與化合物半導(dǎo)體的銅互連相關(guān)的改善的結(jié)構(gòu)、裝置和方法
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了與諸如化合物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體的銅互連金屬化相關(guān)的改進(jìn)的結(jié)構(gòu)、裝置和方法。在示例性構(gòu)造中，金屬化結(jié)構(gòu)可包括設(shè)置在化合物半導(dǎo)體之上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在第一Ti層之上的第一阻擋層、設(shè)置在第一阻擋層之上的第二Ti層和設(shè)置在第二Ti層之上的銅（Cu)層。在另一個(gè)示例性構(gòu)造中，金屬化結(jié)構(gòu)可包括設(shè)置在化合物半導(dǎo)體之上的Ti層、設(shè)置在第一Ti層之上的第一氮化鈦（TiN)層和設(shè)置在第一TiN層之上的Cu層。在再一個(gè)示例性構(gòu)造中，金屬化結(jié)構(gòu)可包括設(shè)置在化合物半導(dǎo)體之上的堆疊，并且該堆疊包括勢(shì)壘、設(shè)置在勢(shì)壘之上的Cu層和設(shè)置在Cu層之上的第一Ti層。該金屬化結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在第一Ti層之上的滅射的鈦鎢（TiW)層。
【專利說(shuō)明】與化合物半導(dǎo)體的銅互連相關(guān)的改善的結(jié)構(gòu)、裝置和方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求2012年2月24日提交的名稱為為〃DEVICES AND METHODOLOGIES RELATED TO COPPER INTERCONNECTS FOR COMPOUND SEMICONDUCTORS〃的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng) No. 61/602, S86的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容明確地通過(guò)引用并入于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本公開總體上涉及與化合物半導(dǎo)體的銅互連相關(guān)的裝置和方法。

【背景技術(shù)】
[0004]化合物半導(dǎo)體裝置采用諸如金的金屬來(lái)形成諸如總線的互連線。這些互連通常涉 及金屬1、金屬2和金屬3。金屬1或Ml典型地是指金屬互連的第一層，其例如接觸歐姆金 屬以及與集成電路相關(guān)的其它有源和/或無(wú)源元件（例如，電阻器、電容器和電感器）。金 屬 2或M2典型地是指連接到M1的層。金屬3或M3典型地是指例如裝置中的散熱器，比如 功率放大器。
[0005] 金因其諸如低電阻系數(shù)、化學(xué)惰性和理想的引線接合特性等特性而被選為用于前 述某些或全部應(yīng)用。然而，金的價(jià)格相對(duì)較高，因此增加了化合物半導(dǎo)體的相關(guān)制造成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在某些實(shí)施方式中，本公開涉及化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括設(shè) 置在與化合物半導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上的第一鈦（Ti)層。該結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在第一 Ti 層之上的第一阻擋層。該結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在第一阻擋層之上的第二Ti層。該結(jié)構(gòu)還包括 設(shè)置在第二Ti層之上的銅（ Cu)層，其中第二Ti層構(gòu)造為抑制Cu層和阻擋層的合金化。 [000 7]在某些實(shí)施例中，第一 Ti層、第一阻擋層和第二Π 層可構(gòu)造為在Cu層和形成在 基板上的歐姆金屬層之間產(chǎn)生勢(shì)壘。在某些實(shí)施例中，第一阻擋層可包括鉬（Pt)、鈀（Pd) 或線（Ni)。
[0008]在某些實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在Cu層之上的第三Ti層和設(shè)置在第三Ti 層之上的第二阻擋層。第二阻擋層可包括鉑（Pt)、鈀（Pd)或鎳（Ni)。在某些實(shí)施例中，第 一阻擋層可與第一 Ti層直接接觸，第二Ti層可與第一阻擋層直接接觸，Cu層可與第二Ti 層直接接觸，第三Ti層可與Cu層直接接觸，并且第二阻擋層可與第三Ti層直接接觸。在 某些實(shí)施例中，第一阻擋層和第二Ti層的厚度可選擇為在 Cu層和歐姆金屬層之間提供足 夠的勢(shì)壘功能性，該歐姆金屬層設(shè)置在第一 Ti層和基板之間。第一 Ti層的厚度可足以用 作粘合層。作為示例，第一 Ti層的厚度可為約1，〇〇〇埃，第一 Pt層的厚度可為約500埃， 并且弟- Ti層的厚度可為約1，〇〇〇埃。
[0009]在某些實(shí)施例中，Cu層的厚度可選擇為產(chǎn)生類似于由該Cu層取代的金層的電阻 值。作為示例，Cu層的厚度可為約25, 000埃。
[0010]在某些實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在第二阻擋層之上的金（Au)層。第三Ti 層和第二阻擋層的厚度可選擇為在Cu層和Au層之間提供足夠的鈍化功能性。作為示例， 第三Ti層的厚度可為約500埃，并且第二阻擋層可包括厚度為約500埃的鉑（pt)層。 [00 11]在某些實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在Au層之上的第四Ti層。作為示例，Au層 的厚度可為約1，2〇0埃，并且第四Ti層的厚度可為約go埃。在某些實(shí)施例中，第一 Ti層、 第一阻擋層、第二Ti層、Cu層、第三Ti層、第二阻擋層、Au層和第四 π層中的每一層可通 過(guò)蒸發(fā)形成。
[0012]根據(jù)大量的實(shí)施方式，本公開涉及形成化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)的方法。 該方法包括在與化合物半導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上形成第一鈦（Ti)層。該方法還包括在 第一 Ti層之上形成第一阻擋層。該方法還包括在第一阻擋層之上形成第=Ti層。該方法 還包括在第二Ti層之上形成銅（Cu)層。
[0013]在某些實(shí)施例中，該方法還可包括在Cu層之上形成第三Ti層，并且在第三Ti層 之上形成桌一阻擋層。在某些實(shí)施例中，該方法還可包括在第二pt層之上形成金（Au)層。 在某些實(shí)施例中，該方法還可包括在Au層之上形成第四Ti層。 。
[0014]在某些實(shí)施例中，第一 Ti層、第一阻擋層、第二Ti層、Cu層、第三Ti層、第二阻擋 層、Au層和第四Ti層中的每一層可通過(guò)蒸發(fā)形成。在某些實(shí)施例中，第一阻擋層和第二阻 擋層中的每一層可包括鈾（Pt)、鈀（Pd)或鎳（Ni)。
[0015]根據(jù)大量實(shí)施方式，本公開涉及化合物半導(dǎo)體芯片，其包括形成在化合物半導(dǎo)體 基板上的半導(dǎo)體裝置。該芯片還包括半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊。金屬化堆疊包括設(shè)置 在與半導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在第一 Ti層之上的第一阻擋層、設(shè) 置在第一阻擋層之上的第二Ti層以及設(shè)置在第二Ti層之上的銅（Cu)層。 、
[0016]在某些實(shí)施例中，互連金屬化堆疊還可包括設(shè)置在Cu層之上的第三Ti層以及設(shè) 置在第三Ti層之上的第二阻擋層。在某些實(shí)施例中，互連金屬化堆疊還可包括設(shè)置在第二 阻擋層之上的金（Au)層以及設(shè)置在Au層之上的第四Ti層。在某些實(shí)施例中，第一阻擋層 和第二阻擋層中的每一層可包括鉑（Pt)、鈀（Pd)或鎳（Ni)。
[0017]在某些頭施例中，化合物半導(dǎo)體芯片可為神化嫁GaAs芯片。在某些實(shí)施例 中，半導(dǎo)體裝置可包括贗配尚電子遷移率晶體管（pHEMT)、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MESFET)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT)、馬赫（MZ)調(diào)制器、光伏器件、發(fā)光二極管 （LED)、雙極 FET(BiFET)、雙極HEMT(BiHEMT)、諸如垂直腔激光（VCSEL)二極管的激光二極管或諸如SAW 濾波器或共鳴器的表面聲波（SAW)裝置。
[0018]在大量實(shí)施方式中，本公開涉及射頻（RF)模塊，其包括構(gòu)造為容納多個(gè)元件的封 裝基板。該模塊還包括芯片，該芯片安裝在封裝基板上且具有形成在化合物半導(dǎo)體基板上 的半導(dǎo)體裝置。該芯片還包括半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊。金屬化堆疊包括設(shè)置在與半 導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在第一 Ti層之上的第一阻擋層、設(shè)置在第 一阻擋層之上的第二Ti層和設(shè)置在第二Ti層之上的銅（Cu)層。
[0019]根據(jù)某些實(shí)施方式，本公開涉及射頻（RF)裝置，其包括天線和RF電路，該 RF電路 與天線連通且構(gòu)造為提供發(fā)射和/或接收功能。RF裝置還包括構(gòu)造為利于天線和RP電路 的運(yùn)行的模塊。該模塊包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體裝置。該模塊還包括半導(dǎo) 體裝置的互連金屬化堆疊。金屬化堆疊包括設(shè)置在與半導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上的第一鈦 (Ti)層、設(shè)置在第一 Ti層之上的第一阻擋層、設(shè)置在第一阻擋層之上的第二Ti層和設(shè)置在 第二Ti層之上的銅（Cu)層。
[0020]在某些實(shí)施方式中，本公開涉及化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括設(shè) 置在與化合物半導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上的第一鈦（Ti)層。該結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在第一 Ti 層之上的第一氮化鈦（TiN)層。該結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在第一 TiN層之上的銅（Cu)層。
[0021]在某些實(shí)施例中，第一 Ti層和第一 TiN層可構(gòu)造為在Cu層和基板之間產(chǎn)生勢(shì)壘。 在某些實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在Cu層之上的第二TiN層和設(shè)置在第二TiN層之上 的第一鉑（pt)層。第一 TiN層可與第一 Ti層直接接觸，Cu層可與第一 TiN層直接接觸， 第二TiN層可與Cu層直接接觸，并且第一 Pt層可與第二ηΝ層直接接觸。
[0022]在某些實(shí)施例中，第一 TiN層的厚度可選擇為在Cu層和歐姆金屬層之間提供足夠 的勢(shì)壘功能性，歐姆金屬層設(shè)置在第一 Ti層和基板之間。第一 Ti層的厚度為可足以用作 粘合層。作為不例，第一 Ti層的厚度可為約1，〇〇〇埃，并且第一 TiN層的厚度可為約500 埃。
[0023^在某些實(shí)施例中,Cu層的厚度可選擇為產(chǎn)生與由Cu層取代的金層類似的電阻值。 作為示例，Cu層的厚度可為約25, 000埃。
[0024]在某些實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在第一Pt層之上的金（All)層。在某些實(shí)施 例中，該結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在Au層之上的第二Ti層。作為示例，Au層的厚度可為約1,200 埃，并且第二Ti層的厚度可為約90埃。在某些實(shí)施例中，第一 Ti層、第一 TiN層、Cu層、 第二TiN層、第一 Pt層、Au層和第二Ti層中的每一層可通過(guò)蒸發(fā)形成。
[0025]根據(jù)某些實(shí)施方式，本公開涉及形成化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)的方法。該 方法包括在與化合物半導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上形成第一鈦（Ti)層。該方法還包括在第 一 Ti層之上形成第一氮化鈦（TiN)層。該方法還包括在第一 TiN層之上形成銅（Cu)層。 [0026] 在某些實(shí)施例中，該方法還可包括在Cu層之上形成第二TiN層和在第二TiN層之 上形成第一 Pt層。在某些實(shí)施例中，該方法還可包括在第一 Pt層之上形成金（Au)層。在 某些實(shí)施例中，該方法還可包括在Au層之上形成第二Ti層。
[0027] 在某些實(shí)施例中，第一 Ti層、第一 TiN層、Cu層、第二TiN層、第一 Pt層、Au層和 第二Ti層中的每一層可通過(guò)蒸發(fā)形成。第一和第二TiN層中的每一層的蒸發(fā)可包括在離 子源的輔助下蒸發(fā)Ti以及在由離子源蒸發(fā)Ti的至少部分過(guò)程中引入氮?dú)庖孕纬蒚iN層。 [0028] 根據(jù)大量的實(shí)施方式，本公開涉及化合物半導(dǎo)體芯片，其包括形成在化合物半導(dǎo) 體基板上的半導(dǎo)體裝置。該芯片還包括半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊。金屬化堆疊包括設(shè) 置在與半導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在第一 Ti層之上的第一氮化鈦 (TiN)層以及設(shè)置在第一 Ti層之上的銅（Cu)層。
[0029] 在某些實(shí)施例中，互連金屬化堆疊還可包括設(shè)置在Cu層之上的第二TiN層以及設(shè) 置在第二TiN層之上的鉑（Pt)層。在某些實(shí)施例中，互連金屬化堆疊還可包括設(shè)置在pt 層之上的金（Au)層以及設(shè)置在Au層之上的第二Ti層。
[0030] 在某些實(shí)施例中，化合物半導(dǎo)體芯片可為砷化鎵GaAs芯片。在某些實(shí)施例 中，半導(dǎo)體裝置可包括贗配高電子遷移率晶體管（PHEMT )、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MESFET)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT)、馬赫（MZ)調(diào)制器、光伏器件、發(fā)光二極管（LED)、雙極 FET(BiFET)、雙極HEMT(BiHEMT)、諸如垂直腔面發(fā)射激光（VCSEL)二極管的激光二極管或 諸如SAW濾波器或共振器的表面聲波（SAW)裝置。
[0031]在大量實(shí)施方式中，本公開涉及射頻（RF)模塊，其包括構(gòu)造為容納多個(gè)元件的封 裝基板。該模塊還包括芯片，該芯片安裝在封裝基板上且包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上 的半導(dǎo)體裝置。該芯片還包括半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊。金屬化堆疊包括設(shè)置在與半 導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在第一 Ti層之上的第一氮化鈦（TiN)層 以及設(shè)置在第一 TiN層之上的銅（Cu)層。
[0032]在某些實(shí)施方式中，本公開涉及射頻（RF)裝置，其包括天線和RF電路，rf電路與 天線連通且構(gòu)造為提供發(fā)射和/或接收功能。RF裝置還包括構(gòu)造為利于天線和RP電路的運(yùn) 行的模塊。該模塊包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體裝置。該模塊還包括半導(dǎo)體裝 置的互連金屬化堆疊。金屬化堆疊包括設(shè)置在與半導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上的第一鈦 （Ti) 層、設(shè)置在第一 Ti層之上的第一氮化鈦（TiN)層以及設(shè)置在第一 TiN層之上的銅（Cu)層。 [0033]在大量實(shí)施方式中，本公開涉及化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括設(shè) 置在與化合物半導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上的堆疊。該堆疊包括勢(shì)壘和設(shè)置在勢(shì)壘之上的銅 (Cu)層。該結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在堆疊之上的濺射的鈦鎢（ TiW)層。
[0034]在某些實(shí)施例中，該勢(shì)壘可包括設(shè)置在Ti層之上的氮化鈦（TiN)層。在某些實(shí)施 例中，該勢(shì)壘可包括第一鈦層、設(shè)置在第一 Ti層之上的阻擋層以及設(shè)置在阻擋層之上的第 二Ti層。阻擋層可包括鉑（Pt)、鈀（Pd)或鎳（Ni)。
[0035]在某些實(shí)施例中，該堆疊還可包括設(shè)置在Cu層和濺射的TiW層之間的鈦（Ti)層。 在某些實(shí)施例中，該堆疊還可包括設(shè)置在濺射的TiW層之上的金（Au)層。濺射的TiW層的 厚度可足以抑制Cu層和Au層之間的交互作用。在某些實(shí)施例中，該堆疊還可包括設(shè)置在 Au層之上的Ti層。在某些實(shí)施例中，該堆疊的每一層可通過(guò)蒸發(fā)形成。在某些實(shí)施例中， Au層和Au層之上的Ti層中的每一層可通過(guò)蒸發(fā)形成。在某些實(shí)施例中，濺射的τι可基 本上沒(méi)有分支（wing)或祐1條（stringer)特征。
[0036]根據(jù)大量的實(shí)施方式，本公開涉及形成化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)的方法。 該方法包括形成光刻膠掩模，該掩模在與化合物半導(dǎo)體裝置相關(guān)的基板之上限定開口。該 方法還包括在該開口內(nèi)以及該基板之上形成堆疊。該堆疊包括勢(shì)壘和形成在勢(shì)壘之上的銅 (Cu)層。該方法還包括以允許光刻膠掩模通過(guò)剝離工藝去除的方式在該堆疊之上濺射鈦鎢 (TiW)層。
[0037]在某些實(shí)施例中，光刻膠掩模可具有在該開口處的凹陷形狀。在某些實(shí)施例中，該 堆疊的形成還可包括在Cu層和TiW層之間形成鈦（Ti)層。在某些實(shí)施例中，該方法還可 包括在TiW層之上形成金（Au)層。在某些實(shí)施例中，該方法還可包括在 Au層之上形成Ti 層。在某些實(shí)施例中，該方法還可包括剝離光刻膠掩模從而產(chǎn)生梯形形狀的堆疊。
[0038]根據(jù)某些實(shí)施方式，本公開涉及化合物半導(dǎo)體芯片，其包括形成在化合物半導(dǎo)體 基板上的半導(dǎo)體裝置。該芯片還包括半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊。金屬化堆疊包括設(shè)置 在勢(shì)壘之上的銅（Cu)層。金屬化堆疊還包括設(shè)置在Cu層之上的濺射的鈦鎢（TiW)層。 [00 39]在某些實(shí)施例中，金屬化堆疊還可包括設(shè)置在Cu層和TiW層之間的鈦（Ti)層。 [0040] 在大量實(shí)施方式中，本公開涉及射頻（RF)模塊，其包括構(gòu)造為容納多個(gè)元件的封 裝基板。該模塊還包括芯片，該芯片安裝在封裝基板上且包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上 的半導(dǎo)體裝置。該芯片還包括半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊。金屬化堆疊包括設(shè)置在勢(shì)壘 之上的銅（Cu)層。金屬化堆疊還包括設(shè)置在Cu層之上的濺射的鈦鎢（TiW)層。
[0041]、、在某些實(shí)施方式中，本公開涉及射頻（RF)裝置，其包括天線和即電路，該 RF電路 與連通且構(gòu)造為提供發(fā)射和/或接收功能。RF裝置還包括構(gòu)造為利于天線和即電路 的運(yùn)行的模塊。該模塊包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體裝置。該模塊還包括半導(dǎo) 體裝置的互連金屬化堆疊。金屬化堆疊包括設(shè)置在勢(shì)壘之上的銅（ Cu)層。金屬 包括設(shè)置在CU層之上的濺射的鈦鎢（TiW)層。 準(zhǔn)且L
[0042]根據(jù)大量的實(shí)施方式，本公開涉及化合物半導(dǎo)體的金屬化結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括設(shè)置 在化合，半導(dǎo)體表面之上的粘合層。該結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在粘合層之上的阻擋層。該結(jié)構(gòu)還 包括設(shè)直在阻擋層之上的銅（Cu)層。阻擋層構(gòu)造為基本上承受在約2001的溫度下至少 100小時(shí)的尚溫工作壽命（HT0L)試驗(yàn)應(yīng)力。
[0043]在某些實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在CU層之上的鈍化層。在某些實(shí)施例中 粘合層可包括第一鈦（Ti)層。 '
[0044]在某些實(shí)施例中，阻擋層可包括第二Ti層和第一鈾（Pt)層，其中第二Ti層設(shè)置 在第一 Pt層之上。鈍化層可包括第二Pt層和第三Ti層，其中第二pt層設(shè)置在第三 Ti層 之上。在某些實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在第二Pt層之上的金層。
[0045]在某些實(shí)施例中，阻擋層可包括第一氮化鈦（TiN)層。鈍化層可包括第二pt層和 第-ΤιΝ層，其中第二Pt層設(shè)置在第二TiN層之上。在某些實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)還可包括設(shè) 置在第二Pt層之上的金層。
[0046]在某些實(shí)施例中，粘合層、阻擋層、Cu層和鈍化層中的每一層可通過(guò)蒸發(fā)沉積形 成。在某些實(shí)施例中，至少一些鈍化層可包括濺射層。在某些實(shí)施例中，鈍化層可包括濺射 的鈦鎢（TiW)層和蒸發(fā)的鈦（Ti)層，其中TiW層設(shè)置在Ti層之上。
[0047]在某些實(shí)施例中，粘合層、阻擋層、Cu層和Ti層的側(cè)面輪廓可對(duì)應(yīng)于凹陷的光刻 膠輪廓。Cu層的厚度可足以使沉積在凹陷的光刻膠輪廓上的銅產(chǎn)生修改的光刻膠輪廓，該 修改的光刻膠輪廓的尺寸允許形成濺射的TiW層而基本上沒(méi)有分支或桁條特征，從而利于 剝離工藝。
[0048]在某些實(shí)施例中，該結(jié)構(gòu)還可包括設(shè)置在第二TiW層之上的金層。在某些實(shí)施例 中，化合物半導(dǎo)體可包括砷化鎵（GaAs)。
[0049] 根據(jù)某些實(shí)施方式，本公開涉及半導(dǎo)體芯片，其包括集成電路（IC)，該IC具有形 成在化合物半導(dǎo)體基板上的至少一個(gè)晶體管。該芯片還包括構(gòu)造為利于晶體管電連接的 金屬化結(jié)構(gòu)。金屬化結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在化合物半導(dǎo)體表面之上的粘合層、設(shè)置在粘合層之上 的阻擋層以及設(shè)置在阻擋層之上的銅（Cu)層，其中阻擋層構(gòu)造為基本上承受在27(TC和 273Γ之間的溫度下至少100小時(shí)或500小時(shí)的高溫工作壽命（HT0L)試驗(yàn)。
[0050]在某些實(shí)施例中，化合物半導(dǎo)體基板可包括砷化鎵（GaAs)。在某些實(shí)施例中，該至 少一個(gè)晶體管可包括異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT)或贗配高電子遷移率晶體管（pHEMT)。
[0051]在大量實(shí)施方式中，本公開涉及封裝電子模塊，其包括構(gòu)造為容納多個(gè)元件的封 裝基板。該模塊還包括安裝在封裝基板上的半導(dǎo)體芯片。該芯片包括集成電路，該集成電 路具有形成在化合物半導(dǎo)體基板上的至少一個(gè)晶體管。該芯片還包括構(gòu)造為利于晶體管電 連接的金屬化結(jié)構(gòu)。金屬化結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在化合物半導(dǎo)體表面之上的粘合層、設(shè)置在粘合 層之上的阻擋層以及設(shè)置在阻擋層之上的銅（Cu)層。阻擋層構(gòu)造為基本上承受在270Γ和 273°C之間的溫度下至少100小時(shí)或500小時(shí)的高溫工作壽命（HT0L)試驗(yàn)。該模塊還包括 接觸焊盤（contact pad)，該接觸焊盤設(shè)置在封裝基板上且電連接到金屬化結(jié)構(gòu)。
[0052]在某些實(shí)施方式中，本公開涉及射頻（RF)裝置，其包括構(gòu)造為產(chǎn)生發(fā)射信號(hào)和/ 或處理接收信號(hào)的RF電路。RF裝置還包括構(gòu)造為利于發(fā)射信號(hào)的傳輸和/或接收信號(hào)的 處理的模塊。該模塊包括半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有形成在化合物半導(dǎo)體基板上的至 少一個(gè)晶體管。該芯片還包括構(gòu)造為利于晶體管電連接的金屬化結(jié)構(gòu)。金屬化結(jié)構(gòu)包括設(shè) 置在化合物半導(dǎo)體表面之上的粘合層、設(shè)置在粘合層之上的阻擋層以及設(shè)置在阻擋層之上 的銅（Cu)層。阻擋層構(gòu)造為基本上承受住在270?和273°C之間的溫度下至少100小時(shí)或 500小時(shí)的高溫工作壽命（HT0L)試驗(yàn)。
[0053] 在某些實(shí)施例中，RF裝置可包括無(wú)線裝置。在某些實(shí)施例中，無(wú)線裝置可包括移 動(dòng)電話。
[0054]在某些實(shí)施方式中，本公開涉及形成金屬化結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括提供化合物 半導(dǎo)體基板。該方法還包括在基板之上形成光刻膠層。該方法還包括圖案化該光刻膠層以 限定開口。該方法還包括在圖案化的光刻膠層之上蒸發(fā)銅堆疊。銅堆疊包括粘合層、阻擋 層和銅層。該方法還包括在銅堆疊之上形成鈍化層。該方法還包括執(zhí)行剝離工藝以去除該 銅堆疊位于光刻膠層之上的部分，從而在開口的位置產(chǎn)生金屬化結(jié)構(gòu)。
[0055]已在此描述了本發(fā)明的某些方面、優(yōu)點(diǎn)和新穎性特征以用于概括本公開。應(yīng)理解， 根據(jù)本發(fā)明的任何特定的實(shí)施例可不必實(shí)現(xiàn)所有這些優(yōu)點(diǎn)。因此，本發(fā)明可以以實(shí)現(xiàn)或優(yōu) 化在此教導(dǎo)的一個(gè)或一組優(yōu)點(diǎn)的方式實(shí)施或執(zhí)行，而不必實(shí)現(xiàn)在此教導(dǎo)或提出的其它優(yōu) 點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0056]圖1示意性地示出了在某些實(shí)施方式中具有在此描述的一個(gè)或多個(gè)特征的裝置 可形成在諸如晶片的化合物半導(dǎo)體基板上；
[0057]圖2A和2B示出了圖1中裝置的示例，其中該裝置可包括銅基金屬化結(jié)構(gòu)；
[0058] 圖3示出了銅基金屬堆疊結(jié)構(gòu)的示例；
[0059]圖4示意性地示出了銅基金屬堆疊結(jié)構(gòu)的第一示例性構(gòu)造；
[0060]圖5A示出了圖4中示例性金屬化堆疊的截面圖的照片；
[0061]圖5B示出了圖5A中示例性金屬化堆疊的近視圖；
[0062] 圖6A示出了在不包含圖4和5中示例性金屬化堆疊的一個(gè)或多個(gè)特征的情況下、 勢(shì)壘可能失效的示例；
[0063]圖6B示出了在不包含圖4和5中示例性金屬化堆疊的一個(gè)或多個(gè)特征的構(gòu)造中、 Ml可能變色并且引線接合性能可能下降的示例；
[0064]圖7示意性地示出了銅基金屬堆疊結(jié)構(gòu)的第二示例性構(gòu)造；
[0065] 圖8A示出了圖7中示例性金屬化堆疊的截面圖的照片；
[0066] 圖8B示出了圖8A中示例性金屬化堆疊的近視圖；
[0067] 圖9A示出了在不包含圖7和8中示例性金屬化堆疊的一個(gè)或多個(gè)特征的構(gòu)造中、 銅層中會(huì)形成明顯空隙的示例；
[0068] 圖9B示出了在不包含圖7和8中示例性金屬化堆疊的一個(gè)或多個(gè)特征的構(gòu)造中、 Ml可能變色并且引線接合性能可能下降的示例；
[0069] 圖10示意性地示出了銅基金屬堆疊結(jié)構(gòu)的第三示例性構(gòu)造；
[0070] 圖11示出了預(yù)剝離階段，其可被實(shí)施以制造圖10中示例性金屬堆疊結(jié)構(gòu)；
[0071] 圖12示出了已經(jīng)成功經(jīng)受了剝離工藝的金屬層的下側(cè)；
[0072] 圖13示出了可被實(shí)施以制造圖4和5中第一示例性金屬堆疊的工藝；
[0073] 圖14示出了圖13中示例性制造工藝的不同階段；
[0074] 圖15示出了可被實(shí)施以制造圖7和8中第一示例性金屬堆疊的工藝；
[0075] 圖16示出了圖15中示例性制造工藝的不同階段；
[0076] 圖17A和17B示出了可被實(shí)施以制造圖10和11中第一示例性金屬堆疊的工藝；
[0077] 圖18A和18B示出了圖17A和17B中示例性制造工藝的不同階段；
[0078] 圖19示出了圖4和5中金屬化結(jié)構(gòu)樣品的高溫工作壽命（HT0L)試驗(yàn)性能的示 例；
[0079] 圖20示出了不包含圖4和5中金屬化結(jié)構(gòu)的勢(shì)壘功能性的樣品的HT0L試驗(yàn)失敗 的示例；
[0080] 圖21示出了在圖19中的一個(gè)樣品上進(jìn)行1，400小時(shí)的HT0L試驗(yàn)后的金屬化結(jié) 構(gòu)的光學(xué)圖像；
[0081] 圖22示出了圖20中的一個(gè)樣品在HT0L試驗(yàn)失敗后其上金屬化結(jié)構(gòu)的光學(xué)圖像；
[0082] 圖23示出了可被實(shí)施以制造具有在此描述的一個(gè)或多個(gè)金屬化結(jié)構(gòu)的芯片的工 藝；
[0083] 圖24示意性地示出了可通過(guò)圖23中的制造工藝形成的芯片；
[0084] 圖25A和25B示意性地示出了具有圖24中一個(gè)或多個(gè)芯片的模塊；
[0085] 圖26示意性地示出了射頻（RF)裝置，其包括具有在此描述的一個(gè)或多個(gè)特征的 一個(gè)或多個(gè)芯片和/或一個(gè)或多個(gè)模塊；
[0086] 圖27示出了圖26中RF裝置實(shí)施為無(wú)線裝置的更多具體示例。

【具體實(shí)施方式】
[0087] 如果在此提供了標(biāo)題，則其僅用于便利目的而不必影響本發(fā)明所請(qǐng)求保護(hù)的范圍 或意義。
[0088] 形成在諸如化合物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體上的金屬化特征例如可構(gòu)造為提供互連功能 性。這樣的互連通常稱為金屬1、金屬2和金屬3。金屬1或Ml通常是指接觸電路中的歐 姆金屬和/或其它有源或無(wú)源元件（例如，電阻器、電容器、電感器）的金屬互連層。金屬 2或M2通常是指連接到Ml層的金屬層。金屬3或M3通常是指（例如，功率放大器中的） 散熱器。
[0089] 在某些實(shí)施方式中，金因其諸如低電阻系數(shù)、化學(xué)惰性和理想的引線接合特性等 特性而被選為用作Ml互連。然而，金相當(dāng)昂貴并且其價(jià)格一直穩(wěn)步上升。因此，與使用金 作為Ml互連的晶片和所形成的裝置相關(guān)的成本也會(huì)增加。
[0090] 相應(yīng)地，期望有一種具有金的一個(gè)或多個(gè)令人滿意的特性的不太昂貴的替代物。 銅可為這樣的替代物。例如，銅的電阻系數(shù)低于金約20% (銅約為1.7μ Ω-cm，而金約為 2. 2 μ Ω -cm)。銅還具有高于金的導(dǎo)熱率（銅約為SSSWm^T1，而金約為314W η^ΙΓ1)，這使 得其成為用于Μ3散熱器的金的理想替代物。
[0091]然而，當(dāng)在半導(dǎo)體基板上實(shí)施時(shí)，銅的使用面對(duì)一些挑戰(zhàn)。例如，銅是相對(duì)快的擴(kuò) 散體；從而典型地需要阻擋層來(lái)防止金屬擴(kuò)散到半導(dǎo)體基板中。銅還容易在空氣中發(fā)生化 學(xué)反應(yīng)和氧化；因此其典型地需要被鈍化，從而防止其在各步驟之間受到工藝化學(xué)品和/ 或制造環(huán)境的影響。
[0092]在此描述的是與基于銅的金屬結(jié)構(gòu)（例如Ml互連）相關(guān)的結(jié)構(gòu)、裝置和方法。描 述了提供利于使用銅作為互連導(dǎo)體的功能性的、期望的勢(shì)壘和鈍化構(gòu)造的各種示例。盡管 在Ml互連的情況下進(jìn)行了描述，但是應(yīng)理解，本公開的一個(gè)或多個(gè)特征也可在其它類型的 銅基金屬結(jié)構(gòu)中實(shí)施。
[0093]圖1示出了在某些實(shí)施方式中，形成在化合物半導(dǎo)體基板（例如晶片10)上的裝 置12可包括具有在此描述的一個(gè)或多個(gè)特征的一個(gè)或多個(gè)銅基互連結(jié)構(gòu)。在此描述的各 種示例是在可實(shí)施這樣的銅基互連結(jié)構(gòu)的砷化鎵（GaAs)化合物半導(dǎo)體的情況下給出的。 然而，應(yīng)理解，這樣的銅基互連特征也可在其它化合物半導(dǎo)體上實(shí)施。例如，可使用諸如 InP、GaN、InGaP和InGaAs的化合物半導(dǎo)體作為基板并且在其上形成具有在此描述的一個(gè) 或多個(gè)特征的銅基互連。
[0094]還應(yīng)理解，盡管在此的各種示例是在化合物半導(dǎo)體的情況下進(jìn)行描述的，但是本 公開的一個(gè)或多個(gè)特征也可在單質(zhì)半導(dǎo)體上實(shí)施。例如，可使用諸如硅和/或鍺的單質(zhì)半 導(dǎo)體作為基板并且在其上形成具有在此描述的一個(gè)或多個(gè)特征的銅基互連。
[0095]圖2A和2B示出了可實(shí)施銅基互連結(jié)構(gòu)的裝置12的示例。在圖2A中，所示出的 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT) 20包括形成為各種接觸的多個(gè)銅基結(jié)構(gòu)1〇〇。例如，所示出的銅基 接觸100形成在子集電層24 (其形成在諸如GaAs的半絕緣化合物半導(dǎo)體基板22之上）之 上。在另一個(gè)示例中，所示出的銅基接觸100形成在基底層28 (其形成在集電層26之上） 之上。在再一個(gè)示例中，所示出的銅基接觸100形成在發(fā)射器堆疊30 (其形成在基底層28 之上）之上。在圖2A的示例性構(gòu)造20中，所示出的歐姆金屬層32設(shè)置在銅基接觸100及 其各自的半導(dǎo)體基板之間。
[0096] 在圖2B中，所示出的諸如贗配HEMT(pHEMT)40的高電子遷移率晶體管（HEMT)包 括形成為各種接觸的多個(gè)銅基結(jié)構(gòu)100。所示出的PHEMT40包括化合物半導(dǎo)體基板42 (例 如GaAs)，其上形成緩沖層44。所示出的超晶格結(jié)構(gòu)46形成在緩沖層44之上，并且所示出 的溝道層48形成在超晶格結(jié)構(gòu)46之上。所示出的阻擋層 50形成在溝道層48之上，并且 所示出的包覆層52形成在阻擋層50的部分之上。所示出的銅基接觸1〇〇形成在包覆層52 之上從而形成源極和漏極接觸。所示出的銅基接觸1〇〇還形成在阻擋層50之上從而形成 柵極接觸。在圖 2B所示的示例性構(gòu)造40中，所示出的歐姆金屬層54設(shè)置在銅基接觸100 及其各自的半導(dǎo)體基板之間。
[0097] 在某些實(shí)施例中，銅基結(jié)構(gòu)100也可在其它半導(dǎo)體裝置中實(shí)施。在此對(duì)這樣的半 導(dǎo)體裝置的示例進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。
[0098]圖3示出了諸如Ml結(jié)構(gòu)的銅基金屬化結(jié)構(gòu)100可包括設(shè)置在勢(shì)壘106之上的銅 (Cu)層110。所示出的勢(shì)壘106形成在歐姆金屬層1〇4之上，而歐姆金屬層1〇4形成在化 合物半導(dǎo)體基板102之上。如圖3進(jìn)一步所示，金屬化結(jié)構(gòu)1 〇0也可包括形成在銅層110 之上的鈍化結(jié)構(gòu)112。在此描述勢(shì)壘106和鈍化結(jié)構(gòu)112的各種非限定性示例及其如何形 成。
[0099]示例 1
[0100]圖4示意性地示出了銅基金屬堆疊結(jié)構(gòu)1〇〇的第一示例性構(gòu)造12〇。歐姆金屬層 104可形成在諸如GaAs的化合物半導(dǎo)體基板102之上。第一鈦（Ti)層122 (厚度dl)可 形成在歐姆金屬層104之上。第一鉑（Pt)層124(厚度d2)可形成在第一 Ti層122之上。 第二Ti層126(厚度d3)可形成在第一 Pt層124之上。銅（Cu)層110(厚度d4)可形成 在第二Ti層1況之上。在此對(duì)可由前述Ti-Pt-Ti組合中的一些或全部提供的期望的功能 性以及某些可能的替換構(gòu)造的示例進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。
[0101] 在某些實(shí)施例中，第三Ti層13〇(厚度d5)可形成在CU層110之上。第二Pt層 132 (厚度d6)可形成在第三Ti層130之上。金（Au)層134 (厚度d7)可形成在第二Pt層 I32之上。第四Ti層136(厚度d8)可形成在Au層1：34之上。在此對(duì)可由前述組合中的一 些或全部提供的期望的功能性以及某些可能的替換構(gòu)造的示例進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。
[0102] 表1列出了圖4所示各層的示例性厚度。
[0103] 表 1
[0104] I |尺寸|近似值（埃） 第一 Ti dl~1,000 第一 Pt d2~ 500 第二 Ti d3~1,000 Cu d4~ 25, 000 第三 Ti d5~ 500 第二 Pt d6^ 500 Au d7~1,200 第四 Ti d8~ 90
[0105] 圖5A示出了具有參考圖4描述的示例性構(gòu)造的金屬化堆疊120的截面照片。圖 5B示出了圖5A中金屬化堆疊120的近視圖。在兩張照片中可見(jiàn)：可在己形成在歐姆金屬 層104和GaAs基板102之上的鈍化層150中的開口中形成層Ti-Pt-Ti (122、124、126)的 示例性組件。此外，圖5A和5B示出了可形成鈍化層152以便覆蓋可能露出的一些或全部 側(cè)表面和上表面。
[0106] 在某些實(shí)施方式中，參考圖4和5描述的示例性金屬化堆疊120的至少一些層可 通過(guò)電子束蒸發(fā)沉積形成。 申請(qǐng)人:已經(jīng)發(fā)現(xiàn)Ti可充當(dāng)Cu的勢(shì)壘且Pt可為Cu的良好勢(shì)壘， 以防止或減少擴(kuò)散。在金屬化堆疊120中，所示出的Cu層夾設(shè)在兩個(gè)Ti層之間。 申請(qǐng)人:的 可靠性試驗(yàn)已經(jīng)顯示，如果沒(méi)有Ti層，Pt可能與Cu合金化從而導(dǎo)致勢(shì)壘失效（圖6A)。在 發(fā)生這樣的問(wèn)題時(shí)，Ml堆疊的電阻系數(shù)會(huì)顯著增加，因此導(dǎo)致與Ml堆疊相關(guān)裝置的失效。 Cu也可能到達(dá)（reach)Au的頂部1200A從而導(dǎo)致Ml變色且還導(dǎo)致引線接合問(wèn)題（圖6B)。
[0107]圖6A示出了示例性構(gòu)造 140,其中Cu層110的兩側(cè)均沒(méi)有Ti層。因此，示例性 堆疊 140包括形成在歐姆金屬層1〇4之上的層Ti (122)、Pt (124)、Cu (110)、Pt (圖4中的 132)、Au(圖4中的134)和Ti (圖4中的136)。圖6A示出了如果在Cu層110和Pt層124 之間沒(méi)有Ti層（圖4中的126)，則Pt層124惡化，并且因此不再是Cul 10的可靠勢(shì)壘。據(jù) 信，這樣的惡化是由于銅和鈾在相對(duì)低溫下形成合金。
[0108] 參見(jiàn)圖6B，由于Cu層110和上部Pt層（圖4中的132)之間沒(méi)有Ti層（圖4中 的130)，銅也可到達(dá)金層（圖4中的134)從而導(dǎo)致Ml結(jié)構(gòu)140的變色（例如，表面上的不 均勻圖案）和不期望的特征，例如引線接合問(wèn)題。再者，據(jù)信，上部 Pt層的這種惡化是由于 銅和鉑在相對(duì)低溫下形成合金。
[0109]關(guān)于圖4和5中的示例性金屬化堆疊 120,例如，由于歐姆金屬膜104的粗糙度， 第一 Ti層122可構(gòu)造為提供諸如粘合和覆蓋表面不平整的功能性。在此將對(duì)如何形成第 一 Ti層122的示例進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。應(yīng)理解，第一 Ti層122的厚度可小于或大于約 1，〇〇〇埃的示例性厚度。在某些實(shí)施方式中，第一 Ti層122的厚度可選擇為足以提供一個(gè) 或多個(gè)前述功能。
[0110] 關(guān)于圖4和5中的示例性金屬化堆疊120,第一 Pt層124可構(gòu)造為例如用作勢(shì)壘， 以減少或抑制金、銅和/或其它原子在歐姆金屬層104(通過(guò)第一 Ti層122)和Cu層110 之間遷移。在此將對(duì)如何形成第一 Pt層124的示例進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。應(yīng)理解，第一 Pt 層124的厚度可小于或大于約5〇0埃的示例性厚度。在某些實(shí)施方式中，第一 Pt層124可 形成為具有厚度也，其至少為約25〇埃。在某些實(shí)施例中，厚度d2可顯著地大于250埃的 示例性厚度。在某些實(shí)施方式中，第一 Pt層1?的厚度可選擇為足以提供在此描述的一個(gè) 或多個(gè)特征。
[0111] 關(guān)于圖4和5中的示例性金屬化堆疊120,第二Ti層126例如可構(gòu)造為減少或抑 制Cu層110與第一 Pt層124的合金化。在此將對(duì)如何形成第二Ti層126的示例進(jìn)行更 加詳細(xì)的描述。應(yīng)注意，第二Ti層I 26的厚度可小于或大于約1，〇〇〇埃的示例性厚度。在 某些實(shí)施方式中，第二Ti層126的厚度可選擇為足以提供在此描述的一個(gè)或多個(gè)特征。
[0112] 關(guān)于圖4和5中的示例性金屬化堆疊12〇, Cu層110例如可構(gòu)造為產(chǎn)生期望的電 阻系數(shù)。因?yàn)镃u層110可構(gòu)造為堆疊120的主導(dǎo)電層，所以Cu層的截面尺寸（例如，厚度 和/或?qū)挾龋┛蛇x擇為提供堆疊1 2〇的期望的導(dǎo)電特性在圖4和5中的示例性堆疊120中， 選擇約25000埃的Cu層110以提供與被Cu層110取代的約30, 000埃的金層相關(guān)的大致 相同的片阻。在此將對(duì)Cu層110如何形成的示例進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。應(yīng)理解，⑶層丄⑴ 的厚度可小于或大于約25, 000埃的示例性厚度。在某些實(shí)施方式中，Cu層11〇的厚度可 選擇為足以提供在此描述的一個(gè)或多個(gè)特征。
[0113]關(guān)于圖4和5中的示例性金屬化堆疊120,第三Ti層130例如可構(gòu)造為減少或抑 制Cu層110與第二Pt層132的合金化。如參考圖6A和6B所描述的，銅層與鉑層的這種 合金化會(huì)導(dǎo)致一些銅到達(dá)金層且廣生與金屬化結(jié)構(gòu)相關(guān)的變色和引線接合問(wèn)題。在此將對(duì) 如何形成第三Ti層130的不例進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。應(yīng)理解，第三 Ti層13〇的厚度可小 于或大于約5〇〇埃的示例性厚度。在某些實(shí)施方式中，第三Ti層130的厚度可選擇為足以 提供在此描述的一個(gè)或多個(gè)特征。
[0114] 關(guān)于圖4和5中的示例性金屬化堆疊120,第二Pt層132例如可構(gòu)造為用作勢(shì)壘， 以減少或抑制金、銅和/或其它原子在Au層134 (通過(guò)第三Ti層130)和Cu層110之間的 遷移。在此將對(duì)如何形成第二Pt層132的示例進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。應(yīng)理解，第二Pt層 132的厚度可小于或大于約500埃的示例性厚度。在某些實(shí)施方式中，第二Pt層132可形 成具有至少為約2δ0埃的厚度d6。在某些實(shí)施例中，厚度冊(cè)可顯著大于250埃的示例性厚 度。在某些實(shí)施方式中，第二Pt層132的厚度可選擇為足以提供在此描述的一個(gè)或多個(gè)特 征。
[0115] 關(guān)于圖4和5中的示例性金屬化堆疊120, Au層134例如可構(gòu)造為允許金屬化堆 疊12〇的引線接合和/或防止Cu層110氧化。在此將對(duì)如何形成Au層134的示例進(jìn)行更 加詳細(xì)的描述。應(yīng)理解，Au層134的厚度可小于或大于約1,200埃的示例性厚度。在某些 實(shí)施方式中，Au層Π 4的厚度可選擇為足以提供在此描述的一個(gè)或多個(gè)特征。
[0116] 關(guān)于圖4和5中的示例性金屬化堆疊120,第四Ti層136例如可構(gòu)造為提供Au層 134的鈍化層和/或構(gòu)造為充當(dāng)附加鈍化層（例如，氮化物層）的粘合層（例如，圖 5A中 的152)。在此將對(duì)如何形成第四Ti層136的示例進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。應(yīng)理解，第四Ti 層136的厚度可小于或大于約90埃的示例性厚度。在某些實(shí)施方式中，第四Ti層136的 厚度可選擇為足以提供如在此描述的一個(gè)或多個(gè)特征。
[0117] 在某些實(shí)施方式中，包括第一 Ti層122、第一 Pt層124和第二Ti層126的層組合 可構(gòu)造為足以減少或防止歐姆金屬（104)中的金遷移到Cu層110,以及減少或防止Cu層 110中的銅擴(kuò)散到歐姆金屬（104)中。當(dāng)不希望或不旨在受特定理論約束時(shí)，Ti/Pt/Ti結(jié) 構(gòu)可被模擬或在電氣上近似為兩個(gè)背對(duì)背的二極管，由此抑制或減少歐姆層（ 104)中的金 朝著Cu層110移動(dòng)，并且抑制或減少（Cu層110的）Cu移動(dòng)到Pt層124中。
[0118]對(duì)于包括第三Ti層130、第二Pt層132和Au層134的層組合，其可構(gòu)造為足以減 少或防止Cu層110和Au層134之間的遷移和/或擴(kuò)散。這樣的組合還可構(gòu)造為足以機(jī)械 穩(wěn)固地經(jīng)受住引線接合和/或探針的應(yīng)力。
[0119] 在圖4和5中的示例性構(gòu)造12〇中，各層的尺寸（例如，厚度）可不同于表1所列 的其相應(yīng)示例性數(shù)值。例如，第一 Ti層（122)的厚度范圍可為50至5, 000埃，在1〇〇至 4, 000埃、200至3, 000埃、500至2, 000?；?50至1，250埃的范圍內(nèi)。在另一個(gè)示例中， 第一 Pt層（124)的厚度范圍可為5〇至5, 〇〇〇埃，在1〇〇至2, 500埃、2〇〇至i，000埃、300 至700?；?00至600埃的范圍內(nèi)。在再一個(gè)示例中，第二Ti層（126)的厚度范圍可為50 至5, 000埃，在100至4, 000埃、200至3, 000埃、500至2, 000?；?50至1, 250埃的范圍 內(nèi)。在再一個(gè)示例中，Cu層（110)的厚度范圍可為500至50, 000埃，在5, 000至40, 000埃、 10, 000至35, 000?；?0, 000至30, 000埃的范圍內(nèi)。在再一個(gè)示例中，第三Ti層（130) 的厚度范圍可為50至5, 000埃，在100至2, 500埃、200至1，〇〇〇埃、3〇〇至700?；?00 至6〇〇埃的范圍內(nèi)。在再一個(gè)示例中，第二Pt層（132)的厚度范圍可為50至5, 000埃，在 100至2, 500埃、200至1，000埃、300至700埃或400至600埃的范圍內(nèi)。在再一個(gè)示例 中，Au層（134)的厚度范圍可為1〇〇至5, 000埃，在2〇〇至4, 〇〇〇埃、300至3, 000埃、500 至2,000?；?〇〇至1，5〇〇埃的范圍內(nèi)。在再一個(gè)示例中，第四 11層（136)的厚度范圍可 為20至500埃，在40至3〇0埃、60至 2〇0?；?0至110埃的范圍內(nèi)。
[0120] 在某些實(shí)施例中，圖4和5的示例性構(gòu)造120中的一些或所有層可由不同的材料 形成以提供類似的功能。例如，第-Ti層（122)可用諸如格（⑶的材難在另 示例中，第一 Pt層（124)可用諸如鈀（Pd)或鎳（Ni)的材料取代。在再一個(gè)示例中，第二 Ti層（126)可用諸如鉻（Cr)的材料取代。在再一個(gè)示例中,Cu層（11〇)可用諸如錯(cuò)（ Αι)· p材料取代。在再一個(gè)示例中，第三Ti層（ISO)可用諸如鉻（Cr)的材料取代。在再- 示例中，第二Pt層（132)可用諸如鈀（Pd)或鎳（Ni)的材料取代。在再一個(gè)示例中第四 Ti層（136)可用諸如鉻（Cr)的材料取代。 ' U
[0121] 在圖4和5中的示例性構(gòu)造12〇中，歐姆層1〇4描述為由金形成。應(yīng)理解，也可 實(shí)現(xiàn)其它類型的歐姆層。對(duì)于諸如MESFET和pHEMT的裝置，歐姆層可為N-歐姆層。對(duì)于 N-型半導(dǎo)體，歐姆層可包括鎳、鍺（或金-鍺AuGe)和/或金?？衫眠@樣的材料的不同 變化，包括例如 Ni/Ge/Au、Ni/Au/Ge/Au、Ni/AuGe/Au、Ni/Au/Ge/Ni/Au、Ge/Ni/Au 和 AuGe/ Ni/Au。對(duì)于諸如HBT、BiFET、BiHEMT的裝置，歐姆層可為N-歐姆或P-歐姆。p-歐姆類型 可在層中具有Au以及諸如Pr和Pd的其它金屬。其它的構(gòu)造也是可能的。 土
[0122] 示例 2
[0123]圖7示意性地示出了銅基金屬堆疊結(jié)構(gòu)100的第二示例性構(gòu)造"ο。歐姆金屬層 104可形成在諸如GaAs的化合物半導(dǎo)體基板1〇2之上。第一鈦（Ti)層162 (厚度dl)可 形成在歐姆金屬層104之上。第一氮化鈦（TiN)層164 (厚度也）可形成在第一 Ti層162 之上。銅（Cu)層110(厚度d3)可形成在第一 TiN層164之上。第二TiN層170(厚度d4) 可形成在Cu層110之上。Pt層172(厚度d5)可形成在第二TiN層170之上。金（ Au)層 174 (厚度d6)可形成在Pt層172之上。第二Ti層176 (厚度d7)可形成在Au層174之 上。在此對(duì)可由前述組合中的一些或全部提供的期望的功能性以及某些可能的替換構(gòu)造的 示例進(jìn)行更加詳細(xì)的描述。
[0124] 表2列出了圖7所示各種層的示例性厚度。
[0125] 表 2
[0126]

【權(quán)利要求】
1. 一種化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括： 第一鈦（Ti)層，設(shè)置在與該化合物半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基板之上； 第一阻擋層，設(shè)置在該第一 Ti層之上； 第二Ti層，設(shè)置在該第一阻擋層之上；以及 銅（Cu)層，設(shè)置在該第二Ti層之上，該第二Ti層構(gòu)造為抑制該Cu層和該阻擋層的合 金化。
2. 如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一 Ti層、該第一阻擋層和該第二Ti層構(gòu)造為在 該Cu層和形成在該基板上的歐姆金屬層之間產(chǎn)生勢(shì)壘。
3. 如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一阻擋層包括怕（Pt)、鈀（Pd)或鎳（Ni)。
4. 如權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該Cu層之上的第三Ti層和設(shè)置在該第三 Ti層之上的第二阻擋層。
5. 如權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu)，其中該第二阻擋層包括鉬（Pt)、鈀（Pd)或鎳（Ni)。
6. 如權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一阻擋層與該第一 Ti層直接接觸，該第二Ti層 與該第一阻擋層直接接觸，該Cu層與該第二Ti層直接接觸，該第三Ti層與該Cu層直接接 觸，并且該第二阻擋層與該第三Ti層直接接觸。
7. 如權(quán)利要求5所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一阻擋層和該第二Ti層的厚度選擇為在該Cu 層和歐姆金屬層之間提供足夠的勢(shì)壘功能性，該歐姆金屬層設(shè)置在該第一 Ti層和該基板 之間。
8. 如權(quán)利要求7所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一 Ti層的厚度足以用作粘合層。
9. 如權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一 Ti層的厚度為約1，〇〇〇埃，該第一 Pt層的厚 度為約500埃，并且該第二Ti層的厚度為約1, 〇〇〇埃。
10. 如權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu)，其中該Cu層的厚度選擇為產(chǎn)生類似于被該Cu層取代的 金層的電阻率值。
11. 如權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu)，其中該Cu層的厚度為約25, 000埃。 I2·如權(quán)利要求4所述的結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該第二阻擋層之上的金（Au)層。
13. 如權(quán)利要求12所述的結(jié)構(gòu)，其中該第三Ti層和該第二阻擋層的厚度選擇為在該 Cu層和該Au層之間產(chǎn)生足夠的鈍化功能性。
14. 如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其中該第三Ti層的厚度為約500埃，并且該第二阻擋 層包括厚度為約500埃的鉑（Pt)層。
15. 如權(quán)利要求12所述的結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該Au層之上的第四Ti層。
16. 如權(quán)利要求I5所述的結(jié)構(gòu)，其中該Au層的厚度為約1，2〇〇埃，并且該第四Ti層的 厚度為約90埃。 如權(quán)利要求I5所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一 Ti層、該第一阻擋層、該第二Ti層、該Cu 層、該第三Ti層、該第二阻擋層、該Au層和該第四Ti層中的每一層通過(guò)蒸發(fā)形成。
18. -種形成化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括： 在與該化合物半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基板之上形成第一鈦（Ti)層； 在該第一 Ti層之上形成第一阻擋層； 在該第一阻擋層之上形成第二Ti層；以及 在該第二Ti層之上形成銅（Cu)層。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括： 在該Cu層之上形成第三Ti層；以及 在該第三Ti層之上形成第二阻擋層。 2〇·如權(quán)利要求I9所述的方法，還包括在該第二阻擋層之上形成金（Au)層。
21. 如權(quán)利要求20所述的方法，還包括在該Au層之上形成第四Ti層。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法，其中該第一 Ti層、該第一阻擋層、該第二Ti層、該Cu 層、該第三Ti層、該第二阻擋層、該Au層和該第四Ti層中的每一層通過(guò)蒸發(fā)形成。
23·如權(quán)利要求I9所述的方法，其中該第一阻擋層和該第二阻擋層中的每一層包括鉬 (Pt)、鈕1 (Pd)或鎳（Ni)。
24. -種化合物半導(dǎo)體芯片，包括： 半導(dǎo)體裝置，形成在化合物半導(dǎo)體基板上；以及 該半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊，該金屬化堆疊包括設(shè)置在與該半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基 板之上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在該第一 Ti層之上的第一阻擋層、設(shè)置在該第一阻擋層之上 的第二Ti層以及設(shè)置在該第二Ti層之上的銅（Cu)層。
25. 如權(quán)利要求24所述的芯片，其中該互連金屬化堆疊還包括設(shè)置在該Cu層之上的第 三Ti層和設(shè)置在該第三Ti層之上的第二阻擋層。
26·如權(quán)利要求25所述的芯片，其中該互連金屬化堆疊還包括設(shè)置在該第二阻擋層之 上的金（Au)層和設(shè)置在該Au層之上的第四Ti層。
27·如權(quán)利要求26所述的芯片，其中該第一阻擋層和該第二阻擋層中的每一層包括怕 (Pt)、艷（Pd)或鎳（Ni)。
28. 如權(quán)利要求24所述的芯片，其中該化合物半導(dǎo)體芯片是砷化鎵GaAs芯片。
29. 如權(quán)利要求24所述的芯片，其中該半導(dǎo)體裝置包括贗配高電子遷移率晶 體管（pHEMT)、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT)、馬 赫（Mach-Zehnder，MZ)調(diào)制器、光伏器件、發(fā)光二極管（LED)、雙極FET (BiFET)、雙極 HEMT(BiHEMT)、激光二極管或表面聲波（SAW)裝置。
30. -種射頻（RF)模塊，包括： 封裝基板，構(gòu)造為容納多個(gè)部件；以及 芯片，安裝在該封裝基板上，該芯片包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體裝置和 該半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊，該金屬化堆疊包括設(shè)置在與該半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基板之 上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在該第一 Ti層之上的第一阻擋層、設(shè)置在該第一阻擋層之上的第 二Ti層以及設(shè)置在該第二Ti層之上的銅（Cu)層。
31. -種射頻（RF)裝置，包括： 天線； RF電路，與該天線連通，該RF電路構(gòu)造為提供發(fā)射和/或接收功能；以及 模塊，構(gòu)造為利于該天線和該RF電路的運(yùn)行，該模塊包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上 的半導(dǎo)體裝置，該模塊還包括該半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊，該金屬化堆疊包括設(shè)置在 與該半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基板之上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在該第一Ti層之上的第一阻擋層、 設(shè)置在該第一阻擋層之上的第二Ti層以及設(shè)置在該第二Ti層之上的銅（ Cu)層。
32. -種化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括： 第一鈦（Ti)層，設(shè)置在與該化合物半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基板之上； 第一氮化鈦（TiN)層，設(shè)置在該第一 Ti層之上；以及 銅（Cu)層，設(shè)置在該第一 TiN層之上。
33. 如權(quán)利要求32所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一 Ti層和該第一 TiN層構(gòu)造為在該Cu層和 該基板之間產(chǎn)生勢(shì)壘。
34. 如權(quán)利要求32所述的結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該Cu層之上的第二TiN層和設(shè)置在該第 二TiN層之上的第一鉑（Pt)層。
35. 如權(quán)利要求34所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一 TiN層與該第一 Ti層直接接觸，該Cu層與 該第一 TiN層直接接觸，該第二TiN層與該Cu層直接接觸，并且該第一 Pt層與該第二TiN 層直接接觸。
36. 如權(quán)利要求34所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一 TiN層的厚度選擇為在該Cu層和歐姆金屬 層之間提供足夠的勢(shì)全功能性，該歐姆金屬層設(shè)置在該第一 層和該基板之間。
37. 如權(quán)利要求36所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一 Ti層的厚度足以用作粘合層。
38. 如權(quán)利要求37所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一 Ti層的厚度為約1，000埃，并且該第一 TiN 層的厚度為約500埃。
39. 如權(quán)利要求34所述的結(jié)構(gòu)，其中該Cu層的厚度選擇為產(chǎn)生與被該Cu層取代的金 層類似的電阻率值。
40. 如權(quán)利要求39所述的結(jié)構(gòu)，其中該Cu層的厚度為約四，000埃。
41. 如權(quán)利要求34所述的結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該第一 Pt層之上的金（Au)層。
42. 如權(quán)利要求41所述的結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該Au層之上的第二Ti層。
43. 如權(quán)利要求42所述的結(jié)構(gòu)，其中該Au層的厚度為約1，200埃，并且該第二Ti層的 厚度為約90埃。
44. 如權(quán)利要求42所述的結(jié)構(gòu)，其中該第一 Ti層、該第一 TiN層、該Cu層、該第二TiN 層、該第一 Pt層、該Au層和該第二Ti層中的每一層通過(guò)蒸發(fā)形成。
45. -種形成化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括： 在與該化合物半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基板之上形成第一鈦（Ti)層； 在該第一 Ti層之上形成第一氮化鈦（TiN)層；以及 在該第一 TiN層之上形成銅（Cu)層。
46. 如權(quán)利要求45所述的方法，還包括： 在該Cu層之上形成第二TiN層；以及 在該第二TiN層之上形成第一 Pt層。
47. 如權(quán)利要求46所述的方法，還包括在該第一 Pt層之上形成金（Au)層。
48. 如權(quán)利要求47所述的方法，還包括在該Au層之上形成第二Ti層。
49·如權(quán)利要求48所述的方法，其中該第一 Ti層、該第一 TiN層、該Cu層、該第二TiN 層、該第一 Pt層、該Au層和該第二Ti層中的每一層通過(guò)蒸發(fā)形成。
50.如權(quán)利要求49所述的方法，其中該第一 TiN層和第二TiN層中的每一層的蒸發(fā)包 括： 在離子源的輔助下蒸發(fā)Ti ;以及 在由離子源蒸發(fā)Ti的至少部分過(guò)程中引入氮?dú)狻?br> 51. -種化合物半導(dǎo)體芯片，包括： 半導(dǎo)體裝置，形成在化合物半導(dǎo)體基板上；以及 該半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊，該金屬化堆疊包括設(shè)置在與該半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基 板之上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在該第一 Ti層之上的第一氮化鈦（TiN)層和設(shè)置在該第一 TiN層之上的銅（Cu)層。
52·如權(quán)利要求所述的芯片，其中該互連金屬化堆疊還包括設(shè)置在該Cu層之上的第 二TiN層和設(shè)置在該第二TiN層之上的鉑（Pt)層。
53·如權(quán)利要求52所述的芯片，其中該互連金屬化堆疊還包括設(shè)置在該pt層之上的金 (Au)層和設(shè)置在該Au層之上的第二Ti層。
54. 如權(quán)利要求51所述的芯片，其中該化合物半導(dǎo)體芯片是砷化鎵GaAs芯片。
55. 如權(quán)利要求51所述的芯片，其中該半導(dǎo)體裝置包括贗配高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT)、馬赫（ MZ)調(diào)制器、 光伏器件、發(fā)光二極管（LED)、雙極FET(BiFET)、雙極HEMT(BiHEMT)、激光二極管或表面聲 波（SAW)裝置。
56. -種射頻（RF)模塊，包括： 封裝基板，構(gòu)造為容納多個(gè)部件；以及 芯片，安裝在該封裝基板上，該芯片包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體裝置和 該半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆置，該金屬化堆疊包括設(shè)置在與該半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基板之 上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在該第一 Ti層之上的第一氮化鈦（TiN)層和設(shè)置在該第一 TiN 層之上的銅（Cu)層。
57. -種射頻（RF)裝置，包括： 天線； RF電路，與該天線連通，該RF電路構(gòu)造為提供發(fā)射和/或接收功能；以及 模塊，構(gòu)造為利于該天線和該RF電路的運(yùn)行，該模塊包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上 的半導(dǎo)體裝置，該模塊還包括該半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊，該金屬化堆疊包括設(shè)置在 與該半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基板之上的第一鈦（Ti)層、設(shè)置在該第一 Ti層之上的第一氮化鈦 (TiN)層以及設(shè)置在該第一 TiN層之上的銅（Cu)層。
58. -種化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括： 堆置，設(shè)置在與該化合物半導(dǎo)體裝直關(guān)聯(lián)的基板之上，該堆疊包括勢(shì)魚和設(shè)置在該勢(shì) 壘之上的銅（Cu)層；以及 濺射的鈦鎢（TiW)層，設(shè)置在該堆疊之上。
59. 如權(quán)利要求58所述的結(jié)構(gòu)，其中該勢(shì)全包括設(shè)置在Ti層之上的氮化鈦（TiN)層。
60. 如權(quán)利要求58所述的結(jié)構(gòu)，其中該勢(shì)壘包括第一鈦層、設(shè)置在該第-Ti層之上^ 阻擋層以及設(shè)置在該阻擋層之上的第二Ti層。
61. 如權(quán)利要求60所述的結(jié)構(gòu),其中該阻擋層包括鈾（Pt)、鈀（Pd)或鎳（Ni)。
62. 如權(quán)利要求5S所述的結(jié)構(gòu)，其中該堆疊還包括設(shè)置在該Cu層和該濺射的Tiff層之 間的鈦（Ti)層。
63. 如權(quán)利要求62所述的結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該濺射的TiW層之上的金（八11)層。
64. 如權(quán)利要求e3所述的結(jié)構(gòu)，其中該濺射的TiW層的厚度足以抑制該Cu層和該Au 層之間的交互作用。
65. 如權(quán)利要求63所述的結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在該Au層之上的Ti層。
66. 如權(quán)利要求65所述的結(jié)構(gòu)，其中該堆疊的每一層通過(guò)蒸發(fā)形成。
67. 如權(quán)利要求66所述的結(jié)構(gòu)，其中該Au層和該Au層之上的該Ti層中的每一層通過(guò) 蒸發(fā)形成。
68. 如權(quán)利要求58所述的結(jié)構(gòu)，其中該濺射的TiW基本上沒(méi)有分支或桁條特征。
69. -種形成化合物半導(dǎo)體裝置的金屬化結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括： 在與該化合物半導(dǎo)體裝置關(guān)聯(lián)的基板之上形成光刻膠掩模，該光刻膠掩模限定開口； 在該開口內(nèi)以及在該基板之上形成堆疊，該堆疊包括勢(shì)壘和形成在該勢(shì)壘之上的銅 (Cu)層；以及 以允許該光刻膠掩模通過(guò)剝離工藝被去除的方式、在該堆疊之上溉射鈦鎢（TiW)層。
70. 如權(quán)利要求69所述的方法，其中該光刻膠掩模在該開口處具有凹陷輪廓。
71. 如權(quán)利要求70所述的方法，其中形成該堆疊還包括在該Cu層和該TiW層之間形成 鈦（Ti)層。
72. 如權(quán)利要求71所述的方法，還包括在該TiW層之上形成金（Au)層。
73. 如權(quán)利要求72所述的方法，還包括在該Au層之上形成Ti層。
74·如權(quán)利要求73所述的方法，還包括剝離該光刻膠掩模以由此產(chǎn)生梯形形狀的堆 疊。
75. -種化合物半導(dǎo)體芯片，包括： 半導(dǎo)體裝置，形成在化合物半導(dǎo)體基板上；以及 該半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊，該金屬化堆疊包括設(shè)置在勢(shì)全之上的銅（Cu)層，該 金屬化堆疊還包括設(shè)置在該Cu層之上的濺射的鈦鎢（TiW)層。
76. 如權(quán)利要求75所述的芯片，其中該金屬化堆疊還包括設(shè)置在該Cu層和該Tiff層之 間的鈦（Ti)層。
77. -種射頻（RF)模塊，包括： 封裝基板，構(gòu)造為容納多個(gè)部件；以及 、芯片，安裝在該封裝基板上，該芯片包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體裝置和 該半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊，該金屬化堆疊包括設(shè)置在勢(shì)壘之上的銅（Cu)層，該金屬 化堆疊還包括設(shè)置在該Cu層之上的濺射的鈦鎢（ Tiw)層。
78· -種射頻（RF)裝置，包括： 天線，實(shí)施為接收或發(fā)射RF信號(hào)； 與該天線連通的RF電路，該RF電路構(gòu)造為提供發(fā)射和/或接收功能；以及 模塊，構(gòu)造為利于該天線和該RF電路的運(yùn)行，該模塊包括形成在化合物半導(dǎo)體基板上 的半導(dǎo)體裝置和該半導(dǎo)體裝置的互連金屬化堆疊，該金屬化堆疊包括設(shè)置在勢(shì)壘之上的銅 (Cu)層和設(shè)置在該Cu層之上的濺射的鈦鎢 （TiW)層。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK104221130SQ201380016231
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2013年2月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月24日
【發(fā)明者】K.程 申請(qǐng)人:天工方案公司