據(jù)下述公式（1)來求出玻璃層的平均厚度t。
[0088] t = A/5... (1)
[0089] (玻璃層中的Si含量）
[0090] 與上述同樣地，對相當(dāng)于試料編號1?6的各試料的側(cè)面折返部的剖面部分，照射 FIB并對試料表面進(jìn)行研磨。然后，對于該剖面部分的任意3個位置，使用透射型電子顯微 鏡（TEM-EDS)來測量Si含量，求出平均值。
[0091] (結(jié)構(gòu)缺陷產(chǎn)生率）
[0092] 將試料編號1?6的各試料焊錫安裝在玻璃環(huán)氧樹脂基板的表面，并進(jìn)行撓曲試 驗(yàn)。也就是說，針對試料編號1?6的試料各20個，對于各試料以1. Omm/s的速度負(fù)載載 荷，在撓曲量達(dá)到1. 5mm之后保持5秒，對保持的各試料進(jìn)行剖面研磨。然后，觀察其研磨 面，調(diào)查是否產(chǎn)生了裂紋等結(jié)構(gòu)缺陷，并計(jì)算結(jié)構(gòu)缺陷產(chǎn)生率。
[0093] 表1表不制作試料編號1?6的各試料時的外部電極用糊膏中的玻璃材的含量、 玻璃材中的Si0 2的含量、玻璃層的平均厚度t、玻璃層的Si含量以及結(jié)構(gòu)缺陷產(chǎn)生率。
[0094] [表 1]
[0095]

【權(quán)利要求】
1. 一種陶瓷電子部件，其特征在于，具有端面部和側(cè)面折返部的外部電極覆蓋形成在 陶瓷坯體的兩端部， 所述外部電極在所述側(cè)面折返部的從覆蓋端部向所述端面部方向的直線距離至少為 5 μ m內(nèi)的區(qū)域，以與所述陶瓷坯體相接的方式形成至少含有Si的玻璃層， 所述玻璃層的平均厚度為3?10 μ m， 并且，所述玻璃層中的所述Si成分的含量為11重量％以上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電子部件，其特征在于， 所述Si成分的含量為40重量％以下。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的陶瓷電子部件，其特征在于， 在所述外部電極的表面，形成至少一層以上包含以Ni為主成分的Ni系覆膜的鍍敷膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3的任意一項(xiàng)所述的陶瓷電子部件，其特征在于， 所述陶瓷坯體中埋設(shè)有內(nèi)部電極。
【文檔編號】H01G4/232GK104246930SQ201380014686
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年2月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月19日
【發(fā)明者】大森貴史, 古賀誠史 申請人:株式會社村田制作所