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用于檢測埋藏缺陷的方法及設備的制作方法

文檔序號:7038403閱讀:516來源:國知局
用于檢測埋藏缺陷的方法及設備的制作方法
【專利摘要】一個實施例涉及一種在目標微觀金屬特征中檢測埋藏缺陷的方法。成像設備經(jīng)配置以用著陸能量撞擊帶電粒子使得所述帶電粒子平均到達所述目標微觀金屬特征內的一深度。此外,所述成像設備經(jīng)配置以濾出二次電子且檢測背向散射電子。接著,操作所述成像設備以收集歸因于所述帶電粒子的撞擊而從所述目標微觀金屬特征發(fā)射的所述背向散射電子。比較所述目標微觀金屬特征的背向散射電子BSE圖像與參考微觀金屬特征的所述BSE圖像,以檢測所述埋藏缺陷并對所述埋藏缺陷進行分類。本發(fā)明還揭示其它實施例、方面及特征。
【專利說明】用于檢測埋藏缺陷的方法及設備

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及用于半導體晶片及其它制造襯底的檢驗及/或檢視的方法及設備。

【背景技術】
[0002]半導體制造涉及各種過程。常用過程包含在所制造的襯底上形成微觀特征的那些過程。微觀特征可包括(例如)電介質或金屬材料。
[0003]微觀金屬特征可包含插塞及線且可通過電介質蝕刻、金屬沉積及金屬化學機械拋光(CMP)工藝形成。在此類金屬特征中檢測空隙通常為集成電路芯片制造中所關注的問題。然而,在微觀金屬特征中(尤其在寬度小于一微米的金屬插塞及其它特征中)檢測空隙或其它埋藏缺陷為極具挑戰(zhàn)性的任務,這是歸因于這些缺陷的隱藏特性。


【發(fā)明內容】

[0004]一個實施例涉及一種在目標微觀金屬特征中檢測埋藏缺陷的方法。成像設備經(jīng)配置以用著陸能量撞擊帶電粒子使得帶電粒子平均上到達目標微觀金屬特征內的深度。此夕卜,所述成像設備經(jīng)配置以濾出二次電子且檢測背向散射電子。接著,操作所述成像設備以收集歸因于帶電粒子的撞擊而從目標微觀金屬特征發(fā)射的背向散射電子。比較目標微觀金屬特征的背向散射電子(BSE)圖像與參考微觀金屬特征的BSE圖像,以檢測埋藏缺陷并對埋藏缺陷進行分類。
[0005]另一實施例涉及一種經(jīng)配置以在目標微觀金屬特征中檢測埋藏缺陷的設備。所述設備包含至少一個帶電粒子束柱、檢測器及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。帶電粒子束柱經(jīng)配置以產(chǎn)生帶電粒子的入射束。入射束的著陸能量為在使得帶電粒子平均上到達所關注的深度的水平,其中所述所關注的深度為在表面下方但小于埋藏缺陷的最大深度。檢測器經(jīng)配置以濾出二次電子且檢測背向散射電子。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)經(jīng)配置以比較目標微觀金屬特征的背向散射電子(BSE)圖像與參考微觀金屬特征的BSE圖像,以檢測埋藏缺陷并對埋藏缺陷進行分類。
[0006]在替代實施例中,可應用上文所描述的方法及設備以在電介質特征而非金屬特征中檢測埋藏缺陷。還揭示其它實施例、方面及特征。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為根據(jù)本發(fā)明的實施例用于在微觀金屬特征中檢測埋藏缺陷的方法的流程圖。
[0008]圖2為描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例可經(jīng)配置用于在微觀金屬特征中檢測埋藏缺陷的實例電子束成像設備的橫截面視圖的框圖。
[0009]圖3為展示鎢插塞及其中可通過本文中所揭示的方法及設備檢測的埋藏缺陷的實例的說明性橫截面視圖。

【具體實施方式】
[0010]用于在微觀金屬特征中檢測空隙的一個常規(guī)技術涉及使用測試結構及電探測。通常在形成金屬層(其互連到所述測試結構)之后執(zhí)行電探測。不幸的是,電探測技術無法在金屬層形成之前檢測金屬特征中的空隙。此外,電探測技術僅可在測試結構中且通常不在測試結構外部的裝置中檢測空隙。這實質上限制此技術的使用。
[0011]傳統(tǒng)電子束成像(EBI)具有在薄電介質膜中檢測空隙的某種能力。然而,傳統(tǒng)EBI目前仍無法在微觀金屬插塞及線中可靠地檢測空隙。對于寬度小于I微米的金屬特征,此檢測可能尤其困難。
[0012]如本文中所揭示, 申請人:已確定一種可用以有效地檢測埋藏于微觀金屬特征中的空隙及/或體積變動的方法及設備。所述方法及設備可應用于寬度小于I微米的金屬特征。
[0013]本文中所揭示的方法涉及使用高著陸能量(其高于3.1keV)及檢測配置(其濾出二次電子以便以隔離方式檢測背向散射電子)兩者。本文中所揭示的設備包含電子束柱,所述電子束柱具有經(jīng)設定以提供高著陸能量(其高于3.1keV)的施加電壓且具有經(jīng)配置以檢測背向散射電子同時濾出二次電子的檢測器。對于所述方法及所述設備兩者,所使用的高著陸能量可為(例如)6keV或更高。
[0014]有利地,目前所揭示的方法及設備可用以在金屬插塞(舉例來說,例如靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)陣列中的鎢插塞)中檢測空隙。先前,僅通過電探測測試在集成電路(IC)芯片制造過程結束時檢測此類空隙。目前所揭示的方法及設備使IC制造商能夠在制造過程流程中的更早階段有利地檢測此類降低良率的缺陷。例如,可在鎢(或銅)特征的化學機械拋光步驟之后應用目前所揭示的用以檢測埋藏缺陷的技術。
[0015]圖1為根據(jù)本發(fā)明的實施例用于在微觀金屬特征中檢測埋藏缺陷的方法100的流程圖。金屬特征可包含在集成電路制造過程期間形成于半導體襯底上的金屬插塞及金屬線。埋藏缺陷可包含空隙及非所要的體積變動。
[0016]如所展示,如通過框102及104指示,方法100以配置帶電粒子成像設備開始。在一個實施例中,所述帶電粒子成像設備可為電子束成像設備,例如圖2中所描繪的EBI設備200。
[0017]根據(jù)框102,所述設備可經(jīng)配置以使用高著陸能量將帶電粒子撞擊到目標襯底上。例如,使用圖2的EBI設備200,系統(tǒng)控制器及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)240可控制施加于電子槍202的操作電壓252以控制施加到載物臺223的偏壓電壓254。著陸能量大體上與操作電壓252與偏壓電壓254之間的差成比例。
[0018]高著陸能量應足夠高使得帶電粒子平均將到達表面下方所關注的深度。所關注的深度為期望針對缺陷進行檢驗的表面下方的深度。例如,在主要由鎢組成的目標特征上使用圖2的設備200,可控制操作電壓252及偏壓電壓254使得著陸能量高于3.1keV,使得入射電子平均上將穿透到鎢特征的表面下方所關注的深度。例如,用以檢驗鎢特征的著陸能量可為6keV或更高。
[0019]根據(jù)框104,所述設備可經(jīng)配置以在散射電子束205中濾出二次電子且檢測背向散射電子。例如,使用圖2的EBI設備200,可將高負電勢施加到散射電子束205的路徑中的一或多個能量過濾器(例如,見225及226),使得僅背向散射電子將具有足夠能量以到達檢測器228。或者,可使用其它能量過濾技術。例如,可結合位置敏感檢測器使用能量相依性分散裝置(例如,維因過濾器218)以過濾電子,以便濾出二次電子并同時檢測背向反射電子。
[0020]根據(jù)框106,在根據(jù)框102及104配置所述設備之后,可操作所述設備以從目標微觀金屬特征收集背向散射圖像數(shù)據(jù)。例如,使用圖2的EBI設備200,可在目標襯底222的區(qū)域上方掃描入射電子束203,其中經(jīng)掃描的區(qū)域包含目標特征。接著,可通過檢測器228檢測背向散射電子,使得可產(chǎn)生及存儲目標特征的BSE圖像數(shù)據(jù)。
[0021]根據(jù)框108,可在目標特征的BSE圖像與對應參考特征的BSE圖像之間做出比較,以便在目標特征中(如果有)檢測埋藏缺陷并對埋藏缺陷進行分類。參考特征為稱為正常(良品)特征的特征。目標特征及參考特征的對應之處在于,它們經(jīng)設計以具有相同尺寸及材料性質。應使用成像設備的相同配置(例如,相同束強度、相同著陸能量等)獲得目標特征及參考特征的BSE圖像???例如)通過圖2的系統(tǒng)控制器及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)240執(zhí)行用于缺陷檢測及分類的圖像比較。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的實施例,圖像比較可涉及比較目標特征中的像素的灰度級與參考特征中的對應像素的灰度級。在圖像比較期間還可確定較低灰度級像素的位置的分布。
[0023]在一個實施例中,如果目標鎢插塞的像素的灰度級實質上較低使得灰度級差高于閾值差,那么目標金屬插塞可被視為具有缺陷,這是因為其具有埋藏于表面下方的較少鎢材料。可基于(例如)用以獲得圖像的著陸能量且還基于較低灰度級像素的分布而確定缺陷的分類。下文關于圖3論述可使用此方法100檢測及分類的特定埋藏缺陷的實例。
[0024]圖2為描繪根據(jù)本發(fā)明的實施例的實例電子束成像設備200(其可經(jīng)配置用于在微觀金屬特征中檢測埋藏缺陷)的橫截面視圖的圖。注意,圖2描繪此設備的實例實施方案的選擇組件及特征。設備200還可包含未展示的多種其它組件及特征。
[0025]如圖2中所展示,設備200可包含具有電子槍202的電子束柱201。入射電子束203通過電子槍202產(chǎn)生且通過柱201中的一或多個電子透鏡聚焦到目標襯底222的表面上的束點上。可通過可移動載物臺223固持目標襯底222。
[0026]通常通過施加到電子槍222的操作電壓252及施加到固持目標襯底222的載物臺223的偏壓電壓254而確定入射電子的著陸能量。偏壓電壓254通常還施加到物鏡219??稍谙到y(tǒng)控制器及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)240的控制下通過高電壓電力供應器產(chǎn)生這些施加電壓。根據(jù)本發(fā)明的實施例,操作電壓252及偏壓電壓254可經(jīng)控制使得著陸能量高于3.1keV。例如,當目標特征由鎢組成時,著陸能量可為6keV或更高。
[0027]設備200還包含檢測系統(tǒng),所述檢測系統(tǒng)可經(jīng)布置以在來自發(fā)射自目標襯底222的電子的可控制能量范圍中選擇性地檢測電子205。一般來說,從目標襯底222發(fā)射的電子可包含二次電子及背向散射電子兩者。然而,根據(jù)本發(fā)明的實施例,所述檢測系統(tǒng)可經(jīng)布置以便選擇性地檢測背向散射電子同時濾出二次電子。
[0028]在圖2中所展示的實例實施方案中,可在散射電子束205的路徑中布置一或多個能量過濾器。例如,在圖2中所說明的實施例中,在目標襯底222與物鏡219之間布置第一能量過濾器225,且在檢測器228前面布置第二能量過濾器226??蓪⒆銐蚋叩呢撾妱菔┘拥侥芰窟^濾器,使得僅背向散射電子將具有足夠能量以通過且最終到達檢測器228。這是因為背向散射電子通常具有遠高于二次電子的能量值。在替代實施例中,代替使用一或多個能量過濾器(或除了使用一或多個能量過濾器之外),還可結合位置敏感檢測器使用能量相依性分散裝置來過濾電子,以便濾出二次電子且同時檢測背向散射電子。
[0029]一旦通過檢測器228檢測到電子,便可通過圖像數(shù)據(jù)產(chǎn)生電路234 (其可包含(例如)模/數(shù)轉換電路及幀緩沖器)接收及處理經(jīng)檢測的信號??蓪⑼ㄟ^圖像數(shù)據(jù)產(chǎn)生電路234產(chǎn)生的圖像數(shù)據(jù)提供到系統(tǒng)控制器及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)240。
[0030]圖2中描繪展示系統(tǒng)控制器及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)240的精選組件的簡化框圖。如所展示,系統(tǒng)控制器及數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)240可包含處理器240、存儲器242、數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)243、輸入/輸出接口 244及與前述組件通信地互連的通信系統(tǒng)249。處理器240可經(jīng)配置以執(zhí)行可存儲于存儲器242中的計算機可讀指令。數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)243可經(jīng)配置而以非暫時性方式將指令及數(shù)據(jù)存儲在計算機可讀媒體上。輸入/輸出接口 244可經(jīng)配置以與外部組件或系統(tǒng)傳遞數(shù)據(jù)。
[0031]如所展示,根據(jù)本發(fā)明的實施例,存儲器242可經(jīng)配置以保持可由處理器241執(zhí)行的指令碼246。根據(jù)本發(fā)明的實施例,指令碼246可經(jīng)配置以便實施上文關于圖1所描述的方法100。
[0032]如進一步所展示,數(shù)據(jù)存儲器243可經(jīng)配置以存儲來自圖像數(shù)據(jù)產(chǎn)生電路234的BSE圖像數(shù)據(jù)(BSE數(shù)據(jù))248。BSE數(shù)據(jù)248可包含目標BSE圖像數(shù)據(jù)及參考BSE圖像數(shù)據(jù)。如上文關于圖1所描述,可利用目標BSE圖像數(shù)據(jù)及參考BSE圖像數(shù)據(jù)來產(chǎn)生差異圖像以便檢測埋藏缺陷。
[0033]圖3為展示鎢(W)插塞及其中可通過本文中所揭示的方法及設備檢測的埋藏缺陷的實例的說明性橫截面圖。圖中展示硅(Si)層中的若干鎢插塞的橫截面,包含正常(良品)鎢插塞310及具有埋藏缺陷的三個鎢插塞(320、330及340)。
[0034]最左鎢插塞310為在表面處具有寬度w的正常(良品)插塞。在當前半導體制造過程中,此類鎢插塞的寬度通常小于I微米。運用常規(guī)技術難以檢測此類鎢插塞及類似金屬特征內的埋藏缺陷。然而,目前所揭示的方法及設備可用以有效地檢測鎢插塞及線、銅插塞及線以及類似金屬特征中的此類表面下方缺陷。
[0035]下一鎢插塞320為具有可使用目前所揭示的方法及設備檢測的埋藏缺陷的特征的第一實例。在此情況中,插塞320具有埋藏于表面下方的縫隙322。
[0036]下一鎢插塞330為具有可使用目前所揭示的方法及設備檢測的埋藏缺陷的特征的第二實例。在此情況中,插塞330具有埋藏于表面下方的中空底部332。
[0037]最右鎢插塞340為具有可使用目前所揭示的方法及設備檢測的埋藏缺陷的特征的第三實例。在此情況中,插塞340具有埋藏于表面下方的尖縮底部342。
[0038]檢測中空底部332及尖縮底部342可需要以高于檢測縫隙322所需的著陸能量的著陸能量獲得目標BSE圖像數(shù)據(jù)及參考BSE圖像數(shù)據(jù)。這是因為中空底部332及尖縮底部342與縫隙322相比埋藏于表面下方更遠之處。
[0039]因此,如果著陸能量為在使得入射帶電粒子平均上將到達插塞的中間深度的水平,且在目標插塞的中心區(qū)域中發(fā)現(xiàn)較低灰度級像素,那么埋藏缺陷檢測方法100中的比較框108可確定將缺陷分類為縫隙322。另一方面,如果著陸能量為在使得入射帶電粒子平均上將到達插塞的底部附近的深度的水平,且在目標插塞的中心區(qū)域中發(fā)現(xiàn)較低灰度級像素,那么埋藏缺陷檢測方法100中的比較框108可確定將缺陷分類為中空底部332。
[0040]可通過確定目標BSE圖像中的較低灰度級像素的位置的分布而區(qū)分尖縮底部342與中空底部332。因此,如果著陸能量為在使得入射帶電粒子平均上將到達插塞的底部附近的深度的水平,且目標BSE圖像中的較低灰度級像素定位于目標插塞的中心區(qū)域中,那么比較框108可確定將缺陷分類為中空底部332。另一方面,如果著陸能量為在使得入射帶電粒子平均上將到達插塞的底部附近的深度的水平,且目標BSE圖像中的較低灰度級像素定位于目標特征的環(huán)狀區(qū)域中,那么比較框108可確定將缺陷分類為尖縮底部342。
[0041]插塞中可使用目前所揭示的方法及設備檢測的其它缺陷包含半填充插塞及可由接觸孔輪廓變動引發(fā)的金屬插塞體積變動。目前所揭示的方法及設備還可檢測金屬線中的埋藏缺陷。
[0042]盡管上文描述主要探討在金屬特征中檢測埋藏缺陷,然本文中所揭示的方法及設備還可用以在電介質特征中檢測埋藏缺陷。例如,可檢測電介質層中的空隙,例如淺溝渠隔離(STI)層或層間電介質。
[0043]在上文描述中,給出許多具體細節(jié)以提供對本發(fā)明的實施例的透徹理解。然而,本發(fā)明的所說明實施例的上文描述并不旨在是詳盡性的或將本發(fā)明限制于所揭示的精確形式。所屬領域的技術人員將認識到,可在無一或多個具體細節(jié)的情況下或運用其它方法、組件等實踐本發(fā)明。在其它情況中,未詳細展示或描述眾所周知的結構或操作以避免使本發(fā)明的方面不清楚。盡管本文出于闡釋性目的而描述本發(fā)明的特定實施例及實例,然所屬領域的技術人員將認識到在本發(fā)明的范圍內,各種等效修改是可能的。
[0044]根據(jù)上文詳細描述,可對本發(fā)明做出這些修改。所附權利要求書中使用的術語不應被理解為將本發(fā)明限制于本說明書及權利要求書中所揭示的特定實施例。實情是,將通過根據(jù)所建立的權利要求書解釋的規(guī)則而理解的所附權利要求書確定本發(fā)明的范圍。
【權利要求】
1.一種在目標微觀金屬特征中檢測埋藏缺陷的方法,所述方法包括: 配置成像設備以用著陸能量撞擊帶電粒子使得所述帶電粒子平均到達所述目標微觀金屬特征內的一深度; 配置所述成像設備以濾出二次電子且檢測背向散射電子; 操作所述成像設備以收集歸因于所述帶電粒子的撞擊而從所述目標微觀金屬特征發(fā)射的所述背向散射電子;及 比較所述目標微觀金屬特征的背向散射電子BSE圖像與參考微觀金屬特征的所述BSE圖像,以檢測所述埋藏缺陷并對所述埋藏缺陷進行分類。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述埋藏缺陷包括所述微觀金屬特征中的空隙。
3.根據(jù)權利要求2所述的方法,其中至少部分歸因于當與所述參考特征的中間區(qū)域中的像素比較時所述目標特征的中間區(qū)域中的像素具有較低灰度級而將所述埋藏缺陷分類為空隙。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述微觀金屬特征包括插塞。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法,其中至少部分歸因于當與所述參考特征的中間區(qū)域中的像素比較時所述目標特征的中間區(qū)域中的像素具有較低灰度級而將所述埋藏缺陷分類為所述插塞的中空底部。
6.根據(jù)權利要求4所述的方法,其中至少部分歸因于當與所述參考特征的環(huán)狀區(qū)域中的像素比較時所述目標特征的環(huán)狀區(qū)域中的像素具有較低灰度級而將所述埋藏缺陷分類為所述插塞的尖縮底部。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述目標微觀金屬特征包括鎢特征。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述目標微觀金屬特征包括銅特征。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述著陸能量大于3.1千電子伏。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法,其中所述著陸能量大于6千電子伏。
11.一種經(jīng)配置以在目標微觀金屬特征中檢測埋藏缺陷的設備,所述設備包括: 帶電粒子束柱,其經(jīng)配置以產(chǎn)生帶電粒子的入射束,其中著陸能量處在使得所述帶電粒子平均到達所關注深度的水平,且所述所關注深度小于所述埋藏缺陷的最大深度; 檢測器,其經(jīng)配置以濾出二次電子且檢測背向散射電子;及 數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),其經(jīng)配置以比較所述目標微觀金屬特征的背向散射電子BSE圖像與參考微觀金屬特征的所述BSE圖像,以檢測所述埋藏缺陷并對所述埋藏缺陷進行分類。
12.根據(jù)權利要求11所述的設備,其中所述數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)進一步經(jīng)配置以至少部分歸因于當與所述參考特征的中間區(qū)域中的像素比較時所述目標特征的中間區(qū)域中的像素具有較低灰度級而將所述埋藏缺陷分類為空隙。
13.根據(jù)權利要求11所述的設備,其中所述數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)進一步經(jīng)配置以:在所述目標特征為插塞的情況下,如果所述帶電粒子平均到達所述插塞的底部附近的深度且如果當與所述參考特征的中間區(qū)域中的像素比較時所述目標特征的中間區(qū)域中的像素具有較低灰度級,那么將所述埋藏缺陷分類為中空底部。
14.根據(jù)權利要求11所述的設備,其中所述數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)進一步經(jīng)配置以:在所述目標特征為插塞的情況下,如果所述帶電粒子平均上到達所述插塞的底部附近的深度且如果當與所述參考特征的環(huán)狀區(qū)域中的像素比較時所述目標特征的環(huán)狀區(qū)域中的像素具有較低灰度級,那么將所述埋藏缺陷分類為尖縮底部。
15.根據(jù)權利要求11所述的設備,其中所述目標微觀金屬特征包括鎢。
16.根據(jù)權利要求11所述的設備,其中所述目標微觀金屬特征包括銅。
17.根據(jù)權利要求11所述的設備,其中所述帶電粒子為電子。
18.根據(jù)權利要求11所述的設備,其中使用所述檢測系統(tǒng)中的能量過濾器濾出所述二次電子。
19.根據(jù)權利要求11所述的設備,其中所述著陸能量大于3.1千電子伏。
20.根據(jù)權利要求11所述的設備,其中所述著陸能量大于6千電子伏。
21.一種在目標微觀電介質特征中檢測埋藏缺陷的方法,所述方法包括: 配置成像設備以用著陸能量撞擊帶電粒子使得所述帶電粒子平均到達所述目標微觀電介質特征內的一深度; 配置所述成像設備以濾出二次電子且檢測背向散射電子; 操作所述成像設備以收集歸因于所述帶電粒子的撞擊而從所述目標微觀金屬特征發(fā)射的所述背向散射電子;及 比較所述目標微觀電介質特征的背向散射電子BSE圖像與參考微觀電介質特征的所述BSE圖像以檢測所述埋藏缺陷并對所述埋藏缺陷進行分類。
【文檔編號】H01L21/66GK104321856SQ201380026325
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2013年3月26日 優(yōu)先權日:2012年3月27日
【發(fā)明者】紅·蕭, 江錫滿 申請人:科磊股份有限公司
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