用于制造器件載體、電子裝置和輻射裝置的方法以及器件載體、電子裝置和輻射裝置制造方法
【專利摘要】在不同的實(shí)施例中,提供了用于制造用于電子器件(60)的器件載體的方法,其中首先提供導(dǎo)體框架片段(30)。導(dǎo)體框架片段(30)具有導(dǎo)電材料。導(dǎo)體框架片段(30)具有用于構(gòu)造第一電接觸元件(42)的第一接觸片段(32)、用于構(gòu)造第二電接觸元件(44)的第二接觸片段(34)、以及用于容納電子器件(60)的容納區(qū)域(38)。至少容納區(qū)域(38)和第二接觸片段(34)導(dǎo)電地彼此連接。至少在導(dǎo)體框架片段(30)的與容納區(qū)域(38)相對(duì)的側(cè)上構(gòu)造導(dǎo)熱和電絕緣的中間元件(50)以用于將熱從容納區(qū)域(38)中排出并且將容納區(qū)域(38)電絕緣。至少在中間元件(50)的背向容納區(qū)域(38)的側(cè)上構(gòu)造熱接觸部(52)以用于熱接觸電子器件(60)。
【專利說明】用于制造器件載體、電子裝置和輻射裝置的方法以及器件載體、電子裝置和輻射裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于制造用于電子器件的器件載體的方法,其中提供導(dǎo)體框架片段。該導(dǎo)體框架片段具有導(dǎo)電材料。該導(dǎo)體框架片段還具有用于形成第一電接觸元件的第一接觸片段、用于形成第二電接觸元件的第二接觸片段、以及用于容納電子器件的容納區(qū)域。至少容納區(qū)域和第二接觸片段導(dǎo)電地彼此連接。另外,本發(fā)明涉及一種用于制造例如具有器件載體的電子裝置的方法、以及一種用于制造例如具有電子裝置的輻射裝置的方法。本發(fā)明還涉及器件載體和/或例如具有器件載體的輻射裝置和/或例如具有器件載體的電子裝置。
[0002]明確構(gòu)成本發(fā)明的一部分公開內(nèi)容的德國(guó)優(yōu)先權(quán)申請(qǐng)DE 10 2012 207 519.4同樣已經(jīng)描述了用于制造器件載體、電裝置以及輻射裝置的方法、以及器件載體。電裝置和輻射裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]向用于例如輻射裝置、如LED之類的電子器件的器件載體、例如殼體常常提出的挑戰(zhàn)是,LED能夠簡(jiǎn)單地接觸,在運(yùn)行期間在LED中產(chǎn)生的熱可以快速和有效地被運(yùn)出并且整個(gè)輻射裝置可以由LED和器件載體簡(jiǎn)單和低成本地制造。在常規(guī)器件載體的情況下,除了其它概念以外尤其是公知器件載體的不同構(gòu)造概念。
[0004]例如公知的是,由陶瓷構(gòu)成載體體身并且給其配備電接觸部,所述電接觸部在載體體身的表面上、并且部分地穿過載體體身延伸。這些電接觸部中的一個(gè)可以具有面積大得以至于電子器件可以被放置到該電接觸部上。LED、例如薄膜LED和/或垂直LED (發(fā)射方向和/或電流傳導(dǎo)垂直于層構(gòu)造)可以被固定在電接觸部處,使得其固定在電接觸部處并且同時(shí)通過體身接觸而存在電接觸。LED的另一接觸部可以例如借助于接合連接與器件載體的電接觸部接觸。由陶瓷制成的載體體身使上面固定有電子器件的電接觸部電絕緣并且將熱從電子器件中導(dǎo)出。為了進(jìn)一步從器件載體中排出熱,可以在陶瓷載體體身的與電子器件相對(duì)的側(cè)上構(gòu)造載體體身上的金屬化部。該金屬化部例如也可以用于產(chǎn)生焊接連接。
[0005]具有陶瓷載體體身的器件載體可以放置到電路板、例如RF4電路板上,使得載體體身位于電子器件與該電路板之間。穿過陶瓷載體體身延伸的電接觸部與電路板的印制導(dǎo)線連接。此外,金屬化部與導(dǎo)熱體連接,所述導(dǎo)熱體可以穿過電路板延伸并且與熱沉連接。該電路板有助于電子器件的良好、簡(jiǎn)單和低成本的接觸和冷卻。
[0006]可替代于此地公知的是,為器件載體使用導(dǎo)電、例如具有金屬的導(dǎo)體框架片段。該導(dǎo)體框架片段可以特別簡(jiǎn)單和低成本地制造。例如,該導(dǎo)體框架片段可以是電路板的一部分,并且器件載體可以以器件載體復(fù)合體來制造,其方式是,以復(fù)合體來處理導(dǎo)體框架的所有導(dǎo)體框架片段。如果現(xiàn)在如前述那樣將垂直LED用作電子器件,則導(dǎo)體框架片段電接觸該電子器件并且產(chǎn)生該電子器件與熱沉之間的電連接。由于電子器件和熱沉在許多應(yīng)用中不應(yīng)當(dāng)彼此電耦合,因此為了固定器件載體例如使用金屬芯電路板,其中電路板的金屬芯借助于介電層同電路板的電接觸部電絕緣。金屬芯電路板的金屬芯可以充當(dāng)熱沉和/或可以設(shè)置附加的熱沉,該熱沉與金屬芯熱耦合。熱從具有器件載體和LED的輻射裝置到熱沉的排出是通過金屬芯電路板的介電層進(jìn)行的。
[0007]可替代于此地,可以使用例如水平LED (發(fā)射方向和/或電流傳導(dǎo)平行于層構(gòu)造)之類的電子器件,其中單單通過固定在導(dǎo)體框架片段處不產(chǎn)生電子器件與導(dǎo)體框架片段之間的電接觸。電子器件的兩個(gè)電接觸部于是都可以例如借助于接合連接來產(chǎn)生。另外,為了將器件載體與熱沉連接,可以使用FR4電路板。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]因此,本發(fā)明的任務(wù)是改善現(xiàn)有技術(shù)。
[0009]在不同的實(shí)施例中,提供了用于制造器件載體的方法、用于制造電子裝置的方法和/或用于制造輻射裝置的方法,所述方法使得能夠以簡(jiǎn)單和低成本的方式制造器件載體、電子裝置或輻射裝置和/或?qū)㈦娮悠骷c電路板和/或熱沉良好地電和熱耦合。
[0010]在不同的實(shí)施例中,提供了器件載體、電子裝置和/或輻射裝置,它們可以以簡(jiǎn)單和低成本的方式來制造和/或使得能夠以簡(jiǎn)單和低成本的方式將電子器件與電路板和/或熱沉良好地電和熱耦合。
[0011]在不同的實(shí)施例中,提供了用于制造用于電子器件的器件載體的方法。在此,提供具有導(dǎo)電材料的導(dǎo)體框架片段。該導(dǎo)體框架片段還具有用于形成第一電接觸元件的第一接觸片段、用于形成第二電接觸元件的第二接觸片段、以及用于容納電子器件的容納區(qū)域。至少容納區(qū)域和第二接觸片段導(dǎo)電地彼此連接。至少在導(dǎo)體框架片段的與容納區(qū)域相對(duì)的側(cè)構(gòu)造導(dǎo)熱和電絕緣的中間元件以用于將熱從容納區(qū)域中排出并且將容納區(qū)域電絕緣。至少在中間元件的背向容納區(qū)域的側(cè)構(gòu)造熱接觸部以用于熱接觸電子器件。
[0012]提供具有導(dǎo)電材料的導(dǎo)體框架片段、在接近或緊鄰容納區(qū)域之處構(gòu)造中間元件以及在中間元件處構(gòu)造熱接觸部有助于能夠簡(jiǎn)單和低成本地制造器件載體,能夠快速和有效地排出在電子器件的運(yùn)行中產(chǎn)生的熱,并且能夠以簡(jiǎn)單和低成本的方式將器件載體以良好的電和熱耦合與電路板和/或熱沉耦合。另外,電子裝置可以在具有溫度變化載荷時(shí)具有非常好的行為,因?yàn)殡娐钒迤蔚牟牧峡梢蕴貏e良好地與電路板和/或熱沉的熱膨脹系數(shù)匹配。在此,電路板例如可以是 FR1、FR2、FR3、FR4、FR5、CEM1、CEM2、CEM3、CEM4 或者 CEM5電路板、例如通孔接觸型FR4電路板。該器件載體例如可以被表示為殼體、QFN殼體或者QFN載體。導(dǎo)體框架片段例如也可以被表示為QFN引線框。具有電子器件的器件載體也可以被表示為電子構(gòu)件或電子裝置。電子器件例如是半導(dǎo)體芯片和/或發(fā)光或光吸收器件。
[0013]熱沉例如可以具有鋁。器件載體例如可以通過電路板或者直接地與熱沉耦合。
[0014]器件載體例如可以用于容納電子器件。具有電子器件的器件載體也可以被表示為電子裝置。另外,如果電子器件具有輻射源、例如發(fā)光器件,則具有該電子器件的器件載體也可以被表示為輻射裝置。
[0015]導(dǎo)體框架片段具有導(dǎo)電材料和/或可以由導(dǎo)電材料構(gòu)成。該導(dǎo)電材料例如具有金屬、例如銅、例如CuW或CuMo、銅合金、黃銅、鎳和/或鐵、例如FeNiJP /或由其構(gòu)成。導(dǎo)體框架片段是具有多個(gè)導(dǎo)體框架片段的導(dǎo)體框架的一部分,所述導(dǎo)體框架片段彼此連接,其中這些導(dǎo)體框架片段中的每個(gè)例如都可以構(gòu)造為形成器件載體。換言之,導(dǎo)體框架可以跨多個(gè)器件載體延伸,其中所述多個(gè)器件載體可以被同時(shí)構(gòu)造和/或制造,由此制造器件載體復(fù)合體。導(dǎo)體框架和/或?qū)w框架片段例如可以被構(gòu)造為扁平的,這例如意味著,導(dǎo)體框架或每個(gè)導(dǎo)體框架片段與其長(zhǎng)度和其寬度相比具有相對(duì)小的厚度。
[0016]導(dǎo)體框架片段的加工以及由此器件載體的制造可以代表導(dǎo)體框架的加工以及由此代表器件載體復(fù)合體的制造。換言之,導(dǎo)體框架的所有導(dǎo)體框架片段都可以同時(shí)在相同的工作步驟中被加工,這如參考導(dǎo)體框架片段所描述的那樣。在制造器件載體復(fù)合體以后,然后可以從器件載體復(fù)合體中分離出各個(gè)器件載體,其方式尤其是,將導(dǎo)體框架片段的彼此之間的連接切斷。
[0017]第一接觸元件用于接觸電子器件的第一接觸部。第二接觸元件用于接觸電子器件的第二接觸部。第一和第二接觸片段例如可以并排構(gòu)造,其中容納區(qū)域可以構(gòu)造在兩個(gè)接觸片段之間。例如,容納區(qū)域可以布置在容納片段中,該容納片段構(gòu)造在第一和第二接觸片段之間。
[0018]第二中間元件例如具有在I至1000 μ m之間、例如在10至200 μ m之間、例如在20至80μπι之間的厚度。第二中間元件例如具有在0.1至100W/mK之間、例如在0.5至20 W/mK之間、例如在I至5 W/mK之間的熱導(dǎo)率。中間元件例如可以已經(jīng)結(jié)構(gòu)化地施加到導(dǎo)體框架片段上。例如,中間元件的材料可以借助于絲網(wǎng)印刷、模板印刷、噴濺(噴濺印刷)或者以配送法被施加或者液態(tài)地置入到導(dǎo)體框架片段的成形中間區(qū)域中??商娲诖说兀虚g元件可以扁平地施加到導(dǎo)體框架片段上并且然后被結(jié)構(gòu)化。例如,中間元件可以作為中間層、例如借助于印刷、壓印、澆注或?qū)訅罕皇┘?,并且例如借助于激光燒蝕、刻蝕或機(jī)械方式、例如借助于銑磨或刮削被磨蝕并且通過這種方式被結(jié)構(gòu)化。
[0019]可焊接的熱接觸部例如具有在0.1至100 μ m之間、例如在I至10 μπι之間、例如大致5 μ m的厚度。熱接觸部例如具有例如在100至1000 W/mK之間、例如在200至500 W/mK之間、例如在250至400 W/mK之間的高熱導(dǎo)率。熱接觸部例如被構(gòu)造為使得其可通過焊接連接被接觸。熱接觸部例如具有金屬、例如銅、鈦、金、銀、鎳和/或鈀、例如NiPdAu。熱接觸部例如可以扁平地施加在接觸層中,并且然后被結(jié)構(gòu)化或者結(jié)構(gòu)化地施加。熱接觸部例如可以借助于光刻過程和/或刻蝕過程來構(gòu)造和/或結(jié)構(gòu)化,和/或熱接觸部可以在電鍍過程中來構(gòu)造。
[0020]中間元件例如具有電介質(zhì)和/或例如有機(jī)和/或無機(jī)材料。例如,電介質(zhì)具有陶瓷顆粒和/或具有陶瓷顆粒的載體物料。例如,陶瓷顆粒被嵌入在載體物料中。例如,載體物料具有環(huán)氧樹脂、硅樹脂和/或丙烯酸樹脂。
[0021]例如,陶瓷具有氧化鋁、石英、氮化鋁、氮化硼和/或碳化硅。
[0022]根據(jù)不同的實(shí)施例,熱接觸部具有金屬。例如,熱接觸部具有銅或者由其構(gòu)成。
[0023]根據(jù)不同的實(shí)施例,第一接觸部元件和第二接觸元件由導(dǎo)體框架片段形成,其中第一接觸元件在體身上同第二接觸元件分開。第一和第二接觸元件可以在施加中間元件以前或以后被構(gòu)造和/或彼此分開。容納區(qū)域例如也可以構(gòu)造或分開兩個(gè)接觸元件以后在體身上與第二接觸元件接觸。例如,容納區(qū)域被構(gòu)造在與第二接觸元件相同的材料塊上。換言之,容納區(qū)域和第二接觸元件可以一體化地構(gòu)造。
[0024]根據(jù)不同的實(shí)施例,第一接觸元件借助于刻蝕過程在體身上同第二接觸元件分開。這可以有助于簡(jiǎn)單地構(gòu)造接觸元件。
[0025]根據(jù)不同的實(shí)施方式,在導(dǎo)體框架片段的與容納區(qū)域相對(duì)的側(cè)上構(gòu)造用于容納中間元件的中間區(qū)域。中間區(qū)域可選地和必要時(shí)在施加中間元件以前被構(gòu)造,并且可以在構(gòu)造和/或分開第一和第二接觸元件以前、期間或以后被構(gòu)造。中間區(qū)域例如可以在導(dǎo)體框架片段中具有凹槽,或者中間區(qū)域可以具有尖細(xì)部,在該尖細(xì)部處,導(dǎo)體框架片段具有比第一和/或第二接觸元件小的厚度。
[0026]根據(jù)不同的實(shí)施例,中間區(qū)域在與第一和第二接觸元件相同的工作步驟中被構(gòu)造。例如,中間區(qū)域可以在第一和第二接觸元件被構(gòu)造和/或彼此分開的相同刻蝕過程中被構(gòu)造。
[0027]根據(jù)不同的實(shí)施例,中間元件和/或熱接觸部在與第一和第二接觸元件相同的工作步驟中被構(gòu)造。例如,首先可以將中間層和/或接觸層施加到導(dǎo)體框架片段上,并且然后可以在兩個(gè)接觸元件被制造的相同的刻蝕過程中從中間層中構(gòu)造中間元件或從接觸層中構(gòu)造熱接觸部。
[0028]根據(jù)不同的實(shí)施例,第一和第二接觸元件至少部分地嵌入到成形材料中?!暗谝缓偷诙佑|元件被嵌入到成形材料中”在此上下文中是指,第一和第二接觸元件至少部分地被成形材料包圍,但是第一和第二接觸元件的區(qū)域和/或容納區(qū)域和/或中間區(qū)域和/或熱接觸部可以保持不含成形材料。成形材料例如可以是澆注物料或注塑物料。成形材料例如可以具有無機(jī)材料、例如復(fù)合材料、例如環(huán)氧樹脂和/或硅樹脂、硅樹脂混合物和/或硅樹脂一環(huán)氧樹脂混合物。第一和第二接觸元件例如可以在構(gòu)造中間區(qū)域以前或以后嵌入到成形材料中。第一和第二接觸元件例如可以在構(gòu)造中間元件以前或以后和/或在構(gòu)造熱接觸部以前或以后嵌入到成形材料中。成形材料可以例如用于將第一和第二電接觸元件機(jī)械連接并彼此絕緣。另外,成形材料可以用于將兩個(gè)電接觸部至少部分地向外絕緣。
[0029]根據(jù)不同的實(shí)施例,成形材料被用作中間元件。例如,成形材料和中間元件可以在一個(gè)工作步驟中構(gòu)造和/或由相同材料形成。例如,成形材料可以形成中間元件。這可以有助于以特別簡(jiǎn)單和低成本的方式構(gòu)造中間元件。
[0030]根據(jù)不同的實(shí)施例,成形材料被成形為使得其具有容納凹槽,在所述容納凹槽中至少部分地露出第一接觸元件、第二接觸元件和/或容納區(qū)域。這有助于能夠以簡(jiǎn)單方式在器件載體上固定和/或接觸電子器件。
[0031]在不同的實(shí)施例中,提供了用于制造電子裝置的方法,其中例如根據(jù)前述方法來制造器件載體并且其中將電子器件施加到器件載體的容納區(qū)域上。電子器件的第一電接觸部與第一接觸元件接觸,并且電子器件的第二電接觸部與第二接觸元件接觸。第一和/第二電接觸部例如可以借助于接合與相應(yīng)的第一或第二接觸元件接觸。電子器件例如可以是發(fā)光器件、例如LED或OLED、或者光吸收器件、例如太陽(yáng)能電池。
[0032]如果第一電接觸部被構(gòu)造在電子器件的朝向容納區(qū)域的側(cè)處、例如如果電子器件是垂直LED,則第二接觸部與第二接觸元件的接觸可以通過將電子器件施加到容納區(qū)域上并通過在體身上將容納區(qū)域與第二接觸元件連接來進(jìn)行。
[0033]在不同的實(shí)施例中,提供用于制造輻射裝置的方法,其中例如根據(jù)前述方法來制造電子裝置,其中將電子器件用作輻射源。該輻射源例如是發(fā)光器件、例如OLED或LED、例如薄膜LED和/或例如水平或垂直LED。
[0034]在不同的實(shí)施例中,提供器件載體以用于容納和接觸電子器件。器件載體具有導(dǎo)體框架片段、中間元件和熱接觸部。導(dǎo)體框架片段具有第一接觸元件、第二接觸元件和容納區(qū)域。第一接觸元件用于接觸電子器件的第一電極。容納區(qū)域用于容納電子器件。第二接觸元件用于接觸電子器件的第二電極。容納區(qū)域和第二接觸元件導(dǎo)電地彼此連接。中間元件用于將容納區(qū)域電絕緣并且將熱從容納區(qū)域中排出,并且布置在導(dǎo)體框架片段的與容納區(qū)域相對(duì)的側(cè)上。熱接觸部用于通過例如中間元件和容納區(qū)域來熱接觸電子器件。熱接觸部布在中間元件的背向容納區(qū)域的側(cè)上布置在中間元件處。器件載體例如借助于前述方法來構(gòu)造。器件載體例如被構(gòu)造在器件載體復(fù)合體中并且然后被分離。
[0035]在不同的實(shí)施例中,提供電子裝置,所述電子裝置具有器件載體和電子器件。器件載體和電子器件例如如前述那樣彼此固定并彼此接觸。
[0036]在不同的實(shí)施例中,提供輻射裝置,所述輻射裝置具有器件載體和電子器件,其中電子器件是輻射源,這例如如前所述。
[0037]產(chǎn)生器件載體、電子裝置和/或輻射裝置的不同實(shí)施方式的方法和/或方法步驟可以容易地轉(zhuǎn)用于器件載體、電子裝置和/或輻射裝置的不同實(shí)施方式。換言之,器件載體、電子裝置和/或輻射裝置的通過不同方法和/或方法步驟實(shí)現(xiàn)的不同實(shí)施方式構(gòu)成本發(fā)明獨(dú)有的方面。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0038]本發(fā)明的實(shí)施例在附圖中予以示出并在下面予以進(jìn)一步闡述。
[0039]附圖:
圖1示出了電路板和熱沉上的電子裝置的實(shí)施例。
圖2示出了電路板和/或熱沉上的電子裝置的另一實(shí)施例。
圖3示出了導(dǎo)體框架片段的實(shí)施例的工件;
圖4示出了在用于制造器件載體的方法的第一實(shí)施例期間的第一狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖5示出了在用于制造器件載體的方法的第一實(shí)施例期間的第二狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖6示出了在用于制造器件載體的方法的第一實(shí)施例期間的第三狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖7示出了在用于制造器件載體的方法的第一實(shí)施例期間的第四狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖8示出了在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的第一狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖9示出了在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的第二狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖10示出了在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的第三狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖11示出了在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的第四狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖12示出了在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的第五狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖13示出了在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間的第一狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖14示出了在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間的第二狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖15示出了在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間的第三狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖16示出了在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間的第四狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖17示出了在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間的第五狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖18示出了在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間的第六狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖19示出了在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第一狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖20示出了在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第二狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖21示出了在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第三狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖22示出了在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第四狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖23示出了在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第五狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖24示出了在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第六狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖25示出了在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的第一狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖26示出了在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的第二狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖27示出了在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的第三狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖28示出了在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的第四狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段;
圖29示出了在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的第五狀態(tài)下的導(dǎo)體框架片段。
【具體實(shí)施方式】
[0040]在下面的詳細(xì)描述中參考附圖,這些附圖構(gòu)成本說明書的一部分并且其中為了圖解示出了可實(shí)施本發(fā)明的特定實(shí)施例。在此方面,譬如“上方”、“下方”、“前方”、“后方”、“前面”、“后面”之類的方向術(shù)語(yǔ)是參考所述附圖的取向使用的。由于實(shí)施例的各組分可以被定位為多個(gè)不同的取向,因此方向術(shù)語(yǔ)用于圖解并且絕不是限制性的。能夠理解,可以使用其它實(shí)施例并且執(zhí)行結(jié)構(gòu)或邏輯改變,而不偏離本發(fā)明的保護(hù)范圍。能夠理解,只要未另行說明,在此描述的不同實(shí)施例的特征可以彼此組合。因此,下面的詳細(xì)描述不應(yīng)以限制性意義來理解,并且本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附權(quán)利要求書來定義。
[0041]在本說明書的范圍內(nèi),術(shù)語(yǔ)“連接”、“連線”以及“耦合”被用于描述直接和間接連接、直接或間接連線、以及直接或間接耦合。在附圖中,給相同或相似元素配備相同附圖標(biāo)記,只要這是適宜的即可。
[0042]在不同的實(shí)施例中,發(fā)光器件可以被構(gòu)造成發(fā)光二極管(light emitting d1de,LED)或者有機(jī)發(fā)光二極管(organic light emitting d1de, OLED)或者有機(jī)發(fā)光晶體管。在不同實(shí)施例中,發(fā)光器件可以是集成電路的一部分。此外,可以設(shè)置多個(gè)發(fā)光器件,這些發(fā)光器件例如被安裝在共同的殼體中。
[0043]圖1示出了布置在電路板14上的兩個(gè)電子裝置10。可替代地,也可以布置更多或更少的電子裝置10。電子裝置10的殼體也可以被表示為QFN殼體。電子裝置10和/或電子裝置10的殼體可以具有各一個(gè)器件載體和/或器件載體可以構(gòu)成電子裝置10的殼體。電子裝置10例如可以是半導(dǎo)體芯片和/或例如發(fā)光器件、或者光吸收器件、例如太陽(yáng)能電池。電路板14例如是FR4電路板或FR5電路板??商娲赜诖说?,電路板14可以是金屬芯電路板。電路板14例如具有玻璃纖維墊,該玻璃纖維墊被嵌入到樹脂、例如環(huán)氧樹脂中。例如,電路板14具有鋁、銅、Al-Sic和/或AlSi。電路板14在其朝向電子裝置10的側(cè)處具有導(dǎo)電的第一印制導(dǎo)線12。第一印制導(dǎo)線12例如具有銅或由其構(gòu)成。電子裝置10與電路板14的第一印制導(dǎo)線12電連接。例如,電子裝置10通過焊接連接與第一印制導(dǎo)線12連接。第一印制導(dǎo)線12部分地用于電接觸、并部分地用于熱接觸電子裝置10。
[0044]導(dǎo)熱體16穿過電路板14延伸。導(dǎo)熱體16通過第一印制導(dǎo)線12中的幾個(gè)與電裝置10連接以用于將熱從電子裝置10中導(dǎo)出。導(dǎo)熱體16例如具有銅或由其構(gòu)成。熱導(dǎo)體16用于快速和有效地將熱從電子裝置10中排出。在其背向電子裝置10的側(cè)處,電路板14具有導(dǎo)電的第二印制導(dǎo)線20。第二印制導(dǎo)線20具有銅或由其構(gòu)成。印制導(dǎo)線12、20例如具有鋁、銅、鎳、鉬、金、銀和/或TiW。
[0045]印制導(dǎo)線14例如通過第二印制導(dǎo)線20與熱沉18熱地和機(jī)械地耦合。例如,印制導(dǎo)線14可以通過導(dǎo)熱和/或?qū)щ姷恼澈蟿?2固定到熱沉18處的第二印制導(dǎo)線20處。熱沉18例如具有招、鎳、鐵或銅和/或基于銅、鎳、鐵/或招的合金。
[0046]圖2示出了另一實(shí)施例,其中電子裝置10與電路板14和/或熱沉18耦合。例如,電路板14或熱沉18可以根據(jù)圖1所示的實(shí)施例來構(gòu)造??商娲诖说兀梢栽趫D2中所示的實(shí)施例中例如放棄電路板14,并且電子裝置10可以直接連接在熱沉18處,或者可以放棄熱沉18,使得電路板14附加地履行熱沉的功能。電子裝置10在該實(shí)施例中具有輻射裝置、發(fā)射電磁輻射的發(fā)光器件。例如,輻射裝置在遠(yuǎn)離電路板14的方向上發(fā)射電磁輻射,并且熱沉18例如平行于垂直于電路板14的表面法線。電磁輻射24例如是光、例如紫外光、紅外光和/或可見光范圍的光。
[0047]下面描述用于制造用于電子裝置10和/或用于輻射裝置的器件載體的方法的多個(gè)實(shí)施例。
[0048]圖3示出了導(dǎo)體框架片段30的工件。導(dǎo)體框架片段30是未完全示出的導(dǎo)體框架的一部分,該導(dǎo)體框架具有多個(gè)相應(yīng)的導(dǎo)體框架片段30。下面闡述的制造方法接著根據(jù)其中一個(gè)導(dǎo)體框架30來闡述。導(dǎo)體框架片段30的所示裝置代表導(dǎo)體框架的其它未示出的導(dǎo)體框架片段30的相應(yīng)狀態(tài)。導(dǎo)體框架片段30因此可以在復(fù)合體中的導(dǎo)體框架中來加工。導(dǎo)體框架以及尤其是導(dǎo)體框架片段30在所有下面闡述的制造方法中都充當(dāng)所有制造方法所基于的基本元件和/或原始元件。導(dǎo)體框架例如也可以被表示為QFN引線框。
[0049]導(dǎo)體框架片段30例如具有金屬、例如銅,和/或由此構(gòu)成。導(dǎo)體框架片段30具有高的電導(dǎo)率。另外,導(dǎo)體框架片段30具有高的熱導(dǎo)率。另外,導(dǎo)體框架片段30可選地可以分層。導(dǎo)體框架片段30例如具有10至1000 μπι、例如100至500 μπι、例如150至300 μ m的厚度。導(dǎo)體框架片段30充當(dāng)用于器件載體的載體體身。導(dǎo)體框架因此具有用于多個(gè)器件載體的載體體身。
[0050]導(dǎo)體框架片段30具有第一接觸片段32和第二接觸片段34。在兩個(gè)接觸片段32、34之間布置有具有容納區(qū)域38的容納片段36。片段32、34、26和容納區(qū)域39首先是電路板片段30的未經(jīng)加工的片段或區(qū)域,并且用于圖解所述方法。
[0051]在圖4至7中示出了導(dǎo)體框架片段30和/或相應(yīng)器件載體在用于制造導(dǎo)體框架片段30或器件載體的方法的第一實(shí)施例期間的彼此相繼的不同狀態(tài)。
[0052]圖4示出了導(dǎo)體框架片段30在用于制造器件載體的方法的第一實(shí)施例期間的第一狀態(tài)。從導(dǎo)體框架片段30的在圖3所示的工件出發(fā),為了達(dá)到導(dǎo)體框架片段30的在圖4所示的狀態(tài)執(zhí)行至少一個(gè)刻蝕過程。例如,執(zhí)行雙側(cè)刻蝕過程,其中導(dǎo)體框架片段30的工件從兩側(cè)被刻蝕。例如,在光刻方法中,阻蝕材料被施加到導(dǎo)體框架片段30上,并且導(dǎo)體框架片段30例如在一個(gè)工作步驟中從兩側(cè)被刻蝕。
[0053]在刻蝕過程中,第一和第二接觸片段32、34被彼此分開,使得在第一接觸區(qū)域32形成第一接觸元件42,并且在第二接觸片段34中形成第二接觸元件44。兩個(gè)接觸元件42、44在所示導(dǎo)體框架片段30之內(nèi)在體身上彼此分開,但是可以在導(dǎo)體框架的復(fù)合體中通過相鄰的未示出的導(dǎo)體框架片段30彼此連接。第二接觸元件44在體身上與容納區(qū)域38耦合并且例如被構(gòu)造為與容納區(qū)域38 —體化。
[0054]此外,在刻蝕過程中,在導(dǎo)體框架片段30的與容納區(qū)域38相對(duì)的側(cè)上構(gòu)造中間區(qū)域48,該中間區(qū)域48在導(dǎo)體框架片段30中具有凹槽。另外,可選地可以在從第二接觸區(qū)域34到容納區(qū)域36的過渡部處、即在第二接觸元件44與中間區(qū)域48之間構(gòu)造另一凹槽。中間區(qū)域48和/或另一凹槽具有例如與導(dǎo)體框架片段30的一半厚度相對(duì)應(yīng)的深度,其中該深度例如可以與導(dǎo)體框架片段30的一半厚度相差高達(dá)100 μπι、例如高達(dá)50 μπι、例如高達(dá)30 μ m。替代于在刻蝕過程中構(gòu)造中間區(qū)域48,中間區(qū)域48例如可以通過鉆孔、研磨、和/或刻印構(gòu)造在導(dǎo)體框架片段30中。
[0055]圖5示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第一實(shí)施例期間的第二狀態(tài),其中中間元件50被置入到中間區(qū)域48中。中間元件50例如是電介質(zhì)和/或例如具有無機(jī)材料。例如,中間元件50具有載體材料,其中顆粒被嵌入到該載體材料中。載體材料例如具有聚合物、例如環(huán)氧樹脂、硅樹脂和/或丙烯酸鹽。該顆粒例如具有氧化鋁、石英、氮化鋁、氮化硼和/或碳化硅。中間元件50用于使容納區(qū)域38電絕緣和/或?qū)釓娜菁{區(qū)域38中排出。中間元件50例如可以借助于配送或者刮擦被置入到中間區(qū)域48中。在需要時(shí)可以在置入到中間區(qū)域48中以后對(duì)中間元件50進(jìn)行干燥和/或硬化。例如,中間元件50可以在液體狀態(tài)下被置入到中間區(qū)域48中并且在中間區(qū)域中被光學(xué)和/或熱學(xué)硬化。中間元件50例如可以具有與中間區(qū)域48的深度相對(duì)應(yīng)的厚度和/或與導(dǎo)體框架片段30的一半厚度相對(duì)應(yīng)的厚度。
[0056]圖6示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第一實(shí)施例期間的第三狀態(tài),其中導(dǎo)體框架片段30被嵌入到成形材料中。被嵌入到成形材料54中的導(dǎo)體框架片段30可以被表示為器件載體。被嵌入到成形材料54中的導(dǎo)體框架可以被表示為器件載體復(fù)合體。
[0057]成形材料54例如可以通過模塑、例如傳送模塑、或者通過用成形材料54對(duì)導(dǎo)體框架片段進(jìn)行擠壓包封來構(gòu)造。
[0058]例如,包括所有導(dǎo)體框架片段30的導(dǎo)體框架可以利用相應(yīng)兩個(gè)接觸元件44、42被放入到澆注或成形體中,并且然后被用液體成形材料54重鑄或擠壓包封,其中接著可以對(duì)成形材料54進(jìn)行干燥或硬化。澆注或成形體被構(gòu)造為使得在成形材料54中構(gòu)造容納凹槽56。在容納凹槽56中露出至少容納區(qū)域38。另外,在容納凹槽56中,第一和第二接觸元件42,44至少部分被露出。此外,兩個(gè)接觸元件42、44在其背向容納凹槽56的側(cè)上至少部分地不含成形材料54。
[0059]替代于在構(gòu)造成形材料54以前將中間元件50置入到中間區(qū)域48中,可以在構(gòu)造成形材料54時(shí)使中間區(qū)域48保持不含成形材料54,并且中間元件50可以在形成成形材料54以前才被置入到中間區(qū)域48中。
[0060]在構(gòu)造成形材料54以前或以后,在中間元件50的背向容納區(qū)域38的側(cè)上構(gòu)造熱接觸部52。熱接觸部52例如可以例如如下面參考圖12和/或17進(jìn)一步闡述的那樣被扁平地施加到中間元件50和/或器件載體上并且接著被結(jié)構(gòu)化。可替代于此地,已經(jīng)結(jié)構(gòu)化的熱接觸部52可以施加到中間元件50上。熱接觸部52例如適于實(shí)現(xiàn)焊接連接并且例如可以與焊劑交聯(lián)。熱接觸部52例如具有金屬、例如銅、銀、鎳、金或鈀。熱接觸部52用于熱接觸中間元件50。此外,熱接觸部52用于將熱從中間元件50中排出。熱接觸部52是中間元件50、尤其是中間元件50的表面的金屬化部。例如,金屬化部為使得其可焊接,也就是說,通過金屬化部可以產(chǎn)生焊接連接。熱接觸部52因此也可以用于產(chǎn)生焊接連接。
[0061]圖7示出了器件載體在用于制造器件載體的方法的第一實(shí)施例期間的第四狀態(tài),其中電子器件60被施加到容納區(qū)域38上。具有電子器件60的器件載體也可以被表示為電子裝置10或者電子構(gòu)件。器件載體可以充當(dāng)用于電子器件的殼體。電子器件60例如是半導(dǎo)體芯片和/或發(fā)光器件或光吸收器件。發(fā)光器件例如是OLED或LED、例如垂直發(fā)射OLED或LED,其中所發(fā)射的電磁輻射的優(yōu)選方向垂直于LED的層結(jié)構(gòu)的層。
[0062]電子器件60例如在其背向?qū)w框架片段30的側(cè)具有第一電接觸部62并且在朝向?qū)w框架片段30的側(cè)具有第二電接觸部66。在第一電接觸部62與第二電接觸部66之間構(gòu)造至少一個(gè)例如多個(gè)光學(xué)層。例如,構(gòu)造光學(xué)作用層,所述光學(xué)作用層例如在第一和第二電接觸部62、66之間施加電壓時(shí)發(fā)光。另外,可以作為光學(xué)作用層設(shè)置各種散射和/或轉(zhuǎn)換層,以用于散射或轉(zhuǎn)換在發(fā)光器件中生成的電磁輻射。
[0063]電子器件60的第一電接觸部62通過第一接合接觸部70、電線72、以及第二接合接觸部74與器件載體的第一電接觸部元件42電連接。第二電接觸部66在體身上與導(dǎo)體框架片段30的容納區(qū)域38接觸。電子器件60的容納區(qū)域38以及由此第二電接觸部66與第二接觸元件44電耦合。因此,導(dǎo)體框架片段30的容納區(qū)域38用于將電子器件60與電路板片段30機(jī)械地以及電地耦合。
[0064]在電子器件60運(yùn)行時(shí)可能產(chǎn)生熱,該熱被容納區(qū)域38中的導(dǎo)體框架片段30接收。該熱可以通過中間元件50被排出到熱接觸部52。同時(shí),中間元件50形成容納區(qū)域38同熱接觸部52的電絕緣,并且由此形成熱接觸部52同電子器件60的電絕緣。
[0065]電子器件60布置在成形材料54的容納凹槽56中。容納凹槽56可以在其它情況下例如被填充填料、例如光散射材料。換言之,容納凹槽56中的電子器件60可以嵌入在填料中。
[0066]接著,導(dǎo)體框架片段30可以例如借助于切割或鋸開從導(dǎo)體框架或器件載體中、從器件載體復(fù)合體中分離出。
[0067]圖8至12示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的不同狀態(tài)。
[0068]圖8示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的第一狀態(tài),其中從根據(jù)圖3的導(dǎo)體框架片段30出發(fā),僅僅中間區(qū)域48在容納片段36中被構(gòu)造在導(dǎo)體框架片段30的與容納區(qū)域38相對(duì)的側(cè)上。例如,中間區(qū)域48可以借助于刻蝕過程、例如平面刻蝕被構(gòu)造在導(dǎo)體框架片段30中??商娲诖说?,中間區(qū)域48例如可以借助于銑磨、鉆孔、研磨或刻印來構(gòu)造。中間區(qū)域48的深度例如可以為在10至100 μ m之間、例如在20至60 μ m之間、例如在30至50 μ m之間、例如大約40 μ m。
[0069]圖9示出了器件載體在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的第二狀態(tài),其中導(dǎo)體框架片段30例如根據(jù)參考圖4所闡述的用于制造接觸元件42、44的雙側(cè)刻蝕過程從兩側(cè)經(jīng)歷刻蝕過程。導(dǎo)體框架片段30在雙側(cè)刻蝕過程以后由于參考圖8所闡述的刻蝕過程在容納區(qū)域38處以及在中間區(qū)域48處具有比第一和第二接觸元件42、44更小的厚度。
[0070]圖10示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的第三狀態(tài),其中導(dǎo)體框架片段30被嵌入到成形材料中,例如如參考圖6進(jìn)一步闡述的那樣。
[0071]由于導(dǎo)體框架片段30在容納區(qū)域38和第二中間區(qū)域48處的較小厚度,成形材料54還被構(gòu)造為與中間區(qū)域48接界,使得中間區(qū)域48被用成形材料54覆蓋或填充。成形材料54由此形成中間元件50。換言之,在該實(shí)施例中,中間元件50由成形材料54構(gòu)成。中間元件50的厚度例如大約對(duì)應(yīng)于圖8所示的中間區(qū)域48的深度。
[0072]圖11示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的第四狀態(tài),其中在器件載體上在導(dǎo)體框架片段38的背向容納區(qū)域38的側(cè)處施加附加層80,更確切而言,使得兩個(gè)接觸元件42、44和中間元件50保持不含附加層80。附加層80也可以被表示為焊接掩模,和/或尤其是用于抬離(Lift-Off)方法。
[0073]圖12示出了導(dǎo)體框架30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第二實(shí)施例期間的第五狀態(tài),其中在導(dǎo)體框架片段30的背向容納區(qū)域38的側(cè)在第一接觸元件42處構(gòu)造第一層接觸部82,在第二接觸元件44處構(gòu)造第二層接觸部84,并且在中間元件50處構(gòu)造熱接觸部52。第一層接觸部82、第二層接觸部84和/或熱接觸部52例如扁平地借助于電鍍過程被施加到附加層80和成形體54上,其中接著附加層80與電鍍層的位于其上的層元件一起被除去,使得產(chǎn)生第一層接觸部82、第二層接觸部84和/或熱接觸部52。層接觸部82、84和/或熱接觸部52可替代地也可以借助于抬離方法通過蒸鍍方法和/或?yàn)R射方法來施加。
[0074]電子器件60被施加到導(dǎo)體框架片段30上,并且在導(dǎo)體框架片段30處被接觸,例如如參考圖7進(jìn)一步闡述的那樣。
[0075]接著,導(dǎo)體框架片段30可以例如借助于切割或鋸開從導(dǎo)體框架或器件載體中、從器件載體復(fù)合體中分離出。
[0076]在第二制造方法中,可以放棄構(gòu)造分開的中間元件50,因?yàn)檫@由成形材料54來形成。成形材料54在用于制造器件載體的方法的實(shí)施例的該實(shí)施例中例如具有特別高的熱導(dǎo)率。
[0077]在圖13至18中示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間和/或在用于制造導(dǎo)體框架片段30或器件載體的第三方法的不同狀態(tài)。
[0078]圖13示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間的第一狀態(tài),其中首先從圖3所示的狀態(tài)出發(fā),導(dǎo)體框架片段30經(jīng)歷雙側(cè)刻蝕過程,例如如參考圖4進(jìn)一步闡述的那樣。但是與圖4示出的實(shí)施例不同,中間區(qū)域48被構(gòu)造在導(dǎo)體框架片段30的與容納區(qū)域38相對(duì)的側(cè)上。
[0079]圖14示出了導(dǎo)體框架片片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間的第二狀態(tài),其中導(dǎo)體框架、尤其是導(dǎo)體框架片段30已經(jīng)被成形材料54包圍和/或嵌入到成形材料54中。構(gòu)造成形材料54例如根據(jù)如參考圖6進(jìn)一步闡述的那樣構(gòu)造成形材料54來進(jìn)行。
[0080]圖15示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間的第三狀態(tài),其中器件載體的背向容納凹槽56的側(cè)上施加中間層86。中間層86例如可以例如借助于離心涂布、壓印、印刷、澆注或刮擦和/或通過濺射、熱沉積和/或?qū)訅罕馄降厥┘拥狡骷d體上,其中接著在需要時(shí)可以例如光學(xué)地和/或熱學(xué)地對(duì)中間層86進(jìn)行干燥或硬化。中間層86具有中間元件50的材料。中間層86例如可以被構(gòu)造為盡可能薄的,和/或例如具有I至50 μ m、例如20至40 μ m、例如大約38 μ m的厚度。
[0081]圖16示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造期間載體的方法的第三實(shí)施例期間的第四狀態(tài),其中中間層86被結(jié)構(gòu)化為使得第一接觸元件42和接觸元件44至少部分地不含中間層86。換言之,中間層86被結(jié)構(gòu)化。中間層86例如可以借助于激光燒蝕、刻蝕和/或機(jī)械地例如借助于銑磨和/或刮削被結(jié)構(gòu)化。
[0082]替代于如參考圖15所闡述的那樣扁平地施加中間層86并接著如參考圖16所闡述那樣結(jié)構(gòu)化中間層86,中間層86也可以例如借助于絲網(wǎng)印刷、模板印刷、或者以射流沖擊法(噴濺)、例如根據(jù)噴墨印刷法結(jié)構(gòu)化地施加到器件載體上。
[0083]圖17示出了導(dǎo)體框架片片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第三實(shí)施例期間的第五狀態(tài),其中接觸層88被構(gòu)造在器件載體的背向容納區(qū)域38的側(cè)上。接觸層88扁平地延伸到中間層86、中間元件50、以及第一和第二接觸元件42、44的露出區(qū)域上。接觸層88例如可以具有金屬、例如銅。接觸層88例如可以具有在I至50 μ m之間、例如在3至10 μ m之間、例如大致5 μ m的厚度。
[0084]圖18示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造期間載體的方法的第五實(shí)施例期間的第六狀態(tài),其中接觸層83被結(jié)構(gòu)化為使得通過接觸層82形成第一層接觸部82、第二層接觸部84、以及熱接觸部52。接觸層88例如可以借助于光刻過程和刻蝕過程來構(gòu)造和/或結(jié)構(gòu)化。例如,接觸層88的結(jié)構(gòu)可以借助于光掩模被施加在接觸層88上。
[0085]在圖19至24中示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的不同狀態(tài)。
[0086]圖19示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第一狀態(tài),其中從根據(jù)圖3的導(dǎo)體框架片段30出發(fā),中間區(qū)域48在導(dǎo)體框架片段的與容納區(qū)域38相對(duì)的側(cè)上被構(gòu)造在框架片段30中。中間區(qū)域48例如借助于刻蝕來構(gòu)造。另外,中間區(qū)域48例如可以如參考圖8進(jìn)一步闡述的那樣來構(gòu)造。中間層48例如可以被構(gòu)造為具有例如在10至100 μ m之間、例如在20至50 μ m之間、例如大致40 μ m的深度。
[0087]圖20示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第二狀態(tài),其中中間元件48被置入到中間區(qū)域48中。
[0088]中間元件50例如可以借助于刮擦或者配送被置入到中間區(qū)域48中。中間區(qū)域50例如如參考圖5進(jìn)一步闡述的那樣被置入到中間區(qū)域48中。中間元件50例如可以具有如結(jié)合圖5所示的中間元件59所詳述的材料。中間元件50的材料例如可以以流體形式被置入到中間區(qū)域48中和/或在那里被熱地或光學(xué)地硬化。
[0089]圖21示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第三狀態(tài),其中接觸層88在第一和第二接觸片段中被扁平地施加到中間層50和導(dǎo)體框架片段30上。接觸層88例如可以根據(jù)圖17所述的接觸層88來構(gòu)造和/或構(gòu)造。接觸層88例如可以具有I至10、例如5微米的厚度。
[0090]圖22示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第四狀態(tài),在此之前,具有中間元件50和接觸層88的導(dǎo)體框架片段30經(jīng)歷雙側(cè)刻蝕過程,例如如參考圖4進(jìn)一步闡述的那樣。通過雙側(cè)刻蝕過程來構(gòu)造具有第一層接觸部82的第一接觸元件42、具有第二層接觸部84的第二接觸元件44、以及具有熱接觸部52的中間元件50。可替代地,例如如果執(zhí)行刻蝕過程是不利的,則也可以通過單側(cè)或雙側(cè)機(jī)械加工來構(gòu)造具有第一層接觸部82的第一接觸元件42、具有第二層接觸部84的第二接觸元件44、以及具有熱接觸部52的中間元件50。
[0091]圖23示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第五狀態(tài),其中導(dǎo)體框架片段30被用成形材料54重鑄或擠壓包封。構(gòu)造成形材料54例如根據(jù)如參考圖6進(jìn)一步闡述的那樣進(jìn)行。成形材料54被構(gòu)造為使得第一層接觸部82、第二層接觸部84和熱接觸部52保持不含成形材料。
[0092]圖24示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第四實(shí)施例期間的第六狀態(tài),其中電子器件60被施加到容納區(qū)域38上,并且電子器件60已經(jīng)與導(dǎo)體框架片段30接觸,例如如參考圖7進(jìn)一步闡述的那樣。
[0093]在該實(shí)施例中,中間元件50可以被構(gòu)造為特別薄的,這可以有助于特別良好地將熱通過中間兀件50排出。另外,器件載體、例如殼體、例如QFN殼體在其背向電子器件60的側(cè)處被構(gòu)造平面的,這可以有助于將器件載體簡(jiǎn)單地構(gòu)造在例如電路板14上。
[0094]圖25至29示出了器件載體在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的不同狀態(tài)。
[0095]圖25示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的第一狀態(tài),其中在根據(jù)圖3的導(dǎo)體框架片段30上在導(dǎo)體框架片段30的背向容納區(qū)域30的側(cè)上構(gòu)造中間元件50。中間元件50例如已經(jīng)被結(jié)構(gòu)化,例如借助于模板印刷、絲網(wǎng)印刷或借助于噴墨印刷法(噴射)被施加到導(dǎo)體框架片段30上??商娲诖耍虚g元件50可以如參考圖15所闡述那樣作為中間層86被施加,并且然后如參考圖16進(jìn)一步闡述那樣被結(jié)構(gòu)化,使得接著構(gòu)造中間元件50。
[0096]圖26示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的第二狀態(tài),其中接觸層88被扁平地施加到框架片段30和中間元件50上,例如如參考圖17進(jìn)一步闡述的那樣。
[0097]圖27示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的第三狀態(tài),在此之前,具有接觸層88和中間元件50的導(dǎo)體框架片段30經(jīng)歷雙側(cè)刻蝕過程,例如如參考圖4進(jìn)一步闡述的那樣。在雙側(cè)刻蝕過程中構(gòu)造具有第一層接觸部82的第一接觸元件42、具有第二層接觸部84的第二接觸元件44、以及具有熱接觸部52的中間元件50。可替代于此地,例如如果執(zhí)行刻蝕過程是不利的,則也可以通過單側(cè)或雙側(cè)機(jī)械加工來構(gòu)造具有第一層接觸部82的第一接觸元件42、具有第二層接觸部84的第二接觸元件44、以及具有熱接觸部52的中間元件50。導(dǎo)體框架片片段30在熱接觸部52、中間元件50和容納區(qū)域38的區(qū)域中具有與在第一和/第二接觸元件42、44的區(qū)域中相比更大的厚度。
[0098]圖28示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的第四狀態(tài),其中導(dǎo)體框架片段30被嵌入到成形材料54中。成形材料54例如如參考圖6進(jìn)一步闡述的那樣來構(gòu)造。成形材料54具有容納凹槽56。此外,成形材料54被構(gòu)造為使得第一和第二層接觸部82、84和熱接觸部52不含成形材料54。器件載體在其朝向容納區(qū)域38的側(cè)上具有階梯型結(jié)構(gòu)。器件載體尤其是在中間片段36中與在第一和第二接觸片段32、34中相比具有更大厚度。階梯部在圖28為了更好地圖解說明而被夸大地示出。該階梯部也可以被構(gòu)造為相對(duì)于器件載體的大小明顯更小的。這例如可以通過將中間層50構(gòu)造為盡可能薄的來實(shí)現(xiàn)。
[0099]圖29示出了導(dǎo)體框架片段30或器件載體在用于制造器件載體的方法的第五實(shí)施例期間的第五狀態(tài),其中電子器件60被布置在器件載體上并且與其導(dǎo)體框架片段30接觸。
[0100]用于制造器件載體的第五實(shí)施例例如可以利用僅僅單個(gè)刻蝕過程來執(zhí)行。
[0101]本發(fā)明不限于所說明的實(shí)施例。例如,成形材料54可以在所有實(shí)施例中借助于轉(zhuǎn)移壓縮或注射成形來構(gòu)造。原則上對(duì)于所有實(shí)施例都成立的是,中間元件50的小厚度有助于良好的散熱。中間元件50的小厚度例如可以通過中間區(qū)域48的凹槽的小深度或者通過中間層的小厚度來實(shí)現(xiàn)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造用于電子器件(60)的器件載體的方法,其中 一提供導(dǎo)體框架片段(30),所述導(dǎo)體框架片段(30)具有導(dǎo)電材料,其中導(dǎo)體框架片段(30)具有用于構(gòu)造第一電接觸元件(42)的第一接觸片段(32)、用于構(gòu)造第二電接觸元件(44)的第二接觸片段(34)、以及用于容納電子器件(60)的容納區(qū)域(38),其中至少容納區(qū)域(38)和第二接觸片段(34)導(dǎo)電地彼此連接; 一至少在導(dǎo)體框架片段(30)的與容納區(qū)域(38)相對(duì)的側(cè)上構(gòu)造導(dǎo)熱和電絕緣的中間元件(50)以用于將熱從容納區(qū)域(38)中排出并且將容納區(qū)域(38)電絕緣; 一至少在中間元件(50)的背向容納區(qū)域(38)的側(cè)上構(gòu)造熱接觸部(52)以用于熱接觸電子器件(60)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中熱接觸部(52)具有金屬。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法,其中第一接觸元件(42)和第二接觸元件(44)由導(dǎo)體框架片段(30)構(gòu)造,其中第一接觸元件(42)在體身上與第二接觸元件(44)分開。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中第一接觸元件(42)借助于刻蝕過程在體身上與第二接觸元件(44)分開。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的方法,其中在導(dǎo)體框架片段(30)的與容納區(qū)域(38)相對(duì)的側(cè)上構(gòu)造用于容納中間元件(50)的中間區(qū)域(48)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中中間區(qū)域(50)在與第一和第二接觸元件(42,44)相同的工作步驟中被構(gòu)造。
7.根據(jù)權(quán)利要求3至6之一所述的方法,其中中間元件(50)和/或熱接觸部(52)在與第一和第二接觸元件(42,44)相同的工作步驟中被構(gòu)造。
8.根據(jù)權(quán)利要求3至7之一所述的方法,其中第一和第二接觸元件(42,44)至少部分地被嵌入到成形材料(54)中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中成形材料(54)被用作中間元件(50)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法,其中成形材料(54)被成形為使得其具有容納凹槽(56 ),在所述容納凹槽(56 )中至少部分地露出第一接觸元件(42 )、第二接觸元件(44 )和/或容納區(qū)域(38)。
11.一種用于制造電子裝置(10)的方法,其中根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法來制造器件載體并且其中將電子器件(60)施加到容納區(qū)域(38)上,并且電子器件(60)的第一電接觸部(62)與第一接觸元件(42)接觸,并且電子器件(60)的第二電接觸部(66)與第二接觸元件(44)接觸。
12.一種用于制造輻射裝置的方法,其中根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法來制造電子裝置(10),其中使用輻射源作為電子器件(60)。
13.一種用于容納和接觸電子器件(60)的器件載體,具有: 一導(dǎo)體框架片段(30),其具有用于接觸電子器件(60)的第一電極(62)的第一接觸元件(42)、用于接觸電子器件(60)的第二電極(66)的第二接觸元件(44)、以及用于容納電子器件(60)的容納區(qū)域(38),其中容納區(qū)域(38)和第二接觸元件(44)導(dǎo)電地彼此連接; 一用于使容納區(qū)域(38)電絕緣的中間元件(50),所述中間元件(50)布置在導(dǎo)體框架片段(30)的與容納區(qū)域(38)相對(duì)的側(cè)上; 一用于熱接觸電子器件(60)的熱接觸部(52),其中熱接觸部(52)在中間元件(50)的背向容納區(qū)域(38)的側(cè)上布置在中間元件(50)處。
14.一種電子裝置,其具有根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件載體和電子器件(60)。
15.一種輻射裝置,其具有根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件載體和電子器件(60),其中電子器件(60)是輻射源。
【文檔編號(hào)】H01L33/64GK104272480SQ201380024094
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2013年5月7日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月7日
【發(fā)明者】S.格雷奇, T.施瓦茨, M.齊茨爾施帕格 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司