具有提高的擊穿電壓-截止頻率乘積的SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制作方法
【專(zhuān)利摘要】SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)(200)的擊穿電壓(BVCEO)和截止頻率(fT)的乘積通過(guò)利用具有中空核的摻雜區(qū)域(210)增加超出約翰遜限制，其中所述中空核從基極(150)向下延伸至重度摻雜的掩埋集電極區(qū)域(120)。摻雜區(qū)域和掩埋集電極區(qū)域具有相反的摻雜劑類(lèi)型。
【專(zhuān)利說(shuō)明】具有提高的擊穿電壓-截止頻率乘積的S i Ge異質(zhì)結(jié)雙極晶體管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有提高的擊穿電壓-截止頻率乘積的SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)。

【背景技術(shù)】
[0002]雙極晶體管為眾所周知的結(jié)構(gòu)，其具有發(fā)射極、連接到發(fā)射極的基極和連接到基極的集電極。發(fā)射極具有第一導(dǎo)電型，基極具有第二導(dǎo)電型，并且集電極具有第一導(dǎo)電型。例如，npn雙極晶體管具有η型發(fā)射極、ρ型基極和η型集電極，而ρηρ雙極晶體管具有P型發(fā)射極、η型基極和ρ型集電極。
[0003]當(dāng)發(fā)射極和基極分別由諸如硅和鍺的不同半導(dǎo)體材料構(gòu)成時(shí)，該接合部稱(chēng)為異質(zhì)結(jié)。異質(zhì)結(jié)限制了可從基極注入到發(fā)射極的空穴的數(shù)目。限制注入的空穴的數(shù)目允許增加基極的摻雜劑濃度，這進(jìn)而降低了基極電阻并且增加了晶體管的最大頻率。
[0004]圖1示出了說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)100實(shí)例的橫截面視圖。如在圖1中所示，雙極結(jié)構(gòu)100包括氧化物上硅(SOI)晶片110，該晶片110具有硅支撐晶片112 ；碰觸硅支撐晶片112的掩埋絕緣層114 ;以及碰觸埋入絕緣層114的單晶硅襯底116。硅襯底116依次具有重度摻雜的P導(dǎo)電型(ρ+)掩埋區(qū)域120和重度摻雜的η導(dǎo)電型(η+)掩埋區(qū)域122。
[0005]如在圖1中進(jìn)一步所示，雙極結(jié)構(gòu)100包括碰觸硅襯底116的頂表面的單晶硅外延結(jié)構(gòu)130。除向外擴(kuò)散的區(qū)域之外，外延結(jié)構(gòu)130具有極低的摻雜劑濃度。例如，若干個(gè)P型原子從P+掩埋層120向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)130，以及若干個(gè)η型原子從η+掩埋層122向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)130。在本實(shí)例中，外延結(jié)構(gòu)130為極輕度摻雜的η導(dǎo)電型(η)區(qū)域，不包括向外擴(kuò)散的區(qū)域。
[0006]雙極結(jié)構(gòu)100也包括碰觸外延結(jié)構(gòu)130的若干個(gè)淺溝道隔離結(jié)構(gòu)132，和碰觸外延結(jié)構(gòu)130并且延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)130與硅襯底116以碰觸掩埋絕緣層114的深溝道隔離結(jié)構(gòu)134。掩埋絕緣層114和深溝道隔離結(jié)構(gòu)134形成電氣隔離的單晶硅區(qū)域136和橫向相鄰的電氣隔離的單晶硅區(qū)域138。
[0007]此外，雙極結(jié)構(gòu)100包括輕度摻雜的P導(dǎo)電型(P-)區(qū)域140和輕度摻雜的η導(dǎo)電型(η-)區(qū)域142,其中ρ導(dǎo)電型(ρ_)區(qū)域140從娃外延結(jié)構(gòu)130的頂表面向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)130,以碰觸ρ+掩埋區(qū)域120, η導(dǎo)電型(η_)區(qū)域142從娃外延結(jié)構(gòu)130的頂表面向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)130,以碰觸η+掩埋區(qū)域122。
[0008]雙極結(jié)構(gòu)100也包括ρ導(dǎo)電型下沉區(qū)域144和η導(dǎo)電型下沉區(qū)域146，其中ρ導(dǎo)電型下沉區(qū)域144從娃外延結(jié)構(gòu)130的頂表面向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)130至ρ+掩埋區(qū)域120, η導(dǎo)電型下沉區(qū)域146從娃外延結(jié)構(gòu)130的頂表面向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)130至η+掩埋區(qū)域122。
[0009]下沉區(qū)域144包括重度摻雜的ρ導(dǎo)電型(ρ+)表面區(qū)域和中等摻雜的P導(dǎo)電型(P)較低區(qū)域，而下沉區(qū)域146包括重度摻雜的η導(dǎo)電型(η+)表面區(qū)域和中等摻雜的η導(dǎo)電型(η)較低區(qū)域。
[0010]進(jìn)一步地，雙極結(jié)構(gòu)100包括碰觸并且位于硅外延結(jié)構(gòu)130上的SiGe外延結(jié)構(gòu)150、淺溝道隔離結(jié)構(gòu)132、ρ-區(qū)域140以及碰觸并且位于硅外延結(jié)構(gòu)130上的SiGe外延結(jié)構(gòu)152、淺溝道隔離結(jié)構(gòu)132和η-區(qū)域142。
[0011]SiGe外延結(jié)構(gòu)150具有若干層，其包括最上面的層和碰觸并且位于最上面的層之下的層。最上面的層具有中心區(qū)域154，和碰觸中心區(qū)域154的外部區(qū)域。中心區(qū)域154具有由向外擴(kuò)散造成的重度摻雜劑濃度和P導(dǎo)電型(P+)。在本實(shí)例中，水平圍繞中心區(qū)域154的外部區(qū)域具有極低的摻雜劑濃度和η導(dǎo)電型(η)。
[0012]碰觸并位于最上面的層之下的層依次包括鍺。該層也具有重度摻雜劑濃度和η導(dǎo)電型(η+)。此外，SiGe外延結(jié)構(gòu)150包括單晶活躍區(qū)域、多晶硅接觸區(qū)域和將單晶活躍區(qū)域連接到多晶硅接觸區(qū)域的連結(jié)區(qū)域。
[0013]類(lèi)似地，SiGe外延結(jié)構(gòu)152具有若干層，其包括最上面的層和碰觸并且位于最上面的層之下的層。最上面的層具有中心區(qū)域156，和碰觸中心區(qū)域156的外部區(qū)域。中心區(qū)域156具有由向外擴(kuò)散造成的重度摻雜劑濃度和η導(dǎo)電型(η+)。在本實(shí)例中，水平圍繞中心區(qū)域156的外部區(qū)域具有極低的摻雜劑濃度和η導(dǎo)電型(n-—)。
[0014]碰觸最并位于最上面的層之下的層包括鍺。該層也具有重度摻雜劑濃度和P導(dǎo)電型(P+)。此外，SiGe外延結(jié)構(gòu)152包括單晶活躍區(qū)域、多晶硅接觸區(qū)域和將單晶活躍區(qū)域和多晶硅接觸區(qū)域連接的連結(jié)區(qū)域。
[0015]雙極結(jié)構(gòu)100附加地包括碰觸SiGe外延結(jié)構(gòu)150的隔離結(jié)構(gòu)160，和碰觸SiGe外延結(jié)構(gòu)152的隔離結(jié)構(gòu)162。隔離結(jié)構(gòu)160具有暴露SiGe外延結(jié)構(gòu)150的單晶活躍區(qū)域的發(fā)射極開(kāi)口 164，和暴露SiGe外延結(jié)構(gòu)150的多晶硅接觸區(qū)域的接觸開(kāi)口 166。類(lèi)似地，隔離結(jié)構(gòu)162具有暴露SiGe外延結(jié)構(gòu)152的單晶活躍區(qū)域的發(fā)射極開(kāi)口 170，和暴露SiGe外延結(jié)構(gòu)152的多晶硅接觸區(qū)域的接觸開(kāi)口 172。
[0016]雙極結(jié)構(gòu)100進(jìn)一步包括重度摻雜的P導(dǎo)電型(ρ+)多晶硅結(jié)構(gòu)180，其碰觸隔離結(jié)構(gòu)160并且延伸通過(guò)發(fā)射極開(kāi)口 164,以碰觸SiGe外延結(jié)構(gòu)150的ρ+區(qū)域154。雙極結(jié)構(gòu)100也包括重度摻雜的η導(dǎo)電型(η+)多晶硅結(jié)構(gòu)182，其碰觸隔離結(jié)構(gòu)162并且延伸通過(guò)發(fā)射極開(kāi)口 170，以碰觸SiGe外延結(jié)構(gòu)152的η+區(qū)域156。
[0017]P+多晶硅結(jié)構(gòu)180和ρ+區(qū)域154形成pnp SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT) 190的發(fā)射極，SiGe外延結(jié)構(gòu)150的其余部分形成η型基極，并且ρ+掩埋區(qū)域120、ρ-區(qū)域140和P型下沉區(qū)域144的組合形成集電極。此外，η+多晶娃結(jié)構(gòu)182和η+區(qū)域156形成npnSiGe HBT 192的發(fā)射極，SiGe外延結(jié)構(gòu)152的其余部分形成ρ型基極，并且η+掩埋區(qū)域122、η-區(qū)域142和η型下沉區(qū)域146的組合形成集電極。
[0018]pnp SiGe HBT 190的最大(或截止)頻率由ρ-區(qū)域140的摻雜劑濃度部分限定。隨著P-區(qū)域140的摻雜劑濃度增加，集電極電阻降低并且HBT 190的截止頻率增加。另一方面，隨著P-區(qū)域140的摻雜劑濃度降低，集電極電阻增加并且HBT 190的截止頻率降低。
[0019]擊穿電壓和截止頻率的乘積產(chǎn)生相對(duì)恒定的值，其通常稱(chēng)為約翰遜限制。因此，由于約翰遜限制，隨著P-區(qū)域140的摻雜劑濃度增加，HBT 190的截止頻率增加而HBT 190的擊穿電壓降低。另一方面，隨著P-區(qū)域140的摻雜劑濃度降低，HBT 190的截止頻率降低而晶體管190的擊穿電壓增加。
[0020]類(lèi)似地，npn SiGe HBT 192的截止頻率由n_區(qū)域142的摻雜劑濃度部分限定。因此，由于約翰遜限制，隨著η-區(qū)域142的摻雜劑濃度增加，HBT 192的截止頻率增加而HBT192的擊穿電壓降低。另一方面，隨著η-區(qū)域142的摻雜劑濃度降低，HBT 192的截止頻率降低而HBT 192的擊穿電壓增加。
[0021]先進(jìn)的低壓SiGe HBT已經(jīng)打破了約翰遜限制。然而，這些低壓SiGE HBT未能很好擴(kuò)展并且不可與大體上大于五伏的電壓一起使用。因此，需要打破約翰遜限制并且處理高壓的SiGe HBT。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)100的實(shí)例的截面圖。
[0023]圖2Α至圖2Β為根據(jù)本發(fā)明說(shuō)明SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)200的視圖。圖2Α為截面圖。圖2Β為沿著圖2Α的直線(xiàn)2Β-2Β所取的平面圖。
[0024]圖3Α至圖3Ε為根據(jù)本發(fā)明說(shuō)明形成SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)的方法300的截面圖。
[0025]圖4Α至圖4Β為根據(jù)本發(fā)明的可替代實(shí)施例說(shuō)明SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)400的視圖。圖4Α為截面圖。圖4Β為沿著圖4Α的直線(xiàn)4Β-4Β所取的平面圖。
[0026]圖5Α至圖5Ε為根據(jù)本發(fā)明的可替代實(shí)施例說(shuō)明形成SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)的方法500的截面圖。
[0027]圖6Α至圖6Β為根據(jù)本發(fā)明的可替代實(shí)施例說(shuō)明SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)600的視圖。圖6Α為截面圖。圖6Β為沿著圖6Α的直線(xiàn)6Β-6Β所取的平面圖。
[0028]圖7Α至圖7Ε為根據(jù)本發(fā)明的可替代實(shí)施例說(shuō)明形成SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)的方法700的截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0029]圖2Α至圖2Β根據(jù)本發(fā)明說(shuō)明SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)200。
[0030]SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)200與SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)100的不同在于，SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)200用具有中空核的輕度摻雜η導(dǎo)電型(η_)區(qū)域210取代了 ρ-區(qū)域140。因此，η-區(qū)域210碰觸并且水平圍繞硅外延結(jié)構(gòu)130的具有較輕度η摻雜劑濃度的第一中心區(qū)域。
[0031]如在圖2Α至圖2Β中進(jìn)一步所示，η-區(qū)域210從SiGe外延結(jié)構(gòu)150垂直向下延伸至P+掩埋區(qū)域120。此外，在電氣隔離的硅區(qū)域136中的硅外延結(jié)構(gòu)130的外部區(qū)域具有η摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的η-區(qū)域210。進(jìn)一步地，盡管圖2Β說(shuō)明了具有正方形的η-區(qū)域210，但η-區(qū)域210可用圓形、橢圓形或矩形以及其他形狀可替代地實(shí)施。
[0032]SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)200與SiGe異質(zhì)結(jié)雙極機(jī)構(gòu)100的不同還在于，SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)200用具有中空核的輕度摻雜ρ導(dǎo)電型(ρ-)區(qū)域212取代了 η-區(qū)域142。因此，ρ-區(qū)域212碰觸并且水平圍繞硅外延結(jié)構(gòu)130的具有較輕度η摻雜劑濃度的第二中心區(qū)域。
[0033]如在圖2Α至2Β中附加所示的，P-區(qū)域212從SiGe外延結(jié)構(gòu)152垂直向下延伸至η+掩埋區(qū)域122。此外，在電氣隔離的硅區(qū)域138中的硅外延結(jié)構(gòu)130的外部區(qū)域具有η摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的P-區(qū)域212。進(jìn)一步地，盡管圖2Β說(shuō)明了具有正方形的P-區(qū)域212，但ρ-區(qū)域212可用圓形、橢圓形，或矩形以及其他形狀可替代地實(shí)施。
[0034]P+多晶硅結(jié)構(gòu)180和ρ+區(qū)域154形成pnp SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT) 220的發(fā)射極，η-區(qū)域210和SiGe外延結(jié)構(gòu)150的其余部分形成基極，并且ρ+掩埋區(qū)域120和ρ型接觸區(qū)域144形成集電極。此外，η+多晶娃結(jié)構(gòu)182和η+區(qū)域156形成npn SiGe HBT222的發(fā)射極，ρ-區(qū)域212和SiGe外延結(jié)構(gòu)152的其余部分形成基極，并且η+掩埋區(qū)域122和η型接觸區(qū)域146形成集電極。PNP SiGe HBT 220和npn SiGe HBT 222以傳統(tǒng)方式工作，并且可用，例如> 5 V的高壓工作。
[0035]本發(fā)明的其中一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于用于pnp SiGe HBT 220的擊穿電壓(BVceq)和截止頻率(fT)的乘積大體上大于用于pnp SiGe HBT 190的擊穿電壓(BVceq)和截止頻率(fT)的乘積(例如，與用于pnp SiGe HBT 190的200 GHz相比，用于pnp SiGe HBT 220的為240GHz)。因此，本發(fā)明打破了約翰遜限制。
[0036]此外，npnSiGe HBT 222 的(BVceo) (fT)比用于 npn SiGe HBT192 的(BVceo) (fT)大類(lèi)似的量。PNP SiGe HBT 220和npn SiGe HBT222的其他優(yōu)點(diǎn)包括，在將單晶活躍區(qū)域連接到多晶娃接觸區(qū)域的連結(jié)區(qū)域中的較高的Early電壓(大約高2倍)和較低的基極電阻。
[0037]圖3A至圖3E根據(jù)本發(fā)明說(shuō)明形成SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)的方法300。
[0038]如在圖3A中所示，該方法利用常規(guī)形成的包括氧化物上硅(SOI)晶片310的中間結(jié)構(gòu)308，氧化物上硅(SOI)晶片310具有硅支撐晶片312、碰觸硅支撐晶片312的掩埋絕緣層314，和碰觸掩埋絕緣層314的單晶硅襯底316。硅襯底316依次具有ρ+掩埋區(qū)域320、η+掩埋區(qū)域322、ρ+掩埋區(qū)域324，和η+掩埋區(qū)域326。
[0039]此外，中間結(jié)構(gòu)308包括碰觸硅襯底316的頂表面的單晶硅外延結(jié)構(gòu)330。在本實(shí)例中，除向外擴(kuò)散的區(qū)域之外，外延結(jié)構(gòu)330具有極低的摻雜劑濃度和η導(dǎo)電型(n-—)。例如，若干個(gè)P型原子從P+掩埋層320向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)330，若干個(gè)η型原子從η+掩埋層322向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)330，若干個(gè)ρ型原子從ρ掩埋層324向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)330，并且若干個(gè)η型原子從η+掩埋層326向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)330。因此，基本上所有外延結(jié)構(gòu)300都具有極低的摻雜劑濃度。
[0040]中間結(jié)構(gòu)308也包括碰觸外延結(jié)構(gòu)330的若干個(gè)淺溝道隔離結(jié)構(gòu)332，和碰觸外延結(jié)構(gòu)330并且延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)330以及硅襯底316以觸碰掩埋絕緣層314的深溝道隔離結(jié)構(gòu)334。
[0041]深溝道隔離結(jié)構(gòu)334形成電氣隔離的單晶硅區(qū)域336、橫向相鄰的電氣隔離的單晶硅區(qū)域337、橫向相鄰的電氣隔離的單晶硅區(qū)域338和橫向相鄰的電氣隔離的單晶硅區(qū)域 339。
[0042]如在圖3Α中進(jìn)一步所示，方法300通過(guò)以常規(guī)方式形成圖案化的光刻膠層340以碰觸外延結(jié)構(gòu)330的頂表面開(kāi)始。如圖3Β所示，在形成圖案化的光刻膠層340之后，將諸如磷或砷的η型摻雜劑通過(guò)圖案化的光刻膠層340植入，以形成η-區(qū)域342和η-區(qū)域344。進(jìn)而，N-區(qū)域342具有中空核。因此，η-區(qū)域342碰觸并且水平圍繞硅外延結(jié)構(gòu)330的第一中心區(qū)域345，該中心區(qū)域具有較輕度的摻雜劑濃度(η)。
[0043]如在圖3Β中進(jìn)一步所示，η-區(qū)域342從外延結(jié)構(gòu)330的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)330,以碰觸ρ+掩埋區(qū)域320,而η-區(qū)域344從外延結(jié)構(gòu)330的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)330，以碰觸η+掩埋區(qū)域326。此外，在電氣隔離的硅區(qū)域336中的硅外延結(jié)構(gòu)330的外部區(qū)域具有η摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的η-區(qū)域342。在η-區(qū)域342和η-區(qū)域344已經(jīng)形成之后，以常規(guī)方式將圖案化光刻膠層340移除。
[0044]如在圖3C中所示，在除去圖案化光刻膠層340之后，以常規(guī)方式形成圖案化光刻膠層350，以碰觸外延結(jié)構(gòu)330的頂表面。如在圖3D中所示，在形成圖案化光刻膠層350之后，將諸如硼的P型摻雜劑通過(guò)圖案化光刻膠層350植入，以形成ρ-區(qū)域352和ρ-區(qū)域354。進(jìn)而，P-區(qū)域352具有中空核。因此，P-區(qū)域352碰觸并且水平圍繞硅外延結(jié)構(gòu)330的第二中心區(qū)域355，該中心區(qū)域具有較輕度的摻雜劑濃度(η)。
[0045]如在圖3D中進(jìn)一步所示，ρ-區(qū)域352從外延結(jié)構(gòu)330的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)330，以碰觸η+掩埋區(qū)域322，而ρ-區(qū)域354從外延結(jié)構(gòu)330的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)330，以碰觸ρ+掩埋區(qū)域324。此外，在電氣隔離的硅區(qū)域337中的硅外延結(jié)構(gòu)330的外部區(qū)域具有η摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的P-區(qū)域352。在ρ-區(qū)域352和ρ-區(qū)域354已經(jīng)形成之后，以常規(guī)方式將圖案化光刻膠層350移除。
[0046]如在圖3Ε中所示，方法300然后繼續(xù)常規(guī)形成P型集電極下沉區(qū)域和η型集電極下沉區(qū)域(其可替代地在η-區(qū)域342與η-區(qū)域344，和ρ-區(qū)域352與ρ-區(qū)域352形成之前形成)。方法300然后按照常規(guī)的步驟形成pnp SiGe HBT 360、npn SiGe HBT 362、pnpSiGe HBT 364 和 npn SiGe HBT 366。
[0047]如在圖2A 和圖 3E 中所示，pnp SiGe HBT 360 和 npn SiGe HBT 362 分別與 pnpSiGe HBT 220和npn SiGe HBT 222大體上相同。此外，如在圖1和圖3E中所示，pnp SiGeHBT 364 和 npn SiGe 366 分別與 pnp SiGe HBT 190 和 npn SiGe HBT 192 大體上相同。
[0048]因此，如在圖3E中所說(shuō)明，方法300的其中一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于沒(méi)有任何附加掩模步驟的情況下，在pnp SiGe HBT 190和npn SiGe HBT 192形成的同時(shí)，可形成pnp SiGe HBT220 和 npn SiGe HBT 222。因此，例如 HBT 360, HBT 362, HBT 364 和 HBT 366 中的每一個(gè)利用提供較大擊穿電壓的HBT 360和HBT 362可以在相同頻率處工作。
[0049]圖4A至圖4B根據(jù)本發(fā)明的可替代實(shí)施例說(shuō)明了 SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)400。
[0050]如在圖4A至圖4B中所示，SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)400與SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)100的不同在于SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)400進(jìn)一步包括具有中空核的η-區(qū)域410,該區(qū)域410碰觸并且水平圍繞P-區(qū)域140。N-區(qū)域410從SiGe外延結(jié)構(gòu)150垂直向下延伸，以碰觸ρ+掩埋區(qū)域120。
[0051]此外，在電氣隔離的硅區(qū)域136中的硅外延結(jié)構(gòu)130的外部區(qū)域有η摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的η-區(qū)域410。進(jìn)一步地，盡管圖4Β說(shuō)明了具有正方形的η-區(qū)域410，但是η-區(qū)域410可用圓形、橢圓形或矩形以及其他形狀可替代地實(shí)施。
[0052]SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)400與SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)100的不同還在于SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)400包括碰觸并且水平圍繞η-區(qū)域142的具有中空核的ρ_區(qū)域412。P-區(qū)域412從SiGe外延結(jié)構(gòu)152垂直向下延伸至η+掩埋區(qū)域122。
[0053]此外，在電氣隔離的硅區(qū)域138中的硅外延結(jié)構(gòu)130的外部區(qū)域具有η摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的P-區(qū)域142。進(jìn)一步地，盡管圖4Β說(shuō)明了具有正方形的P-區(qū)域142，但是ρ-區(qū)域142可使用圓形、橢圓形或矩形以及其他形狀可替代地實(shí)施。
[0054]P+多晶硅結(jié)構(gòu)180和ρ+區(qū)域154形成pnp SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)420的發(fā)射極，η-區(qū)域410和SiGe外延結(jié)構(gòu)150的其余部分形成基極,并且ρ+掩埋區(qū)域120、ρ-區(qū)域140和ρ型接觸區(qū)域144的組合形成集電極。
[0055]此夕卜，η+多晶娃結(jié)構(gòu)182和η+區(qū)域156形成npn SiGe HBT 422的發(fā)射極，P-區(qū)域412和SiGe外延結(jié)構(gòu)152的其余部分形成基極，并且η+掩埋區(qū)域122、η_區(qū)域142和η型接觸區(qū)域146的組合形成集電極。PNP SiGe HBT 420和npn SiGe HBT 422以常規(guī)方式工作，其可利用高壓工作，并且具有與P即SiGe HBT 220和npn SiGe HBT 222相同的優(yōu)點(diǎn)。
[0056]圖5A至圖5E根據(jù)本發(fā)明的可替代實(shí)施例說(shuō)明了形成SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)的方法 500。
[0057]如在圖5A中所示，該方法利用了常規(guī)形成的包括氧化物上硅(SOI)晶片510的基極結(jié)構(gòu)508，氧化物上硅(SOI)晶片510包括硅支撐晶片512、碰觸硅支撐晶片512的掩埋絕緣層514和碰觸掩埋絕緣層514的單晶硅襯底516。硅襯底516依次具有ρ+掩埋區(qū)域520、η+掩埋區(qū)域522、ρ+掩埋區(qū)域524和η+掩埋區(qū)域526。
[0058]此外，基極結(jié)構(gòu)508包括碰觸硅襯底516的頂表面的單晶硅外延結(jié)構(gòu)530。在本實(shí)例中，除向外擴(kuò)散的區(qū)域之外，外延結(jié)構(gòu)530具有極低的摻雜劑濃度和η導(dǎo)電型(n-—)。例如，若干個(gè)P型原子從P+掩埋層520向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)530，若干個(gè)η型原子從η+掩埋層522向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)530，若干個(gè)ρ型原子從ρ+掩埋層524向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)530，并且若干個(gè)η型原子從η+掩埋層526向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)530。因此，基本上所有外延結(jié)構(gòu)530都具有極低的摻雜劑濃度。
[0059]基極結(jié)構(gòu)508也包括碰觸外延結(jié)構(gòu)530的若干個(gè)淺溝道隔離結(jié)構(gòu)532，和碰觸外延結(jié)構(gòu)530并且延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)530以及硅襯底516以碰觸掩埋絕緣層514的深溝道隔離結(jié)構(gòu)534。深溝道隔離結(jié)構(gòu)534形成電氣隔離的單晶硅區(qū)域536、橫向相鄰的電氣隔離的單晶硅區(qū)域537、橫向相鄰的電氣隔離的單晶硅區(qū)域538和橫向相鄰的電氣隔離的單晶硅區(qū)域 539。
[0060]如在圖5Α中進(jìn)一步所示，方法500通過(guò)以常規(guī)方式形成圖案化的光刻膠層540以碰觸外延結(jié)構(gòu)530的頂表面開(kāi)始。如圖5Β所示，在形成圖案化的光刻膠層540之后，將諸如磷或砷的η型摻雜劑通過(guò)圖案化的光刻膠層540植入，以形成具有中空核的η-區(qū)域542、η-區(qū)域544和η-區(qū)域546。因此，η-區(qū)域542碰觸并且水平圍繞硅外延結(jié)構(gòu)530的第一中心區(qū)域545，該中心區(qū)域具有較輕度的摻雜劑濃度(η)。
[0061]如在圖5Β中進(jìn)一步所示，η-區(qū)域542從外延結(jié)構(gòu)530的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)530，以碰觸ρ+掩埋區(qū)域520，而η-區(qū)域544從外延結(jié)構(gòu)530的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)530，以碰觸η+掩埋區(qū)域522，并且η-區(qū)域546從外延結(jié)構(gòu)530的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)530,以碰觸η+掩埋區(qū)域526。
[0062]此外，在電氣隔離的硅區(qū)域536中的硅外延結(jié)構(gòu)530的外部區(qū)域具有η摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的η-區(qū)域542。在η-區(qū)域542、544和546已經(jīng)形成之后，以常規(guī)方式將圖案化光刻膠層540移除。
[0063]如在圖5C中所示，在除去圖案化光刻膠層540之后，以常規(guī)方式形成圖案化光刻膠層550，以碰觸外延結(jié)構(gòu)530的頂表面。如在圖中所示，在形成圖案化光刻膠層550之后，將諸如硼的P型摻雜劑通過(guò)圖案化光刻膠層550植入，以形成ρ-區(qū)域552、具有中空核的P-區(qū)域554，和ρ-區(qū)域556。因此，ρ-區(qū)域552碰觸η-區(qū)域542并且由η-區(qū)域542水平圍繞，且P-區(qū)域554碰觸并且水平圍繞η-區(qū)域544。
[0064]如在圖中進(jìn)一步所示，ρ-區(qū)域552從外延結(jié)構(gòu)530的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)530，以碰觸ρ+掩埋區(qū)域520，而ρ-區(qū)域554從外延結(jié)構(gòu)530的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)530，以碰觸η+掩埋區(qū)域522，并且ρ-區(qū)域556從外延結(jié)構(gòu)530的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)530，以碰觸ρ+掩埋區(qū)域524。
[0065]此外,在電氣隔離的娃區(qū)域537中的娃外延結(jié)構(gòu)530的外部區(qū)域具有η---摻雜濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的P-區(qū)域554。在ρ-區(qū)域552、554和556已經(jīng)形成之后，以常規(guī)方式將圖案化光刻膠層550移除。
[0066]如在圖5Ε中所示，方法500然后繼續(xù)常規(guī)形成P型集電極下沉區(qū)域和η型集電極下沉區(qū)域(其可替代地在η-區(qū)域542、544與546，和ρ-區(qū)域552、554與556形成之前形成)。方法500然后按照常規(guī)的步驟形成pnp SiGe HBT 560,npn SiGe HBT 562,pnp SiGeHBT 564 和 npn SiGe HBT 566。
[0067]如在圖4A 和圖 5E 中所示，pnp SiGe HBT 560 和 npn SiGe HBT 562 分別與 pnpSiGE HBT 420和npn SiGe HBT 422大體上相同。此外，如在圖1和圖5E中所示，pnp SiGeHBT 564 和 npn SiGe HBT 566 分別與 pnp SiGe HBT 190 和 npn SiGe HBT 192 大體上相同。因此，在沒(méi)有任何額外的掩模步驟的情況下，可同時(shí)形成HBT 560、562、564和566。此外，例如用提供較大擊穿電壓的HBT 560和562，HBT 560,HBT 562,HBT 564和HBT 566中的每一個(gè)可以同樣的頻率工作。
[0068]圖6A至圖6B根據(jù)本發(fā)明的可替代實(shí)施例說(shuō)明了 SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)600。
[0069]如在圖6A至圖6B中所示，SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)600與SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)100的不同在于SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)600用補(bǔ)償區(qū)域610和η-區(qū)域610取代了 ρ_區(qū)域140,其中η-區(qū)域612水平圍繞補(bǔ)償區(qū)域610。補(bǔ)償區(qū)域610具有ρ型雜質(zhì)原子和η型雜質(zhì)原子兩者。
[0070]如在圖6Α至圖6Β中進(jìn)一步所示,補(bǔ)償區(qū)域610和η-區(qū)域612從SiGe外延結(jié)構(gòu)150垂直向下延伸至ρ+掩埋區(qū)域120。此外，在電氣隔離的硅區(qū)域136中的硅外延結(jié)構(gòu)130的外部區(qū)域具有η—摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的η-區(qū)域612。進(jìn)一步地，盡管圖6Β說(shuō)明了具有正方形的η-區(qū)域612，但是η-區(qū)域612可用圓形、橢圓形或矩形以及其他形狀可替代地實(shí)施。
[0071]此外，SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)600與SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)100的不同還在于SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)600用補(bǔ)償區(qū)域614和ρ-區(qū)域616取代了 η-區(qū)域142,其中ρ-區(qū)域616水平圍繞補(bǔ)償區(qū)域614。補(bǔ)償區(qū)域614具有ρ型雜質(zhì)原子和η型雜質(zhì)原子兩者。
[0072]如在圖6Α至圖6Β中進(jìn)一步所示,補(bǔ)償區(qū)域614和ρ-區(qū)域616從SiGe外延結(jié)構(gòu)152垂直向下延伸至η+掩埋區(qū)域122。此外，在電氣隔離的硅區(qū)域138中的硅外延結(jié)構(gòu)130的外部區(qū)域具有η摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的P-區(qū)域616。進(jìn)一步地,盡管圖6Β說(shuō)明了具有正方形的ρ-區(qū)域616,但是ρ-區(qū)域616可用圓形、橢圓形或矩形以及其他形狀可替代地實(shí)施。
[0073]在本實(shí)例中，ρ+多晶硅結(jié)構(gòu)180和ρ+區(qū)域154形成pnp SiGe異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT) 620的發(fā)射極，η-區(qū)域612和SiGe外延結(jié)構(gòu)150的其余部分形成基極，并且ρ+掩埋區(qū)域120和ρ型接觸區(qū)域144形成集電極。
[0074]此夕卜，η+多晶硅結(jié)構(gòu)182和η+區(qū)域156形成npn SiGe HBT 622的發(fā)射極，ρ-區(qū)域616和SiGe外延結(jié)構(gòu)152的其余部分形成基極，并且η+掩埋區(qū)域122和η型接觸區(qū)域146形成集電極。PNP SiGe HBT 620和npn SiGe HBT 622以常規(guī)方式工作，其可用高壓工作，并且其具有與pnp SiGe HBT 220和npn SiGe HBT 222相同的優(yōu)點(diǎn)。
[0075]圖7A至圖7E根據(jù)本發(fā)明的可替代實(shí)施例說(shuō)明了形成SiGe異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)構(gòu)的方法 700。
[0076]如在圖7A中所示，該方法利用常規(guī)形成的包括氧化物上硅(SOI)晶片710的基極結(jié)構(gòu)708，其中氧化物上硅(SOI)晶片710具有硅支撐晶片712、碰觸硅支撐晶片712的掩埋絕緣層714和碰觸掩埋絕緣層714的單晶硅襯底716。硅襯底716依次具有ρ+掩埋區(qū)域720、η+掩埋區(qū)域722、ρ+掩埋區(qū)域724和η+掩埋區(qū)域726。
[0077]此外，基極結(jié)構(gòu)708包括碰觸硅襯底716的頂表面的單晶硅外延結(jié)構(gòu)730。在本實(shí)例中，除向外擴(kuò)散的區(qū)域之外，外延結(jié)構(gòu)730具有極低的摻雜劑濃度和η導(dǎo)電型(n-—)。例如，若干個(gè)P型原子從P+掩埋層720向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)730，若干個(gè)η型原子從η+掩埋層722向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)730，若干個(gè)ρ型原子從ρ+掩埋區(qū)域724向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)730，并且若干個(gè)η型原子從η+掩埋區(qū)域726向外擴(kuò)散至外延結(jié)構(gòu)730。因此，基本上所有外延結(jié)構(gòu)730都具有極低的摻雜劑濃度。
[0078]基極結(jié)構(gòu)708還包括碰觸外延結(jié)構(gòu)730的若干個(gè)淺溝道隔離結(jié)構(gòu)732，和碰觸外延結(jié)構(gòu)730并且延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)730以及硅襯底716以碰觸掩埋絕緣層714的深溝道隔離結(jié)構(gòu)734。深溝道隔離結(jié)構(gòu)734形成電氣隔離的硅區(qū)域736、橫向相鄰的電氣隔離的硅區(qū)域737、橫向相鄰的電氣隔離的娃區(qū)域738和橫向相鄰的電氣隔離的娃區(qū)域739。
[0079]如在圖7Α中進(jìn)一步所示，方法700通過(guò)以常規(guī)方式形成圖案化的光刻膠層740以碰觸外延結(jié)構(gòu)730的頂表面開(kāi)始。如圖7Β所示，在形成圖案化的光刻膠層740之后，將諸如磷或砷的η型摻雜劑通過(guò)圖案化的光刻膠層740植入，以形成η-區(qū)域742、744和746。N-區(qū)域742大體上比η-區(qū)域744和η-區(qū)域746寬。
[0080]如在圖7Β中進(jìn)一步所示，η-區(qū)域742從外延結(jié)構(gòu)730的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)730，以碰觸ρ+掩埋區(qū)域720，而η-區(qū)域744從外延結(jié)構(gòu)730的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)730，以碰觸η+掩埋區(qū)域722，并且η-區(qū)域746從外延結(jié)構(gòu)730的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)730，以碰觸η+掩埋區(qū)域726。
[0081]此外，在電氣隔離的硅區(qū)域736中的硅外延結(jié)構(gòu)730的外部區(qū)域具有η摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的η-區(qū)域742。在η-區(qū)域742、744和746已經(jīng)形成之后，以常規(guī)方式將圖案化光刻膠層740移除。
[0082]如在圖7C中所示，在除去圖案化光刻膠層740之后，以常規(guī)方式形成圖案化光刻膠層750，以碰觸外延結(jié)構(gòu)730的頂表面。如在圖7D中所示，在形成圖案化光刻膠層750之后，將諸如硼的P型摻雜劑通過(guò)圖案化光刻膠層750植入，以形成補(bǔ)償區(qū)域752、碰觸并且水平圍繞補(bǔ)償區(qū)域752的η-區(qū)域753、補(bǔ)償區(qū)域754、碰觸并且水平圍繞補(bǔ)償區(qū)域754的ρ-區(qū)域756，以及ρ-區(qū)域758。
[0083]如在圖7D中進(jìn)一步所示，補(bǔ)償區(qū)域752和η_區(qū)域753從外延結(jié)構(gòu)730的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)730，以碰觸ρ+掩埋區(qū)域720，而補(bǔ)償區(qū)域754和ρ-區(qū)域756從外延結(jié)構(gòu)730的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)730，以碰觸η+掩埋區(qū)域722，并且ρ-區(qū)域758從外延結(jié)構(gòu)730的頂表面垂直向下延伸通過(guò)外延結(jié)構(gòu)730，以碰觸ρ+掩埋區(qū)域724。
[0084]此外，在電氣隔離的硅區(qū)域737中的硅外延結(jié)構(gòu)730的外部區(qū)域具有η摻雜劑濃度、碰觸并且水平圍繞具有較大摻雜劑濃度的P-區(qū)域756。在區(qū)域752、753、754、756和758已經(jīng)形成之后，以常規(guī)方式將圖案化光刻膠層750移除。
[0085]如在圖7Ε中所示，方法700然后繼續(xù)常規(guī)形成P型集電極下沉區(qū)域和η型集電極下沉區(qū)域(其可替代地在區(qū)域742、744、746、752、753、754和756形成之前形成)。方法700 然后按照常規(guī)的步驟形成 pnp SiGe HBT 760、npn SiGe HBT 762、pnp SiGe HBT 764和 npn SiGe HBT 766。
[0086]主要的摻雜劑類(lèi)型和補(bǔ)償區(qū)域752和754的濃度取決于η型和ρ型植入物的相關(guān)摻雜劑濃度。如果η型和ρ型植入物的摻雜劑濃度基本相等，則補(bǔ)償區(qū)域752和754基本為中性。
[0087]如在圖6Α 和圖 7Ε 中所示，pnp SiGe HBT 760 和 npn SiGe HBT 762 分別與 pnpSiGe HBT 620和npn SiGe HBT 622大體上相同。此外，圖在圖1和圖7E中所示，pnp SiGeHBT 764 和 npn SiGe HBT 766 分別與 pnp SiGe HBT 190 和 npn SiGe HBT 192 大體上相同。因此，在沒(méi)有任何額外掩模步驟的情況下，HBT 760、HBT 762、HBT 764和HBT 766可同時(shí)形成。此夕卜，例如用提供較大擊穿電壓的HBT 760和HBT 762，HBT 760、HBT 762、HBT764和HBT 766中的每一個(gè)可以同樣的頻率工作。
[0088]本領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白，在所要求保護(hù)的發(fā)明的范圍內(nèi)，許多其他的實(shí)施例和變體是可能的。
【權(quán)利要求】
1.一種雙極結(jié)構(gòu)，其包括: 襯底結(jié)構(gòu)，其具有第一導(dǎo)電型； 第一外延結(jié)構(gòu)，其具有頂表面和底表面，所述底表面碰觸所述襯底結(jié)構(gòu)； 第二導(dǎo)電型的區(qū)域，其碰觸所述外延結(jié)構(gòu)，并且從所述外延結(jié)構(gòu)的所述頂表面向下延伸通過(guò)所述外延結(jié)構(gòu)，以碰觸所述襯底結(jié)構(gòu)；以及 第二外延結(jié)構(gòu)，其具有所述第二導(dǎo)電型、頂表面和底表面，所述底表面碰觸所述第一外延結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域具有中空核。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極結(jié)構(gòu)，其中所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域碰觸并且水平圍繞所述第一外延結(jié)構(gòu)的中心區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙極結(jié)構(gòu)，其中所述第一外延結(jié)構(gòu)的外部區(qū)域碰觸并且水平圍繞所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙極結(jié)構(gòu)，其中所述第一外延結(jié)構(gòu)具有摻雜劑濃度，并且所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域具有的摻雜劑濃度大于所述第一外延結(jié)構(gòu)的所述摻雜劑濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極結(jié)構(gòu)，并且進(jìn)一步包括碰觸所述襯底結(jié)構(gòu)和所述第二外延結(jié)構(gòu)的所述第一導(dǎo)電型的區(qū)域，所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域碰觸并且水平圍繞所述第一導(dǎo)電型的所述區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙極結(jié)構(gòu)，其中所述第一外延結(jié)構(gòu)的外部區(qū)域水平圍繞所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的雙極結(jié)構(gòu)，其中所述第一外延結(jié)構(gòu)具有摻雜劑濃度，并且所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域具有的摻雜劑濃度大于所述第一外延結(jié)構(gòu)的所述摻雜劑濃度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙極結(jié)構(gòu)，并且進(jìn)一步包括碰觸所述襯底結(jié)構(gòu)和所述第二外延結(jié)構(gòu)的補(bǔ)償區(qū)域，所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域碰觸并且水平圍繞所述補(bǔ)償區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的雙極結(jié)構(gòu)，其中所述第一外延結(jié)構(gòu)的外部區(qū)域水平圍繞所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域。
11.一種形成雙極結(jié)構(gòu)的方法，其包括: 形成具有第一導(dǎo)電型的襯底結(jié)構(gòu)； 形成具有頂表面和底表面的第一外延結(jié)構(gòu)，所述底表面碰觸所述襯底結(jié)構(gòu)； 將第二導(dǎo)電型的摻雜劑植入所述第一外延結(jié)構(gòu)，以形成所述第二導(dǎo)電型的區(qū)域；以及 形成具有第二導(dǎo)電型、頂表面和底表面的第二外延結(jié)構(gòu)，所述第二外延結(jié)構(gòu)碰觸所述第一外延結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域具有中空核。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域碰觸并且水平圍繞所述第一外延結(jié)構(gòu)的中心區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一外延結(jié)構(gòu)的外部區(qū)域碰觸并且水平圍繞所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一外延結(jié)構(gòu)具有摻雜劑濃度，并且所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域具有的摻雜劑濃度大于所述第一外延結(jié)構(gòu)的所述摻雜劑濃度。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，并且進(jìn)一步包括將所述第一導(dǎo)電型的摻雜劑植入到所述第一外延結(jié)構(gòu)，以形成所述第一導(dǎo)電型的區(qū)域，所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域水平圍繞所述第一導(dǎo)電型的所述區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述第一外延結(jié)構(gòu)的外部區(qū)域碰觸并且水平圍繞所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一外延結(jié)構(gòu)具有摻雜劑濃度，并且所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域具有的摻雜劑濃度大于所述第一外延結(jié)構(gòu)的所述摻雜劑濃度。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，并且進(jìn)一步包括將所述第一導(dǎo)電型的摻雜劑植入到所述第二導(dǎo)電型的所述區(qū)域，以形成補(bǔ)償區(qū)域和水平圍繞所述補(bǔ)償區(qū)域的所述第二導(dǎo)電型的周?chē)鷧^(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一外延結(jié)構(gòu)的外部區(qū)域碰觸并且水平圍繞所述第二導(dǎo)電型的所述周?chē)鷧^(qū)域。
【文檔編號(hào)】H01L29/737GK104205337SQ201380016089
【公開(kāi)日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2013年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月23日
【發(fā)明者】J·A·巴布科克, A·薩多夫尼科夫 申請(qǐng)人:德克薩斯儀器股份有限公司