電橋電路以及具有其的磁傳感器的制造方法
【專利摘要】為了提供磁場(chǎng)檢測(cè)角度范圍大的磁傳感器、以及用于其中的電橋電路，電橋電路的多個(gè)MR元件各自的沿著整體上與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，并且上述多個(gè)部分各自的沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。
【專利說明】電橋電路以及具有其的磁傳感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電橋電路、以及具有其的磁傳感器，特別涉及由4個(gè)MR元件形成的電橋電路、以及具有其的磁傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002]已知使用利用了磁阻效應(yīng)(MR效應(yīng):magneto-resistance effect)的磁阻效應(yīng)元件(MR元件)的磁傳感器。圖5是這樣的磁傳感器的等效電路圖。即，具備:電橋電路，其由4個(gè)MR元件Rl至R4形成；比較器，其輸入電橋電路的MR元件Rl與MR元件R2的連接點(diǎn)以及MR元件R3與MR元件R4的連接點(diǎn)的電位并輸出與電位差相應(yīng)的電壓；和反饋電阻，其將比較器的輸出反饋給I個(gè)輸入。這樣的電路要素形成在同一芯片而構(gòu)成了磁傳感器。
[0003]圖6是表示這樣的電橋電路的MR元件Rl至R4的圖案的俯視圖。即，MR元件Rl以及MR元件R2的串聯(lián)連接體和MR元件R3以及MR元件R4的串聯(lián)連接體被并聯(lián)連接在電源電壓Vcc與接地GND之間。并且，電橋電路的MR元件Rl以及MR元件R4各自的沿著與磁場(chǎng)檢測(cè)方向正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，并依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。進(jìn)而，電橋電路的MR元件R2以及MR元件R3各自的沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，并依次折返地連結(jié)，且形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。在專利文獻(xiàn)I中提出使用這樣的曲折狀的MR元件的電橋電路。
[0004]在檢測(cè)旋轉(zhuǎn)動(dòng)作的位置的情況下，有希望通過應(yīng)用來盡可能增大磁傳感器的動(dòng)作角度區(qū)域的情況。例如，攝像機(jī)的液晶畫面部具有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，以設(shè)定的角度使液晶部的圖像的朝向反轉(zhuǎn)。如果檢測(cè)角度小，則以微小的旋轉(zhuǎn)動(dòng)作就會(huì)使液晶部的圖像反轉(zhuǎn)。此外，為了使檢測(cè)角度哪怕增大少許，也需要增大磁鐵，或者在磁傳感器的配置上下工夫。伴隨近年來的終端的小型化，設(shè)計(jì)的自由度也變小，故期望檢測(cè)角度范圍大的磁傳感器。
[0005]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)I JP特開2007-225421號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的課題
[0009]但是，在上述的【背景技術(shù)】的磁傳感器中存在以下那樣的課題。
[0010]如果將至少I個(gè)電阻體不同的4個(gè)MR元件Rl?R4以4個(gè)連接點(diǎn)橋狀地連接并向?qū)χ玫倪B接點(diǎn)附加電源，則在其他對(duì)置的連接點(diǎn)產(chǎn)生偏置電壓。換言之，如圖6所示，如果在電源電壓Vcc與接地GND之間并聯(lián)連接MR元件Rl以及MR元件R2的串聯(lián)連接體和MR元件R3以及MR元件R4的串聯(lián)連接體，則會(huì)在MR元件Rl以及MR元件R2的連接點(diǎn)a與MR元件R3以及MR元件R4的連接點(diǎn)b之間產(chǎn)生偏置電壓。如果被賦予磁場(chǎng)，則MR元件輸出電壓。將波形整形處理部的檢測(cè)電平設(shè)定得高于基于來自MR元件的偏置電壓的電平。如果基于來自MR元件的偏置電壓的電平超過上述檢測(cè)電平，則波形整形處理部輸出信號(hào)。
[0011]在對(duì)圖6那樣的圖案施加Z Θ的磁場(chǎng)的情況下，在MR元件中流動(dòng)的電流和磁場(chǎng)所成的角Θ、與MR元件的電阻值之間，存在R = RO-ARXsin2 Θ的關(guān)系。在此，RO:無(wú)磁場(chǎng)中的MR元件的電阻值，△ R:磁場(chǎng)施加所引起的電阻變化量。
[0012]施加電壓V時(shí)的連接點(diǎn)a、b間的偏置電壓用
[0013](式I)
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[0014]"\ * -.Γ H I X.? V*- ) - 、? I Χ?.”..P ?
—ν κ......................................................................................................................￡R4_~τAM_4_?S_i11?').........................................................................................................................."(R 3......ΔΕ 3 X ο ο ) + CR 4 …Δ R 4 xs i ndS )
[0015]來表征。此時(shí)Z Θ的磁場(chǎng)與中點(diǎn)電位的關(guān)系成為圖7所示的曲線C，超過無(wú)磁場(chǎng)時(shí)的偏置電壓值的磁場(chǎng)的角度被限定在45?135°之間。即，在該角度范圍之外從波形整形處理部不輸出信號(hào)，故不被進(jìn)行檢測(cè)。
[0016]因此，本發(fā)明的目的在于提供磁場(chǎng)檢測(cè)角度范圍大的磁傳感器、以及用于其中的電橋電路。
[0017]用于解決課題的手段
[0018]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明所涉及的磁傳感器具有:電橋電路，其在電源間并聯(lián)連接有第IMR元件以及第2MR元件的串聯(lián)連接體和第3MR元件以及第4MR元件的串聯(lián)連接體；和比較器，其輸入所述第IMR元件與所述第2MR元件的連接點(diǎn)、和所述第3MR元件與所述第4MR元件的連接點(diǎn)的電位并進(jìn)行與兩連接點(diǎn)的電位差相應(yīng)的輸出，該磁傳感器的特征在于，所述電橋電路的所述第IMR元件以及所述第4MR元件各自的沿著與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀，所述電橋電路的所述第2MR元件以及所述第3MR元件各自的沿著整體上與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，并且所述多個(gè)部分各自的沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。
[0019]本發(fā)明所涉及的電橋電路，在電源間并聯(lián)連接有第IMR元件以及第2MR元件的串聯(lián)連接體、和第3MR元件以及第4MR元件的串聯(lián)連接體，該電橋電路的特征在于，所述第IMR元件以及所述第4MR元件各自的沿著與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀，所述第2MR元件以及所述第3MR元件各自的沿著整體上與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，并且所述多個(gè)部分各自的沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。
[0020]發(fā)明效果
[0021 ] 根據(jù)本發(fā)明，能增大磁場(chǎng)檢測(cè)角度范圍。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1A是用于說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的磁傳感器的電橋電路的俯視圖。
[0023]圖1B是用于說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的磁傳感器的電橋電路的形狀的細(xì)節(jié)的部分放大圖。
[0024]圖2是表示MR元件的線路長(zhǎng)度與電阻變化率的關(guān)系的圖表。
[0025]圖3是用于說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的磁傳感器的電橋電路的俯視圖。
[0026]圖4A是用于說明本發(fā)明的其他實(shí)施方式的磁傳感器的電橋電路的俯視圖。
[0027]圖4B是用于說明本發(fā)明的進(jìn)一步的其他實(shí)施方式的磁傳感器的電橋電路的俯視圖。
[0028]圖5是磁傳感器的等效電路圖。
[0029]圖6是表示磁傳感器的電橋電路的MR圖案例的俯視圖。
[0030]圖7是表示Z Θ的磁場(chǎng)與中點(diǎn)電位的關(guān)系的圖表。

【具體實(shí)施方式】
[0031]在詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式之前，先重新說明磁傳感器的偏置電壓。在將圖6所示的MR元件R2以及R3置換為不給磁場(chǎng)帶來影響的電阻體的情況下，連接點(diǎn)a、b間的偏置電壓用
[0032](式2)
______ ,, ,R 2^ IR -1 ΛI(xiàn) ? xs i n eO*
[0033]V a b V X.................................................::........................— V %...................................................................^…

fK 1- ? K I i ri'^1 -+κ ? K 1 IK 4-Λ K 4 xs ι η.#:
[0034]來表征。這種情況下，Z Θ的磁場(chǎng)與中點(diǎn)電位的關(guān)系成為圖7所示的曲線d，超過無(wú)磁場(chǎng)時(shí)的偏置電壓值的磁場(chǎng)的角度與(式I)相比被大幅擴(kuò)大。
[0035]根據(jù)以上，如果將電橋電路的MR元件R2以及R3變更為不依賴磁場(chǎng)的電阻體，則能增大磁傳感器的檢測(cè)角度。由此，也考慮使MR元件R2、R3變?yōu)橐话愕陌雽?dǎo)體的電阻。但是，在考慮實(shí)際的量產(chǎn)性的情況下，由半導(dǎo)體制作的電阻的電阻值產(chǎn)生±10?20%程度的偏差。為此，與MR元件的相對(duì)精度變差，不能控制中點(diǎn)電位的平衡，因而并不現(xiàn)實(shí)。
[0036]根據(jù)以上，在本發(fā)明中，將電橋電路的R2以及R3保持MR元件不變，通過設(shè)為來自磁場(chǎng)的影響少的形狀來增大檢測(cè)角度范圍。
[0037]〔第I實(shí)施方式〕
[0038]首先，參照附圖來說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的電橋電路、以及具有其的磁傳感器。圖1A是用于說明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的磁傳感器的電橋電路的俯視圖，圖1B是用于說明其形狀的細(xì)節(jié)的部分放大圖。
[0039]本實(shí)施方式的磁傳感器如圖1A所示那樣，具有:電橋電路，其在電源電壓Vcc與接地GND之間并聯(lián)連接有MR元件Rl以及MR元件R2的串聯(lián)連接體和MR元件R3以及MR元件R4的串聯(lián)連接體；比較器(未圖示)，其輸入MR元件Rl與MR元件R2的連接點(diǎn)a、和MR元件R3與MR元件R4的連接點(diǎn)b的電位并輸出與兩連接點(diǎn)的電位差相應(yīng)的輸出；和反饋電阻(未圖示)，其將比較器的輸出反饋給I個(gè)輸入。這樣的電路要素形成在同一芯片而構(gòu)成磁傳感器。
[0040]進(jìn)而，在構(gòu)成電橋電路的MR元件Rl?R4的圖案中具有特征。S卩，如圖1A所示，電橋電路的MR元件Rl以及MR元件R4各自的沿著與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。進(jìn)而，如圖1A所示，電橋電路的MR元件R2以及MR元件R3各自的沿著整體上與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，并且上述多個(gè)部分各自的沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。此外，該折返連結(jié)的部分的形狀呈大致-字狀。
[0041]更具體而言，如圖1A所示，以盡可能短的直線來構(gòu)成MR元件R2以及R3，且配置為如圖中的要素e、要素f那樣相同長(zhǎng)度的直線相互正交，由此構(gòu)成MR元件R2以及R3。換言之，對(duì)于MR元件R2，關(guān)于圖中的第I方向以及與第I方向正交的方向即第2方向，使直線的長(zhǎng)度相同。對(duì)于MR元件R3，也是關(guān)于圖中的第I方向以及第2方向，使直線的長(zhǎng)度相同。
[0042]由于MR元件R2以及R3分別由短的線路構(gòu)成，因此作為各向異性磁阻元件的MR元件相對(duì)于磁場(chǎng)的電阻變化與MR元件R1、R4相比大幅減小。在圖2中示出MR元件的線路長(zhǎng)度與電阻變化率的關(guān)系。圖2是MR元件的材質(zhì)為Nia85Feai5的情況。例如，若圖1B所示的從線路g之中除去與正交的圖案重疊的區(qū)域而得到的長(zhǎng)度h為10 μ m以下，則由圖5可知，與80 μ m以上的線路相比，MR元件的電阻變化減少至1/5以下。
[0043]此外，通過將R2以及R3配置為使相同形狀的MR元件正交，從而被施加Z Θ的磁場(chǎng)時(shí)的電阻值R成為下式。
[0044](式3)
[0045]R= (RO-ARXsin2 Θ )+ (RO-Λ RX cos2 Θ )
[0046]R = 2R0- Δ R (sin2 Θ +cos2 θ )
[0047]R = 2R0- Δ R
[0048]由此，理論上電阻值R不再依賴于施加磁場(chǎng)的角度。
[0049]根據(jù)以上，在考慮由圖1A的MR元件構(gòu)成的圖5的電橋電路的情況下，MR元件R2以及R3因磁場(chǎng)所引起的電阻變化顯著變小且不再依賴于磁場(chǎng)的方向，偏置電壓成為與(式2)同等。Z Θ的磁場(chǎng)與中點(diǎn)電位的關(guān)系成為圖7所示的曲線d那樣。因而，能得到旋轉(zhuǎn)檢測(cè)角度大的MR傳感器。
[0050]根據(jù)本實(shí)施方式的磁場(chǎng)傳感器，磁場(chǎng)檢測(cè)角度范圍變大。例如在被施加Θ =45°的磁場(chǎng)的情況下,在由圖6的MR元件構(gòu)成的磁傳感器中，由于MR元件Rl?R4的電阻全都同等地變化，因而不進(jìn)行動(dòng)作。與此相對(duì)，在由圖1A的MR元件構(gòu)成的磁傳感器中，則能進(jìn)行動(dòng)作。
[0051]〔第2實(shí)施方式〕
[0052]接下來，參照附圖來說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的電橋電路、以及具有其的磁傳感器。圖3是用于本發(fā)明的第2實(shí)施方式的磁傳感器的電橋電路的俯視圖。對(duì)與第I實(shí)施方式共通的內(nèi)容則省略詳細(xì)的說明。
[0053]本實(shí)施方式的磁傳感器在構(gòu)成電橋電路的MR元件Rl?R4的圖案形狀上與第I實(shí)施方式不同。即，如圖3所示，電橋電路的MR元件Rl以及MR元件R4各自的沿著與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。進(jìn)而，如圖3所示，電橋電路的MR元件R2以及MR元件R3各自的沿著整體上與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，并且上述多個(gè)部分各自的沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。
[0054]在此，如圖3所示，在本實(shí)施方式中，電橋電路的MR元件R2以及MR元件R3以多個(gè)180°的R形狀依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。換言之，其折返連結(jié)的部分的形狀呈大致U字狀。
[0055]在使用本實(shí)施方式那樣的形狀和圖案的MR元件R2以及MR元件R3的情況下，也不再依賴于磁場(chǎng)的方向，與第I實(shí)施方式的磁傳感器相同地增大了磁場(chǎng)檢測(cè)角度范圍。
[0056]以上，關(guān)于優(yōu)選的實(shí)施方式而說明了本發(fā)明，但本發(fā)明并不限定于實(shí)施方式。對(duì)于電橋電路的MR元件的圖案的配置，并不限于圖1A和圖1B所示的第I實(shí)施方式、和圖3所示的第2實(shí)施方式。例如，也可以是圖4A和圖4B所示的電橋電路的MR元件的圖案。
[0057]圖4A是圖1A和圖1B的變形例，MR元件Rl、R4的沿著整體上與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，并且上述多個(gè)部分各自的沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。
[0058]圖4B是圖3的變形例，MR元件Rl、R4的沿著整體上與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，并且上述多個(gè)部分各自的沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。并且，與圖3相同，以多個(gè)180°的R形狀依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。
[0059]這些情況下，MR元件Rl以及R4因磁場(chǎng)所引起的電阻變化顯著變小且不再依賴于磁場(chǎng)的方向。由此成為旋轉(zhuǎn)檢測(cè)角度大的MR傳感器。
[0060]另外，在第I實(shí)施方式中，雖然將比較器和反饋電阻形成在與電橋電路同一芯片上，但也可以形成在不同的芯片上。
[0061]以上雖然參照優(yōu)選的實(shí)施方式而說明了本申請(qǐng)發(fā)明，但本申請(qǐng)發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。能對(duì)本申請(qǐng)發(fā)明的構(gòu)成和詳細(xì)在本申請(qǐng)發(fā)明的范圍內(nèi)進(jìn)行本領(lǐng)域技術(shù)人員能理解的各種變更。
[0062]本申請(qǐng)主張以2012年5月16日申請(qǐng)的日本申請(qǐng)?zhí)卦?012-112497號(hào)為基礎(chǔ)的優(yōu)先權(quán)，將其公開的全部援引于此。
[0063]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0064]作為本發(fā)明的實(shí)際應(yīng)用例，能考慮需要位置檢測(cè)的電子設(shè)備以及產(chǎn)業(yè)用設(shè)備。
[0065]符號(hào)說明
[0066]Rl、R2、R3、R4 MR 元件
[0067]a、b連接點(diǎn)
[0068]g 線路
【權(quán)利要求】
1.一種磁傳感器，具有: 電橋電路，其在電源間并聯(lián)連接有第I磁阻效應(yīng)元件以及第2磁阻效應(yīng)元件的串聯(lián)連接體和第3磁阻效應(yīng)元件以及第4磁阻效應(yīng)元件的串聯(lián)連接體；和 比較器，其輸入所述第I磁阻效應(yīng)元件與所述第2磁阻效應(yīng)元件的連接點(diǎn)、和所述第3磁阻效應(yīng)元件與所述第4磁阻效應(yīng)元件的連接點(diǎn)的電位,并進(jìn)行與兩連接點(diǎn)的電位差相應(yīng)的輸出， 所述磁傳感器的特征在于， 所述電橋電路的所述第I磁阻效應(yīng)元件以及所述第4磁阻效應(yīng)元件各自的沿著與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀， 所述電橋電路的所述第2磁阻效應(yīng)元件以及所述第3磁阻效應(yīng)元件各自的沿著整體上與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，并且所述多個(gè)部分各自的沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器，其特征在于， 所述第2磁阻效應(yīng)元件以及所述第3磁阻效應(yīng)元件的所述多個(gè)部分短于所述第I磁阻效應(yīng)元件以及所述第4磁阻效應(yīng)元件的所述多個(gè)部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁傳感器，其特征在于， 所述第2磁阻效應(yīng)元件以及所述第3磁阻效應(yīng)元件分別由多條直線的線路構(gòu)成，且由直線的線路除去交叉的區(qū)域之外的直線距離為10 μ m以下的線路構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁傳感器，其特征在于， 所述第2磁阻效應(yīng)元件以及所述第3磁阻效應(yīng)元件分別以多個(gè)180°的R形狀依次折返地連結(jié)而構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁傳感器，其特征在于， 所述第I磁阻效應(yīng)元件至第4磁阻效應(yīng)元件的折返地連結(jié)的部分的形狀呈大致-字狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁傳感器，其特征在于， 所述第I磁阻效應(yīng)元件至第4磁阻效應(yīng)元件的折返地連結(jié)的部分的形狀呈大致U字狀。
7.一種電橋電路，在電源間并聯(lián)連接有第I磁阻效應(yīng)元件以及第2磁阻效應(yīng)元件的串聯(lián)連接體、和第3磁阻效應(yīng)元件以及第4磁阻效應(yīng)元件的串聯(lián)連接體， 所述電橋電路的特征在于， 所述第I磁阻效應(yīng)元件以及所述第4磁阻效應(yīng)元件各自的沿著與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀， 所述第2磁阻效應(yīng)元件以及所述第3磁阻效應(yīng)元件各自的沿著整體上與磁場(chǎng)檢測(cè)方向?qū)嵸|(zhì)正交的方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，并且所述多個(gè)部分各自的沿著磁場(chǎng)檢測(cè)方向的多個(gè)部分以給定間隔平行地排列，依次折返地連結(jié)，由此形成為被串聯(lián)電連接的曲折狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電橋電路，其特征在于， 所述第2磁阻效應(yīng)元件以及所述第3磁阻效應(yīng)元件的所述多個(gè)部分短于所述第I磁阻效應(yīng)元件以及所述第4磁阻效應(yīng)元件的所述多個(gè)部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電橋電路，其特征在于， 所述第2磁阻效應(yīng)元件以及所述第3磁阻效應(yīng)元件分別由多條直線的線路構(gòu)成，且由直線的線路除去交叉的區(qū)域之外的直線距離為10 μ m以下的線路構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】H01L43/08GK104272129SQ201380022667
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2013年4月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月16日
【發(fā)明者】板垣篤 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所